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序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种轫致辐射反射三极管 CN201910345295.9 2019-04-26 CN110047721B 2021-01-05 黄种亮; 徐启福; 来定国; 邱孟通
发明涉及一种用于产生强脉冲硬X射线的轫致辐射反射三极管,解决现有轫致辐射反射三极管的两个阴阳极间隙电势不一致和辐射场无法充分利用的问题。该三极管包括反射三极管腔体、阳极基座、阳极、阴极、横向盖板、前向盖板、绝缘板固定螺母、绝缘板过渡件和绝缘板;反射三极管腔体与绝缘板相连接的部分为圆筒,远离绝缘板的部分过渡为一封闭腔体,封闭腔体相对的面设置为平行的两个平板;两个阴极分别设置在封闭腔体的两个平板上;阳极位于两个阴极之间;阳极设置在阳极基座上,阳极基座通过绝缘板过渡件安装在线内筒上,绝缘板过渡件通过绝缘板固定螺母固定;横向盖板分别设置在封闭腔体的两个平板上,前向盖板设置在封闭腔体的轴向末端。
2 一种轫致辐射反射三极管 CN201910345295.9 2019-04-26 CN110047721A 2019-07-23 黄种亮; 徐启福; 来定国; 邱孟通
发明涉及一种用于产生强脉冲硬X射线的轫致辐射反射三极管,解决现有轫致辐射反射三极管的两个阴阳极间隙电势不一致和辐射场无法充分利用的问题。该三极管包括反射三极管腔体、阳极基座、阳极、阴极、横向盖板、前向盖板、绝缘板固定螺母、绝缘板过渡件和绝缘板;反射三极管腔体与绝缘板相连接的部分为圆筒,远离绝缘板的部分过渡为一封闭腔体,封闭腔体相对的面设置为平行的两个平板;两个阴极分别设置在封闭腔体的两个平板上;阳极位于两个阴极之间;阳极设置在阳极基座上,阳极基座通过绝缘板过渡件安装在线内筒上,绝缘板过渡件通过绝缘板固定螺母固定;横向盖板分别设置在封闭腔体的两个平板上,前向盖板设置在封闭腔体的轴向末端。
3 一种同轴结构轫致辐射反射三极管 CN202010468450.9 2020-05-28 CN111524773B 2022-08-16 来定国; 徐启福; 邱孟通; 杨海亮; 张鹏飞; 吴撼宇; 李沫
发明针对目前脉冲硬X射线负载转换效率和利用效率低的问题,提供了一种同轴结构轫致辐射反射三极管。该同轴结构轫致辐射反射三极管包括真空腔室、外阴极环、内阴极环、阴极基座阳极、阳极夹持组件和阳极引入段;阴极基座包括同轴设置的外筒体和内筒体,外筒体和内筒体通过连接板固定连接;外阴极环设置在外筒体的顶端,内阴极环设置在内筒体的顶端;阳极引入段包括转接环和多根引杆,引杆的底端设置在脉冲功率源输出端,顶端穿过连接板上的通孔与转接环连接;阳极为圆筒结构,其底端通过阳极夹持组件设置在转接环上,顶端穿过内阴极环、外阴极环之间的径向间隙,且与内外阴极环保持同轴。
4 一种串级式轫致辐射反射三极管 CN202010467599.5 2020-05-28 CN111524772B 2022-07-08 来定国; 徐启福; 邱孟通; 杨海亮; 张鹏飞; 吴撼宇; 李沫
发明提供了一种串级式轫致辐射反射三极管,解决现有反射三极管X射线转换效率低,以及无法应用在大型高电压脉冲功率驱动源中的问题。该串级式轫致辐射反射三极管包括阳极引出段、接地筒、悬浮电极、绝缘子、第一级反射三极管、第二级反射三极管和真空腔室。悬浮电极、阳极引出段和接地外筒形成串级反射三极管的支撑结构,采用内置式绝缘子实现高压绝缘和悬浮电极电位悬浮。将两个不同尺寸的同轴反射三极管串联工作,在脉冲作用下,两级反射三极管阴极发射电子,穿透阳极并在空间多次反射打靶,产生脉冲X射线。
5 一种同轴结构轫致辐射反射三极管 CN202010468450.9 2020-05-28 CN111524773A 2020-08-11 来定国; 徐启福; 邱孟通; 杨海亮; 张鹏飞; 吴撼宇; 李沫
发明针对目前脉冲硬X射线负载转换效率和利用效率低的问题,提供了一种同轴结构轫致辐射反射三极管。该同轴结构轫致辐射反射三极管包括真空腔室、外阴极环、内阴极环、阴极基座阳极、阳极夹持组件和阳极引入段;阴极基座包括同轴设置的外筒体和内筒体,外筒体和内筒体通过连接板固定连接;外阴极环设置在外筒体的顶端,内阴极环设置在内筒体的顶端;阳极引入段包括转接环和多根引杆,引杆的底端设置在脉冲功率源输出端,顶端穿过连接板上的通孔与转接环连接;阳极为圆筒结构,其底端通过阳极夹持组件设置在转接环上,顶端穿过内阴极环、外阴极环之间的径向间隙,且与内外阴极环保持同轴。
6 一种串级式轫致辐射反射三极管 CN202010467599.5 2020-05-28 CN111524772A 2020-08-11 来定国; 徐启福; 邱孟通; 杨海亮; 张鹏飞; 吴撼宇; 李沫
发明提供了一种串级式轫致辐射反射三极管,解决现有反射三极管X射线转换效率低,以及无法应用在大型高电压脉冲功率驱动源中的问题。该串级式轫致辐射反射三极管包括阳极引出段、接地筒、悬浮电极、绝缘子、第一级反射三极管、第二级反射三极管和真空腔室。悬浮电极、阳极引出段和接地外筒形成串级反射三极管的支撑结构,采用内置式绝缘子实现高压绝缘和悬浮电极电位悬浮。将两个不同尺寸的同轴反射三极管串联工作,在脉冲作用下,两级反射三极管阴极发射电子,穿透阳极并在空间多次反射打靶,产生脉冲X射线。
7 一种轫致辐射靶观测器 CN201620671099.2 2016-06-30 CN205718846U 2016-11-23 叶毅; 吕璐; 丁亨松; 黄子平; 陈思富
本实用新型公开了一种轫致辐射靶观测器,包括两端敞口的第一直管,所述第一直管的一端连接圆筒状的准直体连接件,准直体连接件内固定有与第一直管的轴线垂直的一玻璃,所述玻璃上设置有刻度线;所述第一直管另一端设置有部分位于第一直管内部的调整块,所述调整块面向玻璃的端面处设置有与第一直管的轴线具有45°倾的镜面;所述第一直管表面开设有观察口。本实用新型提出一种轫致辐射靶观测器,以解决现有技术中移动靶材时观察者通过靶室侧窗进行观察,容易出现视觉误差的问题,实现从正面观察靶材及靶孔的目的。
8 一种模拟宽束X射线轫致辐射透射因子的方法 CN202110899966.3 2021-08-06 CN113673095B 2024-04-30 霍彬彬; 陈晓敏; 杨春勇; 何冬冬; 徐志勇; 姜泽润
发明公开了一种模拟宽束X射线轫致辐射透射因子的方法,包括:步骤1)建立一个包括光源能量沉积探测器和铅屏蔽层的模型;步骤2)从所述锥形束光源发出X射线,其管电压为120kV,模拟粒子数为107个;步骤3)将单色宽束X射线谱写入MCNP程序中,批量模拟计算不同厚度时的辐射透射因子;步骤4)将不同铅厚度的单色X射线的辐射透射因子模拟值与NCRP147号报告的拟合值对比验证,通过修改模型形状、锥形束圆锥、光源距铅屏蔽层的距离以及能量沉积探测器距铅屏蔽墙的距离,以修正优化辐射透射模型。本发明最终能够在达到相同屏蔽效果下减少屏蔽材料的厚度,实现辐射防护最优化。
9 一种模拟宽束X射线轫致辐射透射因子的方法 CN202110899966.3 2021-08-06 CN113673095A 2021-11-19 霍彬彬; 陈晓敏; 杨春勇; 何冬冬; 徐志勇; 姜泽润
发明公开了一种模拟宽束X射线轫致辐射透射因子的方法,包括:步骤1)建立一个包括光源能量沉积探测器和铅屏蔽层的模型;步骤2)从所述锥形束源光源发出X射线,其管电压为120kV,模拟粒子数为107个;步骤3)将单色宽束X射线谱写入MCNP程序中,批量模拟计算不同厚度时的辐射透射因子;步骤4)将不同铅厚度的单色X射线的辐射透射因子模拟值与NCRP147号报告的拟合值对比验证,通过修改模型形状、锥形束圆锥、光源距铅屏蔽层的距离以及能量沉积探测器距铅屏蔽墙的距离,以修正优化辐射透射模型。本发明最终能够在达到相同屏蔽效果下减少屏蔽材料的厚度,实现辐射防护最优化。
10 一种基于二极管三极管串联的轫致辐射负载 CN202010530641.3 2020-06-11 CN111900067B 2021-07-13 吴坚; 杨忠昊; 孙凤举; 陈紫维; 李兴文; 邱爱慈
发明公开了一种基于二极管三极管串联的轫致辐射负载,将反射三极管与串联二极管的优势相结合,通过串联分压将外加的高功率电压脉冲分压至悬浮阴极阳极、阴极与悬浮阳极间,使得电极间电压幅值满足反射三极管的工作要求,即电极间电压幅值小于300kV,并且使得电子在两个平行阴极、两个平行悬浮阴极间多次经过钽薄膜反射,从而充分利用反射产生的低能电子。本发明相比反射三极管或串联二极管,在提高轫致辐射产额、增大辐射均匀区域、净化X射线辐射场中电子的同时进一步了降低辐射场的平均能量软化X射线。
11 一种基于二极管三极管串联的轫致辐射负载 CN202010530641.3 2020-06-11 CN111900067A 2020-11-06 吴坚; 杨忠昊; 孙凤举; 陈紫维; 李兴文; 邱爱慈
发明公开了一种基于二极管三极管串联的轫致辐射负载,将反射三极管与串联二极管的优势相结合,通过串联分压将外加的高功率电压脉冲分压至悬浮阴极阳极、阴极与悬浮阳极间,使得电极间电压幅值满足反射三极管的工作要求,即电极间电压幅值小于300kV,并且使得电子在两个平行阴极、两个平行悬浮阴极间多次经过钽薄膜反射,从而充分利用反射产生的低能电子。本发明相比反射三极管或串联二极管,在提高轫致辐射产额、增大辐射均匀区域、净化X射线辐射场中电子的同时进一步了降低辐射场的平均能量软化X射线。
12 具有抗热-学损伤作用的高功率轫致辐射靶及设计方法 CN202410159203.9 2024-02-04 CN118042692A 2024-05-14 胡杨; 孙江; 蔡丹; 张金海; 呼义翔; 丛培天; 尹佳辉; 罗维熙; 唐飞; 王君可
发明涉及轫致辐射靶领域,具体涉及一种具有抗热‑学损伤作用的高功率轫致辐射靶及设计方法。该高功率轫致辐射靶包括沿电子束入射方向依次贴合设置的低原子序数高声速层、高原子序数高波阻抗层和低原子序数低波阻抗层;低原子序数高声速层用于抑制热激波的传播;高原子序数高波阻抗层用于产生X射线;低原子序数低波阻抗层用于衰减热应力和热激波。本发明提供高功率轫致辐射靶,具有同时抑制和衰减热应力、热激波等热‑力学损伤的效用,可大幅度提升轫致辐射靶的寿命。
13 包括弯曲转换器的用于通过轫致辐射生成放射性同位素的系统 CN202310202229.2 2023-03-05 CN116741427A 2023-09-12 J-M·吉茨; F·斯蒂谢尔博; S·德诺伊特; M·阿布斯; 萨米·伯特兰; 威廉·莱森; 卢西亚·波佩斯库
发明涉及一种用于将电子束转换成光子束的系统,该系统包括:·电子加速器(1),该电子加速器被配置成沿辐照轴线(Z)产生加速电子的电子束(10),·扫描单元(2),·聚焦单元(3),该聚焦单元用于形成朝向位于辐照轴线(Z)上的第一聚焦点(Fx)会聚的聚焦束(10f),·转换单元(4),该转换单元位于聚焦单元(3)与第一聚焦点(Fx)之间,并且包括一个或多个轫致辐射转换器(4.1‑4.n),该一个或多个轫致辐射转换器被配置成将聚焦束(10f)转换成光子束(11x),·靶固持件(5h),该靶固持件被配置成固持靶(5),其特征在于,一个或多个轫致辐射转换器(4.1‑4.n)是弯曲的,使得聚焦束(10f)与一个或多个轫致辐射转换器(4.1‑4.n)中的每一个相交的相交度(α)在所有点处在65°至115°之间、优选地在所有点处在75°至105°之间。
14 Dispositif et procédé de production d'un rayonnement de freinage à partir d'électrons accélérés EP87400306.4 1987-02-11 EP0238375A1 1987-09-23 Roche, Michel

L'invention concerne un dispositif et un procédé de production d'un rayonnement de freinage. Ce dispositif comporte dans une pièce ferromagnétique (20) une cavité circulaire (25) contenant des électrons entraînés en rotation sur une trajectoire circulaire (24) sous l'action d'un champ magnétique induit par la pièce ferromagnétique et par des moyens (47) d'induction d'un champ magnétique. Ce dispositif comprend en outre une cible circulaire (23) située en partie à l'extérieur de la cavité, en rotation dans un plan perpendiculaire à celui de la trajectoire des électrons, l'extrémité de la cible traversant périodiquement ladite trajectoire pour interagir périodiquement avec les électrons sur leur trajectoire (24) afin de produire un rayonnement de freinage, et des moyens pour faire varier le champ magnétique dans la cavité (25), cesdits moyens étant synchronisés sur la période d'interaction de la cible avec les électrons et étant reliés aux moyens d'induction.

Application à tous les domaines nécessitant la production d'un rayonnement de freinage.

15 X射线管、X射线装置和乳房X射线摄影装置 CN202010517930.X 2020-06-09 CN112071730A 2020-12-11 安雅·弗里泰茨勒; 约尔格·弗罗伊登贝格尔; 马库斯·拉迪克; 彼得·盖特纳
发明涉及一种X射线管,一种X射线装置和一种乳房X射线摄影装置。根据本发明的X射线管具有:发射电子束的电子发射器,和多层阳极,其中多层阳极具有朝向电子束的第一电极层和背离电子束的第二电极层,其中第一电极层具有用于借助于射入的电子束生成轫致辐射的第一阳极材料,其中第二阳极层具有用于借助于轫致辐射生成另外的X射线辐射的第二阳极材料,其中另外的X射线辐射与轫致辐射相比是更单色的,并且其中第一阳极层和第二阳极层面状地彼此邻接。
16 一种真空准直器装置 CN202210161432.5 2022-02-22 CN114694876A 2022-07-01 王赫影; 郭庆洋; 罗平; 石泓
发明公开了一种真空准直器装置,其特征在于,包括真空腔体(1)、钨合金(2)和可调基座(3);其中,所述钨合金块(2)安装于所述真空腔体(1)内,所述真空腔体(1)安装于所述可调基座(3)上;所述钨合金块(2)的中心加工出通光孔,所述通光孔的中心与光路中心重合。本发明适合在超高真空环境中使用,且机械加工性能好、可直接在材料上加工出各种尺寸、形状的通光孔径,孔径越小向下游传播的轫致辐射就越少,限制轫致辐射的精度也很高,很好的起到屏蔽轫致辐射的作用;限制轫致辐射材料钨合金块多块分段安装,整体组合采用台阶式无直通缝隙设计,整体设备安装方便、结构稳固。
17 X射线管、X射线装置和乳房X射线摄影装置 CN202010517930.X 2020-06-09 CN112071730B 2024-04-30 安雅·弗里泰茨勒; 约尔格·弗罗伊登贝格尔; 马库斯·拉迪克; 彼得·盖特纳
发明涉及一种X射线管,一种X射线装置和一种乳房X射线摄影装置。根据本发明的X射线管具有:发射电子束的电子发射器,和多层阳极,其中多层阳极具有朝向电子束的第一电极层和背离电子束的第二电极层,其中第一电极层具有用于借助于射入的电子束生成轫致辐射的第一阳极材料,其中第二阳极层具有用于借助于轫致辐射生成另外的X射线辐射的第二阳极材料,其中另外的X射线辐射与轫致辐射相比是更单色的,并且其中第一阳极层和第二阳极层面状地彼此邻接。
18 一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法 CN202010717412.2 2020-07-23 CN111933309A 2020-11-13 余德良; 何小斐; 刘亮; 陈文锦
发明属于聚变堆运行杂质密度/浓度监测技术领域,具体涉及一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法,包括如下步骤:步骤一:磁约束聚变装置上中性束系统注入氢或其同位素到等离子体中,产生中性束发射谱和激发态的类氢离子,继而辐射电荷交换复合光谱;步骤二:通过电荷交换复合光谱诊断系统分别测出相应光谱及相应光谱邻近波长的轫致辐射,并用轫致辐射标定电荷交换复合光谱系统;步骤三:将杂质辐射的电荷交换复合光谱与中性束发射谱进行比值,获得杂质浓度R。本发明通过同步测量电荷交换复合光谱、中性束发射谱以及两者邻近波长的轫致辐射,实现光路被污染过程中系统的标定与获取杂质浓度。
19 一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法 CN202010717412.2 2020-07-23 CN111933309B 2022-07-26 余德良; 何小斐; 刘亮; 陈文锦
发明属于聚变堆运行杂质密度/浓度监测技术领域,具体涉及一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法,包括如下步骤:步骤一:磁约束聚变装置上中性束系统注入氢或其同位素到等离子体中,产生中性束发射谱和激发态的类氢离子,继而辐射电荷交换复合光谱;步骤二:通过电荷交换复合光谱诊断系统分别测出相应光谱及相应光谱邻近波长的轫致辐射,并用轫致辐射标定电荷交换复合光谱系统;步骤三:将杂质辐射的电荷交换复合光谱与中性束发射谱进行比值,获得杂质浓度R。本发明通过同步测量电荷交换复合光谱、中性束发射谱以及两者邻近波长的轫致辐射,实现光路被污染过程中系统的标定与获取杂质浓度。
20 一种长寿命强流二极管复合阳极及其制作方法 CN201911049710.2 2019-10-31 CN110797244A 2020-02-14 胡杨; 孙江; 杨海亮; 孙剑锋; 丛培天; 呼义翔; 曾江涛; 尹佳辉; 蔡丹; 苏兆锋; 张金海
发明提供一种长寿命强流二极管复合阳极及其制作方法,其目的是为了提升强流二极管输出辐射场的均匀性,同时克服每次实验须更换阳极靶的限制。该长寿命强流二极管复合阳极包括依次设置的等离子体抑制层、轫致辐射层、电子中子吸收层和真空结构支撑层;所述等离子体抑制层的材料为石墨烯或,所述轫致辐射层的材料为钽,所述电子中子吸收层的材料为石墨,所述真空结构支撑层的材料为1系
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