Apparatus for manufacturing a semiconductor device

【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体装置の製造装置に関し、特に化合物半導体を用いた高周波用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）及びレーザダイオードの製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
化合物半導体を用いた高周波用のＦＥＴ，ＩＣ，ＭＭＩＣ及びレーザダイオードを製造する際、ＧａＡｓ等の化合物半導体基板の表面にこれらの半導体素子を形成した後、この半導体基板の表面に接着剤により補強板を貼り付け、基板裏面を研削・研磨して、基板を所定の厚さまで薄板化することが行われる。 また、半導体基板上に素子を形成するプロセスにおいて、このプロセスに用いる製造装置が対応できる半導体基板の直径が実際の半導体基板の直径より大きい場合、この半導体基板を上記製造装置が対応できる直径の補強板に貼り付けることも行われる。 この補強板にはガラス板が、また接着剤にはワックスが用いられることが多い。
【０００３】
上記の基板薄板化または半導体素子形成プロセスの後、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板（補強板）から分離する工程が必要となる。 従来のこの工程は、次のようなものである。 まず、図２０に示すように、ＧａＡｓ基板２が貼り付けられたガラス板１をＧａＡｓ基板の付いた面を上にして、ホットプレート２０８上に置き、加熱する。 ガラス板１を通して、ワックス（接着剤）３が加熱され、その温度が１００℃程度まで上昇すると、ワックスは溶融する。 この後、ピンセットでＧａＡｓ基板２をつかみ、これをガラス板１から分離する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来のＧａＡｓ基板をガラス板（補強板）から分離する工程においては、ホットプレートで加熱されて、ワックス（接着剤）が軟化，溶融しても、ワックスには相当の粘着力が残留している。 このため、薄板化されその機械的強度が低下しているＧａＡｓ基板をピンセットでつかんでガラス板から分離する際に、この基板面に垂直な方向の力が加わり易く、これによってＧａＡｓ基板が割れてしまうという問題があった。
【０００５】
この発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、半導体基板を損傷することなく、補強板に貼り付けられた半導体基板をこの補強板から分離できる半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００２８】
この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００２９】
この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３０】
この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３１】
この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし４のいずれか）において、上記溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えたものである。
【００３３】
この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３４】
この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３５】
この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３６】
この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造装置は、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたものである。
【００３７】
この発明（請求項１０）に係る半導体装置の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項６ないし９のいずれか）において、上記容器を加熱するための容器加熱器を備えたものである。
【００３８】
この発明（請求項１１）に係る半導体装置の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし１０のいずれか）において、上記接着剤は、ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤は、有機溶剤であるものである。
【００４０】
この発明（請求項１３）に係る半導体装置の製造装置は、上記の半導体装置の製造装置（請求項１２）において、上記第１容器を加熱するための第１容器加熱器を備えているものである。
【００４６】
この発明（請求項１２ ）に係る半導体装置の製造装置は、 請求項１，２，６または７のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記補強板から分離された上記半導体基板を下方向に自然落下させる補強板支持上方カセットであるものである。
【００４７】
この発明（請求項１３ ）に係る半導体装置の製造装置は、 請求項１２に記載の半導体装置の製造装置において、上記半導体基板カセットは、上記補強板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるものである。
【００４８】
この発明（請求項１４ ）に係る半導体装置の製造装置は、 請求項３，４，８または９のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記半導体基板から分離された上記補強板を下方向に自然落下させる半導体基板支持上方カセットであるものである。
【００４９】
この発明（請求項１５ ）に係る半導体装置の製造装置は、 請求項１４に記載の半導体装置の製造装置において、上記補強板カセットは、上記半導体基板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるものである。
【００７８】
【作用】
この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、補強板から分離され、自然落下する上記半導体基板を特別な操作無しに上記保持具直下の半導体基板カセットに収納することができる。
【００７９】
この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスが溶融した上記接着剤の残留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用いて半導体基板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させることにより、半導体基板を補強板から分離させることができる。 すなわち、この半導体基板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８０】
この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、半導体基板から分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセットに収納される。
【００８１】
この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用いて補強板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させることにより、補強板を半導体基板から分離させることができる。 すなわち、この補強板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８２】
この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし４のいずれか）において、上記溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えたから、接着剤の溶融、溶解が容易となり、半導体基板が補強板から分離し易くなる。 さらに、分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤の溶解、除去も容易となる。
【００８４】
この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、補強板から分離された半導体基板は、補強板から自然落下し、半導体基板カセットに収納される。
【００８５】
この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用いて半導体基板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させることにより、半導体基板を補強板から分離させることができる。 すなわち、この半導体基板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８６】
この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、半導体基板から分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセットに収納される。
【００８７】
この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造装置では、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたから、上記半導体基板自身が有するストレスあるいは半導体基板表面上に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する半導体基板に反りを与えるストレスが、溶融した上記接着剤の残留粘着力に打ち勝つ前であっても、上記のスライド手段を用いて補強板を強制的に基板面と平行な方向に摺動させることにより、補強板を半導体基板から分離させることができる。 すなわち、この補強板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【００８８】
この発明（請求項１０）に係る半導体装置の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項６ないし９のいずれか）において、上記容器を加熱するための容器加熱器を備えたから、容器に供給された気体である溶剤の冷却を防止でき、上記接着剤の溶融及び溶解を容易にする。 従って、半導体基板と補強板の分離、半導体基板表面の接着剤の除去も容易となる。
【００８９】
この発明（請求項１１）に係る半導体装置の製造装置では、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし１０のいずれか）において、上記接着剤が、ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤が、有機溶剤であるから、ワックスはその温度を１００℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を用いることにより、このワックスを溶解させることができ、半導体基板と補強板を容易に分離することができる。
【００９７】
この発明（請求項１２ ）に係る半導体装置の製造装置では、 請求項１，２，６または７のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記補強板から分離された上記半導体基板を下方向に自然落下させる補強板支持上方カセットであるものであるから、上記補強板付きの上記半導体基板を容易に収納することができるとともに、補強板から分離された半導体基板を補強板支持上方カセットの下に設けられた上記半導体基板カセットに収納することができる。
【００９８】
この発明（請求項１３ ）に係る半導体装置の製造装置では、 請求項１２に記載の半導体装置の製造装置において、上記半導体基板カセットは、上記補強板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるものであるから、これらのカセットの取扱いが容易となり、また、これらのカセットの相対的な位置が固定されているため、補強板から分離された半導体基板を確実に半導体基板カセットに収納することができる。
【００９９】
この発明（請求項１４ ）に係る半導体装置の製造装置では、 請求項３，４，８または９のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記半導体基板から分離された上記補強板を下方向に自然落下させる半導体基板支持上方カセットであるものであるから、補強板付半導体基板を容易に収納することができるとともに、半導体基板から分離された補強板を半導体基板支持上方カセットの下に設けられた上記補強板カセットに収納することができる。
【０１００】
この発明（請求項１５ ）に係る半導体装置の製造装置では、 請求項１４に記載の半導体装置の製造装置において、上記補強板カセットは、上記半導体基板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるから、これらのカセットの取扱いが容易となり、また、これらのカセットの相対的な位置が常に固定されているため、半導体基板から分離された補強板を確実に補強板カセットに収納することができる。
【０１０８】
【実施例】
実施例１．
この発明の第１の実施例について説明する。
図１に、この発明の第１の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４はガラス板（補強板）を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター（加熱器）である。
【０１０９】
本実施例１の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。 通常、半日程度浸漬するとワックスが軟化、溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する、ＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡｓ基板２は図１(b) に示すように、ガラス板１から自然降下により分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセット４はガラス板１を保持する機能を有するが、その下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１１０】
本実施例１の半導体装置の製造装置は、ガラス板（補強板）を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収納するための半導体基板カセット５、接着剤を溶解する有機溶剤６を収容するための容器７、容器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター８を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１１１】
上記の本実施例１の半導体装置の製造方法では、上記のように加熱された有機溶剤によりワックス（接着剤）を溶融、溶解させることにより、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板（補強板）から自然降下により分離させ、さらにこのＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはない。 このため、外部からＧａＡｓ基板にその面に対して垂直方向の力が加わることがなく、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 これと同時に、ＧａＡｓ基板に付着したワックスを有機溶剤で溶解することにより除去することができる。 また、補強板支持上方カセットから自然落下したＧａＡｓ基板を補強板支持上方カセット直下の半導体基板カセットに収納することにより、ＧａＡｓ基板のガラス板からの分離に引き続き、分離されたＧａＡｓ基板の収納を特別の操作無しに行うことができる。
【０１１２】
また、上記の本実施例１の製造装置を用いると、補強板支持上方カセットで保持されたガラス板付きのＧａＡｓ基板を、容器に収容され、ヒーターで加熱された有機溶剤に浸漬して、ＧａＡｓ基板とガラス板の間のワックスを軟化させ、これによりＧａＡｓ基板をガラス板から自然降下により分離し、補強板支持上方カセットから自然落下したＧａＡｓ基板を半導体基板カセットに収納することができる。 すなわち、上記の半導体装置の製造方法を実現することができ、ＧａＡｓ基板のガラス板からの分離に伴う、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができると同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。
【０１１３】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくても、水平方向以外の方向に保持されていればよい。 この場合も、ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離させ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１１４】
実施例２．
この発明の第２の実施例について説明する。
図２に、この発明の第２の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ、９はスライド治具である。
【０１１５】
本実施例２の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、実施例１と同様に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図２(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。 摺動方向は、図中では矢印で示してある。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ＧａＡｓ基板２は図２(b) に示すように、ガラス板１から分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１１６】
本実施例２の半導体装置の製造装置は、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワックスを溶融、溶解する有機溶剤６を収容するための容器７、有機溶剤を加熱するためのヒーター８、及びＧａＡｓ基板２を下方向に摺動させるためのスライド治具９を備えている。 これを用いて上記の半導体装置の製造方法を実行することができる。
【０１１７】
本実施例２の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、ＧａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。 この際、ＧａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に摺動させているため、実施例１の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。
【０１１８】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によってこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１１９】
実施例３．
この発明の第３の実施例につて説明する。
図３に、この発明の第３の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図３(a),(c) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に垂直な面での断面図、図３(b),(d) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に平行な面での断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、１０４はＧａＡｓ基板（半導体基板）を支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容する半導体基板支持上方カセット、１０５はＧａＡｓ基板から分離されたガラス板（補強板）を収納するための補強板カセット、６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ、９はスライド治具である。
【０１２０】
本実施例３の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図３(a),(b) に示すように、スライド治具９を用いて、ガラス板１に下向きの力を加えて、同方向（図中の矢印の方向）に摺動させる。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ガラス板１は図３(c),(d) に示すように、ＧａＡｓ基板２から分離され、重力により自然落下して補強板カセット１０５に収納される。 半導体基板支持上方カセット１０４の底には、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラス板１が通過できる程度の開口部が設けられている。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１２１】
本実施例３の半導体装置の製造装置は、ＧａＡｓ基板（半導体基板）２を支持してガラス板１付きのＧａＡｓ基板２を保持，収容するための半導体基板支持上方カセット１０４、この半導体基板支持上方カセットの直下に設けられた、ガラス板１を収容するための補強板カセット１０５、接着剤を溶解する有機溶剤６を収容するための容器７、有機溶剤を加熱するためのヒーター８、及びガラス板１を下方向に摺動させるためのスライド治具９を備えている。 半導体基板支持上方カセット１０４は、図３に示したように、その上面からはＧａＡｓ基板２が貼り付けられたガラス板１を挿入することができるが、その下面はガラス板１のみが通過することができるようになっている。 また、ＧａＡｓ基板周縁が接触するカセットの面は、図のように傾斜面となっているため、ＧａＡｓ基板をここで支持することができる。 さらに、これによりガラス板が分離された後のＧａＡｓ基板を安定にこの上方カセット１０４に残すことができる。 従って、この装置を用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１２２】
本実施例３の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス板１はＧａＡｓ基板２から分離される。 この際、ガラス板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを有機溶剤に溶解させて、除去することができる。 さらに、上記のようにガラス板を強制的に摺動させているため、実施例１の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。
【０１２３】
なお、半導体基板支持上方カセット１０４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にガラス板１を摺動させた後、重力によってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下させることができる。
【０１２４】
実施例４．
この発明の第４の実施例について説明する。
図４に、この発明の第４の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を収容するための気密容器、８は気密容器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター（加熱器）、１０は有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプである。
【０１２５】
本実施例４の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図４(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを気密容器１０７に収容されている、ヒーター８で１００℃程度に加熱され、さらに溶剤加圧ポンプ１０で大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤６に浸漬する。 ワックスが軟化、溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する、ＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡｓ基板２は図４(b) に示すように、ガラス板１から自然降下により分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセット４はガラス板１を保持する機能を有するが、その下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１２６】
本実施例４の半導体装置の製造装置は、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワックスを溶解する高圧の有機溶剤を収容するための気密容器１０７、気密容器（有機溶剤）を加熱するためのヒーター８、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプ１０を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１２７】
上記の本実施例４の半導体装置の製造方法では、上記のように加熱され、加圧された有機溶剤によってワックス（接着剤）を溶融、溶解させることにより、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板（補強板）から自然降下により分離させ、さらにこのＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはない。 このため、外部からＧａＡｓ基板の面に垂直な方向の力が加わることはなく、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、有機溶剤が大気圧以上の圧力に加圧されているため、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分離及びＧａＡｓ基板に付着したワックスの除去は、実施例１の製造方法を用いた場合より、容易となる。
【０１２８】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくても、水平方向以外の方向に保持されていればよい。 この場合も、ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離させ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１２９】
実施例５．
この発明の第５の実施例について説明する。
図５に、この発明の第５の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を収容するための気密容器、８は気密容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ、９はスライド治具、１０は有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプである。
【０１３０】
本実施例５の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、実施例４と同様に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱され、さらに溶剤加圧ポンプ１０で大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤６に浸漬する。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図５(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ＧａＡｓ基板２は図５(b) に示すように、ガラス板１から分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤によって溶解され、除去される。
【０１３１】
本実施例５の半導体装置の製造装置は、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワックスを溶融、溶解する加圧された有機溶剤を収容するための気密容器１０７、有機溶剤を加熱するためのヒーター８、及びＧａＡｓ基板２を下方向に摺動させるためのスライド治具９、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプ１０を備えている。 これを用いて上記の半導体装置の製造方法を実行することができる。
【０１３２】
本実施例５の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、ＧａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。 この際、ＧａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にこの接合面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に摺動させているため、実施例４の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。 また、有機溶剤が大気圧以上の圧力に加圧されているため、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分離及びＧａＡｓ基板に付着したワックスの除去は、実施例２の製造方法を用いた場合より、容易となる。
【０１３３】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によってこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１３４】
実施例６．
この発明の第６の実施例につて説明する。
図６に、この発明の第６の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、１０４はＧａＡｓ基板を支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容する半導体基板支持上方カセット、１０５はガラス板を収納するための補強板カセット、６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、１０７は加圧された有機溶剤を収容するための気密容器、８は容器（有機溶剤）を加熱するためのヒータ、９はスライド治具、１０は有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプである。
【０１３５】
本実施例６の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器１０７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱され、さらに溶剤加圧ポンプ１０で大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤６に浸漬する。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図６(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ガラス板１に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ガラス板１は図６(b) に示すように、ＧａＡｓ基板２から分離され、重力により自然落下して補強板カセット１０５に収納される。 半導体基板支持上方カセット１０４の底には、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラス板１が通過できる程度の開口部が設けられている。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１３６】
本実施例６の半導体装置の製造装置は、ＧａＡｓ基板（半導体基板）２を支持してガラス板１付きのＧａＡｓ基板２を保持，収容するための半導体基板支持上方カセット１０４、この半導体基板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラス板１を収容するための補強板カセット１０５、ワックスを溶解する加圧された有機溶剤６を収容するための気密容器１０７、有機溶剤を加熱するためのヒーター８、及びガラス板１を下方向に摺動させるためのスライド治具９、有機溶剤を大気圧以上の圧力に加圧するための溶剤加圧ポンプ１０を備えている。 半導体基板支持上方カセット１０４の構造は、既に実施例３で説明した通りである。 この装置を用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１３７】
本実施例６の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス板１がＧａＡｓ基板２から分離される。 この際、ガラス板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、上記のようにガラス板を強制的に摺動させているため、実施例４の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。 また、有機溶剤が大気圧以上の圧力に加圧されているため、ガラス板からのＧａＡｓ基板の分離及びＧａＡｓ基板に付着したワックスの除去は、実施例３の製造方法を用いた場合より、容易となる。
【０１３８】
なお、半導体基板支持上方カセット１０４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にガラス板１を摺動させた後、重力によってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下させることができる。
【０１３９】
実施例７．
この発明の第７の実施例について説明する。
図７に、この発明の第７の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収納するための半導体基板カセット、１０６はワックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸気）、１０７は有機溶剤蒸気を収容するための気密容器、８は気密容器を加熱するためのヒーター（加熱器）、１０８は有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター（溶剤蒸気加熱器）、１１０は大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１４０】
本実施例７の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図７(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを気密容器１０７に収容された、ヒーター８及び１０８で１００℃程度に加熱され、大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤の蒸気１０６に曝す。 ワックスが軟化、溶融し、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因する、ＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つと、ＧａＡｓ基板２は図７(b) に示すように、ガラス板１から自然降下により分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセット４はガラス板１を保持する機能を有するが、その下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤蒸気１０６によって溶解され、除去される。
【０１４１】
本実施例７の半導体装置の製造装置は、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワックスを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター８及び１０８、大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器１１０を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１４２】
上記の本実施例７の半導体装置の製造方法では、上記のように加熱された大気圧より高い圧力の有機溶剤蒸気によりワックス（接着剤）を溶融、溶解させることにより、ＧａＡｓ基板（半導体基板）をガラス板（補強板）から自然降下により分離させる。 さらにこのＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはない。 このため、ＧａＡｓ基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。
【０１４３】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくても、水平方向以外の方向に保持されていればよい。 この場合も、ＧａＡｓ基板２をガラス板１から自然降下により分離させ、さらに重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１４４】
実施例８．
この発明の第８の実施例について説明する。
図８に、この発明の第８の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、１０６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸気）、１０７は加圧された有機溶剤蒸気を収容するための気密容器、８は気密容器を加熱するためのヒータ、１０８は有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター（溶剤蒸気加熱器）、９はスライド治具、１１０は大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１４５】
本実施例８の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、実施例７と同様に、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器７に収容された、ヒーター８で１００℃程度に加熱され、大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤の蒸気１０６に曝す。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図８(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ＧａＡｓ基板２に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ＧａＡｓ基板２は図８(b) に示すように、ガラス板１から分離され、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤蒸気によって溶解され、除去される。
【０１４６】
本実施例８の半導体装置の製造装置は、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２をガラス板１を支持して保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ワックスを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター８及び１０８、ＧａＡｓ基板２を下方向に摺動させるためのスライド治具９、大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器１１０を備えている。 これを用いて上記の半導体装置の製造方法を実行することができる。
【０１４７】
本実施例８の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ＧａＡｓ基板２を強制的に下方向に摺動させることにより、ＧａＡｓ基板２がガラス板１から分離される。 この際、ＧａＡｓ基板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、上記のようにＧａＡｓ基板を強制的に摺動させているため、実施例７の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。
【０１４８】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にＧａＡｓ基板２を摺動させた後、重力によってこのＧａＡｓ基板を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１４９】
実施例９．
この発明の第９の実施例について説明する。
図９に、この発明の第９の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板を補強するためのガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス（接着剤）、１０４はＧａＡｓ基板を支持して、ガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容する半導体基板支持上方カセット、１０５はガラス板を収納するための補強板カセット、１０６はワックスを溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする気体である有機溶剤（有機溶剤の蒸気）、１０７は加圧された有機溶剤蒸気を収容するための気密容器、８は気密容器を加熱するためのヒータ、１０８は有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター（溶剤蒸気加熱器）、９はスライド治具、１１０は大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器である。
【０１５０】
本実施例９の半導体装置の製造方法は、以下のようなものである。 まず、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２をＧａＡｓ基板２を支持するように半導体基板支持上方カセット１０４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これを容器１０７に収容された、ヒーター８で１００℃程度に加熱され、大気圧以上の圧力に加圧された有機溶剤の蒸気１０６に曝す。 次に、ある程度ワックスが軟化したところで、図９(a) に示すように、スライド治具９を用いて、ガラス板１に下向きの力を加えて、同方向に摺動させる。 この摺動方向は、ＧａＡｓ基板面に平行な方向である。 これにより、ガラス板１は図９(b) に示すように、ＧａＡｓ基板２から分離され、重力により自然落下して補強板カセット１０５に収納される。 半導体基板支持上方カセット１０４の底には、ＧａＡｓ基板２から分離されたガラス板１が通過できる程度の開口部が設けられている。 さらに、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤蒸気によって溶解され、除去される。
【０１５１】
本実施例９の半導体装置の製造装置は、半導体基板２を支持してガラス板１付きのＧａＡｓ基板２を保持，収容するための半導体基板支持上方カセット１０４、この半導体基板支持上方カセットの直下に設けられた、ガラス板１を収容するための補強板カセット１０５、ワックスを溶融、溶解する大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を収容するための気密容器１０７、有機溶剤蒸気を加熱するためのヒーター８及び１０８、ガラス板１を下方向に摺動させるためのスライド治具９、大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器１１０を備えている。 半導体基板支持上方カセット１０４の構造は、既に実施例３で説明した通りである。 この装置を用いて上記の半導体装置の製造方法を実行することができる。
【０１５２】
本実施例９の半導体装置の製造方法においては、ＧａＡｓ基板自身が有するストレスあるいはＧａＡｓ基板表面に形成された半導体素子を構成する絶縁膜、金属膜、半導体薄膜等のストレスに起因するＧａＡｓ基板に反りを与えるようなストレスが、ワックスの残留粘着力に打ち勝つ必要は無く、相当程度の粘着力がワックスに残っていても、スライド治具９により、ガラス板１を強制的に下方向に摺動させることにより、ガラス板１がＧａＡｓ基板２から分離される。 この際、ガラス板を、ＧａＡｓ基板とガラス板との接合面に沿って摺動させるため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が外部から加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、これと同時にＧａＡｓ基板に付着したワックスを除去することができる。 さらに、上記のようにガラス板を強制的に摺動させているため、実施例７の製造方法を用いるよりも、短時間でＧａＡｓ基板２とガラス板１を分離することができる。
【０１５３】
なお、半導体基板支持上方カセット１０４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにスライド治具９により、基板面に沿って強制的にガラス板２を摺動させた後、重力によってこのガラス板を補強板カセット１０５に自然落下させることができる。
【０１５４】
実施例１０．
この発明の第１０の実施例について説明する。
図１０に、この発明の第１０の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、２０６はフッ酸溶液、２０７はフッ酸を収容するためのフッ酸容器、６はワックス（接着剤）を溶解するためのソルベントナフサ等を成分とする有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器を加熱するためのヒーター（加熱器）である。
【０１５５】
本実施例１０の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１０(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、これをフッ酸容器２０７に収容され、ヒーター８で加熱されたフッ酸溶液２０６に浸漬する。 フッ酸にガラス板１が溶解し、ガラス板１の直径が補強板支持上方カセット４で支持できる最小の直径より小さくなると、ＧａＡｓ基板２は、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセットの下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 ガラス板１が完全にフッ酸に溶解してしまうまでＧａＡｓ基板２はフッ酸溶液２０６に浸漬しておく。 次に、これらのカセット及びそれに収納されたＧａＡｓ基板をフッ酸容器２０７から取り出し、水で洗浄した後、容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。 これにより、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１５６】
本実施例１０の半導体装置の製造装置は、ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ガラス板を溶解するフッ酸溶液を収容するためのフッ酸容器２０７、ワックスを溶解する有機溶剤を収容するための容器７、容器７及び２０７を加熱するためのヒーター８を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１５７】
上記の本実施例１０の半導体装置の製造方法では、上記のようにガラス板（補強板）を加熱されたフッ酸に溶解させることによって除去する。 このため、ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはない。 このため、ＧａＡｓ基板にその面に垂直な方向の力が加わることはなく、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 さらに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板を、加熱された有機溶剤に浸漬することにより、ワックス（接着剤）を溶解させ、ＧａＡｓ基板表面に残ったワックスを除去することができる。
【０１５８】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させた後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１５９】
実施例１１．
この発明の第１１の実施例について説明する。
図１１に、この発明の第１１の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、６はワックスを溶解するための有機溶剤、７は有機溶剤を収容するための容器、８は容器を加熱するためのヒーター、１１７はガラス板を溶解するフッ酸蒸気を吹き付けるノズル、３０７はフッ酸蒸気を収容するためのフッ酸蒸気用容器である。
【０１６０】
本実施例１１の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１１(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、このガラス板にノズル１１７からフッ酸蒸気を吹き付ける。 フッ酸蒸気によってガラス基板１が溶解し、ガラス板１の直径が補強板支持上方カセット４で支持できる最小の直径より小さくなると、ＧａＡｓ基板２は、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセットの下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 ガラス板１が完全に溶解してしまうまでフッ酸蒸気の吹き付けは続ける。 次に、これらのカセット及びそれに収納されたＧａＡｓ基板をフッ酸蒸気用容器３０７から取り出し、水で洗浄した後、図１１(b) に示すように、容器７に収容され、ヒーター８で１００℃程度に加熱された有機溶剤６に浸漬する。 これにより、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１６１】
本実施例１１の半導体装置の製造装置は、ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ガラス板を溶解するフッ酸蒸気を吹き付けるノズル１１７、フッ酸蒸気用容器３０７、ワックスを溶解する有機溶剤を収容するための容器７、容器７を加熱するためのヒーター８を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１６２】
上記の本実施例１１の半導体装置の製造方法では、上記のようにフッ酸蒸気を吹き付けることによりガラス板（補強板）を溶解させ、これを除去する。 このため、ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはないため、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 さらに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板を有機溶剤に浸漬することにより、ＧａＡｓ基板表面に残ったワックス（接着剤）を溶解させ、これを除去することができる。
【０１６３】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させた後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１６４】
実施例１２．
この発明の第１２の実施例について説明する。
図１２に、この発明の第１２の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 図において、１はＧａＡｓ基板（半導体基板）を補強するためのガラス板（補強板）、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、４はガラス板を支持してガラス板付きのＧａＡｓ基板を保持，収容するための補強板支持上方カセット、５はＧａＡｓ基板を収容するための半導体基板カセット、２０７はフッ酸を受けるためのフッ酸容器、７は有機溶剤を受けるための容器、１７はガラス板を溶解する液体のフッ酸を吹き付けるノズル、１８はワックス（接着剤）を溶解するための液体の有機溶剤を吹き付けるノズルである。
【０１６５】
本実施例１２の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１２(a) に示すように、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を補強板支持上方カセット４に収納し、この基板面が鉛直方向と平行となるように保持するとともに、このガラス板にフッ酸吹き付けノズルから液体のフッ酸溶液を吹き付ける。 フッ酸によってガラス基板１が溶解し、ガラス板１の直径が補強板支持上方カセット４で支持できる最小の直径より小さくなると、ＧａＡｓ基板２は、重力により自然落下して半導体基板カセット５に収納される。 補強板支持上方カセットの下部には開口部が設けられており、ＧａＡｓ基板２はこの開口部を通って、半導体基板カセット５に収納される。 ガラス板１が完全にフッ酸に溶解してしまうまでフッ酸溶液の吹き付けは続ける。 次に、水で上記ＧａＡｓ基板を洗浄した後、ＧａＡｓ基板が収納された半導体基板カセットを容器７に移し、図１２(b) に示すように、ノズル１８を用いて液体の有機溶剤をＧａＡｓ基板表面に残ったワックスに吹き付ける。 これにより、ＧａＡｓ基板２に付着したワックスは、有機溶剤６によって溶解され、除去される。
【０１６６】
本実施例１２の半導体装置の製造装置は、ガラス板１を保持，収容するための補強板支持上方カセット４、この補強板支持上方カセットの直下に設けられた、ＧａＡｓ基板２を収容するための半導体基板カセット５、ガラス板を溶解する液体のフッ酸を吹き付けるノズル１７、ワックス（接着剤）を溶解する液体の有機溶剤を吹き付けるノズル１８、ガラス板を溶解するフッ酸溶液を受けるためのフッ酸容器２０７、ワックスを溶解する有機溶剤を受けるための容器７を備えている。 これを用いて上記の製造方法を実行することができる。
【０１６７】
上記の本実施例１２の半導体装置の製造方法では、上記のように液体のフッ酸を吹き付けることによりガラス板（補強板）を溶解させ、これを除去する。 このため、ＧａＡｓ基板は重力により補強板支持上方カセットから自然落下し、半導体基板カセットに収納される。 この過程においては、従来の製造方法のように、ピンセットでＧａＡｓ基板に外部より直接的に力を加えて、ガラス板から分離させることはないため、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 さらに、ガラス板が除去されたＧａＡｓ基板表面に残ったワックスに液体の有機溶剤を吹き付けることにより、ワックス（接着剤）を溶解させ、これを除去することができる。
【０１６８】
なお、補強板支持上方カセット４に収納された、ガラス板１付きのＧａＡｓ基板２の基板面は、鉛直方向と平行となるように保持されていなくてもよい。 すなわち、基板面はどのような方向に保持されていても、上述のようにフッ酸により、ガラス板１を溶解させた後、重力によってＧａＡｓ基板２を半導体基板カセット５に自然落下させることができる。
【０１６９】
実施例１３．
この発明の第１３の実施例について説明する。
図１３に、この発明の第１３の実施例による半導体装置の製造装置を示す。 これは、上述の実施例１，２，４，５，７，８，１０，１１及び１２における補強板支持上方カセット４と半導体基板カセット５を一体形成したものである。 図中の２０４がこの一体形成カセットである。 図１３の装置のこの他の構成は、実施例１と同じである。 すなわち、１はガラス板、２はＧａＡｓ基板、６はワックスを溶解するための有機溶剤、７は容器、８はヒーターである。
【０１７０】
上記の本実施例１３の半導体装置の製造装置を用いて、実施例１とまったく同様な製造方法が実現できる。 すなわち、図１３(a) に示すように、一体形成カセットの補強板支持上方カセットに相当する部分に収納した、ガラス板１がワックスにより貼り付けられているＧａＡｓ基板２を加熱された有機溶剤６に浸漬して、ガラス板とＧａＡｓ基板の間のワックスを溶融させることにより、ＧａＡｓ基板２をガラス板１から分離させ、自然落下したＧａＡｓ基板２を一体形成カセット２０４の半導体基板カセットに相当する部分に収納する。 ＧａＡｓ基板２の表面に付着したワックスは、有機溶剤６により溶解され、除去される。
【０１７１】
本実施例１３のような一体形成カセットでは、カセットの取扱いが容易となり、また、補強板支持上方カセットと半導体基板カセットの相対的な位置が固定されているため、ガラス板から分離されたＧａＡｓ基板を確実に半導体基板カセットに収納することができる。
【０１７２】
なお、上述の実施例３，６，９における、ガラス板付きのＧａＡｓ基板をＧａＡｓ基板を支持することにより収納する半導体基板支持上方カセット１０４と、ＧａＡｓ基板２から分離された後のガラス板２を収納する補強板カセット１０５を一体形成してもよい。 これも上記の一体形成カセットと同様に、カセットの取扱いが容易となり、また、半導体基板支持上方カセットと補強板カセットの相対的な位置が固定されていることにより、ＧａＡｓ基板から分離されたガラス板を確実に補強板カセットに収納することができる。
また、このような一体形成カセットは、実施例１の製造方法のみではなく、実施例２〜１２のいずれの製造方法においても用いることができる。
【０１７３】
実施例１４．
この発明の第１４の実施例について説明する。
図１４に、この発明の第１４の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 １はガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、１１はバキューム孔、１２は上部吸着器、１３は上部ヒーター、１４は下部吸着器、１５は下部ヒーターである。
【０１７４】
本実施例１４の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１４に示すように、ワックス３を介して貼り付けられているガラス板１とＧａＡｓ基板２をそれぞれ下部吸着器１４と上部吸着器１２に吸着させる。 この吸着は、バキューム孔１１による真空吸着である。 さらに、上部ヒーター１３及び下部ヒーター１５により、ＧａＡｓ基板及びガラス板を加熱する。 ワックス３に熱が伝わり、その温度が１００℃程度になると、ワックスが溶融する。 この後、上部吸着器１２を、ＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行に、下部吸着器１４に対して移動させる。 これは、例えば図中の矢印の方向の移動である。 これにより、ＧａＡｓ基板２とガラス板１は分離される。 なお、上部吸着器または下部吸着器を移動させる方向は、ＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行であれば、どのような方向であってもよい。
【０１７５】
本実施例１４の半導体装置の製造装置は、図１４に示すように、上部ヒーター１３及びバキューム孔１１をその内部に有する上部吸着器１２、下部ヒーター１５及びバキューム孔１１をその内部に有する下部吸着器１４を備え、これらの吸着器のいずれか一方または両方が、吸着面に平行な方向に移動できるようになっているものである。 この製造装置を用いることにより、上記の製造方法を実現することができる。
【０１７６】
本実施例１４の製造方法においては、ガラス板とＧａＡｓ基板をそれぞれ吸着器に吸着させて、加熱することにより、ワックスを溶融させ、この後、吸着器をＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行に、互いに異なる方向に移動させることにより、ＧａＡｓ基板をガラス板から分離させるから、ＧａＡｓ基板に対して外部からその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。
【０１７７】
なお、ヒーターは上部吸着器及び下部吸着器の両方に設ける必要はなく、図１５に示すように下部吸着器のみに、または、図１６に示すように上部吸着器のみに設けるようにしても同様の効果が得られる。
【０１７８】
実施例１５．
この発明の第１５の実施例について説明する。
図１７に、この発明の第１５の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す。 １はガラス板、２はＧａＡｓ基板、３はワックス、１１はバキューム孔、１４は下部吸着器、１５は下部ヒーター、１６はピンセット状スライド治具である。
【０１７９】
本実施例１５の半導体装置の製造方法は以下のようなものである。 まず、図１７に示すように、ワックス３を介してＧａＡｓ基板２が貼り付いているガラス板１のＧａＡｓ基板が付いていない面を下部吸着器１４に吸着させる。 この吸着は、バキューム孔１１による真空吸着である。 さらに、下部ヒーター１５により、ガラス板を加熱する。 ワックス３に熱が伝わり、その温度が１００℃程度になると、ワックスが溶融する。 この後、ピンセット状スライド治具でＧａＡｓ基板の一端を把握し、ＧａＡｓ基板をガラス板及びＧａＡｓ基板の面に平行に、下部吸着器１４に対して摺動させる。 これにより、ＧａＡｓ基板２とガラス板１は分離される。
【０１８０】
本実施例１５の半導体装置の製造装置は、図１７に示すように、下部ヒーター１５及びバキューム孔１１をその内部に有する下部吸着器１４と、ピンセット状スライド治具１６とを備え、このピンセット状スライド治具１６によりＧａＡｓ基板を、吸着面に平行な方向に摺動できるようになっているものである。 この製造装置を用いることにより、上記の製造方法を実現することができる。
【０１８１】
本実施例１５の製造方法においては、ガラス板を吸着器に吸着させて、加熱することにより、ワックスを溶融させ、この後、ピンセット状スライド治具を用いてＧａＡｓ基板をＧａＡｓ基板及びガラス板の面に平行な方向に摺動させることにより、ＧａＡｓ基板をガラス板から分離するから、ＧａＡｓ基板に対して外部からその面に垂直な方向の力が加わることが無く、ＧａＡｓ基板の割れ等の損傷の発生を抑制することができる。 また、スライド治具の先端が、ピンセット状であるため、この先端がＧａＡｓ基板を確実に把握することができ、ＧａＡｓ基板とガラス板の分離を安定に行うことができる。
【０１８２】
なお、ガラス板１を吸着させるのではなく、図１８に示すようにＧａＡｓ基板２を吸着、加熱し、ガラス板１を摺動させるようにしても同様の効果が得られる。
【０１８３】
また、スライド治具の形状は、ピンセット状ではなく、図１９に示すような、へら状であってもよい。 図１９(a) は、このへら状スライド治具１１６を備えた半導体装置の製造装置の断面図であり、同図(b) はこの治具の上面図である。 へら状スライド治具１１６を用いてＧａＡｓ基板２を摺動させる場合は、この治具の先端によりＧａＡｓ基板２とガラス板１の間の間隔を増大させようとする力が働くため、ＧａＡｓ基板２とガラス板１の分離を短時間で容易に行うことができる。 この治具を用いる場合も、ガラス板ではなく、ＧａＡｓ基板を吸着、加熱し、ガラス板を摺動させるようにしてもよい。
【０２０５】
【発明の効果】
また、この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、補強板から分離され、自然落下する上記半導体基板を特別な操作無しに上記保持具直下の半導体基板カセットに収納することができる。
【０２０６】
また、この発明（請求項２）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、この半導体基板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【０２０７】
また、この発明（請求項３）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、半導体基板から分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセットに収納される。
【０２０８】
また、この発明（請求項４）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する液体である溶剤を上記上方カセットにより保持される、上記補強板付きの上記半導体基板が該溶剤に浸漬されるように収容する容器と、上記容器内の上記溶剤を加熱する加熱器とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に浸漬された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、この補強板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【０２０９】
また、この発明（請求項５）に係る半導体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし４のいずれか）において、上記溶剤を大気圧以上の圧力に加圧する加圧器を備えたので、接着剤の溶融、溶解が容易となり、半導体基板が補強板から分離し易くなる。 さらに、分離後の半導体基板の表面に残っている接着剤の溶解、除去も容易となる。
【０２１１】
また、この発明（請求項６）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、補強板から分離された半導体基板は、補強板から自然落下し、半導体基板カセットに収納される。
【０２１２】
また、この発明（請求項７）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記半導体基板を、上記補強板に対して摺動させて、上記補強板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記補強板から分離され、かつ自然落下した上記半導体基板を、上記補強板と分離した状態で収納するための半導体基板カセットとを備え、上記補強板は上記半導体基板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、この半導体基板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【０２１３】
また、この発明（請求項８）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持するものであり、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、半導体基板から分離された補強板は、半導体基板から自然落下し、補強板カセットに収納される。
【０２１４】
また、この発明（請求項９）に係る半導体装置の製造装置によれば、その一主面に半導体基板の機械的強度を補強する補強板が接着剤により貼り付けられた半導体基板を保持，収容するための上方カセットと、上記上方カセットを収納し、上記接着剤を溶解する気体である溶剤をその内部に密封する容器と、 大気圧以上の圧力の有機溶剤蒸気を発生する高圧溶剤蒸気発生器と、該高圧溶剤蒸気発生器で発生する有機溶剤蒸気を加熱するヒーターからなり、大気圧以上の圧力の加熱された上記気体である溶剤を上記容器に供給する手段とを備え、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を保持するものであり、上記溶剤に曝された上記補強板を、上記半導体基板に対して摺動させて、上記半導体基板から分離させるスライド治具と、上記容器内において上記上方カセットの直下に設けられた、上記半導体基板から分離され、かつ自然落下した上記補強板を、上記半導体基板と分離した状態で収納するための補強板カセットとを備え、上記半導体基板は上記補強板と分離した後も上記上方カセットに支持されるものとしたので、この補強板の分離を短時間で行うことができる。 また、半導体基板に外部からその面に垂直な方向の力が加わることがなく、これによる半導体基板の割れ等の破損を防止することができる。
【０２１５】
また、この発明（請求項１０）に係る半導体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装置（請求項６ないし９のいずれか）において、上記容器を加熱するための容器加熱器を備えたので、容器に供給された気体である溶剤の冷却を防止でき、上記接着剤の溶融及び溶解を容易にする。 従って、半導体基板と補強板の分離、半導体基板表面の接着剤の除去も容易となる。
【０２１６】
また、この発明（請求項１１）に係る半導体装置の製造装置によれば、上記の半導体装置の製造装置（請求項１ないし１０のいずれか）において、上記接着剤が、ワックスであり、上記接着剤を溶解する溶剤が、有機溶剤であるので、ワックスはその温度を１００℃程度まで上昇させると容易に溶融し、また有機溶剤を用いることにより、このワックスを溶解させることができ、半導体基板と補強板を容易に分離することができる。
【０２２４】
また、この発明（請求項１２ ）に係る半導体装置の製造装置によれば、 請求項１，２，６または７のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記補強板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記補強板から分離された上記半導体基板を下方向に自然落下させる補強板支持上方カセットであるものであるので、上記補強板付きの上記半導体基板を容易に収納することができるとともに、補強板から分離された半導体基板を補強板支持上方カセットの下に設けられた上記半導体基板カセットに収納することができる。
【０２２５】
また、この発明（請求項１３ ）に係る半導体装置の製造装置によれば、 請求項１２に記載の半導体装置の製造装置において、上記半導体基板カセットは、上記補強板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるものであるので、これらのカセットの取扱いが容易となり、また、これらのカセットの相対的な位置が固定されているため、補強板から分離された半導体基板を確実に半導体基板カセットに収納することができる。
【０２２６】
また、この発明（請求項１４ ）に係る半導体装置の製造装置によれば、 請求項３，４，８または９のいずれかに記載の半導体装置の製造装置において、上記上方カセットは、上記半導体基板を支持して、上記補強板付きの上記半導体基板を該基板面が鉛直方向と平行となるように、あるいは鉛直方向と略平行となるように保持，収容し、その下部開口を通って上記半導体基板から分離された上記補強板を下方向に自然落下させる半導体基板支持上方カセットであるものであるので、補強板付半導体基板を容易に収納することができるとともに、半導体基板から分離された補強板を半導体基板支持上方カセットの下に設けられた上記補強板カセットに収納することができる。
【０２２７】
また、この発明（請求項１５ ）に係る半導体装置の製造装置によれば、 請求項１４に記載の半導体装置の製造装置において、上記補強板カセットは、上記半導体基板支持上方カセットの直下に該上方カセットと一体に形成されてなるので、これらのカセットの取扱いが容易となり、また、これらのカセットの相対的な位置が常に固定されているため、半導体基板から分離された補強板を確実に補強板カセットに収納することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図２】 この発明の第２の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。 図３(a),(c) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に垂直な面での断面図、図３(b),(d) は、ガラス板及びＧａＡｓ基板に平行な面での断面図である。
【図４】 この発明の第４の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図６】 この発明の第６の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図７】 この発明の第７の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図８】 この発明の第８の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図９】 この発明の第９の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１０】 この発明の第１０の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１１】 この発明の第１１の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１２】 この発明の第１２の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１３】 この発明の第１３の実施例による半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１４】 この発明の第１４の実施例による半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１５】 この発明の第１４の実施例による、下部吸着器にのみ加熱器を設けた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】 この発明の第１４の実施例による、上部吸着器にのみ加熱器を設けた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】 この発明の第１５の実施例による、ガラス板を吸着・加熱する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１８】 この発明の第１５の実施例による、ＧａＡｓ基板を吸着・加熱する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図１９】 この発明の第１５の実施例による、へら状スライド治具を有する半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法を示す断面図（図１９(a) ）、及びへら状スライド治具の平面図（図１９(b) ）である。
【図２０】 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス板（補強板）、２ ＧａＡｓ基板（半導体基板）、３ ワックス（接着剤）、４ 補強板支持上方カセット、５ 半導体基板カセット、６ 有機溶剤、７ 容器、８ ヒーター（加熱器）、９ スライド治具、１０ 溶剤加圧ポンプ、１１ バキューム孔、１２ 上部吸着器、１３ 上部ヒーター、１４ 下部吸着器、１５ 下部ヒーター、１６ ピンセット状スライド治具、１７ フッ酸吹き付けノズル、１８ 有機溶剤吹き付けノズル、１０４ 半導体基板支持上方カセット、１０５ 補強板カセット、１０６ 溶剤蒸気、１０７ 気密容器、１０８ ヒーター（溶剤蒸気加熱器）、１１０ 高圧溶剤蒸気発生器、１１６ へら状スライド治具、１１７ フッ酸蒸気吹き付けノズル、２０４ 一体形成カセット、２０６ フッ酸溶液、２０７ フッ酸用容器、２０８ ホットプレート、３０７ フッ酸蒸気用容器。