| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 表面增强拉曼散射基底 | CN201710637488.2 | 2015-04-15 | CN107478639B | 2020-01-10 | 朱圣清; 周健; 杨润苗; 周仕龙 |
| 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底，基底包括导电衬底、二维贵金属微纳结构阵列和金纳米星；各阵列单元为星形贵金属薄膜，每一个星形贵金属薄膜单元的尺寸为150nm～1000nm，相邻的两个单元之间的间距为10nm～500nm；金纳米星通过电泳沉积在二维贵金属微纳结构阵列的各星形单元的尖端，金纳米星的沉积位置与各星形单元的尖端之间的距离为1nm～5nm。本发明的表面增强拉曼散射基底一方面由于金纳米星颗粒自身增强电场，另一方面由于二维微纳结构阵列中各星形单元的尖端与金纳米星颗粒尖端进一步耦合，极大地提高了附近区域的电场强度，因此获得高灵敏度表面增强拉曼散射基底。 | ||||||
| 2 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201811398924.6 | 2013-08-09 | CN109342395A | 2019-02-15 | 伊藤将师; 柴山胜己; 川合敏光; 大藤和人; 大山泰生; 丸山芳弘; 能野隆文; 广瀬真树; 吉田杏奈 |
| SERS单元(1A)包括：一体地形成的处理基板(2)；及SERS元件(3)，其被固定于以在处理基板(2)的厚度方向上的一侧开口的方式设置于处理基板(2)的收纳空间(S)内。SERS元件(3)具有：基板(5)，其配置于收纳空间(S)的内面(S1)上；及光学功能部(10)，其形成于基板(5)上，且产生表面增强拉曼散射。 | ||||||
| 3 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042449.8 | 2013-08-09 | CN104520695B | 2018-04-13 | 伊藤将师; 柴山胜己; 广瀬真树; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件具备：基板，具有主面；成形层，具有以沿着基板的主面延伸的方式被形成于主面上的支撑部以及被形成于支撑部上的细微结构部；导电体层，被形成于细微结构部上并且构成使表面增强拉曼散射产生的光学功能部；与基板的主面交叉的方向上的成形层的厚度以相较于成形层上的形成有细微结构部的细微结构区域的外缘部分，在细微结构区域的中央部分相对变薄的方式形成。 | ||||||
| 4 | 表面增强拉曼散射基底 | CN201710637488.2 | 2015-04-15 | CN107478639A | 2017-12-15 | 朱圣清; 周健; 杨润苗; 周仕龙 |
| 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底，基底包括导电衬底、二维贵金属微纳结构阵列和金纳米星；各阵列单元为星形贵金属薄膜，每一个星形贵金属薄膜单元的尺寸为150nm～1000nm，相邻的两个单元之间的间距为10nm～500nm；金纳米星通过电泳沉积在二维贵金属微纳结构阵列的各星形单元的尖端，金纳米星的沉积位置与各星形单元的尖端之间的距离为1nm～5nm。本发明的表面增强拉曼散射基底一方面由于金纳米星颗粒自身增强电场，另一方面由于二维微纳结构阵列中各星形单元的尖端与金纳米星颗粒尖端进一步耦合，极大地提高了附近区域的电场强度，因此获得高灵敏度表面增强拉曼散射基底。 | ||||||
| 5 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380041032.X | 2013-08-09 | CN104508467B | 2017-10-20 | 丸山芳弘; 柴山胜己; 伊藤将师; 广畑彻; 龟井宏记 |
| SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有柱(11)突出的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。 | ||||||
| 6 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042432.2 | 2013-08-09 | CN104541154B | 2017-03-01 | 伊藤将师; 柴山胜己; 广瀬真树; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件，具备：基板，其具有主面；成形层，其具有以沿着基板的主面延伸的形式形成于主面上的支撑部以及形成于支撑部上的细微结构部；导电体层，其形成于细微结构部上并且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部，并且关于在与基板的主面交叉的方向上的成形层的厚度，与在成形层中形成有细微结构部的细微结构区域的中央部分相比，细微结构区域的外缘部分相对更薄。 | ||||||
| 7 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042525.5 | 2013-08-09 | CN104541156A | 2015-04-22 | 伊藤将师; 柴山胜己; 能野隆文; 广瀬真树; 川合敏光; 大藤和人; 丸山芳弘 |
| 一种表面增强拉曼散射元件，包括：基板，其具有主面；成形层，其包含以沿着基板的主面延伸的方式形成于主面上的支撑部、及形成于支撑部上的细微结构部；框部，其以沿着基板的主面包围支撑部及细微结构部的方式形成于主面上；及导电体层，其至少形成于细微结构部上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部；细微结构部与支撑部一体地形成。 | ||||||
| 8 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042524.0 | 2013-08-09 | CN104541155A | 2015-04-22 | 伊藤将师; 柴山胜己; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件具备：基板，其具有主面；成形层，其包含形成在主面上的支撑部以及形成在支撑部上的微细构造部；以及导电体层，其堆积在微细构造部上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部。微细构造部具有直立设置在支撑部上的多个支柱。在支撑部，设置有与支柱的侧面相对的多个相对部。相对部在支柱突出的方向上相对于支柱的前端部而位于基板侧。 | ||||||
| 9 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042432.2 | 2013-08-09 | CN104541154A | 2015-04-22 | 伊藤将师; 柴山胜己; 广瀬真树; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件，具备：基板，其具有主面；成形层，其具有以沿着基板的主面延伸的形式形成于主面上的支撑部以及形成于支撑部上的细微结构部；导电体层，其形成于细微结构部上并且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部，并且关于在与基板的主面交叉的方向上的成形层的厚度，与在成形层中形成有细微结构部的细微结构区域的中央部分相比，细微结构区域的外缘部分相对更薄。 | ||||||
| 10 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201380040609.5 | 2013-08-09 | CN104508465A | 2015-04-08 | 伊藤将师; 柴山胜己; 川合敏光; 大藤和人; 大山泰生; 丸山芳弘; 能野隆文; 广瀬真树; 吉田杏奈 |
| SERS单元(1A)包括：一体地形成的处理基板(2)；及SERS元件(3)，其被固定于以在处理基板(2)的厚度方向上的一侧开口的方式设置于处理基板(2)的收纳空间(S)内。SERS元件(3)具有：基板(5)，其配置于收纳空间(S)的内面(S1)上；及光学功能部(10)，其形成于基板(5)上，且产生表面增强拉曼散射。 | ||||||
| 11 | 表面增强拉曼散射剂 | CN202180062509.7 | 2021-09-10 | CN116057369A | 2023-05-02 | 铃木基史; 钟川美沙; 名村今日子; 福冈隆夫; K·萨米尔 |
| 本发明提供一种表面增强拉曼散射剂，该表面增强拉曼散射剂能够进行基于拉曼光谱法的高灵敏度定量，并且能够应用于各种使用方法。本公开的表面增强拉曼散射剂包括：25℃、剪切速度10(1/s)下的粘度为50mPa·s以上的粘稠液体；以及分散在粘稠液体中的含贵金属的小薄片。所述贵金属层和贵金属粒子中的贵金属优选为金、银或铜。作为所述含贵金属的小薄片为如下结构体：在小薄片的表面上林立有微小柱状体，所述微小柱状体的至少一部分优选为由贵金属层或贵金属粒子形成。 | ||||||
| 12 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201580048494.3 | 2015-09-08 | CN106716111B | 2021-08-13 | 大山泰生; 柴山胜己; 伊藤将师; 大藤和人; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射单元具备：表面增强拉曼散射元件，具有使表面增强拉曼散射产生的光学功能部；支撑构件，支撑所述表面增强拉曼散射元件。所述表面增强拉曼散射元件通过磁力而被固定于所述支撑构件。 | ||||||
| 13 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201710818331.X | 2013-08-09 | CN107576647B | 2021-06-11 | 伊藤将师; 柴山胜己; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件具备：基板，其具有主面；成形层，其包含形成在主面上的支撑部以及形成在支撑部上的微细构造部；以及导电体层，其堆积在微细构造部上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部。微细构造部具有直立设置在支撑部上的多个支柱。在支撑部，设置有与支柱的侧面相对的多个相对部。相对部在支柱突出的方向上相对于支柱的前端部而位于基板侧。 | ||||||
| 14 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201680030984.5 | 2016-04-28 | CN107615048B | 2020-08-21 | 伊藤将师; 柴山胜己; 大藤和人; 大山泰生; 丸山芳弘 |
| SERS单元具备：支撑体(10)，具有设置有开口部(12)的空腔(11)；光学功能部(20)，以与开口部(12)相对的方式被配置于空腔(11)内并使表面增强拉曼散射发生；封装体(5)，容纳支撑体(10)并进行了排气。封装体(5)至少接触于开口部(12)的边缘(12a)并在开口部(12)上，以从光学功能部(20)分开的状态向光学功能部(20)侧弯曲。 | ||||||
| 15 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201810538346.5 | 2013-08-09 | CN109001174A | 2018-12-14 | 柴山胜己; 丸山芳弘; 伊藤将师 |
| SERS元件(3)具备：基板(4)；细微结构部(7)，被形成于基板(4)的表面(4a)上并且具有多个柱(11)；导电体层(6)，被形成于细微结构部(7)上并且构成使表面增强拉曼散射发生的光学功能部(10)。在各个柱(11)的侧面设置有沟槽。导电体层(6)进入到该沟槽，由此，多个间隙(G)被形成于导电体层(6)。 | ||||||
| 16 | 表面增强拉曼散射单元 | CN201680030984.5 | 2016-04-28 | CN107615048A | 2018-01-19 | 伊藤将师; 柴山胜己; 大藤和人; 大山泰生; 丸山芳弘 |
| SERS单元具备：支撑体(10)，具有设置有开口部(12)的空腔(11)；光学功能部(20)，以与开口部(12)相对的方式被配置于空腔(11)内并使表面增强拉曼散射发生；封装体(5)，容纳支撑体(10)并进行了排气。封装体(5)至少接触于开口部(12)的边缘(12a)并在开口部(12)上，以从光学功能部(20)分开的状态向光学功能部(20)侧弯曲。 | ||||||
| 17 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042524.0 | 2013-08-09 | CN104541155B | 2017-10-13 | 伊藤将师; 柴山胜己; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件具备：基板，其具有主面；成形层，其包含形成在主面上的支撑部以及形成在支撑部上的微细构造部；以及导电体层，其堆积在微细构造部上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部。微细构造部具有直立设置在支撑部上的多个支柱。在支撑部，设置有与支柱的侧面相对的多个相对部。相对部在支柱突出的方向上相对于支柱的前端部而位于基板侧。 | ||||||
| 18 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380042449.8 | 2013-08-09 | CN104520695A | 2015-04-15 | 伊藤将师; 柴山胜己; 广瀬真树; 丸山芳弘 |
| 表面增强拉曼散射元件具备：基板，具有主面；成形层，具有以沿着基板的主面延伸的方式被形成于主面上的支撑部以及被形成于支撑部上的细微结构部；导电体层，被形成于细微结构部上并且构成使表面增强拉曼散射产生的光学功能部；与基板的主面交叉的方向上的成形层的厚度以相较于成形层上的形成有细微结构部的细微结构区域的外缘部分，在细微结构区域的中央部分相对变薄的方式形成。 | ||||||
| 19 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380041034.9 | 2013-08-09 | CN104508468A | 2015-04-08 | 丸山芳弘; 柴山胜己; 伊藤将师; 广畑彻; 龟井宏记 |
| SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有与柱(11)突出的方向垂直的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。 | ||||||
| 20 | 表面增强拉曼散射元件 | CN201380041032.X | 2013-08-09 | CN104508467A | 2015-04-08 | 丸山芳弘; 柴山胜己; 伊藤将师; 广畑彻; 龟井宏记 |
| SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有柱(11)突出的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。 | ||||||
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