首页 / 技术领域 / 闪耀光栅 / 专利数据
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 渐变闪耀面光栅 CN202310449695.0 2023-04-24 CN116500712A 2023-07-28 王健健; 冯平法; 戴维; 陈志锰; 张建富; 郁鼎文; 吴志军; 张翔宇
发明公开了一种渐变闪耀面光栅,包括多个渐变闪耀面,每个所述渐变闪耀面对应的闪耀的大小在所述渐变闪耀面的长度方向上自一区域向另一区域呈渐变增大趋势。本发明能够解决光栅器件所要求的大于某一衍射效率情形下的可用波长范围窄的问题,实现光栅在较宽波长范围内具有较高衍射效率。
2 闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法 CN202110099729.9 2021-01-25 CN114791640B 2024-04-09 丁武文
申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法,包括:基底层和设置在基底层上并呈周期性分布的闪耀光栅齿;闪耀光栅齿包括第一光栅部和第二光栅部,第一光栅部和第二光栅部由不同材料制成,闪耀光栅齿具有闪耀面和反闪耀面,闪耀面设置在第一光栅部上,反闪耀面设置在第二光栅部上,闪耀面和反闪耀面的连接处构成闪耀光栅齿顶部的尖。本申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法,可以提高闪耀光栅的衍射效率。
3 闪耀光栅的制备方法及闪耀光栅 CN202311593153.7 2023-11-27 CN117518323A 2024-02-06 曹清华; 姜英杰; 卢英卓
发明公开了一种闪耀光栅的制备方法及用该方法制备的闪耀光栅。制备方法包括:提供单晶基底,所述单晶硅基底具有第一表面;在所述单晶硅基底的第一表面上制备掩膜层;利用所述掩膜层对所述单晶硅基底的第一表面进行硅湿法腐蚀,以获得具有平整倾斜面的光栅结构;采用刻蚀工艺从所述光栅结构的倾斜面刻蚀所述单晶硅基底,获得闪耀光栅。本发明的闪耀光栅的制备方法及闪耀光栅,具有操作简单、可大面积制备、对掩膜层缺陷容差大、表面粗糙度低的优点。
4 闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法 CN202111425778.3 2021-11-26 CN116184546A 2023-05-30 蒋中原; 王鸿超; 李佳鹤; 彭泰彦; 许开东
发明公开一种闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法,该加工方法包括下述步骤:采用适配于与待加工闪耀光栅的掩膜,通入刻蚀气体后,以与光栅基体法线之间具有夹的离子束进行刻蚀,刻蚀过程中所述光栅基体具有自转。应用本方案,基于光栅基体的自转,使得距离离子源最远的部位与最近的部位具有接近的刻蚀速率,有效改善均匀性;另外,增加自转后可以将未被掩模遮挡区域减小,利于反闪耀面转折的消除。整体上,能够有效提升产品良率。
5 闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法 CN202110099729.9 2021-01-25 CN114791640A 2022-07-26 丁武文
申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法,包括:基底层和设置在基底层上并呈周期性分布的闪耀光栅齿;闪耀光栅齿包括第一光栅部和第二光栅部,第一光栅部和第二光栅部由不同材料制成,闪耀光栅齿具有闪耀面和反闪耀面,闪耀面设置在第一光栅部上,反闪耀面设置在第二光栅部上,闪耀面和反闪耀面的连接处构成闪耀光栅齿顶部的尖。本申请实施例提供一种闪耀光栅及闪耀光栅的制作方法,可以提高闪耀光栅的衍射效率。
6 闪耀光栅的制造方法 CN202210861036.3 2022-07-22 CN115308826A 2022-11-08 崔波; 严正; 朱效立; 潘艾希
发明提供一种闪耀光栅的制造方法,包括以下步骤:在光栅基底上形成图案;采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜,所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙;去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜,直至所述光栅基底的图案被露出,填充在所述光栅基底图案空隙中的的掩膜材料不会被去除;对所述光栅基底进行倾斜度刻蚀,得到需要的闪耀光栅结构;去除剩余的掩膜材料。通过本发明的方法可以实现纳米尺寸光栅的制造,形成的图案具有更高精确度;本方法重复性高,光栅高度可确定或者可由刻蚀速率与时间控制,宽度由两侧掩膜材料的距离确定。
7 一种平面结构闪耀光栅 CN201010169432.7 2010-05-07 CN102236118A 2011-11-09 曹扬; 李宏强; 魏泽勇; 武超; 樊元成; 余兴; 韩缙; 张冶文; 陈鸿
一种平面结构闪耀光栅,其包括上表面金属结构层、介质层和金属底板层,从上至下依次相叠,上表面金属结构层由周期排列的金属单元结构组成,其每一个金属结构单元与其下方的介质和金属底板构成了一个光学微腔,与入射光形成磁谐振。相邻光学微腔(及之间的间距)可以相同或者不同。金属底板上表面需经过抛光处理,其表面粗糙度不应大于工作波长的十分之一,介质层为由金属底板层的上表面一层均匀介质膜形成,介质层上表面通过磁控溅射再镀一层金属薄膜,上表面金属结构层通过在该层金属薄膜光刻电子刻蚀方法制作。本发明一级衍射效率在红外、太赫兹波段高达100%,可见光波段金属有光吸收,也可达到90%以上,且结构简单,制作方便。
8 环状辐射型闪耀光栅 CN200910228451.X 2009-11-17 CN101710191B 2011-08-17 贾大功; 胡百泉; 张红霞; 张以谟; 井文才
一种环状辐射型闪耀光栅,包括一个环形光栅基板和其上刻蚀的闪耀光栅齿(3)、以及位于闪耀光栅齿的刻槽背脊线(2)一侧的衍射面(4),其特征在于,所述闪耀光栅齿(3)在环形光栅基板圆周上周期性排列,每个闪耀光栅齿(3)呈辐射型,其在所述环形光栅基板上表面的投影为扇形,闪耀光栅齿(3)刻线的最底部均位于平面(6)上;所述闪耀光栅齿的衍射面(4)为刻槽背脊线(2)一侧较大的平面;垂直于闪耀光栅齿的刻槽背脊线(2)的直线(11)、(12)组成的平面与平面(6)相交于一条直线(13),直线(13)与衍射面(4)形成闪耀(14),闪耀角(14)对于每个闪耀光栅齿是不变的。与现有技术相比,本发明专利具备其他圆形或者环形闪耀光栅所不具备的光束偏转性能,而且光栅易制作,具有衍射效率高的特点。在经济效益方面,本发明专利可广泛应用需要光束偏转、光谱分析等场合,特别是旋转光束的偏转。
9 环状辐射型闪耀光栅 CN200910228451.X 2009-11-17 CN101710191A 2010-05-19 贾大功; 胡百泉; 张红霞; 张以谟; 井文才
一种环状辐射型闪耀光栅,包括一个环形光栅基板和其上刻蚀的闪耀光栅齿(3)、以及位于闪耀光栅齿的刻槽背脊线(2)一侧的衍射面(4),其特征在于,所述闪耀光栅齿(3)在环形光栅基板圆周上周期性排列,每个闪耀光栅齿(3)呈辐射型,其在所述环形光栅基板上表面的投影为扇形,闪耀光栅齿(3)刻线的最底部均位于平面(6)上;所述闪耀光栅齿的衍射面(4)为刻槽背脊线(2)一侧较大的平面;垂直于闪耀光栅齿的刻槽背脊线(2)的直线(11)、(12)组成的平面与平面(6)相交于一条直线(13),直线(13)与衍射面(4)形成闪耀(14),闪耀角(14)对于每个闪耀光栅齿是不变的。与现有技术相比,本发明具备其他圆形或者环形闪耀光栅所不具备的光束偏转性能,而且光栅易制作,具有衍射效率高的特点。在经济效益方面,本发明可广泛应用需要光束偏转、光谱分析等场合,特别是旋转光束的偏转。
10 一种均匀衍射闪耀光栅的制备方法及闪耀光栅 CN202211272866.9 2022-10-18 CN115453675A 2022-12-09 王浩宇
发明公开了一种均匀衍射闪耀光栅的制备方法及闪耀光栅,应用于衍射光波导技术领域,包括:基于压印工艺在基底表面设置第一厚度的残留层,以在残留层表面形成闪耀光栅结构;根据第一厚度确定表面层第二厚度的取值范围;在闪耀光栅结构表面设置第二厚度的表面镀层,以在预设视场范围内均匀化闪耀光栅的衍射效率;第二厚度位于取值范围内。通过调整残留层与表面镀层的厚度,可以提高闪耀光栅在一定视场范围内衍射效率的均匀性,进而减少近眼显示时明暗不均的视觉体验。
11 一种平面结构闪耀光栅 CN201010169432.7 2010-05-07 CN102236118B 2013-10-16 曹扬; 李宏强; 魏泽勇; 武超; 樊元成; 余兴; 韩缙; 张冶文; 陈鸿
一种平面结构闪耀光栅,其包括上表面金属结构层、介质层和金属底板层,从上至下依次相叠,上表面金属结构层由周期排列的金属单元结构组成,其每一个金属结构单元与其下方的介质和金属底板构成了一个光学微腔,与入射光形成磁谐振。相邻光学微腔(及之间的间距)可以相同或者不同。金属底板上表面需经过抛光处理,其表面粗糙度不应大于工作波长的十分之一,介质层为由金属底板层的上表面一层均匀介质膜形成,介质层上表面通过磁控溅射再镀一层金属薄膜,上表面金属结构层通过在该层金属薄膜光刻电子刻蚀方法制作。本发明一级衍射效率在红外、太赫兹波段高达100%,可见光波段金属有光吸收,也可达到90%以上,且结构简单,制作方便。
12 一种可变闪耀的闪耀光栅和双闪耀光栅制备方法及产品 CN201310131516.5 2013-04-16 CN103257383A 2013-08-21 陈鑫; 赵建宜; 王磊; 周宁; 刘文
发明公开一种可变闪耀的闪耀光栅和双闪耀光栅的制备方法及产品,属于图像压印技术领域。具体为:将硬模板上的目标光栅图形转移到软模板,在基片上制备压印胶层;将软模板上的目标光栅图形压印到压印胶层,通过压强大小控制软模板的倾斜度从而控制母闪耀光栅的闪耀角,进而刻蚀得到母闪耀光栅;在母闪耀光栅上沉积硬掩膜层;在硬掩膜层上制备压印胶层;将软模板上的目标光栅图形压印到压印胶层上,通过压强大小来控制软模板的倾斜度从而控制子闪耀光栅的闪耀角,进而刻蚀得到子闪耀光栅,制备得到双闪耀光栅。本发明通过控制转移软模板上图案到基片的过程中的压强,得到具有不同闪耀角的闪耀光栅,保证光栅质量的同时降低了成本。
13 闪耀光栅制备装置及闪耀光栅制备方法 CN202111363803.X 2021-11-17 CN114217368A 2022-03-22 刘迎春; 沈锦辉; 张兴仁
发明涉及光栅制备技术领域,公开了一种闪耀光栅制备装置及闪耀光栅制备方法,闪耀光栅制备装置包括蒸发源,用于提供蒸发的金属材;光栅基板,与蒸发源间隔设置,光栅基板用于沉积金属镀材以形成光栅;狭缝组件,设于光栅基板朝向蒸发源的一侧,狭缝组件包括两个层叠设置且可相对滑动的狭缝网,每个狭缝网上开设有多个平行且用于通过金属镀材的狭缝,每个狭缝网中相邻的狭缝之间的狭缝间距为光栅常数的整数倍。上述闪耀光栅制备装置及制备方法通过设于蒸发源和光栅基板之间的狭缝组件控制金属镀材沉积到光栅基板上的位置及厚度,可制备任意闪耀和任意光栅常数的闪耀光栅,结构及操作简单,适用性强。
14 一种可变闪耀的闪耀光栅和双闪耀光栅制备方法及产品 CN201310131516.5 2013-04-16 CN103257383B 2015-06-10 陈鑫; 赵建宜; 王磊; 周宁; 刘文
发明公开一种可变闪耀的闪耀光栅和双闪耀光栅的制备方法及产品,属于图像压印技术领域。具体为:将硬模板上的目标光栅图形转移到软模板,在基片上制备压印胶层;将软模板上的目标光栅图形压印到压印胶层,通过压强大小控制软模板的倾斜度从而控制母闪耀光栅的闪耀角,进而刻蚀得到母闪耀光栅;在母闪耀光栅上沉积硬掩膜层;在硬掩膜层上制备压印胶层;将软模板上的目标光栅图形压印到压印胶层上,通过压强大小来控制软模板的倾斜度从而控制子闪耀光栅的闪耀角,进而刻蚀得到子闪耀光栅,制备得到双闪耀光栅。本发明通过控制转移软模板上图案到基片的过程中的压强,得到具有不同闪耀角的闪耀光栅,保证光栅质量的同时降低了成本。
15 螺旋闪耀光栅 CN201020200513.4 2010-05-24 CN201707463U 2011-01-12 张锐; 隋展; 张小民; 王建军; 李明中
本实用新型提供了一种螺旋型闪耀光栅。本实用新型的螺旋闪耀光栅由多条放射状刻线构成,放射状刻线构成闪耀结构,光栅表面有金膜;所述光栅的外径根据入射激光光束的口径确定,所述光栅的内径根据可加工的最大线密度确定;所述光栅的每个微观区域满足的光栅衍射方程为2dsinγ=λB,d为光栅周期,γ为闪耀,λB为闪耀波长;相邻的放射状刻线之间的高度差为λB/2,光栅总高差为:MλB/2;所述光栅的中心轴与入射激光光束的中心轴共线。本实用新型用于实现高功率激光装置远场的全方位匀滑,匀滑空间频率丰富。
16 闪耀光栅的制造方法、闪耀光栅、光波导以及AR设备 CN202211183544.7 2022-09-27 CN117826293A 2024-04-05 陈定强; 陈和峰; 郭旭红; 陈志高; 楼歆晔
发明提供了一种闪耀光栅的制造方法、闪耀光栅、光波导以及AR设备,该方法包括:提供一基底;对所述基底进行图形化处理,以形成图形化基底;所述图形化基底的表层包括若干基底凹槽;在所述基底凹槽中形成掩膜层;其中,所述掩膜层填满所述基底凹槽且所述掩膜层的材料与所述基底的材料不同。以一预设度对所述图形化基底与所述掩膜层进行刻蚀,以去除所述掩膜层,并在所述基底上形成闪耀光栅。该技术方案解决了如何通过调节刻蚀角度之外的因素,来调节最终形成的闪耀角的角度的技术问题,提高了可调参数自由度,且工艺相对简单,易于操作。
17 闪耀光栅的加工方法及基于闪耀光栅的光学可变器件 CN202210120725.9 2022-02-09 CN114527528A 2022-05-24 王健健; 张建富; 冯平法; 郁鼎文; 吴志军
发明涉及闪耀光栅的加工方法及基于闪耀光栅的光学可变器件。一种闪耀光栅的加工方法,包括步骤:对刀具施加椭圆振动,椭圆振动的周期分为前半程及后半程;前半程中,刀具对工件进行切削加工,进行材料去除;后半程中,刀具对工件进行塑性成形加工,形成闪耀光栅的闪耀面。上述闪耀光栅的加工方法,通过对刀具施加椭圆振动的方式,并将椭圆振动的周期分为前半程和后半程,每一个振动周期上可加工出一个闪耀光栅,从而实现闪耀光栅的高效加工,在每个振动周期上实现切削和塑性成形的复合加工方式,促进了闪耀光栅的闪耀面的快速成形。
18 闪耀光栅的加工方法及基于闪耀光栅的光学可变器件 CN202210120725.9 2022-02-09 CN114527528B 2023-06-13 王健健; 张建富; 冯平法; 郁鼎文; 吴志军
发明涉及闪耀光栅的加工方法及基于闪耀光栅的光学可变器件。一种闪耀光栅的加工方法,包括步骤:对刀具施加椭圆振动,椭圆振动的周期分为前半程及后半程;前半程中,刀具对工件进行切削加工,进行材料去除;后半程中,刀具对工件进行塑性成形加工,形成闪耀光栅的闪耀面。上述闪耀光栅的加工方法,通过对刀具施加椭圆振动的方式,并将椭圆振动的周期分为前半程和后半程,每一个振动周期上可加工出一个闪耀光栅,从而实现闪耀光栅的高效加工,在每个振动周期上实现切削和塑性成形的复合加工方式,促进了闪耀光栅的闪耀面的快速成形。
19 一种用于制作凹面闪耀光栅的基材结构及凹面闪耀光栅制作方法 CN201310619772.9 2013-11-29 CN103645532A 2014-03-19 周倩; 田瑞; 庾健航
申请涉及凹面闪耀光栅制作技术领域,特别涉及一种用于制作凹面闪耀光栅的基材结构及凹面闪耀光栅制作方法,制作凹面闪耀光栅时先在凹面光栅基底上黏贴软膜并在其上涂覆成型光刻胶光栅层,然后再将软膜剥离凹面光栅基底并黏贴至平面基底上,以光刻胶光栅层为掩模将软膜蚀刻为软膜光栅,由于其蚀刻的掩模是在凹形光栅基底上显影成型的,因此其最终的光栅结构能够精准的匹配凹形光栅基底,另一方面,由于去光栅结构是在平面基底上进行离子束蚀刻的,其不会受到凹形光栅基底的影响,能够有效降低其制造难度并提高制造精度
20 凸面双闪耀光栅制备方法、装置及凸面双闪耀光栅 CN202011186785.8 2020-10-29 CN112327396A 2021-02-05 郭培亮; 李莹; 李坤; 张玉良; 杨海涛; 赵东峰
发明涉及光学器件制备技术领域,尤其涉及一种凸面双闪耀光栅制备方法、装置及凸面双闪耀光栅。所述方法包括:通过双光束曝光法对已涂布光刻胶的凸面基底进行光刻处理,以获取光刻胶光栅,所述光刻胶光栅包括不同的预设光栅区域;根据各预设光栅区域对应的预设闪耀获取对应预设光栅区域的同质掩模槽形;基于各预设光栅区域的同质掩模槽形,以所述光刻胶为掩模对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀,以获取石英掩模光栅;通过分区遮蔽方法以石英为掩模,对所述石英掩模光栅进行倾斜扫面离子束刻蚀,获得凸面双闪耀光栅。本发明通过同质掩模法制作凸面闪耀光栅,降低制作难度,提升制作速率。
QQ群二维码
意见反馈