| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统 | CN201810173062.0 | 2018-03-01 | CN108419030A | 2018-08-17 | 莫要武; 徐辰; 张正民; 任冠京; 高哲; 谢晓; 邵泽旭; 马伟剑; 石文杰 |
| 本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪，从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。 | ||||||
| 142 | 一种电子通讯设备 | CN201510396724.7 | 2015-07-08 | CN105025125B | 2018-06-19 | 周良; 姜君城 |
| 本发明适用于电子通讯技术领域，提供了一种电子通讯设备，包括设备主体，在所述设备主体上设有信息提示组件，所述信息提示组件包括光源和导光件，所述导光件用于将所述光源发出的光进行传导并输出以进行信息提示。所述导光件面向所述设备主体的表面可以设有导光微结构。本发明采用光源和导光件配合构成信息提示组件，采用一个或极少量光源，通过导光件形成大面积发光区域，当通讯设备接收信息或来电时，系统会触发光源点亮或者闪烁，并通过导光件形成大面积的面光源，易引起用户注意，进而有效提升其信息提示功能，该导光件可镶嵌于设备主体的侧面、正面或背面，不仅提升了设备信息提示功能，又美化了设备外观。 | ||||||
| 143 | 一种电子通讯设备 | CN201510396724.7 | 2015-07-08 | CN105025125A | 2015-11-04 | 周良; 姜君城 |
| 本发明适用于电子通讯技术领域，提供了一种电子通讯设备，包括设备主体，在所述设备主体上设有信息提示组件，所述信息提示组件包括光源和导光件，所述导光件用于将所述光源发出的光进行传导并输出以进行信息提示。所述导光件面向所述设备主体的表面可以设有导光微结构。本发明采用光源和导光件配合构成信息提示组件，采用一个或极少量光源，通过导光件形成大面积发光区域，当通讯设备接收信息或来电时，系统会触发光源点亮或者闪烁，并通过导光件形成大面积的面光源，易引起用户注意，进而有效提升其信息提示功能，该导光件可镶嵌于设备主体的侧面、正面或背面，不仅提升了设备信息提示功能，又美化了设备外观。 | ||||||
| 144 | 具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统 | CN201810173062.0 | 2018-03-01 | CN108419030B | 2021-04-20 | 莫要武; 徐辰; 张正民; 任冠京; 高哲; 谢晓; 邵泽旭; 马伟剑; 石文杰 |
| 本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪，从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。 | ||||||
| 145 | 对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统 | CN201810172634.3 | 2018-03-01 | CN108322676B | 2021-06-29 | 任冠京; 莫要武; 徐辰; 张正民; 高哲; 谢晓; 邵泽旭; 马伟剑; 石文杰 |
| 本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留。 | ||||||
| 146 | 对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统 | CN201810172634.3 | 2018-03-01 | CN108322676A | 2018-07-24 | 任冠京; 莫要武; 徐辰; 张正民; 高哲; 谢晓; 邵泽旭; 马伟剑; 石文杰 |
| 本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留。 | ||||||
| 147 | 一种利用塑料闪烁晶体测量的放射性核素种类鉴别系统 | CN201720759141.0 | 2017-06-27 | CN206863232U | 2018-01-09 | 张志勇; 杨奎 |
| 本实用新型公开了一种利用塑料闪烁晶体测量的放射性核素种类鉴别系统，包括塑料闪烁体，塑料闪烁体设置有光电倍增管器和屏蔽铅板，光电倍增管器的输出端与信号放大器的输入端连接；信号放大器的输出端与甄别器的输入端连接，甄别器为三个，三个甄别器并联；甄别器的输出端与数据采集板的输入端连接，数据采集板的输出端与计算机的输入端连接。本利用塑料闪烁晶体测量的放射性核素种类鉴别系统，塑料闪烁体由于本身特性：能量分辨率差和探测射线形成的光电峰不明显，因此利用大面积塑料闪烁体探测器，检测放射性物质的有无，并利用天然核素拒绝功能识别出常见的几种天然核素，提高了探测器的性能，弥补了识别能力弱的缺点，价格便宜。 | ||||||
| 148 | 探测器结构 | CN202123178354.X | 2021-12-16 | CN216870827U | 2022-07-01 | 顾鹏; 李健; 黄翌敏; 朱伟平; 彭先德; 唐海铭 |
| 本实用新型提供一种探测器结构，所述探测器结构包括：闪烁体、聚光器件及光电转换器件，所述聚光器件设于所述闪烁体和所述光电转换器件之间；其中，所述聚光器件包括反射部件及聚光部件，所述反射部件的进光口对准所述闪烁体的发光面，所述聚光部件设于所述反射部件的出光口处，且所述聚光部件的出光面对准所述光电转换器件的光电灵敏区。本实用新型解决了现有的大面积闪烁体与小面积光电转换器件之间的耦合问题。 | ||||||
| 149 | 一种闪烁体中子探测器的多路探测采集装置 | CN202320269676.5 | 2023-02-21 | CN219574388U | 2023-08-22 | 夏广新; 夏庆中; 何铁; 丁阁; 吴玉清 |
| 本实用新型公开了一种闪烁体中子探测器的多路探测采集装置，包括：多路模拟调理电路，接收闪烁体的模拟采集信号；多路ADC转换电路，与多路模拟调理电路输出并列连接，进行ADC转换；FPGA多通路数据采集单元，接收多路ADC转换电路的输出信号进行数字信号处理；和中央控制电路，接收FPGA多通路数据采集单元的数据信号，并向外输出数字采集信号。本实用新型采用多路数字化采集分析技术，匹配前端闪烁体的模拟采集信号读出，实现高精度、小体积与低功耗的中子信号数字化采集分析处理，适用于大面积闪烁光的高效收集。 | ||||||
| 150 | 一种激光声光告警器 | CN202111158606.4 | 2021-09-30 | CN113724479A | 2021-11-30 | 俞本立; 梁修东; 刘文静; 梁慧元 |
| 本发明公开了一种激光声光告警器，属于信息防护技术领域。包括激光屏和控制器，所述激光屏包括载体结构、传感器、导线和排线连接器，所述传感器密集的阵列形状布设；所述控制器设报警器和显示屏。本发明通过大面积、高密度、低成本的布设传感器和导线，形成透明的探测屏（膜），实现对防护区域在受到激光照射时及时感知；通过控制器内部的报警器和显示屏，发出报警声响和指示灯的闪烁，主动提醒使用者存在信息安全的问题，达到保证信息安全的效果。 | ||||||
| 151 | 一种锥形光导模块及其加工方法 | CN201110303852.4 | 2011-10-10 | CN102331599A | 2012-01-25 | 谢庆国; 朱俊; 刘晶晶; 王璐瑶 |
| 一种锥形光导模块，所述光导模块外观立体形状为锥形台，锥形台的顶面与底面相互平行，顶面为矩形，顶面面积大于底面面积。所述光导模块由m×n个玻璃条拼接粘合构成。该加工方法根据锥形光导模块的尺寸和所含玻璃条的阵列数，计算各个玻璃条的尺寸，通过对一批玻璃条胚体加工得到的玻璃条组装、打磨，并加工为所需的锥形光导模块。本发明通过设计一种实现大面积闪烁晶体与光电转换器件耦合的锥形光导模块，能够有效提高医学成像系统的灵敏度，减小数据采集缺失问题，提高系统的成像质量。 | ||||||
| 152 | 驱动等离子显示面板的方法和装置 | CN200410080646.1 | 2004-09-29 | CN100424737C | 2008-10-08 | 宋炳受; 玄昌镐; 林谨洙; 金桓猷 |
| 本发明涉及一种等离子显示面板，更确切地说，涉及一种驱动等离子显示面板的方法和装置。根据本发明的第一个实施例，提供一种驱动PDP的方法，包括步骤：将两个帧数据项分割为三个帧数据项；以及将分割的帧数据项提供给PDP。根据本发明的第一个实施例，提供一种驱动PDP的方法，包括步骤：将两个帧数据项分割为三个帧数据项；以及将分割的帧数据项提供给PDP。根据本发明的驱动PDP的方法和装置可以在高分辨率PDP中减少大面积闪烁和动态虚假轮廓噪声。 | ||||||
| 153 | 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 | CN200410016474.1 | 2004-02-23 | CN1314067C | 2007-05-02 | 赵广军; 徐军; 庞辉勇; 介明印; 何晓明; 周圣明 |
| 一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法，该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3衬底上生长一层闪烁薄膜Lu1-x-yCeyYxAlO3而构成，其中0≤x≤0.9999，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-aYzAlO3(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶，在电阻加热液相外延炉中，在Lu1-zYzAlO3单晶的结晶温度下，与含有Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1-x-yCeyYxAlO3单晶薄膜。该荧光屏具有高效率和高分辨率的特点。 | ||||||
| 154 | 一种基于金属卤化物柔性膜的制备方法及其产品和应用 | CN202310826764.5 | 2023-07-06 | CN116874842A | 2023-10-13 | 臧志刚; 汪百前 |
| 本发明涉及一种基于金属卤化物柔性膜的制备方法及其产品和应用，属于柔性膜的制备技术领域。本发明主要采用卤化物和金属卤化物混合形成杂化物与柔性衬底进行反应得到柔性膜。本发明的基于金属卤化物柔性膜在制备过程中采用柔性衬底隔绝氧气，可形成致密保护膜隔绝水分的同时具有耐高温的作用，从而制备得到柔性可弯曲的柔性膜，在X射线闪烁体成像方面具有良好的应用前景。另外，本发明的制备方法采用的一步法成膜，具有工艺简单、制备速度快、重复性好和效率高等优点，能够用于柔性膜的大面积制备。 | ||||||
| 155 | 一种线性镀膜设备及其方法 | CN202310919896.2 | 2023-07-25 | CN116855894A | 2023-10-10 | 白超群; 焦启刚 |
| 本申请涉及一种线性镀膜设备及其方法，涉及闪烁体加工设备的技术领域，镀膜设备包括蒸发源，蒸发源上侧设置有基板固定装置，基板固定装置上设置有能够驱动基板固定装置水平移动的线性驱动装置。本申请中蒸发源和基板固定装置的设置，使得能够固定基板，并使得蒸发源内的镀膜材料蒸发气化至基板上，进而能够在夹板上镀膜。而通过线性驱动装置的设置，能够驱动基板固定装置在水平方向移动，从而使得基板能够在蒸发源上侧移动，进而对于大面积的基板或长度较长的矩形基板能够通过移动实现在基板镀膜。 | ||||||
| 156 | 驱动等离子显示面板的方法和装置 | CN200410080646.1 | 2004-09-29 | CN1604160A | 2005-04-06 | 宋炳受; 玄昌镐; 林谨洙; 金桓猷 |
| 本发明涉及一种等离子显示面板，更确切地说，涉及一种驱动等离子显示面板的方法和装置。根据本发明的第一个实施例，提供一种驱动PDP的方法，包括步骤：将两个帧数据项分割为三个帧数据项；以及将分割的帧数据项提供给PDP。根据本发明的第一个实施例，提供一种驱动PDP的方法，包括步骤：将两个帧数据项分割为三个帧数据项；以及将分割的帧数据项提供给PDP。根据本发明的驱动PDP的方法和装置可以在高分辨率PDP中减少大面积闪烁和动态虚假轮廓噪声。 | ||||||
| 157 | 一种可用于快中子束流大面积成像的阵列型结构探测器 | CN202210582084.9 | 2022-05-26 | CN114966813A | 2022-08-30 | 张清民; 危光友; 唐彬; 孙志嘉 |
| 本发明公开了一种可用于快中子束流大面积成像的阵列型结构探测器，属于快中子探测技术领域。由阵列化的快中子转换体克服目前快中子成像技术中探测效率与空间分辨能力之间的矛盾，由硅光电倍增器实现闪烁光子的探测。该探测器工作电压低，探测效率高，空间分辨好。读出电路设计原理简单，可方便地根据需要做调整。硅光电倍增器易于集成、对光子具有优异的探测性能和成本低廉，有潜力用于更大面积物体的成像。 | ||||||
| 158 | X射线响应的聚合物磷光闪烁体及其制备方法和应用 | CN202111492382.0 | 2021-12-08 | CN113968928A | 2022-01-25 | 谷龙; 甘楠; 邹欣 |
| 本发明公开了X射线响应的聚合物磷光闪烁体及其制备方法和应用；具体是将卤代单体与丙烯酸单体进行自由基共聚合，通过改变单体的投料比例，合成具有不同卤代单体含量的共聚物，并考察这些因素以及卤素原子的引入对X射线的吸收以及辐射发光性能的影响；同时，通过改变卤代单体的结构，我们实现了X射线激发下的多彩磷光发射，证明了我们设计原则的通用性；此外，该类共聚物展现出良好的加工性、成膜性以及X射线响应性，在柔性X射线成像及大面积显示等领域展现出良好的应用前景。 | ||||||
| 159 | 掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 | CN200410016474.1 | 2004-02-23 | CN1560890A | 2005-01-05 | 赵广军; 徐军; 庞辉勇; 介明印; 何晓明; 周圣明 |
| 一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法，该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1－zYzAlO3衬底上生长一层闪烁薄膜Lu1－x－yCeyYxAlO3而构成，其中0≤x≤0.9999，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1－zYzAlO3(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶，在电阻加热液相外延炉中，在LuzY1－zAlO3单晶的结晶温度下，与含有Lu1－x－yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1－x－yCeyYxAlO3单晶薄膜。该荧光屏具有高效率和高分辨率的特点。 | ||||||
| 160 | 一种X射线探测器 | CN202322189203.7 | 2023-08-15 | CN221378264U | 2024-07-19 | 葛振华; 刘廷; 张同冰; 尹超; 张彦龙 |
| 本实用新型公开了一种X射线探测器，包括壳体，壳体后端设有光电倍增管，壳体其内部呈漏斗状，其大端由外及内依次设置有闪烁体和透光载体，其小端与光电倍增管的光窗相连，本实用新型适用于安全监测设备技术领域，闪烁体与透光载体外部的反射层与壳体内部漏斗状的光路反射层形成一个封闭的反射腔，使在X射线作用下由闪烁体产生的大面积的荧光，通过不断反射向光电倍增管的光窗汇集，提高X射线探测器聚光效率，从而提高X射线探测器的探测能力。同时因其结构较为简单，使其加工、安装工艺简易，便于生产使用。 | ||||||
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