[0001] 本实用新型涉及一种疏松体光纤预制棒制备装置，尤其涉及一种多喷灯的光纤预制棒OVD沉积制备装置。

[0002] OVD工艺是光纤预制棒制备中的一种工艺方法，即外汽像化学沉积工艺：Outside Vapor Deposition。该方法的主要原理是通过喷灯在靶棒外部喷上高纯汽像原料（通常为四氯化硅蒸发原料），该原料在高温下与O2和水汽发生化学反应，生成SiO2细微颗粒，通过热泳效应沉积在靶棒上。喷灯与靶棒之间进行相对运动，从而使得SiO2细微颗粒逐层沉积在靶棒上直至达到设计重量，得到光纤预制棒的中间产品：疏松体光纤预制棒（Soot Prefrom）。

[0003] 当前的疏松体光纤预制棒OVD沉积制备装置，包括沉积箱体、光纤预制棒沉积支架、喷灯、送风箱和抽风管，光纤预制棒沉积支架设置在沉积箱体内，两个或三个喷灯等距排列在光纤预制棒沉积支架下方，在送风箱的侧方设有进风孔，送风箱设置在沉积箱体下方，在光纤预制棒沉积支架下方的沉积箱体上设有一进风圆孔与送风箱连通，在光纤预制棒沉积支架上方的沉积箱体与抽风管连通；设备通过喷灯向放置在光纤预制棒沉积支架上的靶棒沉积高纯SiO2颗粒体，现有的疏松体光纤预制棒OVD沉积制备装置都是采用双喷灯或三喷灯，该种设备的沉积速率和效率均不高。发明内容

[0004] 针对上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种沉积速率和效率高的多喷灯的疏松体光纤预制棒OVD沉积制备装置。

[0005] 本实用新型的技术内容为：多喷灯的疏松体光纤预制棒OVD沉积制备装置，包括沉积箱体、光纤预制棒沉积支架、喷灯、送风箱和抽风管；在送风箱的侧边设有送风孔；送风箱设置在沉积箱体下方，光纤预制棒沉积支架设置在沉积箱体内；其特征为它还包括抽风箱体、过滤网和抽风散流层流板；5～15个喷灯排列设置在光纤预制棒沉积支架上；在抽风散流层流板上设有若干通风孔；在光纤预制棒沉积支架下方的沉积箱体上设有一与送风箱连通的长方形进风孔；抽风箱体设置在沉积箱体上方，在光纤预制棒沉积支架上方的沉积箱体上设有一与抽风箱连通的长方形抽风孔；抽风散流层流板设置在抽风箱体内，抽风箱体上方与抽风管连通；在送风孔和进风孔处设有过滤网。

[0006] 通过研究发现，为提高疏松体光纤预制棒沉积速率和效率，就是大量增加喷灯数量，但是由于原先的沉积箱体的进风孔和抽风孔均为圆形孔，其在对沉积箱体内进行抽风时，在光纤预制棒沉积支架上方对应于进风孔和抽风孔的中心位置风速快，而当离进风孔和抽风孔的中心距离逐渐增大的位置，风速逐渐下降，在沉积箱体内无法形成均匀负压，也不能使沉积箱体内得风速均匀，由此使得多喷灯制备的疏松体光纤预制棒的直径的均匀性差，内部晶格结构的单一性无法保证，产品也因此就报废；而本实用新型通过在沉积箱体的上、下端分别设置一与光纤预制棒沉积支架平行的长方形进风孔和抽风孔，并在沉积箱体的上方连接有一抽风箱，在抽风箱内设置一抽风散流层流板，由此可以使得整个抽风箱内形成均匀负压，使在光纤预制棒沉积支架上方对应得长方形抽风孔处的形成层流，从而使在整个光纤预制棒沉积支架上的光纤预制棒上通过的风速均匀，从而在整个沉积箱体内，风速均匀，可使多喷灯制备的疏松体光纤预制棒的直径的均匀性好，能保证产品内部晶格结构的单一性。

[0007] 本实用新型与现有技术相比所具有的优点是：本实用新型通过多喷灯来提高疏松体光纤预制棒制备沉积速率和效率高，并能使疏松体光纤预制棒的直径的均匀性好，能保证产品内部晶格结构的单一性。附图说明

[0008] 图1为本实用新型的结构示意图。

[0009] 图2为图1中A-A向示意图。

[0010] 下面结合实施例及其附图进一步叙述本实用新型。

[0011] 如图1和图2所示，多喷灯的疏松体光纤预制棒OVD沉积制备装置，包括沉积箱体1、光纤预制棒沉积支架2、喷灯3、送风箱4和抽风管5；在送风箱4的侧边设有送风孔4.1；
送风箱4设置在沉积箱体1下方，光纤预制棒沉积支架2设置在沉积箱1体内；其特征为它还包括抽风箱体6、过滤网7和抽风散流层流板8；5～15个喷灯3等距排列设置在光纤预制棒沉积支架2上；在抽风散流层流板8上设有若干等距的通风孔8.1；在光纤预制棒沉积支架2正下方的沉积箱体1上设有一与光纤预制棒沉积支架2平行且与送风箱4连通的长方形进风孔1.1；抽风箱体6设置在沉积箱体1上方，在光纤预制棒沉积支架2正上方的沉积箱体1上设有一与光纤预制棒沉积支架2平行且与抽风箱6连通的长方形抽风孔1.2；
抽风散流层流板8设置在抽风箱体6内，抽风箱体6上方与抽风管5连通；在送风孔4.1和进风孔1.1处设有过滤网7。