| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280068372.7 | 2012-11-29 | CN104254793B | 2019-07-09 | G·E·伯基; D·C·布克班德; S·B·道斯; M-J·李; P·坦登; J·王 |
| 根据某些实施例，一种单模光纤包括：掺杂氧化锗的中芯区，具有外半径r1和相对折射率Δ1；和包层区，包括(i)第一内包层区，具有外半径r2>6微米、和相对折射率Δ2且0.3≤r1/r2≤0.85；和(ii)和第二内包层区，具有外半径r3>9微米且包括最小相对折射率德尔塔Δ3，其中所述第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和(iii)外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率Δ4，其中Δ1>Δ2>Δ3,Δ3<Δ4。 | ||||||
| 2 | 低弯曲损耗光纤 | CN201780022239.0 | 2017-03-28 | CN109121432A | 2019-01-01 | D·C·布克班德; 李明军; S·K·米什拉; P·坦登 |
| 本文揭示的波导光纤包括：(I)纤芯，其包括外半径r1、折射率Δ百分比Δ1最大值、和纤芯α，α大于5；以及(II)围绕纤芯的包层，所述包层包含：(i)内包层区域，其具有外半径r2和折射率Δ百分比Δ2，其中，Δ1最大值>Δ2；(ii)围绕内包层区域的凹槽区域，所述凹槽区域具有外半径r3，其中，r3≥10微米，和折射率Δ百分比Δ3；和(iii)围绕凹槽区域的外包层区域，所述外包层区域具有氯浓度≥1.2重量％且包括折射率Δ百分比Δ4，其中，Δ1最大值>Δ4和Δ2>Δ3和Δ4>Δ3，以及其中，Δ4与Δ3之间的差异≥0.12％。 | ||||||
| 3 | 低弯曲损耗光纤 | CN200680043877.2 | 2006-09-14 | CN101313237A | 2008-11-26 | S·R·别克汉姆; S·K·米斯拉; S·S·罗森布伦姆 |
| 同时具有低宏弯曲损耗和低微弯曲损耗的光纤。所述光纤的MAC数小于7.0，零色散波长小于1450纳米。所述光纤宜包括第一涂层和第二涂层。所述第一涂层的杨氏模量小于1.0兆帕，玻璃化转变温度小于－25℃。所述第二涂层包围第一涂层，第二涂层的杨氏模量大于1200兆帕。在1550纳米处由20毫米直径弯曲试验测得的宏弯曲损耗不超过5.0分贝/米。还揭示了包括所述光纤的光纤带和光缆。 | ||||||
| 4 | 低弯曲损耗光纤 | CN201480020058.0 | 2014-04-04 | CN105209946B | 2022-02-18 | S·K·米什拉; P·坦登 |
| 具有低弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)、内包层区域(2)和围绕内包层区域的第二包层区域(3)，所述中心纤芯区域具有折射率Δ1，所述内包层区域的外半径r2>17微米且具有折射率Δ2，所述第二包层区域具有折射率Δ3。光纤分布区段可布置成使得Δ1>Δ3>Δ2。光纤可展现出内包层区域的分布体积V2，其在r1和r2之间计算得到，并且至少是30％Δ微米2。 | ||||||
| 5 | 低弯曲损耗光纤 | CN201780022239.0 | 2017-03-28 | CN109121432B | 2020-08-18 | D·C·布克班德; 李明军; S·K·米什拉; P·坦登 |
| 本文揭示的波导光纤包括：(I)纤芯，其包括外半径r1、折射率Δ百分比Δ1最大值、和纤芯α，α大于5；以及(II)围绕纤芯的包层，所述包层包含：(i)内包层区域，其具有外半径r2和折射率Δ百分比Δ2，其中，Δ1最大值>Δ2；(ii)围绕内包层区域的凹槽区域，所述凹槽区域具有外半径r3，其中，r3≥10微米，和折射率Δ百分比Δ3；和(iii)围绕凹槽区域的外包层区域，所述外包层区域具有氯浓度≥1.2重量％且包括折射率Δ百分比Δ4，其中，Δ1最大值>Δ4和Δ2>Δ3和Δ4>Δ3，以及其中，Δ4与Δ3之间的差异≥0.12％。 | ||||||
| 6 | 小弯曲损耗光纤 | CN201010504780.5 | 2010-10-13 | CN102445736A | 2012-05-09 | 孙义兴; 张腊生; 谭会良; 许建国; 廖郑洪; 李炳惠; 张华; 李涛; 陈曲; 谢河彬 |
| 本发明涉及一种小弯曲损耗光纤，覆盖螺旋状盘绕的所述多根光纤的护套，在信号光波长处具有小弯曲损耗，并且能够避免该光纤在进行安装或其它操作时因意外弯曲而断裂。 | ||||||
| 7 | 低弯曲损耗光纤 | CN200910262421.0 | 2009-12-18 | CN101770051A | 2010-07-07 | 尹暎植; 李永燮; 金镇汉; 韩元泽; 朱晟敏; 吴大焕 |
| 所公开的是一种低弯曲损耗光纤，其包括：芯；内层，其布置在芯的外面，具有比芯的折射率低的折射率，且该内层的折射率随着离芯越来越远而逐渐减小；以及槽层，其布置在内层的外面，且具有最低的折射率。 | ||||||
| 8 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280040234.8 | 2012-08-17 | CN103827709B | 2018-11-13 | S·R·别克汉姆; D·C·布克班德; J·库恩; M-J·李; S·K·米斯拉; P·坦登; J·A·韦斯特 |
| 一种光纤，同时具有低宏弯损耗以及低微弯损耗。该光纤具有第一内包覆区以及围绕该内包覆区的第二外包覆区，其中第一内包覆区具有外半径r2>8微米以及折射率Δ2，且第二外包覆区具有折射率Δ4，其中Δ1>Δ4>Δ2。Δ4与Δ2之间的差异大于0.002%。该光纤展示出小于或等于1260nm的22m光缆截止，并且r1/r2大于或等于0.25。 | ||||||
| 9 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280068136.5 | 2012-11-29 | CN104169761B | 2017-07-14 | D·C·布克班德; M-J·李; P·坦登 |
| 单模光纤的一个实施例包括：渐变折射率中芯区，具有外半径r1和相对折射率Δ1；包层区，包括(i)第一内包层区，具有外半径r2<10微米、和相对折射率Δ2且0.65≤r1/r2≤1；(ii)和第二内包层区(即，沟槽)，具有外半径r3>10微米且包括最小相对折射率Δ3，其中第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和(iii)外包层区，围绕第二内包层区且包括相对折射率Δ4，其中Δ1>Δ2>Δ3,Δ3<Δ4。 | ||||||
| 10 | 低弯曲损耗光纤 | CN201080040845.3 | 2010-09-02 | CN102933996B | 2016-06-01 | D·C·布克班德; M-J·李; P·坦登 |
| 一种光纤，包括具有最大折射率Δ百分比Δ1的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ2的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ3的下陷环形区域、以及包围下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ4的第三环形区域，其中，Δ1最大＞Δ4＞Δ2＞Δ3。Δ4与Δ2之间的差大于0.01且分布体积|V3|是至少60％Δμm2。 | ||||||
| 11 | 低弯曲损耗光纤 | CN201480020058.0 | 2014-04-04 | CN105209946A | 2015-12-30 | S·K·米什拉; P·坦登 |
| 具有低弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)、内包层区域(2)和围绕内包层区域的第二包层区域(3)，所述中心纤芯区域具有折射率Δ1，所述内包层区域的外半径r2>17微米且具有折射率Δ2，所述第二包层区域具有折射率Δ3。光纤分布区段可布置成使得Δ1>Δ3>Δ2。光纤可展现出内包层区域的分布体积V2，其在r1和r2之间计算得到，并且至少是30％Δ微米2。 | ||||||
| 12 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280068372.7 | 2012-11-29 | CN104254793A | 2014-12-31 | G·E·伯基; D·C·布克班德; S·B·道斯; M-J·李; P·坦登; J·王 |
| 根据某些实施例，一种单模光纤包括：掺杂氧化锗的中芯区，具有外半径r1和相对折射率Δ1；和包层区，包括(i)第一内包层区，具有外半径r2>6微米、和相对折射率Δ2且0.3≤r1/r2≤0.85；和(ii)和第二内包层区，具有外半径r3>9微米且包括最小相对折射率德尔塔Δ3，其中所述第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和(iii)外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率Δ4，其中Δ1>Δ2>Δ3,Δ3<Δ4。 | ||||||
| 13 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280068136.5 | 2012-11-29 | CN104169761A | 2014-11-26 | D·C·布克班德; M-J·李; P·坦登 |
| 单模光纤的一个实施例包括：渐变折射率中芯区，具有外半径r1和相对折射率Δ1；包层区，包括(i)第一内包层区，具有外半径r2<10微米、和相对折射率Δ2且0.65≤r1/r2≤1；(ii)和第二内包层区(即，沟槽)，具有外半径r3>10微米且包括最小相对折射率Δ3，其中第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和(iii)外包层区，围绕第二内包层区且包括相对折射率Δ4，其中Δ1>Δ2>Δ3,Δ3<Δ4。 | ||||||
| 14 | 低弯曲损耗光纤 | CN201280040234.8 | 2012-08-17 | CN103827709A | 2014-05-28 | S·R·别克汉姆; D·C·布克班德; J·库恩; M-J·李; S·K·米斯拉; P·坦登; J·A·韦斯特 |
| 一种光纤，同时具有低宏弯损耗以及低微弯损耗。该光纤具有第一内包覆区以及围绕该内包覆区的第二外包覆区，其中第一内包覆区具有外半径r2>8微米以及折射率Δ2，且第二外包覆区具有折射率Δ4，其中Δ1>Δ4>Δ2。Δ4与Δ2之间的差异大于0.002%。该光纤展示出小于或等于1260nm的22m光缆截止，并且r1/r2大于或等于0.25。 | ||||||
| 15 | 低弯曲损耗光纤 | CN201080040845.3 | 2010-09-02 | CN102933996A | 2013-02-13 | D·C·布克班德; M-J·李; P·坦登 |
| 一种光纤，包括具有最大折射率Δ百分比Δ1的中心玻璃芯区域、包围所述芯的具有折射率Δ百分比Δ2的第一内环形区域、包围所述内环形区域并具有Δ3的下陷环形区域、以及包围下陷环形区域的具有折射率Δ百分比Δ4的第三环形区域，其中，Δ1最大＞Δ4＞Δ2＞Δ3。Δ4与Δ2之间的差大于0.01且分布体积|V3|是至少60％Δμm2。 | ||||||
| 16 | 低弯曲损耗光纤 | CN200910262421.0 | 2009-12-18 | CN101770051B | 2012-12-05 | 尹暎植; 李永燮; 金镇汉; 韩元泽; 朱晟敏; 吴大焕 |
| 所公开的是一种低弯曲损耗光纤，其包括：芯；内层，其布置在芯的外面，具有比芯的折射率低的折射率，且该内层的折射率随着离芯越来越远而逐渐减小；以及槽层，其布置在内层的外面，且具有最低的折射率。 | ||||||
| 17 | 低弯曲损耗光纤 | CN200680043877.2 | 2006-09-14 | CN101313237B | 2010-05-19 | S·R·别克汉姆; S·K·米斯拉; S·S·罗森布伦姆 |
| 同时具有低宏弯曲损耗和低微弯曲损耗的光纤。所述光纤的MAC数小于7.0，零色散波长小于1450纳米。所述光纤宜包括第一涂层和第二涂层。所述第一涂层的杨氏模量小于1.0兆帕，玻璃化转变温度小于-25℃。所述第二涂层包围第一涂层，第二涂层的杨氏模量大于1200兆帕。在1550纳米处由20毫米直径弯曲试验测得的宏弯曲损耗不超过5.0分贝/米。还揭示了包括所述光纤的光纤带和光缆。 | ||||||
| 18 | 耐弯曲损耗的多模光纤 | CN201280065935.7 | 2012-10-31 | CN104160310B | 2021-01-01 | D·C·布克班德; M-J·李; P·坦登 |
| 一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)二氧化硅纤芯，其掺杂有氧化锗和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一种共掺杂剂，所述纤芯延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，α1；(b)围住纤芯并偏离所述纤芯的低折射率内包层；(c)围住内包层并与内包层接触的外包层，以使内包层的至少与所述纤芯偏离的区域具有比外包层更低的折射率。在中心线的中心氧化锗浓度CGe1大于或等于0，并且在r1处的纤芯中最外侧氧化锗浓度CGe2大于或等于0。纤芯在中心线处具有大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc‑d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc‑d2，其中Cc‑d2大于或等于0。 | ||||||
| 19 | 一种低弯曲损耗光纤 | CN201110356520.2 | 2011-11-11 | CN102375176B | 2013-10-23 | 陈明阳; 祝远锋; 张永康 |
| 本发明公开一种低弯曲损耗光纤，该光纤包括纤芯和包层，所述纤芯（1）为高折射率介质柱，其位于所述包层的中心的低折射率环(2)内，6个中心连线呈正六边形的低折射率介质柱(3)位于所述低折射率环(2)的外侧；所述纤芯（1）的折射率大于所述基质材料（4）的折射率，所述低折射率环(2)和低折射率介质柱(3)的折射率分别小于所述基质材料（4）的折射率。低折射率介质柱包围的是纤芯与低折射率环，这种结构使得光纤的模式与普通单模光纤非常相似，可以实现低连接损耗，同时，起到了去除高阶模的作用。采用低折射率的介质柱来束缚光，避免了带空气孔的微结构光纤在制作、使用上的困难；这种光纤可以实现低弯曲损耗的单模传输。 | ||||||
| 20 | 低弯曲损耗的光纤 | CN200410059852.4 | 2004-06-25 | CN1576916A | 2005-02-09 | 高桥文雄; 森平英也; 渋田妙子 |
| 本发明提供一种光纤，其包括相对折射率差大于0.36％的第1芯区和包层。所述光纤具有：大于1350nm的纤维截止波长λc；小于1285nm的电缆截止波长λcc；在1625nm的波长下，在缠绕直径为20mm时的弯曲损耗不超过10dB/m；在1285nm～1625nm波长范围内的传输损耗不超过0.40dB/km；在1383nm波长下的传输损耗小于在1310nm波长下的传输损耗；和在1383nm的波长下，暴露在氢气前和暴露在氢气后的传输损耗差不超过0.04dB/km。该低弯曲损耗的光纤可以用于在1285～1625nm波长范围内进行WDM传输的光纤电缆。 | ||||||
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