| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种大面积柔性闪烁体屏的制备方法 | CN202311012300.7 | 2023-08-11 | CN117143372A | 2023-12-01 | 史志锋; 张飞; 杨棒棒; 陈志鹏; 李新建 |
| 本发明提出了一种大面积柔性闪烁体屏的制备方法，具体步骤如下：(1)在常温常压条件下，将无机闪烁体粒子与PMMA粉体加入甲苯中高速搅拌，使其混合均匀，制备得到闪烁体胶水预分散液；(2)将步骤(1)制备的闪烁体胶水预分散液滴涂在衬底上，并加热固化，固化后的薄膜会从衬底上脱离，即可得到大面积柔性闪烁体屏。本发明的制备工艺简单，制备所得的闪烁体屏具有更高的发光效率，同时更耐水/氧高温，耐辐射老化性。 | ||||||
| 2 | 一种大面积环形塑料闪烁体加工方法 | CN201811345917.X | 2018-11-13 | CN109581469B | 2023-06-13 | 陈小军; 梁勇; 王文秀; 方开洪; 李玉军; 苏功建; 殷敏; 陈效楠 |
| 本发明涉及核探测技术领域，具体公开了一种大面积环形塑料闪烁体加工方法，包括以下步骤：S1：大面积塑料闪烁体制备；S2：大面积塑料闪烁体切割；S3：大面积塑料闪烁体抛光镀铝。采用本发明方法加工得到的大面积塑料闪烁体对直径2mm的点状β平面放射源的照射测量，其响应均匀性好于采用一般制作方法得到的塑料闪烁体的3倍以上。 | ||||||
| 3 | 一种大面积环形塑料闪烁体加工方法 | CN201811345917.X | 2018-11-13 | CN109581469A | 2019-04-05 | 陈小军; 梁勇; 王文秀; 方开洪; 李玉军; 苏功建; 殷敏; 陈效楠 |
| 本发明涉及核探测技术领域，具体公开了一种大面积环形塑料闪烁体加工方法，包括以下步骤：S1：大面积塑料闪烁体制备；S2：大面积塑料闪烁体切割；S3：大面积塑料闪烁体抛光镀铝。采用本发明方法加工得到的大面积塑料闪烁体对直径2mm的点状β平面放射源的照射测量，其响应均匀性好于采用一般制作方法得到的塑料闪烁体的3倍以上。 | ||||||
| 4 | 大面积闪烁晶体阵列组装装置及其组装方法 | CN201310389133.8 | 2013-08-30 | CN103433885B | 2015-11-11 | 龙勇; 徐扬; 李德辉; 尹红; 李忠继; 付昌禄; 蒋春健 |
| 本发明提供了一种大面积闪烁晶体阵列组装装置及利用该组装装置的大面积闪烁晶体阵列组装方法，所述方法包括如下步骤：分别转动第一螺杆、该第二螺杆、该第三螺杆及该第四螺杆，以形成第二定型空间；将单位晶体填充于该第二定型空间内，以在该第二定型空间内形成一晶体阵列；向该第二定型空间内注入液体光学胶；分别旋转第一螺杆、该第二螺杆、该第三螺杆及该第四螺杆，以分别驱动该第一推挡块、该第二推挡块、该第三推挡块及该第四推挡块挤压该晶体阵列。 | ||||||
| 5 | 大面积闪烁晶体阵列组装装置及其组装方法 | CN201310389133.8 | 2013-08-30 | CN103433885A | 2013-12-11 | 龙勇; 徐扬; 李德辉; 尹红; 李忠继; 付昌禄; 蒋春健 |
| 本发明提供了一种大面积闪烁晶体阵列组装装置及利用该组装装置的大面积闪烁晶体阵列组装方法，所述方法包括如下步骤：分别转动第一螺杆、该第二螺杆、该第三螺杆及该第四螺杆，以形成第二定型空间；将单位晶体填充于该第二定型空间内，以在该第二定型空间内形成一晶体阵列；向该第二定型空间内注入液体光学胶；分别旋转第一螺杆、该第二螺杆、该第三螺杆及该第四螺杆，以分别驱动该第一推挡块、该第二推挡块、该第三推挡块及该第四推挡块挤压该晶体阵列。 | ||||||
| 6 | 一种大面积闪烁晶体阵列及其制备方法 | CN202510042669.5 | 2025-01-10 | CN119800518A | 2025-04-11 | 刘真强; 胡吉海; 徐扬; 刘洋; 罗夏林; 唐博; 王洪刚; 胡俐; 胡志娟; 周强; 王中亮; 张嘉俐 |
| 本发明公开了一种大面积闪烁晶体阵列及其制备方法，采用若干开槽后的小晶块组装阵列，组装时采用垫片来确保阵列平面精度，采用拼接夹具来对晶片进行定位，以保证几何尺寸精度，采用UV胶进行粘接，显著提供了拼接效率。相比使用一块大面积晶块制作阵列，此方法不仅降低了对晶体质量和生长尺寸的要求，还有效利用了晶体的多余料，实现了资源的最大化利用。同时相比采用单根晶条拼装阵列，本发明显著提高了阵列拼装效率，制作周期短，效率高，提高了产品交付速度，具有良好的应用前景。 | ||||||
| 7 | 一种大面积高透金属卤化物闪烁陶瓷及其制备方法 | CN202111434405.2 | 2021-11-29 | CN114195656A | 2022-03-18 | 夏志国; 韩凯 |
| 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种大面积高透金属卤化物闪烁陶瓷及其制备方法。杂化金属卤化物的化学组成式为OruMvXw。本发明提出通过低温冷烧结工艺将粉体压制成大面积高透性的陶瓷块体。该金属卤化物陶瓷展现了高的高能辅射吸收系数以及高的光产额等优异的闪烁性能和温度稳定性。本发明解决了目前闪烁晶体难以生长、透光性差等关键问题。 | ||||||
| 8 | 一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法 | CN201611032018.5 | 2016-11-22 | CN106527043A | 2017-03-22 | 刘波; 程传伟; 顾牡; 陈鸿; 陈亮; 刘金良; 欧阳晓平 |
| 本发明涉及一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法，选取压印模板和所需的塑料闪烁体，对模板进行防粘处理，利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印，将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构，其中压印模板的尺寸大于400mm2，采用特定的加热加压的方式进行热纳米压印。与现有技术相比，本发明可以制备大面积的光子晶体塑料闪烁体，按照所述温度和压强参数可以获得足够深度的光子晶体结构，在制备过程中可以避免模板或样品的损坏。 | ||||||
| 9 | 大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法 | CN201811484961.9 | 2018-12-06 | CN109632846B | 2022-06-03 | 丁楠; 刘春晓; 王丹凤; 刘亚南; 李成成 |
| 本发明提供了一种大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法，包括以下步骤：(a)闪烁纤维防串扰涂覆：使含硼PMMA材料均匀分布在所述闪烁纤维表面形成一层防串扰层；(b)闪烁纤维单层阵列的制作，通过排线装置进行制作；(c)闪烁纤维单层阵列的合片；(d)闪烁纤维阵列成像面板的灌胶研磨。本发明所述的大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法，采用直径0.3mm闪烁纤维，空间分辨率达到1.3lp/mm，尺寸为150mm×150mm×5mm；采用涂覆、单层阵列制作，合片、灌胶研磨四道工序，以实现中子图像诊断中中子大面积、高分辨率成像，该方法工艺简单，成本较低。 | ||||||
| 10 | 大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法 | CN201811484961.9 | 2018-12-06 | CN109632846A | 2019-04-16 | 丁楠; 刘春晓; 王丹凤; 刘亚南; 李成成 |
| 本发明提供了一种大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法，包括以下步骤：(a)闪烁纤维防串扰涂覆：使含硼PMMA材料均匀分布在所述闪烁纤维表面形成一层防串扰层；(b)闪烁纤维单层阵列的制作，通过排线装置进行制作；(c)闪烁纤维单层阵列的合片；(d)闪烁纤维阵列成像面板的灌胶研磨。本发明所述的大面积高分辨率塑料闪烁纤维阵列成像面板的制备方法，采用直径0.3mm闪烁纤维，空间分辨率达到1.3lp/mm，尺寸为150mm×150mm×5mm；采用涂覆、单层阵列制作，合片、灌胶研磨四道工序，以实现中子图像诊断中中子大面积、高分辨率成像，该方法工艺简单，成本较低。 | ||||||
| 11 | 一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法 | CN201611032018.5 | 2016-11-22 | CN106527043B | 2018-07-03 | 刘波; 程传伟; 顾牡; 陈鸿; 陈亮; 刘金良; 欧阳晓平 |
| 本发明涉及一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法，选取压印模板和所需的塑料闪烁体，对模板进行防粘处理，利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印，将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构，其中压印模板的尺寸大于400mm2，采用特定的加热加压的方式进行热纳米压印。与现有技术相比，本发明可以制备大面积的光子晶体塑料闪烁体，按照所述温度和压强参数可以获得足够深度的光子晶体结构，在制备过程中可以避免模板或样品的损坏。 | ||||||
| 12 | 大面积透明Sb基及其掺杂钙钛矿闪烁体材料及其制备方法和应用 | CN202311365233.7 | 2023-10-20 | CN119859159A | 2025-04-22 | 符玉华; 冯迢; 孙承华; 郑金晓; 周子安; 周树云 |
| 本发明公开一种大面积透明Sb基及其掺杂钙钛矿闪烁体材料及其制备方法和应用。所述钙钛矿闪烁体通式可以为：(R‑C18H15P)2SbyM1‑yX5；其中，所述R选自‑CH3、‑CH2Cl、‑CH2CH3、‑CH2OCH3、‑(CH2)3CH3、‑CH2C6H4CH3和‑C6H5中的一种或几种；所述M为金属离子，选自B位掺杂离子；所述X选自Cl‑、Br‑和I‑中的一种或几种；所述y选自0‑1，且不为0。该钙钛矿闪烁体材料不仅具有量子产率高、X射线吸收系数大等优点，且其结构中，首次实现了获得形状可控的大面积透明Sb基钙钛矿，可用于射线探测等领域，得到高度清晰的射线成像。 | ||||||
| 13 | 一种大面积高透金属卤化物闪烁陶瓷及其制备方法 | CN202111434405.2 | 2021-11-29 | CN114195656B | 2023-05-23 | 夏志国; 韩凯 |
| 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种大面积高透金属卤化物闪烁陶瓷及其制备方法。杂化金属卤化物的化学组成式为OruMvXw。本发明提出通过低温冷烧结工艺将粉体压制成大面积高透性的陶瓷块体。该金属卤化物陶瓷展现了高的高能辅射吸收系数以及高的光产额等优异的闪烁性能和温度稳定性。本发明解决了目前闪烁晶体难以生长、透光性差等关键问题。 | ||||||
| 14 | 大面积闪烁体元件和辐射探测器以及使用其的辐射吸收事件定位系统 | CN201480026491.5 | 2014-05-04 | CN105190358B | 2019-08-30 | T·L·劳伦斯 |
| 一种闪烁体元件(22)包括：闪烁体块(60)，其被布置为形成阵列；以及透明或半透明材料(62)，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。所述透明或半透明材料可以包括环氧树脂或胶黏剂，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间并将所述相邻闪烁体块粘附在一起。在一些实施例中，所述闪烁体块具有针对闪烁光的为至少n＝1.8的折射率，并且所述透明或半透明材料具有针对所述闪烁光的为至少n＝1.6的折射率。光探测器的阵列(24)，例如被单片地形成在硅衬底上的硅光电倍增器(SiPM)探测器的阵列可以被设置在所述闪烁体元件的底面上以探测在所述闪烁体元件中生成的闪烁光。对于PET应用，所述闪烁体元件与所述光探测器的阵列定义被配置为探测511keV辐射的辐射探测器(20)。 | ||||||
| 15 | 大面积闪烁体元件和辐射探测器以及使用其的辐射吸收事件定位系统 | CN201480026491.5 | 2014-05-04 | CN105190358A | 2015-12-23 | T·L·劳伦斯 |
| 一种闪烁体元件(22)包括：闪烁体块(60)，其被布置为形成阵列；以及透明或半透明材料(62)，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间。所述透明或半透明材料可以包括环氧树脂或胶黏剂，其被设置在所述阵列中的相邻闪烁体块之间并将所述相邻闪烁体块粘附在一起。在一些实施例中，所述闪烁体块具有针对闪烁光的为至少·＝1.8的折射率，并且所述透明或半透明材料具有针对所述闪烁光的为至少·＝1.6的折射率。光探测器的阵列(24)，例如被单片地形成在硅衬底上的硅光电倍增器(SiPM)探测器的阵列可以被设置在所述闪烁体元件的底面上以探测在所述闪烁体元件中生成的闪烁光。对于PET应用，所述闪烁体元件与所述光探测器的阵列定义被配置为探测511keV辐射的辐射探测器(20)。 | ||||||
| 16 | 넓은 영역의 플리커를 정정하기 위한 디스플레이 디바이스상의 비디오 영상 디스플레이 방법 | KR1020047004265 | 2002-09-20 | KR1020040035879A | 2004-04-29 | 도엥,디디에르; 홀쯔만,헤르베르트; 케르베,조나단 |
| 본 발명은 디지털 디스플레이 디바이스 상에 비디오 영상을 디스플레이하는 방법에 관한 것이다. 영사의 디스플레이 프레임은 디바이스의 홀수 행 셀 및 짝수 행 셀을 별도로 주소지정하기 위한 주기와, 이들을 별도로 소거하기 위한 주기를 포함한다. 상기 비디오 프레임의 각 서브필드는 적어도 하나의 주소 주기, 하나의 소거 주기 및 적어도 하나의 지속 주기를 포함한다. 상기 주기들은 비디오 프레임의 서브필드의 배열을 얻고, 디바이스의 홀수 행 및 짝수 행에 대해 서로 다른 비디오 프레임의 시간적 위치를 얻기 위해 특히 배열된다. 바람직하게는, 디바이스는 플라즈마 디스플레이 패널이다. | ||||||
| 17 | Large area scintillation detector having a plurality of light transmitting sheets | US32077063 | 1963-11-01 | US3293432A | 1966-12-20 | MCCALL RICHARD C; JASINS ALFRED C |
| 18 | 尤指減少大面積閃爍效應之視頻圖像處理方法和裝置 | TW088114157 | 1999-08-19 | TW436754B | 2001-05-28 | 柯利; 威特布魯奇; 茲溫格; 希特茲 |
| 在電視科技上，電漿顯示屏(PDP)愈來愈引人矚目。由於PDP的尺寸較大，視角較大，未來特別是在處理50赫視頻標準時，大面積閃爍效應會更為嚴重。本發明擬議不同的支組，有不同的編碼，減少大面積閃爍的假象，其特徵為: l.副場(SF)分成類似結構之二副場組(Gl,G2)。 2.二副場組(Gl,G2)在最重要的副場(SF)方面一致 ，但在最無關緊要的副場(SF)方面不相同。 3.副場編碼法將亮度權值對稱分佈於二副場組(Gl, G2)，以減少50赫大面積閃爍亮度成份。 (第3圖)。 | ||||||
| 19 | LARGE-AREA SCINTILLATOR ELEMENT AND RADIATION DETECTORS AND RADIATION ABSORPTION EVENT LOCATING SYSTEMS USING SAME | EP14727243.9 | 2014-05-04 | EP2994777A1 | 2016-03-16 | LAURENCE, Thomas, Leroy |
| A scintillator element (22) includes scintillator blocks (60) arranged to form an array, and transparent or translucent material (62) disposed between adjacent scintillator blocks of the array. The transparent or translucent material may comprise epoxy or glue disposed between adjacent scintillator blocks of the array and adhering the adjacent scintillator blocks together. In some embodiments the scintillator blocks have a refractive index for scintillation light of at least •=1.8, and the transparent or translucent material has a refractive index for the scintillation light of at least •=1.6. An array of light detectors (24), such as silicon photomultipliers (SiPM) detectors formed monolithically on a silicon substrate, may be disposed on a bottom face of the scintillator element to detect scintillation light generated in the scintillator element. For PET applications, the scintillator element and the array of light detectors define a radiation detector (20) configured to detect 511 keV radiation. | ||||||
| 20 | Method and apparatus for large area flicker reduction of video pictures | EP05112109.3 | 2005-12-14 | EP1679679A1 | 2006-07-12 | THEBAULT, Cédric; CORREA, Carlos; ZWING, Rainer |
The invention relates to a method and apparatus for processing video pictures, in particular for large area flicker effect and false contour effect reduction. This method concerns a new coding called Parallel Peak Coding. The general idea of the Parallel Peak Code is to have almost always the same energy in two packets of light and to encode the code words for these two packets differently so that changes in sub-field code word will not appear in the two packet code words simultaneously.
|
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈