| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 纳米线的生长 | CN202280017780.3 | 2022-02-22 | CN116964249A | 2023-10-27 | 奥拉夫·伯莱姆; F·达辛格; S·奎德努; F·鲁斯塔 |
| 本发明涉及一种在基板(2)上电镀生长多个纳米线(1)的方法，其包括：a)将箔(3)放置到表面(2)上，所述箔(3)具有其中能够由电解质生长所述纳米线(1)的多个贯通孔(4)；b)将可渗透电解质的弹性元件(5)放置到所述箔(3)上，所述电解质通过所述弹性元件(5)与所述箔(3)接触；c)在第一生长时间段，电镀生长所述多个纳米线(1)；d)移除所述弹性元件(5)；以及e)在第二生长时间段，继续所述多个纳米线(1)的电镀生长。 | ||||||
| 2 | 纳米线的生长 | CN202280064030.1 | 2022-09-28 | CN117980542A | 2024-05-03 | 奥拉夫·伯莱姆; F·达辛格; S·奎德努; F·鲁斯塔 |
| 一种用于制造多条纳米线(2)的装置(1)，其包含以下元件，这些元件依下列顺序排列：‑导电表面(3)，‑具有多个通道(5)的箔(4)，这些通道从该箔(4)的第一侧(6)延伸到该箔(4)上与第一侧(6)相对的第二侧(7)，‑第一电解质‑可渗透层(8)，‑第二电解质‑可渗透层(9)，其比第一电解质‑可渗透层(8)更易压缩，其中该装置(1)还具有电极(10)，且其中该装置(1)被适配成使得该纳米线(2)可通过将电解质电沉积至箔(4)的通道(5)中而生长于该导电表面(3)上，这通过在导电表面(3)和电极(10)之间施加电压而达成。 | ||||||
| 3 | 纳米线的电镀生长 | CN202180021643.2 | 2021-03-08 | CN115698387A | 2023-02-03 | 奥拉夫·伯莱姆; F·达辛格; S·奎德努; F·鲁斯塔 |
| 本发明涉及一种在表面(15)上提供多个纳米线(14)的方法，其包括：a)提供电解质分配器(1)；b)提供具有多个连续孔洞(17)的箔(16)；c)将该箔(16)设置于该表面(15)和该电解质分配器(1)的出口侧(4)之间；d)将液体电解质引入到该电解质分配器(1)中，使得该液体电解质在该电解质分配器(1)的出口侧(4)沉积到该箔(16)上；和e)在该液体电解质和该表面(15)之间施加电压，使得该纳米线(14)在该箔(16)的孔洞(17)中，由该液体电解质生长到该表面(15)上。 | ||||||
| 4 | 纳米线 | CN201810717044.4 | 2018-07-03 | CN110391292A | 2019-10-29 | 马汀·克里斯多福·荷兰; 布莱戴恩·杜瑞兹 |
| 在此提供包括锗和镓的逐渐变细的纳米线及其形成方法。所描述的纳米线还可以包括第二半导体材料的一个或多个部分。本揭示内容的方法可以包括使用镓催化剂的气-液-固磊晶。所描述的方法还可以包括通过使用电子束对基板的区域充电并且引导镓离子束横越基板的表面而沉积镓晶种于基板的表面上。 | ||||||
| 5 | 纳米线器件 | CN202080053524.0 | 2020-07-16 | CN114207778A | 2022-03-18 | 马齐德·孟希; 赫尔格·韦曼; 达萨·L·德赫拉杰; 比约恩-奥韦·M·菲姆兰; 莱杜尔夫·维根; 戴维·巴里埃 |
| 一种物质组合物，包含：石墨烯层，直接承载于蓝宝石、Si、SiC、Ga2O3或III‑V族半导体基底上；其中存在多个孔道穿过所述石墨烯层；并且其中从所述孔道中的所述基底生长出多个纳米线或纳米锥，所述纳米线或纳米锥包含至少一种半导体的III‑V族化合物。 | ||||||
| 6 | 银纳米线墨 | CN201880014169.9 | 2018-02-27 | CN110382641A | 2019-10-25 | 佐藤王高; 儿玉大辅; 栗田哲 |
| 提供能够稳定地抑制由透明保护层形成用的涂布液涂布引起的银纳米线导电层的导电性降低的银纳米线墨。银纳米线墨，其在水系溶剂中具有包含甲氧基的水溶性纤维素醚和银纳米线，所述水溶性纤维素醚中甲氧基所占的的质量比例为16.0～25.0％。作为上述水溶性纤维素醚，可列举出羟基丙氧基的质量比例为10.0％以下的HPMC、羟基乙氧基的质量比例为12.0％以下的HEMC作为特别优选的例子。 | ||||||
| 7 | 纳米线网络 | CN202280047731.4 | 2022-05-05 | CN117642242A | 2024-03-01 | J·J·维拉特拉·加西亚; R·S·肖费勒; I·戈麦斯·帕洛斯; M·巴斯克斯·普弗艾 |
| 本发明涉及一种制备纳米线网络的方法；涉及一种可通过所述方法得到的纳米线网络；涉及一种包括所述网络的非织造材料，涉及一种包括所述网络的电极，涉及所述纳米线网络的用途以及所述非织造材料的用途。 | ||||||
| 8 | 纳米线网络 | CN202080079654.1 | 2020-11-12 | CN114901874A | 2022-08-12 | J·J·维拉特拉·加西亚; R·S·肖费勒 |
| 本发明涉及一种制备纳米线网络的方法；涉及一种通过所述方法得到的纳米线网络；涉及一种包含所述纳米线网络的非织造材料，涉及一种包括所述纳米线网络的电极、一种包含所述纳米线网络的药物组合物；涉及所述纳米线网络的用途和所述非织造材料的用途。 | ||||||
| 9 | 金属纳米线 | CN201780055604.8 | 2017-09-25 | CN109715317B | 2022-04-08 | 竹田裕孝; 嘉村由梨; 吉永辉政 |
| 本发明提供一种比表面积足够大的金属纳米线。本发明涉及一种金属纳米线，其特征在于，利用氮气吸附法测得的比表面积为15m2/g以上。 | ||||||
| 10 | 无机纳米线 | CN200580006952.3 | 2005-01-05 | CN1930333B | 2012-05-23 | A·M·贝彻尔; C·毛; D·J·索利斯 |
| 无机纳米线及其制备方法，所述无机纳米线具有基本上从无机纳米线上除去的有机支架，所述无机纳米线基本上由基本上不含有机支架的融合无机纳米粒组成。例如，可以通过采用标准生物学方法来修饰基质特异性，使用用于合成单晶ZnS、CdS和独立L10 CoPt和FePt纳米线的基于病毒的支架。可以通过进化筛选方法来选择肽，在高度有序的M13噬菌体丝状衣壳上表达纳米粒核化期间，所述方法表现出对组成、大小和相的控制。将特定的核化肽掺入到M13外壳结构的通用支架上，可提供用于各种材料定向合成的活的模板，所述材料包括半导体和磁性材料。通过退火除去病毒模板，可促进基于定向聚集的晶体生长，形成各晶体纳米线。基质特异性肽与M13病毒线状自我装配的丝状构建体进行交换的独特能力，引入了在以往合成路线中未曾见过的材料可调能力。因此，该系统提供一种通用的工具箱，用于由包括半导体材料和磁性材料在内的各种不同材料来生长和组构纳米线。 | ||||||
| 11 | 无机纳米线 | CN200580006952.3 | 2005-01-05 | CN1930333A | 2007-03-14 | A·M·贝彻尔; C·毛; D·J·索利斯 |
| 无机纳米线及其制备方法，所述无机纳米线具有基本上从无机纳米线上除去的有机支架，所述无机纳米线基本上由基本上不含有机支架的融合无机纳米粒组成。例如，可以通过采用标准生物学方法来修饰基质特异性，使用用于合成单晶ZnS、CdS和独立L10CoPt和FePt纳米线的基于病毒的支架。可以通过进化筛选方法来选择肽，在高度有序的M13噬菌体丝状衣壳上表达纳米粒核化期间，所述方法表现出对组成、大小和相的控制。将特定的核化肽掺入到M13外壳结构的通用支架上，可提供用于各种材料定向合成的活的模板，所述材料包括半导体和磁性材料。通过退火除去病毒模板，可促进基于定向聚集的晶体生长，形成各晶体纳米线。基质特异性肽与M13病毒线状自我装配的丝状构建体进行交换的独特能力，引入了在以往合成路线中未曾见过的材料可调能力。因此，该系统提供一种通用的工具箱，用于由包括半导体材料和磁性材料在内的各种不同材料来生长和组构纳米线。 | ||||||
| 12 | 金属纳米线 | CN201780055604.8 | 2017-09-25 | CN109715317A | 2019-05-03 | 竹田裕孝; 嘉村由梨; 吉永辉政 |
| 本发明提供一种比表面积足够大的金属纳米线。本发明涉及一种金属纳米线，其特征在于，利用氮气吸附法测得的比表面积为15m2/g以上。 | ||||||
| 13 | 纳米线、纳米线的生产方法和该纳米线的应用 | CN02106682.5 | 2002-03-05 | CN1406865A | 2003-04-02 | 吉沢久江; 岸健太郎; 堀内一永; 清水正昭 |
| 一种纳米线，包含内芯部分12和形成在内芯部分12周围的功能层14，其中内芯部分12由具有至少一层石墨片12a、12b的碳纳米管制成，并且功能层14具有至少一层改性的石墨片，其中的石墨片已被改性；此纳米线的生产方法；使用此纳米线的纳米网；此纳米网的生产方法；使用此纳米线的碳结构以及使用此纳米线的电子装置。 | ||||||
| 14 | 纳米线涂覆隔膜 | CN202310107857.2 | 2023-02-14 | CN116365170A | 2023-06-30 | 庄志; 曹大为; 卞士聪; 廖晨博; 孙敏强; 陈永乐; 贾远超 |
| 本发明提出一种纳米线涂覆隔膜，其包含：基膜；以及涂覆层，所述涂覆层形成于所述基膜的至少一表面，所述涂覆层含有陶瓷纳米线。本发明提出的纳米线涂覆隔膜不仅可提升隔膜黏接力，更可降低热收缩，藉此提升使用上的安全性。此外，本发明更提出上述纳米线涂覆隔膜的制造方法以及以其作为隔离膜的电池。 | ||||||
| 15 | 锗纳米线制造 | CN201810723961.3 | 2018-07-04 | CN109216199B | 2021-08-03 | L·维特斯; K·沃斯特恩 |
| 一种形成包含至少一个Ge纳米线的半导体装置的方法(100)，所述方法(100)包括：提供(110)包含至少一个鳍片(200)的半导体结构，所述至少一个鳍片包含至少一个Ge层(220)与SiGe层(210)交替的堆叠；将SiGe(210)至少部分氧化(120)为SiGeOx；用介电材料(230)封盖(130)鳍片(200)；退火(140)；选择性去除(150)介电材料和SiGeOx。 | ||||||
| 16 | 纳米线催化剂 | CN201610354185.5 | 2011-05-24 | CN106000393B | 2019-11-19 | 埃里克·C·舍尔; 法毕奥·R·苏彻尔; 乔尔·M·希泽荣; 韦恩·P·斯查梅尔; 亚历克斯·塔车恩库; 乔尔·加莫拉斯; 蒂米特瑞·卡什特德特; 格雷格·尼斯 |
| 提供了可用作多相催化剂的纳米线。纳米线催化剂可用于多种催化反应，例如，甲烷氧化偶联生成乙烯。还公开了该纳米线的相关的使用方法和制造方法。 | ||||||
| 17 | CMOS纳米线结构 | CN201710010690.2 | 2011-12-23 | CN106653694B | 2019-10-18 | S·金; K·J·库恩; T·加尼; A·S·默西; A·卡佩拉尼; S·M·塞亚; R·里奥斯; G·A·格拉斯 |
| 描述了互补金属氧化物半导体纳米线结构。例如，第一半导体器件包含设置于基底上方的第一纳米线。所述第一纳米线在所述基底上方的第一距离处具有中点，并且所述第一纳米线包含分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的源区和漏区。第一栅电极叠层完全围绕所述第一纳米线的所述分离的沟道区。所述半导体结构还含第二半导体器件。所述第二半导体器件包含设置于所述基底上方的第二纳米线。所述第二纳米线在所述基底上方的第二距离处具有中点，并且所述第二纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的源区和漏区。所述第一距离不同于所述第二距离。第二栅电极叠层完全围绕所述第二纳米线的所述分离的沟道区。 | ||||||
| 18 | 锗纳米线制造 | CN201810723961.3 | 2018-07-04 | CN109216199A | 2019-01-15 | L·维特斯; K·沃斯特恩 |
| 一种形成包含至少一个Ge纳米线的半导体装置的方法(100)，所述方法(100)包括：提供(110)包含至少一个鳍片(200)的半导体结构，所述至少一个鳍片包含至少一个Ge层(220)与SiGe层(210)交替的堆叠；将SiGe(210)至少部分氧化(120)为SiGeOx；用介电材料(230)封盖(130)鳍片(200)；退火(140)；选择性去除(150)介电材料和SiGeOx。 | ||||||
| 19 | 导电纳米线膜 | CN201380015984.4 | 2013-02-28 | CN104508758B | 2018-08-07 | 吉尔·马尔科维奇; 丹尼尔·阿祖莱; 达吉雅娜·列维-拜伦科瓦; 哈吉特·吉隆; 费尔南多·德拉维加; 阿亚拉·喀布拉 |
| 本发明提供一种新颖的导电膜和多层导电结构，其包含成簇布置并且具有至少100,000的平均纵横比，任选地由金属纳米粒子装饰的多个金属纳米线。本发明还公开了一种通过表面活性剂/模板辅助的方法制备包括金属纳米线的导电膜的方法，该方法涉及使用基于表面活性剂(例如CTAB)、金属前体(例如HAuCl4和AgNO3)和金属还原剂(例如金属硼氢化物或抗坏血酸钠)的前体溶液。 | ||||||
| 20 | 纳米线微孔结构 | CN201580084087.8 | 2015-10-23 | CN108348827A | 2018-07-31 | S·巴塞罗; 葛宁; A·罗加奇 |
| 微孔结构包括纳米线的阵列和所述阵列的纳米线周围的涂层。涂层限定纳米线之间的孔。并且，样本制备设备包括供体相微流体通道、受体相微流体通道和供体相微流体通道和受体相微流体通道之间的支撑液体膜，其中支撑液体膜具有微孔结构，所述微孔结构包括纳米线的阵列、限定纳米线与支撑在孔内的有机相之间的孔的涂层。 | ||||||
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