| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于微电子学结构的电子束处理的膜 | CN96194746.2 | 1996-06-04 | CN1187903A | 1998-07-15 | L·福雷斯特; N·H·恨德里克斯; D·玉-蔡 |
| 一种改进的制作用在微电子应用中镀有介质膜的衬底的方法,其中通过将镀膜的衬底对电子束流曝光而处理该介质膜。经过电子束曝光而固化的衬底具有优越的介电特性、密度、均匀性、热稳定性和氧稳定性。 | ||||||
| 2 | 在微电子学中用于接合异种材料的技术 | CN201980044534.5 | 2019-07-02 | CN112368828A | 2021-02-12 | G·G·小方丹; C·曼达拉普; L·W·米卡里米 |
| 提供了在微电子学中用于接合异种材料的技术。示例技术使用厚度介于100纳米至1000纳米之间的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中间物，在环境室温下直接键合异种材料。中间物可以包括硅。异种材料可能具有显著不同的热膨胀系数(CTE)和/或显著不同的晶格晶胞几何形状或尺寸，常规上讲会导致应变过大以使得直接键合不可行。在直接键合异种材料之后，环境室温下的固化时段允许直接键合增强200％以上。以每分钟1℃或更低的温度增加速率缓慢施加的相对低温的退火会进一步增强和巩固直接键合。示例技术可以在各种新型光学器件和声学器件的制作过程中将钽酸锂LiTaO3直接键合到各种传统衬底。 | ||||||
| 3 | 钴或铜合金的电沉积及其在微电子学中的用途 | CN202080012535.4 | 2020-02-06 | CN113383115A | 2021-09-10 | 文森特·梅费里克; 路易斯·凯拉德; 米卡卢·蒂亚姆; 多米尼克·祖尔 |
| 钴或铜合金的电沉积以及在微电子学中的用途。本发明涉及制造钴或铜互连的方法，以及能够实施所述方法的电解液。pH小于4.0的电解液包含钴离子或铜离子、氯离子、锰离子或锌离子以及至多两种低分子量的有机添加剂。这些添加剂中的一种可以是α‑羟基羧酸。 | ||||||
| 4 | 用于微电子学器件生产的逐次运行控制器 | CN00811941.4 | 2000-06-20 | CN1239969C | 2006-02-01 | K·D·斯托达; B·D·舒尔策; K·察卡利斯 |
| 一种用于控制制造加工的自动逐次运行控制器，该控制器包含一套加工工具，一套在加工工具上进行计量测量的计量工具，和一个管理、控制加工工具的监控站。监控站包含一个接口，用于接收计量工具测量的数据；和一系列可变参数表，每一个可变参数表用于一个加工工具，这些可变参数表集体地关联于制造加工的工作程序。监控站还包含一个或多个内部模式，这些模式使收到的计量数据与一个加工工具的一个或多个变量联系起来，它们还可以修改储存在可变参数表里的变量采用反馈和/或前馈控制算法控制加工工具。在某些实施方案中，前馈算法可以用于调节闭环反馈控制的加工目标。监控站可以有一个用户接口，利用这种接口，可以根据系统实验的或预估的行为交互地选择不同的反馈或前馈模型格式(单一或多个-变量)，而且还允许用户利用他们自己的模型进行逐次运行控制。 | ||||||
| 5 | 用于微电子学器件生产的逐次运行控制器 | CN00811941.4 | 2000-06-20 | CN1371489A | 2002-09-25 | K·D·斯托达; B·D·舒尔策; K·察卡利斯 |
| 一种用于控制制造加工的自动逐次运行控制器,该控制器包含一套加工工具,一套在加工工具上进行计量测量的计量工具,和一个管理、控制加工工具的监控站。监控站包含一个接口,用于接收计量工具测量的数据;和一系列可变参数表,每一个可变参数表用于一个加工工具,这些可变参数表集体地关联于制造加工的工作程序。监控站还包含一个或多个内部模式,这些模式使收到的计量数据与一个加工工具的一个或多个变量联系起来,它们还可以修改储存在可变参数表里的变量采用反馈和/或前馈控制算法控制加工工具。在某些实施方案中,前馈算法可以用于调节闭环反馈控制的加工目标。监控站可以有一个用户接口,利用这种接口,可以根据系统实验的或预估的行为交互地选择不同的反馈或前馈模型格式(单一或多个－变量),而且还允许用户利用他们自己的模型进行逐次运行控制。 | ||||||
| 6 | 微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构 | CN201980070918.4 | 2019-08-21 | CN112956011B | 2022-07-26 | G·高; G·G·小方丹; L·W·米卡里米; R·卡特卡尔; I·莫哈梅德; C·E·尤佐 |
| 提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。 | ||||||
| 7 | 微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构 | CN202210796791.8 | 2019-08-21 | CN115332207A | 2022-11-11 | G·高; G·G·小方丹; L·W·米卡里米; R·卡特卡尔; I·莫哈梅德; C·E·尤佐 |
| 本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。 | ||||||
| 8 | 在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构 | CN202080046522.9 | 2020-06-25 | CN114008766A | 2022-02-01 | C·E·尤佐; R·坎卡尔; T·沃克曼; G·高; G·G·小方丹; L·W·米卡里米; B·哈巴; G·Z·格瓦拉; J·瓦塔纳贝 |
| 提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。 | ||||||
| 9 | 微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构 | CN201980070918.4 | 2019-08-21 | CN112956011A | 2021-06-11 | G·高; G·G·小方丹; L·W·米卡里米; R·卡特卡尔; I·莫哈梅德; C·E·尤佐 |
| 提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。 | ||||||
| 10 | 用于分子生物学分析和诊断的自我可寻址自我装配的微电子学系统及装置 | CN95190860.X | 1995-07-05 | CN1151374C | 2004-05-26 | M·J·赫勒; E·杜; G·A·艾文斯; R·G·索斯诺斯基 |
| 设计和制造了一台可自我寻址，自我组装的微电子装置，它能以显微形式主动地进行和控制多步和多路的分子生物学反应。这些反应包括核酸杂交，抗体/抗原反应，诊断，和生物高分子合成。该装置能借助微平版印刷和微加工技术而制造。该装置能电子控制特异性结合实体的转移和结合到特异性微场所上。特异性结合实体包括分子生物学分子例如核酸和多肽。该装置能在被寻址的特异性微场所上逐次地控制分析物或反应物的转移和反应。该装置能浓缩分析物和反应物，移走非特异性结合的分子，为DNA杂交反应提供严格控制，和提高对分析物的识别力。该装置能电子地被复制。 | ||||||
| 11 | 用于分子生物学分析和诊断的自我可寻址自我装配的微电子学系统及装置 | CN95190860.X | 1995-07-05 | CN1135220A | 1996-11-06 | M·J·赫勒; E·杜; G·A·艾文斯; R·G·索斯诺斯基 |
| 设计和制造了一台可自我寻址，自我组装的微电子装置，它能以显微形式主动地进行和控制多步和多路的分子生物学反应。这些反应包括核酸杂交，抗体/抗原反应，诊断，和生物高分子合成。该装置能借助微平版印刷和微加工技术而制造。该装置能电子控制特异性结合实体的转移和结合到特异性微场所上。特异性结合实体包括分子生物学分子例如核酸和多肽。该装置能在被寻址的特异性微场所上逐次地控制分析物或反应物的转移和反应。该装置能浓缩分析物和反应物，移走非特异性结合的分子，为DNA杂交反应提供严格控制，和提高对分析物的识别力。该装置能电子地被复制。 | ||||||
| 12 | 用于分子生物学分析和诊断的自我可寻址自我装配的微电子学系统及装置 | CN200410032475.5 | 1995-07-05 | CN1550556A | 2004-12-01 | M·J·赫勒; E·杜 |
| 设计和制造了一台可自我寻址，自我组装的微电子装置，它能以显微形式主动地进行和控制多步和多路的分子生物学反应。这些反应包括核酸杂交，抗体/抗原反应，诊断，和生物高分子合成。该装置能借助微平版印刷和微加工技术而制造。该装置能电子控制特异性结合实体的转移和结合到特异性微场所上。特异性结合实体包括分子生物学分子例如核酸和多肽。该装置能在被寻址的特异性微场所上逐次地控制分析物或反应物的转移和反应。该装置能浓缩分析物和反应物，移走非特异性结合的分子，为DNA杂交反应提供严格控制，和提高对分析物的识别力。该装置能电子地被复制。 | ||||||
| 13 | 마이크로전자장치에서의 구리 전착 | KR1020077013226 | 2005-11-14 | KR101138588B1 | 2012-06-27 | 파넥카시오,빈센트; 린,수언; 피구라,폴; 허투비스,리처드 |
| 서브마이크론 크기의 상호접속 특징을 보유한 반도체 집적 회로 기판 위에 Cu를 전해 도금하기 위한 전해 도금 방법 및 조성물. 이 조성물은 Cu 이온의 급원과 폴리에테르 기를 함유하는 억제제 화합물을 포함한다. 상기 방법은 특징의 바닥에서부터 특징의 상부 개구부까지 수직 방향으로의 Cu 침착이 측벽에서의 Cu 침착보다 실질적으로 더 큰 과충전 속도인 빠른 보텀업(bottom-up) 침착에 의한 과충전을 수반한다. 반도체 집적 회로 기판, 상호접속 특징, 전해 도금, 구리, 보텀업 침착, 과충전 | ||||||
| 14 | 마이크로전자장치에서의 구리 전착 | KR1020077013226 | 2005-11-14 | KR1020070086082A | 2007-08-27 | 파넥카시오,빈센트; 린,수언; 피구라,폴; 허투비스,리처드 |
| An electrolytic plating method and composition for electrolytically plating Cu onto a semiconductor integrated circuit substrate having submicron-sized interconnect features. The composition comprises a source of Cu ions and a suppressor compound comprising polyether groups. The method involves superfilling by rapid bottom-up deposition at a superfill speed by which Cu deposition in a vertical direction from the bottoms of the features to the top openings of the features is substantially greater than Cu deposition on the side walls. | ||||||
| 15 | 마이크로전자공학에서의 구리 전착 | KR1020067014776 | 2004-12-13 | KR1020060127067A | 2006-12-11 | 패넥카시오빈센트; 린수언; 피구라폴; 허투비스리처드 |
| A method and composition for electroplating Cu onto a substrate in the manufacture of a microelectronic device involving and electrolytic solution containing a source of Cu ions and a substituted pyridyl polymer compound for leveling. | ||||||
| 16 | 마이크로전자공학에서의 구리 전착 | KR1020067014776 | 2004-12-13 | KR101157284B1 | 2012-07-06 | 패넥카시오빈센트; 린수언; 피구라폴; 허투비스리처드 |
| Cu 이온 급원과 평준화를 위한 치환된 피리딜 중합체 화합물을 함유하는 전해질 용액을 수반하는, 마이크로전자 장치의 제조에 있어서 기재 위에 Cu를 전기도금하기 위한 방법 및 조성물. 구리 전착, 마이크로전자공학, 전기도금, 평준화제, 치환된 피리딜 중합체 | ||||||
| 17 | 마이크로 전자공학에서의 구리 전착 | KR1020087021321 | 2007-01-30 | KR1020080100223A | 2008-11-14 | 파네카시오,빈센트,엠.,주니어; 린,퀑; 피가로,폴; 허투비스,리챠드; 비트,크리스티안 |
| An electrolytic plating method and composition for electrolytically plating Cu onto a semiconductor integrated circuit substrate having submicron-sized interconnect features. The composition comprises a source of Cu ions and a suppressor compound comprising polyether groups. The method involves rapid bottom-up deposition at a superfill speed by which Cu deposition in a vertical direction from the bottoms of the features to the top openings of the features is greater than Cu deposition on the side walls. | ||||||
| 18 | 마이크로일렉트로닉스용 광 필터 | KR1019880701098 | 1988-01-12 | KR100103198B1 | 1996-08-07 | 브루어,테리엘.; 허레이,댄더블유.; 램,제임스이.; 래담,윌리암제이.; 스티치노테,린케이. |
| 19 | 마이크로전자공학에서의 다이아몬드형 함유 물질 | KR1020037009155 | 2002-01-17 | KR1020030090619A | 2003-11-28 | 달,제레미,이.; 칼슨,로버트,엠.; 리우,센가오 |
| 본 발명은 마이크로전자공학 분야에서 저급 및 고급 다이아몬드형 함유 물질의 신규한 용도에 관한 것이다. 상기 용도의 구체적인 예는 집적회로 패키징 내의 열전도성 필름, 집적회로 다단계 연결선 내의 저 유전상수층, 열전도성 점착성 필름, 집적 회로 장치용 보호막 필름 및 전계 방출 음극을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 사용되는 다이아몬드형은 저급 다이아몬드형 뿐만 아니라 신규하게 제공되는 고급 다이아몬드형으로부터 선택될 수 있으며, 치환 및 비치환 다이아몬드형을 포함한다. 상기 고급 다이아몬드형은 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄 및 운데카만탄을 포함한다. 다이아몬드형 함유 물질은 다이아몬드형 함유 중합체, 다이아몬드형 함유 소결 세라믹, 다이아몬드형 세라믹 복합체, CVD 다이아몬드형 필름, 자가 집합 다이아몬드형 필름 및 다이아몬드형-풀러렌 복합체로 제조될 수 있다. | ||||||
| 20 | Micro-optics on optoelectronics | US11466640 | 2006-08-23 | US07457490B2 | 2008-11-25 | Hartmut Rudmann; Markus Rossi |
| The invention concerns the combination of optical elements with active optoelectronic to monolithic optoelectronic systems. An optoelectronic wafer (1) comprising active optical components (2) is provided with (micro-)optical structures. The optical structures (12, 13) are allocated to the active optical components (2), i.e. they are configured to influence light impinging on the active optical components (2) and/or originating from them in a desired manner. To this end they are either aligned to the optical components or otherwise adjusted to serve this purpose. The combined active optical components/optical structures are separated for example by dicing the semiconductor wafer with the optical structures into parts containing at least one active optical component (2) and at least one optical structure (12, 13). | ||||||
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