碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法专利检索- 实质上由带有外部或内部不连续的或不平整的薄层或非平面形状的薄层构成的层状产品专利检索查询-专利查询网

碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
申请号	CN201410262614.7	申请日	2014-06-13	公开(公告)号	CN105271105B	公开(公告)日	2017-01-25
申请人	清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;			发明人	魏洋; 范守善;
摘要	本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括在碳纳米管阵列的碳纳米管远离生长基底的顶端形成一包覆层；将代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合，该代替基底的表面与该包覆层接触；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。
权利要求	1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤： S1,提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管； S2,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括： S21,在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该生长基底的顶端形成一包覆层； S22,将该代替基底的表面与该包覆层接触，使该代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合；以及 S23,通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。 2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该包覆层与该代替基底的表面之间的结合力大于该生长基底的表面与该碳纳米管阵列之间的结合力并小于该碳纳米管阵列中碳纳米管间的范德华力。 3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该包覆层的材料为金属或无机氧化物。 4.如权利要求3所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该金属为铁、钴、镍、钯、钛、铜、银及金中的至少一种，该无机氧化物为氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化铜、氧化银、氧化钴及四氧化三铁中的至少一种。 5.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该包覆层的厚度为1纳米～20纳米。 6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该包覆层一对一的包覆该碳纳米管阵列中的碳纳米管的顶端。 7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该包覆层采用蒸镀法、溅射法或沉积法形成。 8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。 9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的表面与该包覆层仅通过范德华力结合。 10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，进一步包括通过间隔装置间隔该代替基底与该生长基底，该间隔装置在该代替基底与该生长基底之间的高度小于或等于该碳纳米管阵列的高度，并且大于使碳纳米管阵列压至无法保持能够拉取碳纳米管结构的形态的距离。 11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，进一步包括在该代替基底的表面设置多个微结构。 12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，在该分离的过程中，该碳纳米管阵列中的所有碳纳米管为沿该碳纳米管的生长方向同时脱离该生长基底。 13.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。 14.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤： S1,提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管； S2,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括： S21,在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该生长基底的顶端形成一包覆层； S22,将该代替基底的表面与该包覆层接触，使该代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合； S23,通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及S3,从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。
说明书全文	碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法技术领域 [0001] 本发明涉及一种碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法，尤其涉及一种碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管膜或碳纳米管线的制备方法。背景技术 [0002] 碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是一种由石墨烯片卷成的中空管状物，其具有优异的力学、热学及电学性质，因此具有广阔的应用领域。由于单根碳纳米管的尺寸为纳米级，难于加以利用，人们尝试将多个碳纳米管作为原材料，制成具有较大尺寸的宏观碳纳米管结构。例如由多个碳纳米管形成的宏观膜状结构，即碳纳米管膜（Carbon Nanotube Film），以及由多个碳纳米管形成的宏观线状结构，即碳纳米管线（Carbon Nanotube Wire）。 [0003] 公告号为CN101458975B的中国发明专利中揭露了一种从碳纳米管阵列中直接拉取获得的碳纳米管膜，这种碳纳米管膜具有较好的透明度，且具有宏观尺度并能够自支撑，其包括多个在范德华力作用下首尾相连的碳纳米管。由于这种直接从阵列中拉取获得的碳纳米管膜中碳纳米管基本沿同一方向延伸，因此能够较好的发挥碳纳米管轴向具有的导电及导热等各种优异性质，具有极为广泛的产业前景，例如可以应用于触摸屏（如中国专利CN101419518B）、液晶显示器（如中国专利CN101498865B）、扬声器（如中国专利CN101605289B）、加热装置（如中国专利CN101868066B）、薄膜晶体管（如中国专利CN101582449B）及导电线缆（如中国专利CN101499337B）等多种领域。 [0004] 这种特殊的碳纳米管膜的形成原理是超顺排生长的碳纳米管阵列中碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，使在拉取部分碳纳米管时，与之相邻的碳纳米管由于范德华力的作用可以首尾相连的被连续地拉出，从而逐渐形成一个由首尾相连的碳纳米管构成的碳纳米管膜。然而，由于碳纳米管之间仅靠范德华力相互吸引而成膜，一旦阵列的形态被破坏或改变，就有可能导致无法连续地拉出均匀的碳纳米管膜，因此传统的做法是在生长基底（一般是单晶硅片）表面生长阵列之后，直接对生长基底上的碳纳米管阵列进行碳纳米管膜的拉取作业。 [0005] 因此，碳纳米管阵列的生产者实际是将阵列连同生长基底一并提供给客户。然而，这不但使生长基底的回收周期变长，不利于快速投入到新阵列的生长，也容易使昂贵的单晶硅片在运输途中遭到破坏而报废。另外，也可通过相同原理从碳纳米管阵列中拉取获得碳纳米管线，而碳纳米管线在生产制备上同样存在上述问题。发明内容 [0006] 有鉴于此，确有必要提供一种能够解决上述问题的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法。 [0007] 一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该生长基底的顶端形成一包覆层；将该代替基底的表面与该包覆层接触，使该代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。 [0008] 一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该生长基底的顶端形成一包覆层；将该代替基底的表面与该包覆层接触，使该代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。 [0009] 一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：提供一第一基底及一第二基底，该第一基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该第一基底转移至该第二基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该第一基底的顶端形成一包覆层；将该第二基底的表面与该包覆层接触，使该第二基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该第一基底的表面结合；通过移动该第二基底与该第一基底中的至少一方，使该第二基底与该第一基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该第一基底分离，并转移至该第二基底；以及从该第二基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。 [0010] 相较于现有技术，所述碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法中，在生长阶段与拉膜阶段，碳纳米管阵列设置于不同基底，作为拉膜阶段的基底可以选择廉价材料制造。因此，碳纳米管阵列的生产者可以将阵列转移至代替基底上，将代替基底连同阵列提供给客户，而较为昂贵的生长基底可迅速回收，从而优化了生产流程。因此，本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法对于碳纳米管膜和线在产业上的应用具有极为重要的意义，能够带来实际的成本降低及生产方式的变革。附图说明 [0011] 图1为本发明一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。 [0012] 图2为本发明实施例表面具有包覆层的碳纳米管组成的碳纳米管阵列的示意图。 [0013] 图3为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜的扫描电镜照片。 [0014] 图4为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得碳纳米管膜的结构示意图。 [0015] 图5为本发明另一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。 [0016] 图6为本发明又一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。 [0017] 图7为本发明实施例提供的碳纳米管结构的制备方法的示意图。 [0018] 图8为本发明实施例从转移至代替基底表面的碳纳米管阵列中拉取碳纳米管膜的照片。 [0019] 主要元件符号说明 [0020]碳纳米管阵列 10 第一表面 102 第二表面 104 碳纳米管 110 底端 112 顶端 114 包覆层 120 生长基底 20 生长基底的表面 202 代替基底 30 代替基底的表面 302 微结构 304 碳纳米管结构 40 拉取工具 50 间隔装置 60 [0021] 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式 [0022] 以下将结合附图对本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法作进一步的详细说明。 [0023] 请参阅图1及图2，本发明提供一种碳纳米管阵列10的转移方法，包括以下步骤： [0024] S1，提供一代替基底30及一生长基底20，该生长基底20表面具有碳纳米管阵列10，该碳纳米管阵列10的形态能够使得一碳纳米管结构40可以从该碳纳米管阵列10中连续地拉出； [0025] S2，将该碳纳米管阵列10从该生长基底20转移至该代替基底30，并保持该碳纳米管阵列10的形态仍能够使该碳纳米管结构40从该碳纳米管阵列10中连续地拉出，包括： [0026] S21，在该碳纳米管阵列10的碳纳米管110远离该生长基底20的顶端114形成一包覆层120； [0027] S22，将该代替基底30的表面302与该包覆层120接触，使该代替基底30的表面302通过该包覆层120与该碳纳米管阵列10远离该生长基底20的表面104结合；以及[0028] S23，通过移动该代替基底30与该生长基底20中的至少一方，使该代替基底30与该生长基底20相远离，从而使该碳纳米管阵列10与该生长基底20分离，并转移至该代替基底30。 [0029] 该碳纳米管结构40包括首尾相连的碳纳米管，是由多个碳纳米管通过范德华力相互结合并首尾相连形成的宏观结构，例如可以为碳纳米管膜或碳纳米管线。 [0030] 首先对生长于该生长基底20且能够从中拉取碳纳米管膜40的碳纳米管阵列10进行介绍。 [0031] 该碳纳米管阵列10为通过化学气相沉积的方法生长在该生长基底20的表面。该碳纳米管阵列10中的碳纳米管110基本彼此平行且垂直于生长基底20表面，相邻的碳纳米管110之间相互接触并通过范德华力相结合。通过控制生长条件，该碳纳米管阵列10中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。由于基本不含杂质且碳纳米管相互间紧密接触，相邻的碳纳米管110之间具有较大的范德华力，足以使在拉取一些碳纳米管（也就是碳纳米管片段）时，能够使相邻的一些碳纳米管（也就是相邻的碳纳米管片段）通过范德华力的作用被首尾相连，连续不断的拉出，由此形成连续的自支撑宏观结构，如碳纳米管膜或碳纳米管线。这种能够使碳纳米管首尾相连的从其中拉出的碳纳米管阵列10也称为超顺排碳纳米管阵列10。该生长基底20的材料可以为P型硅、N型硅或氧化硅等适合生长超顺排碳纳米管阵列10的基底。 [0032] 从碳纳米管阵列10中连续地拉出的该碳纳米管结构40包括多个首尾相连的碳纳米管110。更为具体的，该碳纳米管结构40为可以实现自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个基本沿相同方向排列的碳纳米管110。请参阅图3及图4，在该碳纳米管膜中碳纳米管为沿同一方向择优取向排列。所述择优取向是指在碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多数碳纳米管的整体延伸方向基本平行于该碳纳米管膜的表面。进一步地，所述碳纳米管膜中多数碳纳米管是通过范德华力首尾相连。具体地，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，从而使该碳纳米管膜能够实现自支撑。当然，所述碳纳米管膜中存在少数随机排列的碳纳米管，这些碳纳米管不会对碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体取向排列构成明显影响。进一步地，所述碳纳米管膜可包括多个连续且定向排列的碳纳米管片段。该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连。每一碳纳米管片段包括多个相互平行的碳纳米管，该多个相互平行的碳纳米管通过范德华力紧密结合。另外，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管并非绝对的直线状，可以适当的弯曲；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以适当的偏离延伸方向。因此，不能排除碳纳米管膜的基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管中并列的碳纳米管之间可能存在部分接触而部分分离的情况。实际上，该碳纳米管膜具有较多间隙，即相邻的碳纳米管之间具有间隙，使该碳纳米管膜可以具有较好的透明度。然而，相邻碳纳米管之间接触的部分以及首尾相连的碳纳米管之间连接的部分的范德华力已经足够维持该碳纳米管膜整体的自支持性。该碳纳米管膜的厚度约为0.5纳米至100微米，优选为0.5纳米至10微米。当具有较窄宽度时，该碳纳米管结构40也可以是一可实现自支撑的碳纳米管线。 [0033] 所述自支撑是该碳纳米管膜或碳纳米管线不需要大面积的载体支撑，而只要一边或相对两边提供支撑力即能整体上悬空而保持自身膜状或线状状态，即将该碳纳米管膜或线置于（或固定于）间隔一定距离设置的两个支撑体上时，位于两个支撑体之间的碳纳米管膜或线能够悬空保持自身膜状或线状状态。所述自支撑主要通过碳纳米管膜或线中存在连续的通过范德华力首尾相连延伸排列的碳纳米管而实现。 [0034] 所述能够从中拉取碳纳米管膜的碳纳米管阵列10的制备方法已为众多前案公开，例如可参阅冯辰等人在2008年8月13日公开的中国专利申请CN101239712A。 [0035] 该代替基底30为固态，可以为柔性或硬质基底。该代替基底30具有一表面302，作为设置该碳纳米管阵列10的表面。将该碳纳米管阵列10从该生长基底20转移至该代替基底30这一过程中，该碳纳米管阵列10的形态应基本得到保持，以仍能够使该碳纳米管结构40从中连续地拉出为准，也就是仍保持为一超顺排碳纳米管阵列10。 [0036] 在保持该碳纳米管阵列10的形态的前提下，当该碳纳米管阵列10转移至该代替基底30后，该碳纳米管阵列10倒立设置于该代替基底30表面302。也就是该碳纳米管阵列10包括一第一表面102及与该第一表面102相对的第二表面104。碳纳米管110从生长基底20的表面202长出，形成碳纳米管阵列10，碳纳米管110靠近该生长基底20的一端为底端112，远离生长基底20的一端为顶端114。在该生长基底20上，该第一表面102由该碳纳米管阵列10中所有碳纳米管110的底端112共同形成，该第二表面104由该碳纳米管阵列10中所有碳纳米管110的顶端114共同形成，该碳纳米管阵列10的第一表面102靠近或设置在该生长基底20的表面202，为碳纳米管阵列10的生长底端，该第二表面104为远离该生长基底20的表面，为碳纳米管阵列10的生长顶端。当该碳纳米管阵列10转移至该代替基底30后，该碳纳米管阵列10的第二表面104靠近或设置在该代替基底30的表面302，该第一表面102为远离该代替基底30的表面。 [0037] 为了使碳纳米管阵列10在转移至该代替基底30后，仍然能够拉取碳纳米管结构40，可以使该代替基底30与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FBC)小于该碳纳米管阵列10中碳纳米管间的范德华力(FCC)。然而，该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FBC)应大于该生长基底20的表面202与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FAC)，才能使该碳纳米管阵列10可以从该生长基底20分离，转移至该代替基底30，即FAC [0038] 由于实际过程中该碳纳米管阵列10与该代替基底30之间仅通过接触而形成的结合力（即范德华力）可能较小，在本申请中，通过在碳纳米管110的顶端114形成所述包覆层120，提高该碳纳米管阵列10与该代替基底20的表面302之间的结合力FBC。也就是说，该包覆层120的材料可以选择为与该代替基底20的表面302具有较大结合力的材料，使该包覆层 120与该代替基底30的表面302之间的结合力(FBD)满足FAC 铁、钴、镍、钯、钛、铜、银、金等，该无机氧化物可以列举为氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化铜、氧化银、氧化钴、四氧化三铁等。该包覆层120为固体。该包覆层120可以具有合适的表面能，并且该代替基底30的表面302与该包覆层120之间可以具有合适的界面能，从而可以使代替基底30能够仅通过接触该包覆层120即与该包覆层120之间产生足够的结合力，如范德华力，使碳纳米管阵列10能够从生长基底20上拉离。该包覆层120的厚度为纳米级，优选为1纳米~20纳米，更为优选为1纳米~10纳米。 [0039] 可以理解，该包覆层120并非现有技术中常用的粘结剂。通过现有技术中常用的粘结剂虽然能够使FACFCC，使后续的拉取碳纳米管结构40的步骤无法进行。 [0040] 该包覆层120一对一的包覆该碳纳米管阵列10中的大多数或全部碳纳米管110的顶端114。可以理解，为了使形成有该包覆层120的碳纳米管阵列10仍可以拉出所述碳纳米管结构40，相邻的碳纳米管110的包覆层120之间的力应(FDD) 较小，使FAC [0041] 在该步骤S21中，该包覆层120的形成方法优选为采用蒸镀法、溅射法或沉积法形成于碳纳米管阵列10中的碳纳米管110的顶端114。本实施例中，该包覆层120为厚度约为2纳米的镍层。 [0042] 在该步骤S22中，通过所述接触，该代替基底30的表面302与该包覆层120之间可以仅通过范德华力结合。 [0043] 为了使FAC石英、硅、二氧化硅、塑料或树脂，如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。 [0044] 可以理解，在该步骤S22~S23中，该代替基底30始终保持固态。所述步骤S22及S23可以在常温下进行。在该步骤S21至S23中，应保持该碳纳米管阵列10的形态仍能够使该碳纳米管结构40可以从该碳纳米管阵列10中连续地拉出。 [0045] 请参阅图5，进一步地，在该步骤S22中，为了使该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10中的所有碳纳米管110的顶端114包覆层120得到充分的接触，可以使该代替基底30接触该碳纳米管阵列10的表面302与该生长基底20生长该碳纳米管的表面202之间的距离小于或等于该碳纳米管阵列10的高度，从而使该代替基底30轻微的对该碳纳米管阵列10施加压力。然而该代替基底30并非是将该碳纳米管阵列10中的碳纳米管110压倒，否则将改变碳纳米管阵列10的形态，使其无法再进行拉膜或拉线，因此该压力不能太大，也就是该代替基底30的表面302与该生长基底20的表面202之间的距离不能太近，即需要大于一极限距离，该极限距离是使碳纳米管阵列10被压至无法保持能够拉取碳纳米管结构40的形态的距离。通过限制该两个表面302与202之间的距离，可以保持该碳纳米管阵列10的形态为仍能够使该碳纳米管结构40从中连续地拉出。 [0046] 由于该压力不易控制，一旦稍大即会导致碳纳米管阵列10被压倒，并且该碳纳米管阵列10的高度一般只有几十微米至几百微米，在通过代替基底30转移该碳纳米管阵列10时，很难控制代替基底30与生长基底20之间的距离，因此可以在该代替基底30与该生长基底20之间设置该间隔装置60，通过该间隔装置60保持该代替基底30的表面302与该生长基底20的表面202之间的间隔距离不致过小。该间隔装置60在该代替基底30与该生长基底20之间的高度小于或等于该碳纳米管阵列10的高度，使该间隔装置60与该碳纳米管阵列10之间具有一高度差(x)，并且，该间隔装置60的高度大于使碳纳米管阵列10压倒至无法保持能够拉取碳纳米管结构40的形态的该极限距离。在该步骤S22中，该间隔装置60与该碳纳米管阵列10均设置在该代替基底30与该生长基底20之间。 [0047] 该间隔装置60为固态，优选为刚性元件，在该代替基底30的表面与该生长基底20之间提供一支撑，通过控制该间隔装置60的高度即可方便的保持该代替基底30与该生长基底20之间的精确距离。该间隔装置60的高度(m)可以为该碳纳米管阵列10的高度(n)的0.9倍~1倍，即m为0.9n~1n。 [0048] 可以理解，当该间隔装置60的高度小于该碳纳米管阵列10的高度时，该代替基底30可能会使该碳纳米管阵列10中原本直立的碳纳米管产生微小的弯曲，然而由于具有该间隔装置60，该弯曲程度较小，当将该代替基底30与该生长基底20分离的过程中，该碳纳米管阵列10仍能弹性回复原有的高度，并保持能够拉取碳纳米管结构40的形态。 [0049] 该间隔装置60可以设置在该生长基底20上。在另一实施例中，该间隔装置60也可以设置在该代替基底30上。另外，该间隔装置60也可以是代替基底30的一部分，即从该代替基底30表面上凸出的结构。该间隔装置60的形状不限，可以是块状、片状、柱状或球形，只要具有一合适的高度即可。该间隔装置60可以为多个，均匀分布在该碳纳米管阵列10的外围，从而为该生长基底20与该代替基底30之间提供稳定的间隔。在一实施例中，该间隔装置60为一圆环形垫圈，设置在该碳纳米管阵列10之外。在另一实施例中，该间隔装置60为多个圆柱形垫片，均匀分布在该碳纳米管阵列10的外围。 [0050] 如图6所示，在一实施例中，为了提高该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FBC)，使FAC吸附力，以提高FBC。 [0051] 该凸出的微结构304的高度或该凹陷的微结构304的深度优选为碳纳米管阵列10高度的0.5%~10%，更优选为5微米~100微米，也就是该表面302仍需要具有一定的平整度，以避免该碳纳米管阵列10设置在该代替基底30的表面302时难以与该表面302充分接触。该微结构304可以通过光刻、激光刻蚀或化学刻蚀等方法获得。 [0052] 通过在该代替基底30表面设置该微结构304，通过增大表面积的方式提高代替基底30与碳纳米管阵列10之间的结合力，拓宽了代替基底30的材料的选择范围。 [0053] 在该步骤S23中，在使该碳纳米管阵列10与该生长基底20分离的过程中，该碳纳米管阵列10中的所有碳纳米管110优选为同时脱离该生长基底20，也就是该代替基底30与该生长基底20中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底20的碳纳米管生长表面，使该碳纳米管阵列10中的碳纳米管110沿该碳纳米管110的生长方向脱离该生长基底20。当该代替基底30与该生长基底20均发生移动时，两者的移动方向均垂直于该生长基底20的碳纳米管生长表面。 [0054] 在该步骤S22~S23中，该碳纳米管阵列10先受到朝向该生长基底20方向的压力，再受到朝向该代替基底30的拉力。可以理解，在该步骤S22~S23中，该代替基底30始终保持固态。 [0055] 请参阅图7，本发明提供一种碳纳米管结构40的制备方法，除包括上述步骤S1至S2外，还进一步包括： [0056] S3，从该代替基底30上的碳纳米管阵列10拉取该碳纳米管结构40。 [0057] 请参阅图8，该步骤S3与传统的碳纳米管拉膜步骤的区别是，该碳纳米管膜是从转移至该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中，而非从直接在生长基底20表面的碳纳米管阵列10中进行拉取。在优选的实施例中，该碳纳米管膜是从倒立的设置在该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中进行拉取，也就是从碳纳米管阵列的原来的生长底部进行拉取。 [0058] 所述步骤S3具体包括以下步骤：S31，从该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中通过拉取工具50 选定一碳纳米管片段；S32，通过移动该拉取工具50，以一定速度拉取该选定的碳纳米管片段，从而首尾相连的拉出多个碳纳米管片段，进而形成一连续的碳纳米管结构40。 [0059] 在该步骤S31中，当需要拉取碳纳米管膜时，可采用具有一定宽度的胶带或粘性基条接触该碳纳米管阵列10以选定具有一定宽度的一碳纳米管片段；当需要拉取碳纳米管线时，可以采用端面较窄的工具，如镊子，选取宽度较窄的碳纳米管片段。在该步骤S32中，该选定的碳纳米管片段的拉取方向与该碳纳米管阵列10中碳纳米管的生长方向呈一不为0的角度a，优选为30度~90度。 [0060] 上述步骤S22有别于步骤S3，步骤S22的目的是使碳纳米管阵列10整体脱离该生长基底20，脱离后仍保持阵列10的形态。而在步骤S3的目的是从碳纳米管阵列10中拉取碳纳米管膜或线，因此并非使碳纳米管阵列10整体脱离代替基底30，而是先使一小部分碳纳米管，如碳纳米管片段，脱离代替基底30，再由该拉出的碳纳米管片段带动相邻的碳纳米管片段被首尾相连的拉出，即陆续脱离代替基底30。由于该包覆层120为单独包覆各个碳纳米管110，且该包覆层120与该代替基底20之间的结合力较小，因此从该碳纳米管阵列10中拉取碳纳米管结构40时，碳纳米管110可以首尾相连的从该碳纳米管阵列10中拉出。 [0061] 所述碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法中，在生长阶段与拉膜阶段，碳纳米管阵列设置于不同基底，作为拉膜阶段的基底可以选择廉价材料制造。因此，碳纳米管阵列的生产者可以将阵列转移至代替基底上，将代替基底连同阵列提供给客户，而较为昂贵的生长基底可迅速回收，从而优化了生产流程。因此，本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法对于碳纳米管膜和线在产业上的应用具有极为重要的意义，能够带来实际的成本降低及生产方式的变革。在转移碳纳米管阵列的过程中，通过在该碳纳米管顶端设置包覆层，增大了碳纳米管阵列与代替基底之间的结合力，使碳纳米管阵列更容易与该生长基底分离。 [0062] 另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

意见反馈