| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 法拉第旋转器 | CN201480048140.4 | 2014-07-22 | CN105556376A | 2016-05-04 | 中村宣夫 |
| 本发明的课题是提供一种法拉第旋转器，其即使相对于波长为1.1μm以下、并且输出为1W以上的高输出激光进行使用，也难以引起光隔离中的隔离功能的劣化，并且生产性优良。本发明的解决手段是提供一种法拉第旋转器，其特征在于，由非磁性石榴石基板4、在非磁性石榴石基板的两面采用液相外延法生长的铋置换型稀土类铁石榴石膜1、以及在铋置换型稀土类铁石榴石膜的各表面粘合的放热用蓝宝石晶体基板2构成，铋置换型稀土类铁石榴石膜相对于波长为1.06μm的光的吸收系数为9cm-1以下，并且在非磁性石榴石基板的两面生长的上述铋置换型稀土类铁石榴膜中的膜厚的差为10μm以下。 | ||||||
| 2 | 法拉第旋转器 | CN200910128025.9 | 2009-03-17 | CN101546051B | 2013-01-16 | 中村宣夫; 槙孝一郎 |
| 本发明的法拉第旋转器，其特征在于，磁铁体由第一磁铁(1)、第二磁铁(2)以及第三磁铁(3)构成，其中，上述第一磁铁(1)在与光轴垂直且朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁(2)在与光轴垂直且远离光轴的方向上磁化，上述第三磁铁(3)配置在上述两磁铁之间，在与光轴平行从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在这些磁铁的各中心设置有用于配置上述磁铁体的贯通孔(孔部)，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。 | ||||||
| 3 | 法拉第旋转器 | CN200910128025.9 | 2009-03-17 | CN101546051A | 2009-09-30 | 中村宣夫; 槙孝一郎 |
| 本发明的法拉第旋转器，其特征在于，磁铁体由第一磁铁(1)、第二磁铁(2)以及第三磁铁(3)构成，其中，上述第一磁铁(1)在与光轴垂直且朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁(2)在与光轴垂直且远离光轴的方向上磁化，上述第三磁铁(3)配置在上述两磁铁之间，在与光轴平行从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在这些磁铁的各中心设置有用于配置上述磁铁体的贯通孔(孔部)，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。 | ||||||
| 4 | 法拉第旋转器和隔离器 | CN201310145605.5 | 2013-04-24 | CN103869507A | 2014-06-18 | 蒋仕彬; 耿纪宏; 姜卓; 罗涛 |
| 法拉第旋转器和隔离器。一种全光纤法拉第旋转器和隔离器被给出。该装置有多成分玻璃光纤，该多成分玻璃光纤具有有第一稀土金属氧化物的55%-85%（重量/重量）的第一掺杂浓度的纤芯，以及有第二稀土金属氧化物的55%-85%（重量/重量）的第二掺杂浓度的包层，其中该第一稀土金属氧化物和第二稀土金属氧化物，是Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、La2O3、Ga2O3、Ce2O3和Lu2O3中的一种或多种，且这里该包层的折射率低于该纤芯的折射率。该光纤装置还包含多个磁性元件，各形成包含贯通磁性元件伸延的孔，这里该光纤被置于该多个磁性元件之一的孔中。 | ||||||
| 5 | 集成法拉第旋转器 | CN201880054922.7 | 2018-08-22 | CN111247478A | 2020-06-05 | 马特奥·凯尔基; 亚历山大·彼得罗夫; 德科·杰拉斯; 米克·哈杰恩; 蒂莫·阿尔托; 曼弗雷德·艾希 |
| 本发明涉及光波导部件，例如法拉第旋转器及其制造。提供了基于硅波导(40)的法拉第旋转器，其中该波导(40)具有平行于外部施加的磁场(Bbias)的折叠或缠绕的部分(41a)。 | ||||||
| 6 | 法拉第旋转器和隔离器 | CN201310145605.5 | 2013-04-24 | CN103869507B | 2017-09-01 | 蒋仕彬; 耿纪宏; 姜卓; 罗涛 |
| 法拉第旋转器和隔离器。一种全光纤法拉第旋转器和隔离器被给出。该装置有多成分玻璃光纤，该多成分玻璃光纤具有有第一稀土金属氧化物的55%‑85%（重量/重量）的第一掺杂浓度的纤芯，以及有第二稀土金属氧化物的55%‑85%（重量/重量）的第二掺杂浓度的包层，其中该第一稀土金属氧化物和第二稀土金属氧化物，是Pr2O3、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、La2O3、Ga2O3、Ce2O3和Lu2O3中的一种或多种，且这里该包层的折射率低于该纤芯的折射率。该光纤装置还包含多个磁性元件，各形成包含贯通磁性元件伸延的孔，这里该光纤被置于该多个磁性元件之一的孔中。 | ||||||
| 7 | 基于石墨烯的磁可调法拉第旋转器 | CN201310063099.5 | 2013-02-07 | CN103985938B | 2017-03-15 | 肖丙刚; 孙润亮; 谢治毅; 章东平 |
| 本发明涉及一种基于石墨烯的磁可调法拉第旋转器，其结构包括运用在微波频段的圆波导，在圆波导内垂直于微波信号传播方向的多层石墨烯模块，在圆波导外部套置的一个提供磁场偏置的螺线管模块三部分所构成。多层石墨烯模块是由内部平行排列的多片单层石墨烯片所构成的，螺线管模块可以通过控制电流的大小来控制外加偏置静磁场的强弱。在圆波导内部传输的TE11模式的电磁波，在具有磁场偏置的情况下电磁波透射通过石墨烯模块时会产生角度的偏转。本发明精确的实现了旋转角度在一定范围内可调，结构简单紧凑、体积较小、易于集成，控制简单，使用方便的法拉第旋转器。 | ||||||
| 8 | 用于高输出激光器的法拉第旋转器 | CN200610079359.8 | 2006-02-07 | CN100422795C | 2008-10-01 | 饭田润二 |
| 本发明公开了一种法拉第旋转器，即便在该法拉第旋转器被用于不小于1W输出、波长不大于1.1μm的高输出激光器情况下，该法拉第旋转器基于温度上升的隔离性能也没有下降。蓝宝石晶体或金红石晶体作为散热基片粘接到构成法拉第旋转器的RIG薄膜的入射侧和输出侧，该RIG薄膜的厚度设置成不小于130μm且不大于200μm。 | ||||||
| 9 | 无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器 | CN200510050293.5 | 2005-04-19 | CN100346195C | 2007-10-31 | 徐志成 |
| 本发明公开了一种无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器。它的成份是(Re3-x-yYxBiy)(Fe5-zGaz)O12晶体，其中，0＜x＜2，0＜y＜1，Re：表示稀土大离子，所述的稀土大离子为Eu3+、Yb3+、Sm3+。沿(Re3-x-yYxBiy)(Fe5-zGaz)O12晶体<111>晶轴方向切割、充磁后，使其处于饱和磁化状态。本发明鉴于稀土大离子Eu3+与Y3+离子有相反的磁致伸缩系数和大的单离子磁晶各向异性，Bi3+离子能提高θf角，Ga3+离子进入四面体晶位在一定范围内又能降低Ms值从而提高剩磁比和配合大稀土离子的替代，因此生长(Re3-x-yYxBiy)(Fe5-zGaz)O12晶体，沿其<111>晶轴方向切割、充磁后形成无需外加偏磁场使其处于饱和磁化状态的45°法拉第旋转器，这将使光隔离器不需要外加偏磁场而结构微型化和解决了在集成光学系统中对光隔离器外加偏磁场的困难。 | ||||||
| 10 | 用于高输出激光器的法拉第旋转器 | CN200610079359.8 | 2006-02-07 | CN1841133A | 2006-10-04 | 饭田润二 |
| 本发明公开了一种法拉第旋转器，即便在该法拉第旋转器被用于不小于1W输出、波长不大于1.1μm的高输出激光器情况下，该法拉第旋转器基于温度上升的隔离性能也没有下降。蓝宝石晶体或金红石晶体作为散热基片粘接到构成法拉第旋转器的RIG薄膜的入射侧和输出侧，该RIG薄膜的厚度设置成不小于130μm且不大于200μm。 | ||||||
| 11 | 法拉第旋转器和光衰减器 | CN01804322.4 | 2001-11-30 | CN1397026A | 2003-02-12 | 后藤正宪; 岩冢信治; 高山清市 |
| 一种法拉第旋转器和使用该法拉第旋转器的光衰减器，其中平行于光轴的一固定磁场和垂直于光轴的一可变磁场同时施加在法拉第元件上，光轴沿柘榴石单晶体的方向 |
||||||
| 12 | 包括法拉第旋转器的光学耦合器 | CN201880003712.5 | 2018-08-23 | CN109791255B | 2021-10-01 | J·E·罗斯; J·鲍特斯; G·A·菲什 |
| 光学耦合设备(100)可以将来自光纤的入射光耦合到波导中，但是可以减少从波导到光纤中的返回光的耦合。法拉第旋转器层(112)可以以第一手性将入射光束的相应偏振面旋转45度，并且可以以与第一手性相反的第二手性将返回光束的相应偏振面旋转45度。重定向层(116)可以包括至少一个光栅耦合器(118)，其可以重定向一个偏振的入射光束，使得重定向路径(120)在重定向层内朝向第一波导延伸，并且可以重定向相反偏振的入射光束，使得重定向路径(122)在重定向层内朝向第二波导延伸。可选的双折射层(602)可以在空间上分离具有不同偏振的入射光束，从而可以使用两个单偏振光栅耦合器(604，606)。 | ||||||
| 13 | 无热法拉第旋转器反射镜 | CN201510041945.2 | 2015-01-28 | CN104820295B | 2020-04-28 | 毛宏伟; 陈达新; 赵泽雄; 乔金远; 杨淼; 李林虎 |
| 本发明涉及无热法拉第旋转器反射镜。提供了用于光通信的方法、系统和设备。所述设备之一包括具有在第一方向施加的磁场的第一法拉第旋转器；光耦合至第一法拉第旋转器的第二法拉第旋转器，第二法拉第旋转器具有在与第一方向相反的第二方向施加的磁场；以及光耦合至第二法拉第旋转器的反射镜。 | ||||||
| 14 | 法拉第旋转器和光衰减器 | CN01804322.4 | 2001-11-30 | CN1222812C | 2005-10-12 | 后藤正宪; 岩冢信治; 高山清市 |
| 一种法拉第旋转器和使用该法拉第旋转器的光衰减器，其中平行于光轴的一固定磁场和垂直于光轴的—可变磁场同时施加在法拉第元件上，光轴沿柘榴石单晶体的方向 |
||||||
| 15 | 包含法拉第旋转器的光隔离器 | CN00800085.9 | 2000-01-28 | CN1293763A | 2001-05-02 | 佐藤忠邦; 木村昌行; 中岛隆弘 |
| 一种光隔离器,包含光学组件(10),光学组件包括法拉第旋转器(1)和一对偏振元件(2),其中一个偏振元件布置在法拉第旋转器(1)的光输入侧作为偏光器,而另一个偏振元件布置在光射出侧作为分析器。在圆柱形铁－铬－钴(Fe－Cr－Co)磁铁(5)的内芯或空腔中央接收光学组件(10)。法拉第旋转器(1)包括磁性石榴石厚膜,该厚膜是Bi石榴石厚膜,与稀土石榴石相比饱和磁化强度明显低。( Fe－Cr－Co)磁铁(5)用作励磁磁铁,产生施加于磁化Bi石榴石厚膜的磁场,还因其磁特性和机械特性出色而用作隔离器外壳。 | ||||||
| 16 | 包括法拉第旋转器的光学耦合器 | CN202111121510.0 | 2018-08-23 | CN113805278A | 2021-12-17 | J·E·罗斯; J·鲍特斯; G·A·菲什 |
| 本公开的实施例涉及包括法拉第旋转器的光学耦合器。设备包括：光旋转层，被配置为接收第一光和第二光，所接收的所述第一光和所接收的所述第二光具有不同的初始偏振，所述光旋转层被配置为将所述第一光和所述第二光旋转到不同的旋转偏振。双折射层，被配置为用于将经旋转的所述第一光和经旋转的所述第二光分离一段距离；以及重定向层，被配置为将经旋转的和经分离的所述第一光重定向到第一重定向路径并且进一步将经旋转和经分离的所述第二光重定向到第二重定向路径。 | ||||||
| 17 | 包括法拉第旋转器的光学耦合器 | CN201880003712.5 | 2018-08-23 | CN109791255A | 2019-05-21 | J·E·罗斯; J·鲍特斯; G·A·菲什 |
| 光学耦合设备(100)可以将来自光纤的入射光耦合到波导中，但是可以减少从波导到光纤中的返回光的耦合。法拉第旋转器层(112)可以以第一手性将入射光束的相应偏振面旋转45度，并且可以以与第一手性相反的第二手性将返回光束的相应偏振面旋转45度。重定向层(116)可以包括至少一个光栅耦合器(118)，其可以重定向一个偏振的入射光束，使得重定向路径(120)在重定向层内朝向第一波导延伸，并且可以重定向相反偏振的入射光束，使得重定向路径(122)在重定向层内朝向第二波导延伸。可选的双折射层(602)可以在空间上分离具有不同偏振的入射光束，从而可以使用两个单偏振光栅耦合器(604，606)。 | ||||||
| 18 | 无热法拉第旋转器反射镜 | CN201510041945.2 | 2015-01-28 | CN104820295A | 2015-08-05 | 毛宏伟; 陈达新; 赵泽雄; 乔金远; 杨淼; 李林虎 |
| 本发明涉及无热法拉第旋转器反射镜。提供了用于光通信的方法、系统和设备。所述设备之一包括具有在第一方向施加的磁场的第一法拉第旋转器；光耦合至第一法拉第旋转器的第二法拉第旋转器，第二法拉第旋转器具有在与第一方向相反的第二方向施加的磁场；以及光耦合至第二法拉第旋转器的反射镜。 | ||||||
| 19 | 基于石墨烯的磁可调法拉第旋转器 | CN201310063099.5 | 2013-02-07 | CN103985938A | 2014-08-13 | 肖丙刚; 孙润亮; 谢治毅; 章东平 |
| 本发明涉及一种基于石墨烯的磁可调法拉第旋转器，其结构包括运用在微波频段的圆波导，在圆波导内垂直于微波信号传播方向的多层石墨烯模块，在圆波导外部套置的一个提供磁场偏置的螺线管模块三部分所构成。多层石墨烯模块是由内部平行排列的多片单层石墨烯片所构成的，螺线管模块可以通过控制电流的大小来控制外加偏置静磁场的强弱。在圆波导内部传输的TE11模式的电磁波，在具有磁场偏置的情况下电磁波透射通过石墨烯模块时会产生角度的偏转。本发明精确的实现了旋转角度在一定范围内可调，结构简单紧凑、体积较小、易于集成，控制简单，使用方便的法拉第旋转器。 | ||||||
| 20 | 无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器 | CN200510050293.5 | 2005-04-19 | CN1687820A | 2005-10-26 | 徐志成 |
| 本发明公开了一种无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器。它的成分是(Re3－x－yYxBiy)(Fe5－zGaz)O12晶体，其中，0＜x＜2，0＜y＜1，Re：表示稀土大离子，所述的稀土大离子为Eu3+、Yb3+、Sm3+。沿(Re3－x－yYxBiy)(Fe5－zGaz)O12晶体<111>晶轴方向切割、充磁后，使其处于饱和磁化状态。本发明鉴于稀土大离子Eu3+与Y3+离子有相反的磁致伸缩系数和大的单离子磁晶各向异性，Bi3+离子能提高θf角，Ga3+离子进入四面体晶位在一定范围内又能降低Ms值从而提高剩磁比和配合大稀土离子的替代，因此生长(Re3－x－yYxBiy)(Fe5－zGaz)O12晶体，沿其<111>晶轴方向切割、充磁后形成无需外加偏磁场使其处于饱和磁化状态的45°法拉第旋转器，这将使光隔离器不需要外加偏磁场而结构微型化和解决了在集成光学系统中对光隔离器外加偏磁场的困难。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈