| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 圓筒光罩 | HK18104875 | 2016-03-18 | HK1245419B | 2019-11-29 | MASAKI KATO |
| 2 | 圓筒光罩 | HK18105549 | 2016-03-18 | HK1246405B | 2020-05-15 | MASAKI KATO |
| 3 | 光罩 | PCT/CN2017/109594 | 2017-11-06 | WO2019047358A1 | 2019-03-14 | 安立扬; 徐向阳 |
一种光罩（100），用于制作阵列基板（200）的公共电极（300），包括中心部分（10）、第一部分（1）以及第二部分（2），第一部分（1）连接中心部分（10）且沿第一方向（X1）延伸，第二部分（2）连接中心部分（10）且沿第二方向（Y1）延伸，第一方向（X1与第二方向（Y1）交叉，第一部分（1）与中心部分（10）的交界处形成第一凹槽（11），第二部分（2）与中心部分（10）的交界处形成第二凹槽（21），第二凹槽（21）连通第一凹槽（11）以共同形成第一凹陷区（101）。光罩（100）能够降低应用阵列基板（200）的液晶显示面板出现显示不良的风险。 |
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| 4 | 光罩缺陷修补方法、光罩制备方法和光罩 | CN202210414338.6 | 2022-04-15 | CN114755882A | 2022-07-15 | 高翌; 张哲玮; 林锦鸿; 朱佳楠; 王梅侠 |
| 本发明的实施例提供了一种光罩缺陷修补方法、光罩制备方法和光罩，涉及光罩技术领域，该方法首先依据预设图案检测光罩衬底上的光阻层，以确定断线区域，然后在断线区域沉积修复层，在形成修复层后，再在断线区域沉积保护层，并使得保护层包覆在修复层的表面，形成保护盖状结构，最后清洗光罩衬底和光阻层。相较于现有技术，由于在修复后沉积保护层，能够起到对修复层的保护作用，从而能够避免清洗过程中修复沉积物剥落，同时，若后续步骤中有蚀刻工序，保护层也能够避免二次曝光过程中修复沉积物被蚀刻掉，保证了修复效果。 | ||||||
| 5 | 光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩 | CN202011516646.7 | 2020-12-21 | CN112526820A | 2021-03-19 | 高翌; 贺遵火; 张哲玮; 朱佳楠 |
| 本发明的实施例提供了一种光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩，涉及半导体光刻工艺技术领域，采用该光罩缺陷修复方法，在沉积修复材料之前，对遮光层的透光缺陷区域内的光罩衬底进行表面粗糙化处理，以使透光缺陷区域内的光罩衬底的表面粗糙化，利用增加沉积表面粗糙度的形式，使得沉积物与沉积表面之间的接触面增大，增加沉积物的附着性，使得沉积物不易因清洗而剥落，降低大面积透光缺陷的沉积修补的失败率。 | ||||||
| 6 | 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法 | CN202110126225.1 | 2021-01-29 | CN112934859B | 2022-06-07 | 韩露露; 贺遵火; 吴仕伟; 谢发政 |
| 本发明的实施例提供了一种光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法，涉及半导体技术领域，光罩杂质去除设备包括黏胶棒、升降机构和承载盘，承载盘用于放置光罩，黏胶棒与升降机构传动连接，并与承载盘相对设置，升降机构设置在承载盘的一侧，用于带动黏胶棒靠近或者远离光罩，黏胶棒用于粘附光罩表面的杂质。相较于现有技术，本发明提供了一种新型的杂质去除方式，能够有效粘走杂质微粒，避免了由于静电吸附导致的杂质去除不彻底的情况，同时，无需额外设置复杂的吹扫机构和滴液辅助结构，操作过程简单，简化了杂质去除流程。 | ||||||
| 7 | 光罩 | CN201710816146.7 | 2017-09-11 | CN107505811B | 2020-05-05 | 安立扬; 徐向阳 |
| 本发明公开一种光罩，用于制作阵列基板的公共电极，包括中心部分、第一部分以及第二部分，第一部分连接中心部分且沿第一方向延伸，第二部分连接中心部分且沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉，第一部分与中心部分的交界处形成第一凹槽，第二部分与中心部分的交界处形成第二凹槽，第二凹槽连通第一凹槽以共同形成第一凹陷区。上述光罩能够降低应用上述阵列基板的液晶显示面板出现显示不良的风险。 | ||||||
| 8 | 光罩 | CN201811003099.5 | 2018-08-30 | CN109752919A | 2019-05-14 | 卓鸿文; 梁辅杰; 陈俊光; 石志聪; 陈立锐; 郑博中; 林进祥 |
| 本公开部分实施例提供一种适用于搜集用于影像错误补偿的信息的光罩。上述光罩包括一基板。上述光罩还包括形成于基板上的一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构。第一黑色边界结构以及第二黑色边界结构对基板的一中心同心分布。上述光罩也包括形成于基板上方的一第一图像结构以及一第二图像结构。第一图像结构以及第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的图案。第二图像结构、第二黑色边界结构、第一图像结构及第一黑色边界结构在远离基板的中心的一方向上按序排列。 | ||||||
| 9 | 光罩 | CN201210080861.6 | 2012-03-23 | CN103163729A | 2013-06-19 | 徐维成 |
| 本发明提供一种光罩，适用于微影机台，且光罩包括基板与设置在基板上的光罩图案。光罩图案包括至少一主要图案及多个次解析辅助图案。次解析辅助图案彼此分离设置在主要图案的周围，其中各个次解析辅助图案与主要图案之间的距离为主要图案的线宽的约3倍至10倍。上述光罩可在晶片上产生较佳的成像品质。 | ||||||
| 10 | 光罩 | CN201210080861.6 | 2012-03-23 | CN103163729B | 2015-08-19 | 徐维成 |
| 本发明提供一种光罩，适用于微影机台，且光罩包括基板与设置在基板上的光罩图案。光罩图案包括至少一主要图案及多个次解析辅助图案。次解析辅助图案彼此分离设置在主要图案的周围，其中各个次解析辅助图案与主要图案之间的距离为主要图案的线宽的约3倍至10倍。上述光罩可在晶片上产生较佳的成像品质。 | ||||||
| 11 | 光罩 | CN201710816146.7 | 2017-09-11 | CN107505811A | 2017-12-22 | 安立扬; 徐向阳 |
| 本发明公开一种光罩，用于制作阵列基板的公共电极，包括中心部分、第一部分以及第二部分，第一部分连接中心部分且沿第一方向延伸，第二部分连接中心部分且沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉，第一部分与中心部分的交界处形成第一凹槽，第二部分与中心部分的交界处形成第二凹槽，第二凹槽连通第一凹槽以共同形成第一凹陷区。上述光罩能够降低应用上述阵列基板的液晶显示面板出现显示不良的风险。 | ||||||
| 12 | 光罩 | CN201010133578.6 | 2010-03-15 | CN101876786A | 2010-11-03 | 白崎享 |
| 本发明提供一种光罩，其在使用后能够很轻易的除去防尘薄膜组件。本发明的光罩在透明基板的图案区域的外周围的防尘薄膜组件框架装设区域上形成遮光膜。该光罩宜为负型光致抗蚀剂用光罩。又，在该光罩的该防尘薄膜组件框架装设区域上所形成的遮光膜宜与该透明基板直接接触。又，该光罩的该透明基板宜为石英玻璃基板。 | ||||||
| 13 | 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法 | CN202110126225.1 | 2021-01-29 | CN112934859A | 2021-06-11 | 韩露露; 贺遵火; 吴仕伟; 谢发政 |
| 本发明的实施例提供了一种光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法，涉及半导体技术领域，光罩杂质去除设备包括黏胶棒、升降机构和承载盘，承载盘用于放置光罩，黏胶棒与升降机构传动连接，并与承载盘相对设置，升降机构设置在承载盘的一侧，用于带动黏胶棒靠近或者远离光罩，黏胶棒用于粘附光罩表面的杂质。相较于现有技术，本发明提供了一种新型的杂质去除方式，能够有效粘走杂质微粒，避免了由于静电吸附导致的杂质去除不彻底的情况，同时，无需额外设置复杂的吹扫机构和滴液辅助结构，操作过程简单，简化了杂质去除流程。 | ||||||
| 14 | 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法 | CN202110104814.X | 2021-01-26 | CN112934850A | 2021-06-11 | 王嘉才; 游聪敏; 孙天赐; 刘兆亮 |
| 本发明的实施例提供了一种光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法，涉及半导体技术领域，该光罩杂质去除设备，包括承载装置和真空吸附枪，承载装置用于承载光罩，真空吸附枪与承载装置连接，用于吸附光罩表面的杂质。本发明将光罩放置在承载装置上，然后通过真空吸附枪吸附光罩表面的杂质，从而利用吸附的方式去除光罩表面的杂质，而吸附过程中不会出现微粒滚动现象，避免了刮伤光罩的表面，同时，由于吸附的特性，使得杂质不会因为气流陷在光罩内，且能够对陷入光罩内的杂质进行移除，能够有效去除光罩表面的杂质，保证了光罩的质量。 | ||||||
| 15 | 光罩及光罩的制作方法 | PCT/CN2018/121571 | 2018-12-17 | WO2020113667A1 | 2020-06-11 | 吴川 |
一种光罩及光罩的制作方法，其中光罩包括：半透膜层；以及遮光层，设置在所述半透膜层上，露出部分所述半透膜层以作为沟道形成区；所述沟道形成区中的半透膜层包括弧形膜层和非弧形膜层，所述弧形膜层的厚度大于所述非弧形膜层的厚度；所述遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层分别位于所述沟道形成区的两侧。 |
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| 16 | 光罩和曝光系统 | PCT/CN2018/113301 | 2018-11-01 | WO2020062421A1 | 2020-04-02 | 李泽尧 |
一种光罩（100）和曝光系统，光罩（100）包括完全透光区（10）和围设于完全透光区（10）外围的完全遮光区（30），完全透光区（10）内设有遮光区（50），定义遮光区（50）的光穿透率为T，0≤T＜100％。 |
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| 17 | 面光源用导光罩 | PCT/CN2017/115181 | 2017-12-08 | WO2019033632A1 | 2019-02-21 | 陈志峰; 陈婷; 陈超; 江波 |
一种面光源用导光罩，属于照明配件技术领域，包括本体（1），由连接部（2）和呈喇叭形结构的导光部（3）组成；导光部（3）内壁与竖直面之间的夹角α为10°～45°，导光部（3）的高度h为20～100mm。面光源用导光罩的结构紧凑、安装方便且使用效果好，用于面光源的光线引导。 |
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| 18 | 光罩製程方法 | TW106132297 | 2017-09-20 | TW201915596A | 2019-04-16 | 許育銨; HSU, YU AN |
| 一種光罩的製程方法包括以下步驟：提供一光罩胚料，光罩胚料具有一基板、一吸收層、一硬遮罩層及一光阻層，吸收層、硬遮罩層及光阻層依序設置於基板上；對光阻層進行圖案化而形成光阻層開口；以光阻層為遮罩，對硬遮罩層進行圖案化而在硬遮罩層形成硬遮罩層開口；去除光阻層，並形成一高分子膜覆蓋硬遮罩層表面；去除覆蓋於硬遮罩層的上表面及吸收層的上表面的高分子膜；以硬遮罩層及殘留於該些硬遮罩層開口的側壁的高分子膜為遮罩，對吸收層進行圖案化而在吸收層形成吸收層開口；去除殘留於該些硬遮罩層開口的側壁的高分子膜與硬遮罩層。 | ||||||
| 19 | 光罩製程方法 | TW106132297 | 2017-09-20 | TWI652543B | 2019-03-01 | 許育銨; HSU, YU AN |
| A method for manufacturing a reticle comprises the steps of: providing a reticle blank, the reticle blank having a substrate, an absorbing layer, a hard mask layer and a photoresist layer, an absorbing layer, a hard mask layer and a photoresist The layers are sequentially disposed on the substrate; the photoresist layer is patterned to form a photoresist layer opening; the photoresist layer is used as a mask, and the hard mask layer is patterned to form a hard mask opening in the hard mask layer Removing the photoresist layer and forming a polymer film covering the surface of the hard mask layer; removing the polymer film covering the upper surface of the hard mask layer and the upper surface of the absorber layer; leaving a hard mask layer and remaining thereon The polymer film on the side wall of the opening of the hard mask layer is a mask, and the absorption layer is patterned to form an opening of the absorption layer in the absorption layer; the polymer film and the hard mask which remove the sidewalls remaining in the openings of the hard mask layers are removed. Floor. | ||||||
| 20 | 相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩 | CN202111111885.9 | 2021-09-18 | CN113848679A | 2021-12-28 | 张哲玮; 高翌; 朱佳楠 |
| 本发明公开了一种相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩，所述修补方法包括：提供一待修补的相位移光罩，所述相位移光罩具有透明基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有不透光线条；获取所述不透光线条的图形结构，以确定所述相位移光罩中所述不透光线条的缺失部分；在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低所述区域的透光率。应用本发明提供的技术方案，通过使用光罩修补机台以刻蚀修补法的方式进行玻璃损害修补，可以降低遮光率，并减少光学邻近效应。 | ||||||
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