1.一种用于形成硅氧层的组合物，包含：
选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷、以及它们的组合中的一种，
其中，折算为聚苯乙烯时，基于所述氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总量，重均分子量大于或等于50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于0.1wt％。
2.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，折算为聚苯乙烯时，基于所述氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总量，重均分子量大于或等于50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于0.05wt％。
3.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述用于形成硅氧层的组合物在溶液中的液体中微粒的数量为0至100/cc。
4.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述氢化聚硅氮烷或所述氢化聚硅氧硅氮烷包括由以下化学式1表示的部分：
<化学式1>
其中，在化学式1中，
R1至R3各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基、或它们的组合。
5.根据权利要求4所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧硅氮烷进一步包括由以下化学式2表示的部分：
<化学式2>
其中，在化学式2中，
R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基、或它们的组合。
6.根据权利要求5所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧硅氮烷在其末端包括由以下化学式3表示的部分，并且具有的氧含量为0.2wt％至3wt％，且基于Si-H键的总量，以15wt％至30wt％的量包括所述由以下化学式3表示的部分：
<化学式3>
*-SiH3
。
7.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述氢化聚硅氮烷或所述氢化聚硅氧硅氮烷的重均分子量为1000至10000。
8.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组合物，其中，所述氢化聚硅氮烷和所述氢化聚硅氧硅氮烷的总和为在0.1wt％至50wt％的范围。
9.一种生产包含氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物的方法，包括：
将卤代硅烷化合物与溶剂混合，并对其进行共氨解以合成氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧硅氮烷，由此形成包含所述氢化聚硅氮烷或所述氢化聚硅氧硅氮烷的产物溶液；
向所述产物溶液中加入C4至C10烷烃、C4至C10环烷烃、C4至C10烯烃、C4至C10环烯烃、十氢化萘、四氢化萘、对异丙基甲苯、对薄荷烷、α-蒎烯、或它们的至少一种的组合的额外溶剂，以析出不溶性沉淀物；以及
除去所述析出的不溶性沉淀物。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在添加所述额外溶剂之前所述溶液中包含的溶剂与所述额外溶剂的重量比为在1∶1至1∶30的范围内。
11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在除去所述析出的不溶性沉淀物之后除去所述额外溶剂。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，除去所述析出的不溶性沉淀物包括通过孔径为
0.01至0.2μm的滤器过滤和除去所述析出的不溶性沉淀物。
13.一种硅氧层，所述硅氧层通过利用根据权利要求1至8中任一项所述的用于形成硅氧层的组合物生产，并且具有的尺寸小于或等于5μm的缺陷少于或等于1000个/8英寸晶片。
14.一种生产缺陷减少的硅氧层的方法，包括：
将根据权利要求1至8中任一项所述的用于形成硅氧层的组合物涂覆在衬底上；
干燥涂覆有所述用于形成硅氧层的组合物的所述衬底；以及使其在包含高于或等于
200℃的水蒸气的气氛中固化。