1.一种氟气体设备，包括氟产生单元（1），其特征在于：该氟产生单元被连接到氟供应系统（2），该氟供应系统具有氟的使用点（3）；以及构造为连接到所述供应系统的永久性氟储存单元（4），其中所述氟储存单元包括多个空心体（5）并且其中这些空心体中的至少一个具有等于或大于50升的内部体积。
2.根据权利要求1所述的氟气体设备，其中这些空心体中的至少一个具有等于或大于
100升的内部体积。
3.根据权利要求1所述的氟气体设备，其中该氟储存单元包括4至25个空心体。
4.根据权利要求1所述的氟气体设备，其中该氟储存单元包括5至8个空心体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该氟储存单元构造为包含或者包含处于25至75psig的压力下的氟气体。
6.根据权利要求5所述的氟气体设备，其中该氟储存单元构造为包含或者包含处于35至65psig的压力下的氟气体。
7.根据权利要求5所述的氟气体设备，其中该氟储存单元构造为包含或者包含处于40至60psig的压力下的氟气体。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该氟储存单元是直接连接到氟供应管线的。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，该氟气体设备构造为在使用点处递送主要由分子氟组成的氟气体。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，该氟气体设备构造为在使用点处递送氟气体。
11.根据权利要求10所述的氟气体设备，其中该氟气体中的惰性气体选自氮气和氩气。
12.根据权利要求10所述的氟气体设备，该氟气体设备还包括混合器（12）。
13.根据权利要求12所述的氟气体设备，其中该混合器（12）为静态混合器。
14.根据权利要求12所述的氟气体设备，其中该混合器（12）构造为接收来自该氟产生单元（1）的氟并且接收来自惰性气体供应管线（13）的惰性气体。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该氟产生单元包括电解池，该电解池用于通过熔融的电解质的电解来生产分子氟。
16.根据权利要求15所述的氟气体设备，其中该熔融的电解质为含KF和HF的熔融的电解质。
17.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该氟储存单元是包括在封闭的空间（8）之内的。
18.根据权利要求17所述的氟气体设备，其中该氟储存单元是安装在滑动器上的。
19.根据权利要求17所述的氟气体设备，其中该封闭的空间（8）包括氟感应器，该氟感应器构造为触发该封闭的空间与氟销毁系统（9）的连接。
20.根据权利要求17所述的氟气体设备，其中该封闭的空间（8）包括氟感应器，该氟感应器构造为触发该封闭的空间与涤气器的连接。
21.根据权利要求19所述的氟气体设备，其中该氟销毁系统构造为销毁包含在1或2个空心体内的氟。
22.根据权利要求21所述的氟气体设备，储存在该氟储存单元内的分子氟与该氟气体设备每日分子氟生产量之比是0.1至1。
23.根据权利要求21所述的氟气体设备，储存在该氟储存单元内的分子氟与该氟气体设备每日分子氟生产量之比是0.1至0.25。
24.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该使用点连接到半导体制造设备。
25.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该使用点连接到制造光伏装置或平板显示器的半导体制造设备。
26.根据权利要求1至4中任一项所述的氟气体设备，其中该氟储存储单元构造为包含或包含处于35至65psig压力下的氟气体，并且其中每个空心体具有500至3000升的内部体积。