首页 / 技术领域 / 偏振旋转器 / 专利数据
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 偏振旋转器 CN202080048136.3 2020-04-30 CN114207488A 2022-03-18 米科·哈杰恩; 蒂莫·阿尔托; 马特奥·凯尔基
发明涉及一种偏振旋转器。本发明偏振旋转器包括光耦合器,所述光耦合器包括波导,所述波导在一个第一端部处具有至少第一端口和第二端口,所述第一端口配置为偏振光的输入端口,所述第二端口配置为反射的偏振光的输出端口,所述波导具有与所述第一端部相对的第二端部。它还包括双折射波片,所述双折射波片在一侧上具有反射面,所述波片被布置成接收来自所述波导的所述第二端部的光,并将从所述耦合器发射出的光反射回所述耦合器中。根据本发明,波片还配置成使所述双折射材料旋转所述反射光的偏振,其旋转的量取决于所述双折射波片相对于所述光耦合器的旋转度。
2 偏振旋转器 CN201310757078.3 2013-12-03 CN103854669B 2017-12-26 彭初兵; 赵永军
发明公开了一种偏振旋转器,包括第一波导和第二波导,第一波导配置为在第一端处耦合至输入耦合器,其中,第一波导与第二波导偏移,且第一波导的第二端耦合至第二波导的第二端。
3 偏振旋转器 CN201910242731.X 2019-03-28 CN110320598B 2023-05-09 吴东润; A.J.齐尔基
本文公开了一种偏振旋转器和偏振稳定器。所述偏振旋转器包括肋形波导。所述肋形波导包括:平板部分;以及脊部分,所述脊部分沿所述平板部分的表面安置。所述平板部分具有第一平板区域,在垂直于所述波导的引导方向的方向上测量的所述第一平板区域的宽度沿着第一长度从第一平板宽度增加到第二平板宽度,并且所述脊部分具有第一脊区域,在与所述平板宽度方向相同的方向上测量的所述第一脊区域的宽度沿着所述同一个第一长度从第一脊宽度减小到第二脊宽度;以使得所述旋转器被配置成在光透射通过所述肋形波导期间使光的偏振旋转。
4 偏振旋转器 CN202080049767.7 2020-05-07 CN114207489A 2022-03-18 蒂莫·阿尔托
发明涉及一种偏振旋转器,其包括:包含至少第一波导的第一波导层,所述第一波导具有输入端和输出端;具有至少第二波导的第二波导层,所述第二波导具有输入端和输出端;以及至少第一竖直镜元件,其布置在所述波导中的至少一个的端部处,以在第一波导的输出端与第二波导的输入端之间耦合光。在其端部处具有竖直镜元件的所述第一波导或所述第二波导的光轴在其波导层中以第一度旋转,以引起在所述第一波导与所述第二波导之间耦合的光的偏振旋转,旋转量对应于所述第一角度。
5 偏振旋转器 CN201910242731.X 2019-03-28 CN110320598A 2019-10-11 吴东润; A.J.齐尔基
本文公开了一种偏振旋转器和偏振稳定器。所述偏振旋转器包括肋形波导。所述肋形波导包括:平板部分;以及脊部分,所述脊部分沿所述平板部分的表面安置。所述平板部分具有第一平板区域,在垂直于所述波导的引导方向的方向上测量的所述第一平板区域的宽度沿着第一长度从第一平板宽度增加到第二平板宽度,并且所述脊部分具有第一脊区域,在与所述平板宽度方向相同的方向上测量的所述第一脊区域的宽度沿着所述同一个第一长度从第一脊宽度减小到第二脊宽度;以使得所述旋转器被配置成在光透射通过所述肋形波导期间使光的偏振旋转。
6 偏振旋转器 CN201310757078.3 2013-12-03 CN103854669A 2014-06-11 彭初兵; 赵永军
发明公开了一种偏振旋转器,包括第一波导和第二波导,第一波导配置为在第一端处耦合至输入耦合器,其中,第一波导与第二波导偏移,且第一波导的第二端耦合至第二波导的第二端。
7 一种偏振旋转器 CN201480078711.9 2014-05-08 CN106461870B 2019-08-20 周林杰; 谢安邦; 王涛
一种偏振旋转器(20),包括第一级波导(21)和第二级波导(22)。第二级波导(22)与第一级波导(21)级联。第一级波导(21)和第二级波导(22)的厚度相同。第一级波导(21)包括第一级上层波导(211)和第一级下层波导(212)。沿第一级波导(21)到第二级波导(22)的方向,第一级上层波导(211)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W‑We),第一级下层波导(212)的宽度保持不变。第二级波导(22)包括第二级上层波导(221)和第二级下层波导(222)。第二级上层波导(221)的厚度与第一级上层波导(211)的厚度相同,沿第一级波导(21)到第二级波导(22)的方向,第二级下层波导(221)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W‑We),第二级上层波导(221)的宽度保持不变。该偏振旋转器(20)的结构易于加工实现。
8 偏振分束旋转器 CN201510031371.0 2015-01-21 CN105866885A 2016-08-17 汪敬; 甘甫烷; 盛振; 武爱民; 仇超; 王曦; 邹世昌
发明提供一种偏振分束旋转器,至少包括:形成在SOI材料的顶层中的波导,所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导;所述双刻蚀波导,包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区,所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度;所述定向耦合波导,包括相互分离的直通波导和弯曲波导,所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端,所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点,可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
9 平面偏振旋转器 CN201180060948.0 2011-12-08 CN103261947A 2013-08-21 陈龙
发明涉及一种光学偏振旋转器,其包含沿着衬底的平坦表面定位的第一光学波导肋及第二光学波导肋。与所述第一光学波导肋相比,所述第二光学波导肋定位在距离所述表面更远之处。所述光学波导肋的第一区段在所述衬底上方形成垂直堆叠且所述光学波导肋的第二区段在沿着所述平坦表面的方向上侧向偏移。所述第一光学波导肋及所述第二光学波导肋由具有不同整体折射率的材料形成。
10 偏振分束旋转器 CN201510031371.0 2015-01-21 CN105866885B 2023-02-28 汪敬; 甘甫烷; 盛振; 武爱民; 仇超; 王曦; 邹世昌
发明提供一种偏振分束旋转器,至少包括:形成在SOI材料的顶层中的波导,所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导;所述双刻蚀波导,包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区,所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度;所述定向耦合波导,包括相互分离的直通波导和弯曲波导,所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端,所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点,可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
11 偏振分束旋转器 CN201410829315.7 2014-12-26 CN105785507A 2016-07-20 汪敬; 甘甫烷; 盛振; 武爱民; 仇超; 王曦; 邹世昌
发明提供一种偏振分束旋转器,所述偏振分束旋转器至少包括:形成在SOI材料的顶层中的波导,至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导;双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区,第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度;非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导,根波导与第一刻蚀区的尾端相连,第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的,本发明提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性,解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
12 偏振分束旋转器 CN202310262442.2 2023-03-09 CN116256842A 2023-06-13 刘露露; 计红林; 贺志学; 胡卫生
发明公开了一种偏振分束旋转器,该偏振分束旋转器包括:上包层和下包层,以及包裹于上包层和下包层形成的空腔内的波导层,硅波导层包括部分刻蚀绝热锥形波导结构、非对称定向耦合结构和双非对称定向耦合结构,部分刻蚀绝热锥形波导结构与非对称定向耦合结构连接,非对称定向耦合结构还与双非对称定向耦合结构连接。本发明采用部分刻蚀绝热锥形波导结构,实现模式杂化和满足工艺兼容性;采用非对称定向耦合结构,实现较大带宽的模式演化,同时增大制作容差;采用双非对称定向耦合结构,进行残余模式滤除实现高偏振消光比。本发明可平衡偏振分束旋转器的工艺兼容性、制作容差、偏振消光比等指标,提高偏振分束旋转器的实用性。
13 一种偏振旋转器 CN201480078711.9 2014-05-08 CN106461870A 2017-02-22 周林杰; 谢安邦; 王涛
一种偏振旋转器(20),包括第一级波导(21)和第二级波导(22)。第二级波导(22)与第一级波导(21)级联。第一级波导(21)和第二级波导(22)的厚度相同。第一级波导(21)包括第一级上层波导(211)和第一级下层波导(212)。沿第一级波导(211)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W-We),第一级下层波导(212)的宽度保持不变。第二级波导(22)包括第二级上层波导(221)和第二级下层波导(222)。第二级上层波导(221)的厚度与第一级上层波导(211)的厚度相同,沿第一级波导(21)到第二级波导(22)的方向,第二级下层波导(221)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W-We),第二级上层波导(221)的宽度保持不变。该偏振旋转器(20)的结构易于加工实现。(21)到第二级波导(22)的方向,第一级上层波导
14 偏振旋转器 CN201920407438.X 2019-03-28 CN210005732U 2020-01-31 吴东润; A.J.齐尔基
本文公开了一种偏振旋转器和偏振稳定器。所述偏振旋转器包括肋形波导。所述肋形波导包括:平板部分;以及脊部分,所述脊部分沿所述平板部分的表面安置。所述平板部分具有第一平板区域,在垂直于所述波导的引导方向的方向上测量的所述第一平板区域的宽度沿着第一长度从第一平板宽度增加到第二平板宽度,并且所述脊部分具有第一脊区域,在与所述平板宽度方向相同的方向上测量的所述第一脊区域的宽度沿着所述同一个第一长度从第一脊宽度减小到第二脊宽度;以使得所述旋转器被配置成在光透射通过所述肋形波导期间使光的偏振旋转。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
15 一种偏振旋转器 PCT/CN2014/077037 2014-05-08 WO2015168905A1 2015-11-12 周林杰; 谢安邦; 王涛

一种偏振旋转器(20),包括第一级波导(21)和第二级波导(22)。第二级波导(22)与第一级波导(21)级联。第一级波导(21)和第二级波导(22)的厚度相同。第一级波导(21)包括第一级上层波导(211)和第一级下层波导(212)。沿第一级波导(21)到第二级波导(22)的方向,第一级上层波导(211)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W-We),第一级下层波导(212)的宽度保持不变。第二级波导(22)包括第二级上层波导(221)和第二级下层波导(222)。第二级上层波导(221)的厚度与第一级上层波导(211)的厚度相同,沿第一级波导(21)到第二级波导(22)的方向,第二级下层波导(221)的宽度由第一预设宽度(W)逐渐变窄至第二预设宽度(W-We),第二级上层波导(221)的宽度保持不变。该偏振旋转器(20)的结构易于加工实现。

16 一种光偏振旋转器 CN201710289491.X 2017-04-27 CN106990478B 2020-01-03 周治平; 邓清中
发明提供了一种光偏振旋转器,该光偏振旋转器的长度方向上的两端分别为光输入端和光输出端,且所述光偏振旋转器上的光输入端与光输出端之间的部分为偏振旋转区域;所述偏振旋转区域为横截面呈凹字型的凹字型沟道波导。本偏振旋转器可以在0.725μm×6.46μm的超小尺寸下实现偏振旋转。而且此光偏振旋转器对加工工艺要求低,结构中需加工的最小线宽可以≥200nm,因此采用目前已经普及商用的中低端0.18μm微纳加工工艺即可完成批量加工生产,从而具有低成本的特点,在集成光电子领域具有很高的应用价值。
17 一种双芯层偏振旋转器 CN201610368900.0 2016-05-30 CN105842788B 2018-10-30 肖金标; 黄炎
发明公开了一种双芯层偏振旋转器,包括芯层、化硅芯层、金属条带、二氧化硅包层和衬底,所述衬底位于硅芯层底部;所述硅芯层的形状为正方形柱,其顶部一设置有一个正方形柱状的第一凹槽,该第一凹槽中设置有二氧化硅芯层;所述二氧化硅芯层的形状为正方形柱,其顶部一角设置有一个正方形柱状的第二凹槽,该第二凹槽中设置有金属条带,金属条带的形状为正方形柱;硅芯层、二氧化硅芯层、金属条带形成嵌套结构,该嵌套结构的外部包覆有二氧化硅包层。本发明具有横截面积小,偏振转换长度显著缩短等优点。
18 一种光偏振旋转器 CN201710289491.X 2017-04-27 CN106990478A 2017-07-28 周治平; 邓清中
发明提供了一种光偏振旋转器,该光偏振旋转器的长度方向上的两端分别为光输入端和光输出端,且所述光偏振旋转器上的光输入端与光输出端之间的部分为偏振旋转区域;所述偏振旋转区域为横截面呈凹字型的凹字型沟道波导。本偏振旋转器可以在0.725μm×6.46μm的超小尺寸下实现偏振旋转。而且此光偏振旋转器对加工工艺要求低,结构中需加工的最小线宽可以≥200nm,因此采用目前已经普及商用的中低端0.18μm微纳加工工艺即可完成批量加工生产,从而具有低成本的特点,在集成光电子领域具有很高的应用价值。
19 可切换偏振旋转器 CN202210453642.1 2022-04-24 CN115390286A 2022-11-25 卞宇生; 史蒂芬·M·宣克
发明涉及可切换偏振旋转器,涉及偏振旋转器的结构以及制造偏振旋转器的结构的方法。该结构包括:衬底,位于该衬底上方的第一波导芯,以及位于该衬底上方的第二波导芯。该第二波导芯靠近该第一波导芯的片段设置。该第二波导芯由具有响应刺激而可逆地变化的折射率的材料组成。
20 偏振分离器旋转器 CN201880053336.0 2018-07-18 CN110998392A 2020-04-10 布赖恩·帕克
在示例中,一种光子系统包括基于Si PIC的偏振分离器旋转器(PSR),PSR包括:形成在Si PIC的第一层中的第一SiN波导和第二SiN波导,第一SiN波导和第二SiN波导中的每一个都具有耦合器部分。PSR还包括形成在Si PIC的第二层中的Si波导,第二层在第一层的上方或下方。Si波导包括:第一锥形端,该第一锥形端在第一SiN波导的耦合器部分附近并且绝热地耦合至第一SiN波导的耦合器部分;第二锥形端,该第二锥形端在第二SiN波导的耦合器部分附近并且绝热地耦合至第二SiN波导的耦合器部分;以及在第一锥形端与第二锥形端之间的第一s弯,第一s弯与第一SiN波导协作,以形成用于在第一SiN波导中传播的光的偏振旋转器。
QQ群二维码
意见反馈