可独立反应的多层薄片

                       发明领域

本发明关于可反应的多层薄片，特别是独立式多层薄片，用于局 部热源。

                       发明背景

可反应的多层覆盖材料广泛用于多种要求在平面区域发出高的， 数量受控的热量的应用中。该结构常规地包括一系列由基板支撑的覆 盖材料，它们在适当的激发下进行发热的化学反应，并在由发出精确 受控数量的热量的层覆盖的区域蔓延。当我们将这些可反应的覆盖材 料基本描述为用于定位焊接，低温焊接或铜焊时的热源时，它们也可 用于其它要求受控的局部发热的应用中，如推进和点火。

在许多结合或连接材料的方法中，需要一个热源。该热源对于要 连接的结构而言可以是外部的，也可以是内部的。当其为外部的时， 热量可由诸如炉子的装置发出。使用该热源的方法要求整个系统，包 括松散的材料和结合材料，一起加热到足以熔化结合材料的温度。该 方法存在问题，因为要连接的松散材料经常易损或对方法所需的高温 很敏感。这些高温会损坏要连接的材料。

为缓解与外部热源相关的问题，内部热源得到使用。这些热源经 常以可反应的粉末或甚至电线的形式出现。当使用可反应的粉末时， 使用了将在自扩散反应中发生发热反应，以形成最终化合物或合金的 金属或化合物的混和物。该方法自1960年代初研制出自扩散粉末、演 生出自散物，高温合成物(SHS)起就已出现。然而，SHS反应经常需 要在自散前进行预热，而且经常很难控制其能量释放程度和方法。所 以，结合可能是不协调且不充分的。

为解决与可反应的粉末结合相关的问题，研制出了由可以进行类 似发热反应的材料组成的多层结构。该结构可以进行更受控制和协调 的发热反应。该SHS反应背后的基本动力是原子键能的减少。当点燃 具有一系列可反应的材料层(已知为薄片)的结构时，不同层自动结 合就产生了热量。该热量点燃薄片的邻近区域，从而使反应沿结构的 整个长度进行，产生热量，直到所有材料起反应。尽管在结合技术中 有了该进步，但仍存在问题。例如，许多材料造成很大困难并在之前 不能得以成功结合。此外，将可反应的薄片用作热源的方法经常导致 薄片在反应中脱开基板，因而弱化了结合。因此，需要有改进的可反 应的多层薄片。

                       发明概要

提供可反应的薄片及它们的用途，用于例如点火、连接和推进时 的局部热源。一种改进的可反应的薄片最好具有独立式多层薄片结构， 该结构由从能以发热及自扩散反应方式相互反应的材料中选出的交替 的层构成。在反应时，这些薄片提供高的局部热量，这些热量可用于 例如连接各层，或直接将松散材料连在一起。这种薄片热源可在各种 实际环境(例如，空气，真空，水等)的室温下产生迅速的连接。如 果使用连接材料，该薄片反应将提供足够的热量来熔化连接材料。如 果不使用连接材料，该薄片反应将热量直接提供到至少两种松散材料 上，熔化每种的一部分，在冷却时形成牢固的连接。此外，薄片还可 设计成具有开口，该开口允许使连接(或松散)材料穿出薄片以增加 连接牢度。

                       附图概述

本发明的许多优点、特征和应用都可在以下参考附图的本发明的 优选实施例的详细说明中清楚看出。在图中：

图1描述反应中的一个示范性多层可反应的薄片；

图2展示示范性连接应用的独立元件；

图3描述连接应用的启动；

图4展示示范性带孔的可反应的薄片；

图5描述连接材料流经薄片中的孔；

图6描述通过冷滚压形成可反应的薄片；

图7是由微层薄片和毫微层薄片组构成的合成可反应的薄片；

图8展示将可反应的薄片用于把半导体或微电子装置连接到基板 上；

图9A和9B描述了一种成型的可反应的薄片，其中一些区域发生 反应，形成导电区，而其它则形成不导电区；

应了解这些图系用于描述本发明的概念，而不是加以限制。

                 优选实施例的详细说明

现在说明本发明优选实施例与应用。也可出现其它实施例，且出 现组成与结构上的变化，这并不与本发明的精神或领域相悖。尽管在 此透露的实施例已特别地说明为使用一种独立的，自扩散的可反应的 薄片结构进行连接或粘合松散材料，但很明显本发明也可实施用在其 它需要高强度局部加热源的用途或使用中。

根据本发明的优选实施例，提供一种多层可反应的薄片结构(在 此通常指“薄片”)在多种应用上，诸如用于将两个或更多(同一或 不同)材料连在一起时，作为局部热源。如图1所示，可反应的多层 薄片14由材料A与B的交替层16与18组成。这些交替层16与18 可以是任何在包括硅化物(如Rh/Si，Ni/S和Zr/Si等)、铝化合物(如 Ni/Al，Ti/Al，Monel/Al和Zr/Al等)、硼化物(如Ti/B)、碳化 物(如Ti/C)、铝热剂反应化合物(如Al/Fe2O3或Al/Cu2O)，合金、 含金属的玻璃和合成材料(如金属陶瓷)等激发物的作用下易于混合 邻近原子(或具有化学键变化)的材料。

用于制造可反应的薄片的材料(A/B)最好在化学性质上有所不同。 在一个优选实施例中，层16，18在过渡金属(如钛，镍等)和轻元素 (如硼，铝等)之间替换。优选地，以该对元素(A/B)在其发生反应， 形成稳定化合物并形成大量负热和高的绝热反应温度为基础将其选 出，如T.P Weihs在1997年 薄片加工技术手册中的“多层材料的自扩 散反应”一文中所述，在此就其完整性进行了参考。在一个优选实施 例中，可反应的薄片的至少一层为(或含有)铝。

当多层薄片14暴露在激发物(如电火花、能源脉冲等)中时，例 如在一端，材料A和B的邻近原子相混合，如区域30中所示。该混合 产生的化学键的变化导致原子键能量减少，从而在发热化学反应中产 生热。化学键中的该变化发生在具有A-A结合的层(如层16)和具有 B-B结合的层(如层18)交换为A-B结合时，因此减少了储存在每个 层中的化学能量，并发热。如图1中进一步描述的那样，所发出的热 通过薄片14(沿从反应部分30经过反应区32至未反应部分34的方 向)扩散，并启动未反应层的附加混合。其结果是，通过薄片14产生 自持/自扩散反应(SHS反应)。随着足够大量且迅速地发热，反应以 大于1米/秒的速度扩散到整个薄片14。由于反应不需要来自周围环 境的附加的原子(例如，燃烧时的氧气)，该反应使薄片14成为能够 喷出热量、迅速点燃，达到1400K以上的温度，局部加热量达到109K/ 秒的自持能源。该能源在要求迅速且局部地产生热量的应用中(如， 连接，点火等)特别有用。

当反应如图1所示在多层薄片14上扩散开时，反应的最高温度通 常位于反应区32的后边缘。可以认为这是反应的最终温度，它可由反 应热量(ΔHrx)，由环境或周围材料损失的热量(ΔHenv)，样品的平均 热容量(Cp)以及样品质量M来决定。另一个决定最终温度的因素是 反应的温度是否超过最终产品的熔点。如果超过熔点，一些热量就会 被产品从固态到液态的状态改变时吸收。反应的最终温度可以使用以 下公式决定(其中To为起始温度，ΔHm为熔化热函，Tm为产品的熔化温 度，且没有与周围环境或材料发生反应)，并取决于最终产品是否发 生熔化：

Tf＝To-(ΔHrx+ΔHenv)/(CpM)如果最终产品没有发生熔化；

Tf＝Tm  如果固态和液态的最终产品有两相区；

以及

Tf＝To-(ΔHrx+ΔHenv+ΔHm)/(CpM)如果最终产品完全熔化。

与薄片反应错综复杂地相关的是反应沿薄片14长度扩散的速度。 反应扩散的速度取决于原子是否迅速垂直地向其它层扩散(图1)以 及热量是否迅速沿薄片14的长度传导。扩散速度是多层薄片的一个层 厚度的重要功能。当一个层16，18的厚度减小时，扩散距离变小，原 子能更快地混合。因为热量更快地发散，所以反应在薄片结构中传递 更快。

依照本发明的一个优选实施例，可反应的多层薄片14可通过物理 蒸发沉积方法(PVD)制成。例如，可用一种磁控管溅射技术将材料 A/B沉积于作为交替层16，18的基板(图1中以虚线形式示出的层35) 上。基板35可以以该技术中已知的方式在两个溅射枪上方旋转以将材 料A/B层叠成交替层16，18。

基板35以虚线形式示出，用来表示它是一个可除去的层，它有助 于将可反应的薄片14制成独立式薄片。基板35可以是任何具有能提 供足够粘接、且不会因过度粘接而妨碍薄片从基板移开特征的基板 (如，硅，玻璃或其它垫层)。基板可包括一个用于协调其粘接特征 的可释放材料或粘接材料的涂层。

最好使用附加的润湿层(如锡)作为第一个薄片层(16或18)与 基板35之间的界面层，以提供必要的粘接。当不使用润湿层时，选择 恰当的用作沉积在基板上的第一个层的材料A/B将保证满足必要的粘 接要求。当制作作为材料A/B的使用铝/蒙乃尔铜-镍合金的可反应的 薄片时，例如，没有润湿层的话，示例的可反应的薄片将被沉积在诸 如硅的基板上，并以铝作为沉积在基板上的第一层。在该情况下，最 好在第一层选用铝，因为铝在沉积中会与硅充分粘接，但会在薄片形 成后允许基板剥离。

形成的薄片14可以有成百上千个相互堆叠的交替层16和18。单 层16和18的厚度最好从1nm-1000nm。在一个优选实施例中，薄片14 的总厚度范围可从10μm至1cm。

另一个制作方法是将材料以同时沉积的几何形状来沉积。通过使 用这种方法，可将两种材料来源直接放置到一个基板上，且溅射每种 材料来源的原子通量，以沉积交替层16和18。另一种方法是全部消 除溅射，并将基板在具有不同原子通量的两种材料来源上方转动。通 过这种方法，每次经过一个来源时都会优选地产生一个单层。

最好使在沉积过程中可能发生的材料A/B的原子混合程度达到最 低。特别是当多层16和18为溅射沉积时这可以通过将多层沉积在冷 却的基板上完成。一定程度的混合程度在所难免，这将形成(与交替 的未反应层相比)相对较薄的待反应材料20的区域。不过该待反应区 域20有助于防止薄片14进一步的和自发的反应。

在另一实施例中，多层可反应的薄片可使用诸如重复滚轧多层复 合材料等机械技术制作。

如图1中所示，优选的薄片14为特别用于发热源的独立式多层可 反应的薄片。独立式薄片比薄膜更易于显示其特征，因为它们可当成 “松散的“样品进行处理。将可反应的薄片14制成独立式大大延伸了 其可能的使用范围。因为这种可反应的薄片不必作其它特别加工，所 以它们可以大量生产，用于要求具有自扩散的局部热源的各种用途。 它们的产品不限于或不受制于将大型或精密元件放入真空腔使其覆盖 上可反应的多层薄片。此外，独立式薄片允许基板上的热沉积在不需 要的地方最小化。

根据本发明的优选实施例的独立式薄片可具有多种应用。例如， 独立式薄片可以用于将材料体(在此指“松散材料)连接在一起，以 形成统一的产品。独立式薄片可用于任何数量的结合，低温焊接，铜 焊，定位低温焊接或其它连接松散材料的应用中。一种典型的连接应 用由图3示出，其中两种或多种松散材料10将被连接在一起。松散材 料10可以是陶瓷，含金属的玻璃，金属/合金，聚合物，化合物，半 导体以及其它形式的材料。

在图3所示的特殊连接应用中，连接材料12用于将松散材料10 连接在一起。连接材料12可以是将被熔化以将松散材料10连接在一 起的材料的任何层(或复合层)。连接材料12可以由含金属的玻璃， 金属/合金，功能上分级的层，镍-硼薄膜，焊料，铜焊料，自扩散性 铜焊料，此类混合物或其它类似的连接材料组成的独立式薄片形成。

根据本发明的实施例，可反应的薄片14装在连接材料12之间， 形成有点像三明治似的结构。由此形成的可反应的薄片“三明治”优 选地位于松散材料10之间的位置(如，端点，连接处，截面等)上， 松散材料10在此被连接到一起。

另一种方法是，可反应的薄片14装在预先覆盖有连接材料12的 松散材料10之间。

另一个方法是，可反应的薄片14装在连接材料12之间，用于形 成有点像三明治似的结构。由此形成的可反应的薄片“三明治”优选 地位于松散材料10之间的位置(如，端点，连接处，截面等)上，松 散材料10在此被连接到一起。松散材料先覆盖上连接材料。

该连接方法包括加上一个力(如图3中由台钳11象征性地代表)， 用以保持松散材料10，连接材料12和可反应的薄片14的相对位置。 最好所有组件都是压在一起的独立式元件。在另一个实施例中，连接 材料12与可反应的薄片14被压成组合物。

一旦连接过程中的组件定位，就将激发物(示为点燃的火柴15) 优选地用到可反应的薄片14的一端，以引发SHS反应。可反应的薄片 14内的原子结合产生快速且很高的热量，足以在可反应的薄片14的 整个长度上熔化连接材料。在此状态下，连接材料12足以将松散材料 10连接到一起。此后不久，连接材料10回到环境温度(如室温)， 且可被从所施加的力(由台钳11的图代表)下移开。

由连接材料12和可反应的薄片14组成的组合结构可以通过可反 应的薄片14沉积(如，蒸汽沉积)到连接材料12的一个层上来形成。 连接材料的另一个层于是通过蒸汽沉积或力的运用(如，冷轧)与薄 片14结合。

最好加上润湿/粘合层，以使可反应的薄片14、松散材料10或两 者的表面润湿。润湿/粘合层使连接材料均匀铺开，以保证松散材料的 连贯连接。润湿/粘合层可以是连接材料(如，铜焊料)，钛，锌，含 金属的玻璃等的薄层。也可使用诸如银-锌，银-铜-钛，铜-钛，金- 锌和镍-硼的商用合金。

本发明的优选实施例可采用增加总厚度的独立式可反应的薄片 14。该可反应的薄片的总厚度取决于用以形成薄片的要素层(如，16 和18)的厚度与数量。小于10μm的薄片难于处理，因为它们会向自 行卷曲。100μm的薄片很硬，从而易于处理。较厚的薄片也减少了在 薄片中的自扩散反应骤停的风险。在使用可反应的薄片的连接应用中， 有一个薄片发热率与热量传导至周围铜焊料层和要形成的连接处的比 率之间的重要平衡的问题。如果热量传导比产生的快，反应会骤停， 不能形成连接处。较厚的薄片使反应难于骤停，因为在损失热量的同 一表面区域产生的热量更多。

较厚的薄片可与较低的反应温度一起应用，一般会产生更稳定的 薄片。具有高合成反应温度的薄片一般不稳定，且很脆，所以使用起 来既危险又困难。脆质的薄片，例如，易碎裂，造成局部热点(通过 释放弹性应变能和摩擦)，点燃薄片。切割这种脆质薄片(如，用于 特殊连接尺寸)很难进行，因为它们很可能在切割过程中碎裂成无用 的小片或燃烧。独立式厚薄片具有克服与在已知方法中造成障碍的热 冲击与致密问题相关的问题的优点。两种现象均涉及薄片尺寸的快速 变化。在反应时，薄片快速变热并试图伸展出抑制它们的基板。这导 致热冲击，且装在基板上的薄片会脱落，从而造成不协调和效果不佳 的结合。在反应进行时，薄片也会因化学键变化而发生致密化。这种 致密作用也能造成从基板脱落与不协调和效果不佳的结合。通过按照 本发明的优选实施例将薄片制成独立式，就不会发生脱落，薄片易于 操作和处理，所以可反应的薄片可适用在更多应用中。

根据一个优选实施例，较厚的可反应的薄片厚度为50μm至1cm。 尽管制造厚的独立式可反应的薄片时可使用许多不同系统，但应谨慎 选择在选择所使用的系统的制造条件时的独特工序。例如，最好选择 诸如溅射气体和基板温度等沉积条件，以使系统中增加的应力在薄片 的薄膜上保持足够低。由于薄膜中的应力乘以其厚度形成用于分层的 驱动力，所以应力与厚度的积应保持在1000N/m以下。在制造过程中， 薄膜中的应力经常增加。当薄膜变厚时，它们比较薄的薄膜更有可能 使其从基板剥落或使其基板碎裂，从而破坏最终的薄片生产。通过认 识薄膜中的应力并选择将应力减至最小的条件，可以完成制造程序而 不出现薄片过早脱落或基板碎裂。

在另一个实施例中，特意在薄片结构中设计了可反应的薄片中的 开口。这些开口特别适用于协助和增强连接。

薄片最初可制成、例如、具有一个或更多开口或穿过薄片结 构的穿孔22，如图4所示。开口最好形成规则图案，如穿过薄片区的 一个矩形阵列。可以用任何已知的方法来制造开口。例如，可以使用 在具有形成图形的孔的可移动基板上溅射沉积薄片14。开口也可通过 将薄片14沉积到基板上来形成，将光刻胶沉积到薄片上，光刻法的光 刻胶具有图形，然后通过成图形的孔腐蚀底垫薄片。进一步的示范技 术包括在薄片14上物理地打孔。开口最好具有在10-10,000微米范围内的 有效直径。(非圆形开口的有效直径为相等面积的圆形开口的直径。)

如图4所示，薄片14中的开口允许连接材料12或松散材料10 在一些情况下、当被加热并被薄片14的发热反应熔化时从这些穿孔 22中挤出(如箭头26所示)。当挤出时，连接材料12的一个层或松 散材料10，可以与另一个层12或松散材料10，在独立式薄片14的相 对面上接触或结合。带图形的穿孔22能够加强松散材料10与可反应 的薄片14的结合且使其相互更加牢固和更致密地结合在一起。

图5是展示两个用银焊料结合的铜体53、54的微观图，焊料穿过 薄片52的开口，如51。

使用一个或多个本发明的实施例，许多不同应用现在就得以更有 效果、有效率地进行。例如，含金属的玻璃松散材料现在可以连接， 其最终产品是包括结合处和可反应的薄片的具有金属玻璃制成的单一 结构。现在也可以连接过去造成结合困难的非常不同的化学成分，热 性质和其它物理性质的松散材料。半导体或微电子装置可以与电路板 或其它结构结合，同时，可生产出与这些装置错综相关的多个导线。 半导体或微电子装置也可得到严格密封。

本发明使这些连接在一般与低温焊接、铜焊和定位低温焊接等相 关的潜在的受热损坏上得到改进，使其得到避免或至少能减少。

此外，采用本发明的实施例，连接的松散材料可以是独立式的。 这意味着在松散材料真正连接前，单独的松散基板上不需要直接沉积 任何铜焊层。此外，松散基板不必要求与任何可反应的薄片的预粘结 或其它预处理。相关的松散材料可在粘结时简单地固定在一个独立式 铜焊层或独立式可反应的薄片上，以产生牢固且持久的连接。

本发明的实施例允许结合至少一种是含金属的玻璃的松散材料。 在连接过程中不需要将铜焊料与松散材料连接。这是因为可以将可反 应的薄片设计为在反应中直接与含金属的玻璃结合。为完成这种连接 过程，可反应的薄片能自已反应以形成含金属的玻璃。

本发明的实施例在松散材料包括微芯片或半导体装置时进一步能 够进行出色的结合。在将半导体装置结合到诸如电路板的基板上时， 对装置造成潜在的损坏是一个必须考虑到的因素。通过使用独立式可 反应的薄片来将该半导体装置连接到基板上，不会产生能损坏装置或 相邻元件的热量。半导体装置可以更大自由度和容易地装在基板上。 如下所述，可以使用特别的薄片成分，诸如镍/铝或蒙乃尔铜-镍合金/ 铝。这种成分的薄片不仅较之前的更易于处理，而且镍，铜和铝的结 合使独立式薄片具有很高的导热与导电性。

当进行诸如半导体装置的松散材料结合时，可反应的薄片可具有 组合图形特性。该实施例可以在最终薄片中形成交替的相邻的电子绝 缘和导电区，从而以单个反应结合多个导线并使其绝缘。

在本发明的一个优选实施例中，使用可反应的薄片来进行连接需 要更少的能量。作为连接材料的功能分类层可以通过选择它们的材料 成分来控制熔化温度。例如，可以使用功能分类层，因为它们的熔化 温度可以控制。用作连接材料的镍-硼薄膜可以在熔化温度在开始温度 时相对较低、随硼从镍中分解出来而升高时进行低温熔化，产生出熔 点相对较高的最终材料。由于在薄片反应中需要的能量较少，所以减 少了加在要连接的总结构上的总热量，从而减少了薄片反应产生的对 要连接的材料的损坏。

在另一个实施例中，可以在可反应的多层薄片中包含反应的多层 铜焊料层。例如，在包括铝反应层和钛，锆或铪合金反应层的薄片中， 可以包括一个或更多包含铜或镍合金的可反应的铜焊料层。可反应的 多层铜焊料可在层混合并形成连接材料时，提供除可反应的薄片产生 的能源以外的能源。可反应的多层薄片与可反应多层铜焊料的结合可 以使用没有薄片就不会自扩散的反应的铜焊料。

                         例子

通过参照以下特别例子，可以更清楚地了解本发明：

例1

铝与镍的可反应的薄片通过冷轧许多叠放在一起的5μm的镍与铝 薄片形成。图6示出堆61穿过压辊62A和62B来制造薄片60。薄片 可以多次冷轧直至层的厚度减小到希望值。

例2

使用一种复合薄片，而不是使用由同一厚度的多个层组成的薄片， 其中毫微层的可应多层沉积在可反应的微层薄片上。如图7所示，可 反应的薄片71中层70的某些部分将为毫微值(毫微层)，其它部分 72将为微米厚度的层(微层)。如上所述，毫微层将易于反应且一旦 反应开始，将沿薄片长度自扩散，不会因周围铜焊料层或松散组件的 熔化而骤停。因而，毫微层可被视为微层的点燃物。具有微层的部分 72在室温下不能保持自扩散反应，但当被邻近的毫微层部分70加热 时，它将保持该反应。薄片可由铝与镍交替层组成。

例3

在制造这些复合薄片中，铝与镍的薄片受到压轧以形成微层部分， 然后毫微层薄片蒸汽沉积在微层结构的任何一个表面上。制造也可通 过整个复合物的蒸汽沉积进行，其中微层以更高速度沉积且在沉积中 不点燃薄片或引起交替层中不可接受的混合。

例4

可反应的多层铜焊料以与上述形成可反应的薄片类似的方法形成， 它的反应形成含金属的玻璃。该多层铜焊料在其交替层反应时散发出 热量。通过精心选择已知的作为良好的玻璃形成材料的反应剂，铜焊 料将在反应中形成玻璃状的最终产品，它与商用的以及上述薄片类似。 可反应的铜焊料层发出的热量减少了连接需要的可反应的薄片量。

例5

薄片14的某些复合物可以反应形成玻璃状合金(含金属的玻璃)。 这些薄片可以是含镍或铜的合金、含钛，锆或铪的合金，以及含铝合 金的层的复合物，它们可以反应形成含金属的玻璃。在使用这些薄片 时，可以获得特定的性质。含金属的玻璃具有很好的润湿能力。当使 用这种薄片来连接松散的含金属玻璃时可以不使用铜焊料层，且在这 种情况下，一旦薄片发生反应并与含金属的玻璃连接，就会产生单个 的松散的含金属玻璃。

例6

半导体或微电子装置通过使用可反应的多层薄片连接到诸如印刷 线路板的基板上。图8绘出该连接设置，其中可反应的薄片80夹在焊 料层81A与81B之间，该夹层结构位于装置83的接触导线82与板的 接触表面84之间。

例7

带图形的可反应的薄片设计成使一些部分反应形成导电区域，其 它部分形成非导电区。

图9A和9B绘出该发明概念。图9A展示反应前的薄片90。图9B 为反应后的薄片。由铝镍交替层组成的区域91反应形成导电区域95。 由诸如二氧化硅或氮化硅或交替层的绝缘体组成的区域92反应形成 非导电区域。

应看到，在使用中，区域91将与薄片90的上下都有接触，并在 反应之后通过区域95进行电连接。

现在可以看出本发明的一个方面是一种制造包括可以进行发热反 应的多个交替层的可反应的多层薄片的方法。该方法包括提供基板、 将交替层蒸汽沉积在基板上以形成多层薄片，以及将多层薄片从基板 上分离的步骤。最好基板对沉积层具有足够粘性，以在沉积中保持住 该层，但其粘度不足以妨碍沉积之后将多层薄片取下。作为例子，该 层可以由一个或更多沉积在硅基板上的铝层组成。此外，基板可以包 括一个由可释放材料或粘性材料做成的涂层以达到适当的粘合度。

将多层薄片从基板上分离的方法之一是给基板提供一个防护层 (或将整个基板做成防护层)，它可以在沉积后从薄片蚀刻或剥离掉。 用于防护层的示例性材料包括铜，黄铜和光刻胶。

层的蒸汽沉积最好是物理蒸汽沉积，如使用磁控管溅射或电子束 蒸发。基板在蒸汽沉积中最好得到冷却，以减少交替层的结合，减少 能量损失和减少沉积的层上的应力。层最好沉积形成厚度范围在 50μm-1cm间的多层薄片。厚度做成10μm-1cm范围间的薄片可用作独 立式薄片。

本发明的另一个方面是一种将第一个本体与第二个本体结合的方 法，它包括的步骤为：提供可独立反应的多层薄片，将本体一起压到 薄片上以及点燃可反应的薄片。点燃的薄片可以熔化本体的材料或熔 化相关可熔(连接材料)层，以将本体连接到一起。此外，层的反应 产品自身可以是连接材料。一个或两个本体都可以是半导体或微电子 装置。该方法对于连接具有1μm/m/℃或更大的不同值的热膨胀系数的 本体特别有效。

在另一个实施例中，可反应的多层薄片包括多个贯穿薄片厚度的 开口。开口最好在薄片区规则排列。这些开口可以不填充或可以填充 入可熔性材料、推进剂或其它在点燃可反应的薄片时受热能改变或反 应的材料。

该带孔薄片可通过提供具有表面包括多个有与要沉积的多层薄片 的厚度相当或比其厚的厚度(或深度)的现成开口，突起或微粒的基 板来制造，它沉积可反应的多层薄片，并将产生的带孔多层薄片从基 板分离。

此外，可反应的多层薄片可以沉积在基板上，由可去除的罩层定 好图形，并蚀刻形成多个孔。然后可将带孔薄片从基板取下。进而言 之，可形成连续的薄片，且孔可以通过机械压制在连续的薄片中形成。

带孔薄片在结合中具有重要用途。打有多个开口的可反应的薄片 装在第一个和第二个本体之间。如果本体材料不能为薄片所熔，就将 单独的可熔层或可熔连接材料涂层放在本体之间。本体一起被压在薄 片(和连接材料)上，薄片被点燃以熔化连接材料。熔化的材料流在 或流经薄片的开口，以连接本体。该方法可通过开口产生具有增强过 渡的延展性特征连接。当一个或两个本体都是半导体或微电子装置， 或装置具有以大于1μm/m/℃区分的电缆终端设备时，它更具优势。

第三种新颖的可反应的薄片是复合的可反应的多层薄片，其薄片 中的单独层的厚度或成分、在移过薄片总厚度时有所不同，以达到最 佳结果。一个示范性的复合的可反应的多层薄片包括第一个部分，它 具有多个相对厚的反应层，如1μm至10μm，并叠放在第二个部分上， 第二个部分具有多个较薄的反应层(如1-1000nm)。具有较薄反应层 的部分比具有较厚反应层的部分燃烧得更快。但当燃烧在较薄部分伸 延时，它点燃较厚部分，以产生更均匀的燃烧以及更高的热量。可以 通过使薄片厚度方向有不同成分来达到类似结果。可以提供成份变化， 一组层的反应产品提供连接材料和另一组用于燃烧第一组层的更快的 反应层。例如，可以通过根据本技术已知的方法变动蒸汽沉积中的加 工参数来获得不同成分。

第四种新颖的可反应的薄片具有一个主表面区，它由至少两个不 同区域组成：一个或多个第一区反应形成导电材料，以及一个或多个 第二区形成为非导电材料。该薄片特别适用于将半导体装置电子触点 连接到具有接收触点的基板上。薄片可装在该装置与具有装置触点的 基板之间，基板的触点与薄片的第一个区域完全对齐。然后将该装置 与基板压在薄片上，薄片通过相应导电连接的触点将该装置结合到基 板上，并将另一区域非导电地结合在一起。

在说明并绘出本发明的优选实施例后，应清楚许多对实施例的修 正及本发明的应用可以不与本发明的精神及领域相悖。当所说明的绘 出的实施例一般指连接松散材料时，也应清楚任何要通过低温焊接， 铜焊，定位低温焊接或其它已知技术连接在一起的材料(永久地或暂 时地)均可使用本发明连接在一起。诸如含金属的玻璃(如玻璃质的 玻璃)，金属(如铜)和合金(如不锈钢)，聚合物，陶瓷(如碳化 硅)，化合物，半导体和大量其它不同成分的材料均适用。发明领域 通过使用本发明从碳化硅装甲到到钛-铝-钒坦克体的大型连接，或将 碳化涂层结合到刀刃上，到将微芯片以微尺度结合到毫微米或微米电 路板上，而直接产生效果。

用于引发优选实施例中的可反应的薄片的自扩散反应的激发物可 以是任何能源形式，如尖触针的冲击，电源的电火花，灯丝的热量， 激光辐射等。尽管所描绘的实施例被说明成用于室温环境的空气中， 也应清楚本发明可以在包括真空，氩气中和水中等其它环境下使用。

应看到特殊实施例的各种数据(如反应速度，峰值温度，加热率 等)可通过改变反应的元素(如，改变材料A或B的成分，层的厚度， 薄片总厚度，或铜焊料层的成分/厚度)来方便地调整。

尽管在此特别描绘出的实施例将连接材料描述为两个围绕可反应 的薄片形成三明治结构的薄片形式(例如，如图2和3中所示，由薄 片12和薄片14)，但应清楚连接材料可以使用任何数量的薄片(或 其它结构)，包括包在可反应的薄片14周围的单一层或附在松散元件 上的连接材料。根据一个优选实施例，根本没有使用连接材料层。例 如，含金属的玻璃的松散材料，含金属的玻璃的可反应的薄片或两者 一起用于连接应用中，并不使用连接材料(如铜焊料)。

另外，尽管所描绘的实施例只使用两种不同材料A/B作为可反应 的薄片中的交替层，但应当清楚根据本发明可以使用任何数量的材料 层来形成可反应的薄片。

此外，在此揭示的许多实施例(如将薄片做成图形，在薄片上穿 孔等)中特别使用了独立式薄片，但应清楚这些实施例和本发明的其 它方面可以不使用独立式薄片而实施。进而言之，也应清楚可反应的 薄片表面上特意设计的开口可以贯穿任何数量的薄片中的层，尽管最 好贯穿整个薄片结构，例如，如图5所示。图4中将开口描述为圆形 孔22，它可以是在可反应的薄片上形成一个或更多带图形的结构的任 何单一(或组合)形状。开口可以垂直地在与可反应的薄片的层相应 的方向上形成，也可以一个或多个角度穿过薄片层形成。

因此本专业技术人员可以做出多种多样的其它设置，而不超出本 发明的精神和范围。

                       政府关注

本发明系按许可证DMR-9702546和DMR-9632526在政府支持下， 以及通过军方实验室/先进材料特征化计划奖项No.019620047完成 的。政府在本发明中具有特定的权利。

                 与相关申请的交叉参考

本申请要求享受由本申请人于2002年5月2日提交的美国临时申 请序列号第60/201,292且题为“可反应的多层薄片”的权益。它与 由M.E.Reiss等人在此一同申请的美国申请序列号第＿＿且题为“制 造可反应的多层薄片及产生产品的方法”，以及由T.P.Weiths等人在 此一同申请的美国申请序列号第＿＿且题为“用于方便处理和提高延 展性的可反应的多层结构”相关。这三个相关申请在此一并作为参考。