陶瓷-金属接合结构体以及用于制造它的方法 |
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| 申请号 | CN201480018140.X | 申请日 | 2014-03-20 | 公开(公告)号 | CN105073685A | 公开(公告)日 | 2015-11-18 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社; | 发明人 | 进藤崇; 佐藤正博; 吉田浩之; 木下直辉; 平山健太郎; 关直贵; | ||||
| 摘要 | 此陶瓷-金属接合结构体包括：由 氧 化物系陶瓷组成的陶瓷构件；含有Ni且主要包括Fe的包括末端的金属构件；在所述陶瓷构件上形成的 粘合剂 层；和钎焊材料。所述钎焊材料将所述粘合剂层接合至所述金属构件的所述末端上。所述粘合剂层包含能够与氧化物系陶瓷反应的活性金属并且具有1.5μm以下的厚度。在所述钎焊材料中，活性金属和Ni的金属间化合物存在于粘合剂层和所述末端之间。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种陶瓷-金属接合结构体，所述陶瓷-金属接合结构体包括： |
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| 说明书全文 | 陶瓷-金属接合结构体以及用于制造它的方法技术领域[0001] 本发明涉及陶瓷-金属接合结构体以及用于制造它的方法。 背景技术[0002] 陶瓷-金属接合结构体已经用于多种领域，所述陶瓷-金属接合结构体包括彼此钎焊的陶瓷材料的陶瓷构件和金属材料的金属构件。陶瓷-金属接合结构体，例如，可以用于电磁继电器、真空开关、和电子组件的外壳。 [0003] 图8示出了这种陶瓷-金属接合结构体的一个已知实例，并且在这个实例中，金属构件103和陶瓷构件102接合，同时与陶瓷构件102接触的反应层104和与金属构件103接触的钎焊材料105存在于金属构件103和陶瓷构件102之间(例如，参见JP 2001-220253 A(在下文中被称为专利文献1))。 [0004] 在专利文献1中公开的作为陶瓷-金属接合结构体的金属-陶瓷接合结构体100中，金属构件103含有Ni。在金属-陶瓷接合结构体100中，反应层104含有一种或多种类型的选自Ti、Zr和Hf的活性金属。金属-陶瓷接合结构体100通过第一钎焊步骤和随后的第二钎焊步骤制造。在第一钎焊步骤中，通过金属化在陶瓷构件102上形成反应层104。在第二钎焊步骤，用钎焊材料105将金属构件103和陶瓷构件102接合。 [0005] 专利文献1陈述了，抑制了包含活性金属和Ni的金属间化合物在金属-陶瓷接合结构体100的钎焊材料105内部形成，并且稳定和加强了金属构件103和陶瓷构件102之间的接合。 [0006] 存在通过使用较小量的钎焊材料形成陶瓷-金属接合结构体的需求。专利文献1的制造金属-陶瓷接合结构体100的方法需要第一钎焊步骤和第二钎焊步骤，并且因此倾向于难以减少用于反应层104和钎焊材料105的材料的用量。此外，在专利文献1的金属-陶瓷接合结构体100中，当减少用于反应层104和钎焊材料105的材料的用量时，钎焊材料105的钎焊缝(fillet)的尺寸可能会降低，这可能会导致钎焊材料105的钎焊缝部分地收缩的现象(在下文中被称为钎焊缝收缩)。在金属-陶瓷接合结构体100中，当钎焊材料105的钎焊缝收缩发生时，金属构件103和陶瓷构件102之间的接合可靠性可能会变差。 [0007] 发明概述 [0008] 已经考虑到以上情况做出了本发明，并且其一个目的是提出一种接合可靠性较高的陶瓷-金属接合结构体以及用于制造它的方法。 [0009] 根据本发明的陶瓷-金属接合结构体的第一方面包括：氧化物陶瓷的陶瓷构件、主要由Fe制成并且含有Ni并且包括末端的金属构件、在陶瓷构件上形成的粘合剂层，接合粘合剂层和金属构件的末端的钎焊材料。粘合剂层包含能够与氧化物陶瓷反应的活性金属并且具有等于或小于1.5μm的厚度。活性金属和Ni的金属间化合物存在于钎焊材料的内部，从而位于粘合剂层和金属构件的末端之间。 [0010] 在与第一方面组合而实现的根据本发明的陶瓷-金属接合结构体的第二方面中，金属构件由含有等于或小于30重量％的Ni的Fe-Ni合金制成。 [0011] 根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第一方面包括准备步骤、涂覆步骤、放置步骤和钎焊步骤。在准备步骤中，准备了氧化物陶瓷的陶瓷构件、包含能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的糊料、主要由Fe制成并且含有Ni的金属构件和包含Ag的金属材料。在涂覆步骤中，将糊料涂覆至陶瓷构件。在放置步骤中，将金属材料放置在糊料上并且将金属构件的末端放置在金属材料上。在钎焊步骤中，通过在减压下加热，通过使糊料中含有的活性金属与氧化物陶瓷反应而在陶瓷构件上形成粘合剂层，以及通过将金属材料熔化而形成钎焊材料，来将粘合剂层和金属构件的末端接合。 [0012] 在与用于制造它的方法的第一方面组合而实现的根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第二方面中，糊料含有具有等于或小于10μm的平均粒径的活性金属的粉末；并且，在涂覆步骤中，将糊料涂覆至陶瓷构件从而形成具有等于或小于20μm的厚度的层。 [0013] 在与用于制造它的方法的第一或第二方面组合而实现的根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第三方面中，活性金属是Ti、Zr和Hf中的任一种。 [0014] 在与用于制造它的方法的第一或第二方面组合而实现的根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第四方面中，糊料含有25重量％至35重量％的TiH2。 [0015] 在与用于制造它的方法的第一至第四方面中的任一个组合而实现的根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第五方面中，在钎焊步骤中，将糊料和金属材-1料在等于或小于10 Pa的压力下、在800℃至850℃范围内的温度加热。 [0016] 在与用于制造的方法的第一至第五方面中的任一个组合而实现的根据本发明的用于制造陶瓷-金属接合结构体的方法的第六方面中，在钎焊步骤中，进行加热，从而在钎焊材料内部形成活性金属和来自金属构件的Ni的金属间化合物，从而使其位于陶瓷构件和金属构件之间。 [0018] 图1是图示一个实施方案的一种陶瓷-金属接合结构体的示意性截面图。 [0019] 图2A至2E分别是解释用于制造该实施方案的陶瓷-金属接合结构体的方法的流程图。 [0020] 图3是图示该实施方案的另一种陶瓷-金属接合结构体的示意性截面图。 [0021] 图4是图示比较例1的陶瓷-金属接合结构体的示意性截面图。 [0022] 图5A至5F分别是解释用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体的方法的流程图。 [0023] 图6是图示比较例2的陶瓷-金属接合结构体的示意性截面图。 [0024] 图7是图示比较例3的陶瓷-金属接合结构体的示意性截面图。 [0025] 图8是图示常规金属-陶瓷接合结构体的放大示意图。 [0026] 实施方案描述 [0027] 将基于图1描述本实施方案的一种陶瓷-金属接合结构体10并且将基于图2A至2E描述用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法。注意，在图中相同构件分别由相同的数字表示。 [0028] 在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，陶瓷构件1和金属构件2通过粘合剂层3和钎焊材料4接合，以下将对其进行描述。陶瓷构件1由氧化物陶瓷制成。金属构件2主要由Fe制成并且含有Ni。换言之，金属构件2主要含有Fe并且还含有Ni。陶瓷-金属接合结构体10包括在陶瓷构件1的表面1aa上的粘合剂层3，其含有能够与氧化物陶瓷反应的活性金属，接合陶瓷构件1和钎焊材料4，并且具有等于或小于1.5μm的厚度。钎焊材料4与粘合剂层3和金属构件2的接合末端2b(末端)接触。陶瓷-金属接合结构体 10包括活性金属和Ni的金属间化合物4a1，其存在于钎焊材料4的内部从而沿着接合末端 2b的边缘延伸。 [0029] 因此，本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10可以是接合可靠性较高的。 [0030] 更具体地，在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，使用氧化物陶瓷作为陶瓷构件1的材料。氧化物陶瓷可以是具有含量以百分数计为92％的氧化铝(Al2O3)的陶瓷材料。注意，本实施方案的陶瓷构件1可以含有氧化铝并且还含有氧化硅、氧化钙、氧化镁、氧化钡、氧化硼、氧化锆等，其可以来自用于作为陶瓷构件1的基础的坯料板(green sheet)(未示出)的烧结添加剂。含有Ti作为活性金属的粘合剂层3在陶瓷构件1的表面1aa上形成。粘合剂层3含有能够与氧化物陶瓷反应的活性金属。具有等于或小于1.5μm的厚度的粘合剂层3在陶瓷构件1的表面1aa上形成。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，例如，具有1μm的厚度的粘合剂层3在陶瓷构件1的表面1aa上形成。注意，对于陶瓷-金属接合结构体10来说，例如，可以利用电子探针微分析仪(EPMA)、能量色散X射线分析仪(EDX)等来测量粘合剂层3的厚度。 [0031] 主要由Fe制成并且含有Ni的金属材料用于金属构件2的材料。在本实施方案中，将含有等于或小于30重量％的Ni的Fe-Ni合金用于金属构件2。换言之，优选的是，金属构件2由含有等于或小于30重量％的Ni的Fe-Ni合金制成。金属构件2可以由Fe-Ni-Co合金制成。金属构件2的Fe-Ni-Co合金可以是，例如，含有53.5重量％的Fe、29重量％的Ni、17重量％的Co、0.2重量％的Si和0.3重量％的Mn的合金。当从横截面的角度来看时，通过压制方法等将金属构件2的接合末端2b形成为向陶瓷构件1突出的凸起形状。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，当从横截面的角度来看时，使陶瓷构件1大于金属构件2的接合末端2b。 [0032] 在陶瓷-金属接合结构体10中，将粘合剂层3和金属构件2的接合末端2b用钎焊材料4接合。也就是说，陶瓷构件1和金属构件2用钎焊材料4和粘合剂层3接合。在本实施方案中，钎焊材料4含有Ag。钎焊材料4的材料可以是银焊料，其为作为Ag-Cu合金的Ag-Cu系合金。作为Ag-Cu系合金的银焊料可以是JIS-Z3261的银焊料(BAg-8(Ag∶Cu＝18∶7))。陶瓷-金属接合结构体10包括在钎焊材料4内部并且在金属构件2的接合末端2b和陶瓷构件1的表面1aa之间的金属间化合物4a1。金属间化合物4a1是，例如，由在钎焊材料4内部偏析的作为活性金属的Ti和在金属构件2中的Ni构成的金属的偏析层。在陶瓷-金属接合结构体10中，钎焊材料4与粘合剂层3和金属构件2的接合末端2b的边缘接触，同时金属间化合物4a1沿着金属构件2的接合末端2b的边缘延伸。也就是说，在陶瓷-金属接合结构体10中，陶瓷构件1和金属构件2通过粘合剂层3和钎焊材料4接合。在本实施方案中，陶瓷-金属接合结构体10包括钎焊材料4的钎焊缝4b，其具有从金属构件2向陶瓷构件1展开的形状。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，金属构件2和粘合剂层3接合从而金属构件2的接合末端2b以金属构件2的钎焊缝形成区域2bb埋入在钎焊材料4的钎焊缝4b中的方式被钎焊材料4覆盖。 [0033] 在下文中，将会参照图2A至2E解释用于制造上述陶瓷-金属接合结构体10的方法。 [0034] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，事先准备具有平滑的并且要成为接合表面的表面1aa的陶瓷构件1(参照图2A)。陶瓷构件1由氧化物陶瓷制成。具体地，用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法包括准备步骤，并且在准备步骤中，准备氧化物陶瓷的陶瓷构件1、包含能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的糊料3a、主要由Fe制成并且含有Ni的金属构件2和包含Ag的金属材料4a。 [0035] 接下来，用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括：将作为含有Ti作为能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的粘合剂层3的基础的糊料3a涂覆至陶瓷构件1的表面1aa的涂覆步骤(参见图2B)。糊料3a将是以下所述的钎焊步骤中的粘合剂层3。糊料3a含有Ti作为具有等于或小于10μm的平均粒径的活性金属的粉末。粉末可以是，例如，具有5μm的平均粒径的TiH2粉末。糊料3a可以是含有30重量％的TiH2粉末的有机粘合剂。 例如，TiH2粉末可以通过气体蒸发法形成。在气体蒸发法中，可以利用H2气体作为气氛气体生成金属氢化物粒子。具有在5nm至1μm范围内的平均粒径的粒子可以通过气体蒸发法形成。此外，例如，TiH2粉末还可以通过作为由纯净钛碎片制成的原料的钛材料的氢化而形成。TiH2粉末可以用筛子分级从而具有等于或小于10μm的平均粒径。TiH2粉末还可以通过适合的方法如沉淀法等分级从而具有等于或小于10μm的平均粒径。注意，平均粒径是指利用激光衍射粒径分布分析仪测量的50％平均粒径(d50)。激光衍射粒径分布分析仪是基于球当量直径借助激光散射法的测量，并且从而可以测量TiH2粉末的平均粒径。 [0036] 除了TiH2粉末之外，糊料3a还可以含有Sn-Ag-Cu粒子。注意，在糊料3a中含有的活性金属不限于Ti。活性金属可以是Ti、Zr和Hf中的任一种。在涂覆步骤中，例如，将糊料3a涂覆至陶瓷构件1从而形成具有15μm的厚度的层。用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法包括将含有TiH2粉末的糊料3a印刷至表面1aa上的丝网印刷步骤。通过丝网印刷，可以相对容易地将糊料3a涂覆至陶瓷构件1的表面1aa。不仅可以通过丝网印刷而且还可以通过分配涂覆作为粘合剂层3的基础的糊料3a。也就是说，用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法包括涂覆步骤。在涂覆步骤中，将糊料3a涂覆至陶瓷构件1。 [0037] 接下来，用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括将作为钎焊材料4的基础的金属材料4a放置在涂覆至陶瓷构件1的糊料3a上(参见图2C)。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，可以利用用于定位的钎焊夹具(未示出)将金属材料4a放置于糊料3a上。糊料3a存在于陶瓷构件1和金属材料4a之间，并且将金属构件2的末端2b放置于金属材料4a上。金属材料4a可以是，例如，具有0.1mm的厚度的金属箔。含有Ag的金属材料4a是钎焊材料4的基础材料并且可以是，例如，Ag-Cu系合金(Ag∶Cu＝18∶7)。也就是说，金属材料4a将是以下所述的钎焊步骤中的钎焊材料4。用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括：将金属构件2的末端2b放置在涂覆至陶瓷构件1的糊料3a上并且含有Ag的金属材料4a在其之间的放置步骤。换言之，在放置步骤中，将金属材料4a放置于糊料3a上并且将金属构件2的末端2b放置于金属材料4a上。 [0038] 接下来，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，将陶瓷构件1和金属构件2连同用于定位以将金属构件2安装并固定在金属材料4a上的钎焊夹具一起收容在加热炉30中(参见图2D)。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，加热炉30的内部处于减压气氛下，并且在使金属构件2保持与陶瓷构件1接触的同时进行热处理。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在用于钎焊的钎焊步骤中，将陶瓷构件1和金属构件2在预定气氛下、在预定温度在加热炉30保持预定的时间。也就是说，用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法包括钎焊步骤。在钎焊步骤中，在金属构件2的末端2b与金属材料4a接触的状态下，将陶瓷构件1、金属构件2、糊料3a和金属材料4a在减压下加热。 [0039] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在其中将加热炉30-1 -3中的真空度设定为相当于等于或小于1.0x10 Pa(例如，1.0x10 Pa)的减压气氛的条件下进行钎焊步骤。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，钎焊步骤的条件可以是加热炉30中的加热温度为820℃。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在其中在加热炉30中用于加热的连续时间为10分钟的条件下进行钎焊步骤。 [0040] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，为了通过熔化金属材料4a形成含有Ag的钎焊材料4，钎焊步骤中的加热温度优选落在800℃至850℃的范围内。 [0041] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当加热温度低于800℃时，钎焊材料4的可焊性倾向于不足，并且此外当加热温度高于850℃时，钎焊材料4的可焊性倾向于太高。当在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中钎焊材料4的可焊性太高时，钎焊材料4倾向于在金属构件2上爬升过高。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当含有Ag-Cu合金的钎焊材料4通过熔化金属材料4a形成时，钎焊步骤中用于加热的连续时间更优选落在5至30分钟的范围内。 [0042] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，钎焊步骤优选在减压气氛下进行-1并且钎焊步骤中的真空度优选等于或小于1.0x10 Pa。当在其中减压气氛中的真空度超过-1 1.0x10 Pa的条件下进行钎焊步骤时，易于引起糊料3a的润湿不良(wetting failure)。 在钎焊步骤中，当在大气中进行热处理时，在糊料3a中含有的活性金属可能会被氧化或氮化。当由含有被氧化或氮化的活性金属的糊料3a形成粘合剂层3时，倾向于难以形成稳定而没有特征的变化的粘合剂层3。也就是说，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在放置步骤之后在减压气氛中进行热处理。就用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法而言，通过热处理将在糊料3a中含有的活性金属扩散至氧化物陶瓷中，并且从而形成在陶瓷构件1上的粘合剂层3以接合陶瓷构件1和钎焊材料4。此外，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，通过热处理，在陶瓷构件1上形成粘合剂层3的同时将金属材料4a熔化。用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括：用于通过热处理钎焊陶瓷构件1上的粘合剂层3和金属构件2的末端2b的钎焊步骤。也就是说，在钎焊步骤中，通过在减压下加热，通过使糊料3a中含有的活性金属与氧化物陶瓷反应而在陶瓷构件1上形成粘合剂层3，以及通过将金属材料4a熔化而形成钎焊材料4，来将粘合剂层3和金属构件2接合。 [0043] 根据用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法，可以通过由将金属材料4a熔化而形成的钎焊材料4和粘合剂层3来接合陶瓷构件1和金属构件2。通过用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中的钎焊步骤在陶瓷构件1的表面1aa上形成粘合剂层3，并且此外通过在钎焊步骤中熔化金属材料4a而形成包括钎焊缝4b的钎焊材料4。 [0044] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在钎焊步骤完成之后，从加热炉30中取出陶瓷-金属接合结构体10并且除去钎焊夹具。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，可以制造在其中钎焊材料4与粘合剂层3和接合末端2b接触的陶瓷-金属接合结构体10(参照图2E)。也就是说，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，可以通过用钎焊材料4接合粘合剂层3和金属构件2来制造在其中将陶瓷构件1和金属构件2接合的陶瓷-金属接合结构体10。 [0045] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，通过钎焊步骤，将金属材料4a熔化，并且因此形成钎焊材料4，并且糊料3a成为含有活性金属的粘合剂层3。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，伴随着钎焊步骤，活性金属与陶瓷材料(氧化物陶瓷)在陶瓷构件1的表面1aa的界面(陶瓷构件1和糊料3a之间的界面)上反应。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，粘合剂层3中含有的活性金属与用于陶瓷构件1的陶瓷材料或在钎焊材料4中的金属组分的亲和力优异。因此，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，粘合剂层3可以牢固地将钎焊材料4和陶瓷构件1接合。 [0046] 换言之，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，由粘合剂层3和钎焊材料4将氧化物陶瓷的陶瓷构件1和主要由Fe制成并且含有Ni的金属构件2接合。用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括：将含有能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的糊料3a涂覆至陶瓷构件1的涂覆步骤。用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括：将含有Ag的金属材料4a放置在涂覆在陶瓷构件1上的糊料3a上并且将金属构件2的接合末端2b放置在金属材料4a上的放置步骤。此外，用于制造陶瓷-金属接合结构体 10的方法包括：用于通过熔化金属材料4a来钎焊陶瓷构件1上的粘合剂层3和金属构件2-1 的接合末端2b的钎焊步骤。在钎焊步骤中，将糊料3a和金属材料4a在1x10 Pa的减压气氛下、在800℃至850℃范围内的温度热处理。此外，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在钎焊步骤前将糊料3a涂覆至陶瓷构件1从而形成具有等于或小于20μm的厚度的层。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，糊料3a含有具有等于或小于10μm的平均粒径的活性金属的粉末以及25重量％至35重量％的TiH2。 [0047] 因此，用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法可以制造接合可靠性更高的陶瓷-金属接合结构体10。尽管未示出，当例如使用本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10作为电磁继电器的外壳时，可以通过将具有中空棱柱形状的陶瓷构件1和具有底部的具有中空棱柱形状的金属构件2用钎焊材料4接合而形成本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10。在这种陶瓷-金属接合结构体10中，具有底部的具有中空棱柱形状的金属构件2可以用钎焊材料4接合从而将具有中空棱柱形状的陶瓷构件1的开口端封闭。注意，本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10不限于在其中提供金属构件2从而在与陶瓷构件1的表面1aa垂直的方向上延伸的结构体。 [0048] 在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，如在图3中所示，可以将陶瓷构件1和金属构件2接合从而将金属构件2相对于陶瓷构件1的表面1aa的法线倾斜设置。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，即使将金属构件2相对于陶瓷构件1的表面1aa的法线倾斜设置，也可以抑制钎焊材料4的一部分中的钎焊缝4b的收缩。换言之，可以抑制钎焊材料4的钎焊缝4b的尺寸的减小。 [0049] 接下来，将会解释的是，参照图4和图5A至5F中所示的比较例1，通过用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法制造的陶瓷-金属接合结构体10具有增加的接合可靠性。在比较例1的陶瓷-金属接合结构体20中，通过钎焊材料24将包括反应层23的陶瓷构件21和金属构件22接合。 [0050] 在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，首先，准备包括平滑的表面21aa的陶瓷构件21(参见图5A)。就陶瓷构件21而言，用于陶瓷构件21的陶瓷材料与本实施方案中用于陶瓷构件1的陶瓷材料相同。 [0051] 接下来，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在表面21aa上形成作为含有Ti作为活性金属的反应层23的基础的糊料23a(参见图5B)。糊料23a与本实施方案的糊料3a相同。 [0052] 之后，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，将具有在其上形成具有100μm的厚度的糊料23a的表面21aa的陶瓷构件21放入加热炉31中并且热处理(参见图5C)。在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在将糊料23a钎焊至陶瓷构件21的第一钎焊步骤中，进行金属化以在陶瓷构件21的表面21aa上形成含有Ti作为活性金属的反应层23。就糊料23a而言，在第一钎焊步骤中通过作为热处理的结果的焚烧将糊料23a的有机粘合剂移除。通过这样做，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，可以在陶瓷构件21的表面上形成相对于钎焊材料24具有良好可焊性的反应层23。注意，在比较例1中反应层23具有30μm的厚度。 [0053] 接下来，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，从加热炉31中取出在其上形成反应层23的陶瓷构件21。在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，将金属构件22放置于在其上形成反应层23的陶瓷构件21上，并且银焊料的金属箔24a(参见图5D)在其之间。注意，与本实施方案一样，Ag-Cu系合金(Ag∶Cu＝18∶7)也用于金属箔24a。 [0054] 之后，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在其中将金属构件22放置于在其上形成反应层23的陶瓷构件21并且金属箔24a在其之间的条件下，在反应炉32中进行热处理(参见图5E)。在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在第二钎焊步骤中，用通过熔化金属箔24a形成的钎焊材料24将金属构件22钎焊至陶瓷构件21。 [0055] 在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在第二钎焊步骤完成之后，将陶瓷-金属接合结构体20冷却并且之后从反应炉32中取出。因此，可以制造在其中具有反应层23的陶瓷构件21和金属构件22用钎焊材料24接合的陶瓷-金属接合结构体20(参见图5F)。 [0056] 在如上所述形成的比较例1的陶瓷-金属接合结构体20中，需要两个钎焊步骤，即第一钎焊步骤和第二钎焊步骤。此外，在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，需要将钎焊步骤进行两次，并且因此难以减少钎焊材料24的总用量。 [0057] 相反，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，形成陶瓷构件1、金属构件2和与含有活性金属的粘合剂层3接触的钎焊材料4并且通过一次钎焊步骤将它们接合。 [0058] 在用于制造比较例1的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，在用于钎焊陶瓷构件21和金属构件22的钎焊步骤中，反应层23中含有的作为活性金属的Ti和来自金属构件 22的Ni可以在钎焊材料24内部反应，并且得到的反应混合物可以偏析。就比较例1的陶瓷-金属接合结构体20而言，活性金属的Ti和来自金属构件22的Ni的金属间化合物的偏析层24a1存在于钎焊材料24内部但是部分地暴露在钎焊材料24的表面上。金属间化合物可以，例如，由Ti-Ni系化合物如Ti2Ni、TiNi和Ni3Ti组成。在陶瓷-金属接合结构体 20中，在其中形成偏析层24a1的区域中，钎焊材料24的接合强度可能会变差，或者在陶瓷构件21和钎焊材料24之间的界面附近的接合强度可能会变差，因为缺少与用于陶瓷构件 21的陶瓷材料反应的活性金属。 [0059] 相反，在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，钎焊材料4与粘合剂层3和接合末端2b接触。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，作为金属偏析层的金属间化合物4a1存在于钎焊材料4的内部从而沿着金属构件2的接合末端2b的边缘延伸。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，在钎焊材料4内部的金属间化合物4a1不暴露在钎焊材料4的表面上。就陶瓷-金属接合结构体10而言，尚未揭示接合可靠性增加的原因。然而，认为放置于陶瓷构件1上并且特定的粘合剂层3在其之间的钎焊材料4将具有预定形状的金属间化合物4a1结合于其中，并且这引起了钎焊材料4内部应力的降低并且从而可以抑制接合可靠性的降低。 [0060] 此外，根据陶瓷-金属接合结构体10，即使钎焊材料4的用量减少，也可以抑制可以在比较例1的陶瓷-金属接合结构体20中观察到的在钎焊材料24的一部分处(参见图4中被虚线包围的区域)的钎焊缝24b的收缩的发生。在陶瓷-金属接合结构体10中，抑制了钎焊缝4b的收缩的发生，并且因此可以进一步提高陶瓷构件1和金属构件2之间的接合强度。此外，在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，将陶瓷构件1和金属构件2接合，并且因此可以在其中将陶瓷构件1和金属构件2接合的接合点获得高气密性。 [0061] 在下文中，将会进一步描述本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的每个组件。 [0062] 例如，陶瓷构件1可以在超过1000℃的高温使用，并且具有对化学品如硫酸、硝酸、苛性钠等的高耐腐蚀性、优异的抗热冲击性、低的热膨胀系数、耐磨性和电绝缘性。因此，例如，可以将陶瓷构件1用作电磁继电器、真空开关或电子组件等的外壳。根据预期用途，陶瓷构件1可以形成为多种形状如平板形和中空圆柱形或棱柱形状。陶瓷构件1由氧化物陶瓷制成。例如，陶瓷构件1可以由作为氧化物陶瓷并且含有氧化铝作为主要组分的氧化铝陶瓷制成。例如，陶瓷构件1可以由作为氧化铝陶瓷的具有以百分数计为92％的氧化铝的陶瓷材料制成。用于陶瓷构件1的材料不限于其氧化铝的含量以百分数计为92％的陶瓷材料。例如，也可以使用其氧化铝的含量以百分数计等于或大于96％的陶瓷材料作为用于形成陶瓷构件1的氧化铝陶瓷。除了氧化铝之外，陶瓷构件1还可以含有，例如，氧化硅、氧化钙、氧化镁、氧化钡、氧化硼、氧化锆等。陶瓷构件1包括平滑的表面1aa。可以通过抛光等提高陶瓷构件1的表面1aa的平滑度。 [0063] 金属构件2通过钎焊材料4接合到陶瓷构件1上的粘合剂层3。使金属构件2与包括陶瓷构件1的部分接触。也就是说，金属构件2与在陶瓷构件1上形成的粘合剂层3上的钎焊材料4接触。即使金属构件2在陶瓷构件1的表面1aa的对角线方向上伸出，也可以确保金属构件2和粘合剂层3之间的接合强度。优选的是，陶瓷构件1和金属构件2之间的线膨胀系数的差异相对较小，从而抑制了陶瓷构件1和金属构件2之间的热应力的出现。可以根据陶瓷-金属接合结构体10的预期用途使用耐热性和耐腐蚀性优异的金属构件2。主要由Fe制成并且含有Ni的金属材料用于金属构件2。换言之，金属构件2主要由Fe制成并且含有Ni。注意，金属构件2主要由Fe制成，这意味着金属构件2的金属材料的组分中的主要组分之一是Fe。就金属构件2而言，优选通过Fe-Ni合金例示出主要由Fe制成并且含有Ni的金属材料。例如，用于金属构件2的材料可以优选为含有等于或小于30重量％的Ni的Fe-Ni合金。在使用其氧化铝的含量以百分数计为92％的金属构件1的情况下，当用于金属构件2的金属材料是含有等于或小于30重量％的Ni的Fe-Ni合金时，陶瓷构件1的线膨胀系数接近金属构件2的线膨胀系数，并且因此可以抑制陶瓷上的破裂或裂纹等。更具体地，例如，用于金属构件2的材料可以优选为其主要组分为Fe的Fe-Ni-Co合金。例如，用于形成金属构件2的Fe-Ni-Co合金可以是含有54重量％的Fe、29重量％的Ni和17重量％的Co的Fe-Ni-Co合金。 [0064] 使用粘合剂层3，从而提高陶瓷构件1和钎焊材料4之间的接合。粘合剂层3含有活性金属。活性金属能够与用于陶瓷构件1的陶瓷材料的构成元素反应。活性金属的离子化倾向优选高于钎焊材料4的主要金属元素的离子化倾向。例如，当将氧化物陶瓷用作用于陶瓷构件1的陶瓷材料时，活性金属可以优选为金属元素如Ti、Zr和Hf。 [0065] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，例如，当将Ti用作活性金属时，在作为粘合剂层3的基础的糊料3a中含有的Ti与在用于陶瓷构件1的陶瓷材料中含有的O(氧)反应。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，钎焊材料4的与粘合剂层3的可焊性高于其的与陶瓷构件1的可焊性。因此，根据用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法，可以提高钎焊材料4和陶瓷构件1之间的接合强度。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，可以通过一次热处理形成粘合剂层3和钎焊材料4。 [0066] 当粘合剂层3中含有的活性金属的含量太小时，活性金属与用于陶瓷构件1的陶瓷材料(氧化物陶瓷)的反应倾向于不足。相反，当粘合剂层3中含有的活性金属过多时，钎焊材料4内部的金属间化合物4a1易于生长，并且因此接合强度倾向于变差。例如，粘合剂层3中含有的活性金属可以优选为具有与氧化物陶瓷的良好结合特征的Ti。此外，优选的是，作为粘合剂层3的基础的糊料3a含有TiH2粉末，从而增加了Ti与用于陶瓷构件1的陶瓷材料的反应。当作为粘合剂层3的基础的糊料3a含有TiH2粉末时，粘合剂层3可以抑制Ti的氧化或氮化。 [0067] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在钎焊步骤中，通过使用通过丝网印刷形成的糊料3a来形成粘合剂层3。在本实施方案中，糊料3a含有TiH2粉末。在本实施方案中使用的TiH2粉末具有等于或小于10μm的平均粒径。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，使用作为活性金属的Ti的氢化物，并且因此可以抑制钎焊步骤中的热处理导致Ti的氧化。此外，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法，抑制了作为活性金属的Ti的氧化，并且因此可以提高钎焊材料4与含有陶瓷构件1的部分的可焊性。此外，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，通过丝网印刷涂覆糊料3a，并且因此可以在陶瓷构件1的全部表面1aa上均匀地形成作为粘合剂层3的基础的糊料3a。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，可以提高钎焊材料4与陶瓷构件1的可焊性的均匀性。用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法不限于包括在陶瓷构件1的全部表面1aa上均匀地形成糊料3a的步骤的方法。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当从横截面的角度来看时，糊料3a可以在其上放置金属构件2的末端2b的陶瓷构件1的中心部分最厚并且可以向陶瓷构件1的外周部分变薄。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a的厚度在中心部分最厚并且向外周部分变薄时，可以缓解钎焊期间钎焊材料4中出现的应力。 [0068] 在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，糊料3a优选含有25重量％至35重量％的TiH2粉末。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有25重量％至35重量％的TiH2时，可以抑制钎焊材料4的钎焊缝4b的部分收缩并且促进钎焊材料4的钎焊缝4b的形成。在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，糊料3a含有25重量％至35重量％的TiH2，并且因此所制造的陶瓷-金属接合结构体10具有钎焊构件4与包括陶瓷构件1的部分的提高的可焊性以及钎焊构件4的钎焊缝4b的良好形状。 [0069] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有小于25重量％的TiH2时，倾向于难以控制糊料3a的粘度。此外，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有小于25重量％的TiH2时，TiH2粉末的分散性变差，并且倾向于难以在陶瓷构件1的表面1aa上均匀地形成糊料3a。作为结果，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，钎焊材料4与含有陶瓷构件1的部分的可焊性倾向于变差。 [0070] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有大于35重量％的TiH2时，作为活性金属的Ti和来自金属构件2的Ni在钎焊材料内部彼此反应并且这引起了偏析，并且钎焊材料4内部金属间化合物4a1的沉淀的量倾向于过度地增加。在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有大于35重量％的TiH2时，金属间化合物4a1的沉淀量大并且因此金属间化合物4a1倾向于暴露在钎焊材料4的表面上。作为结果，在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，当糊料3a含有大于35重量％的TiH2时，认为钎焊材料4的接合强度倾向于变差。 [0071] 在下文中，将会解释的是，参照比较例2和3，通过用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法制造的陶瓷-金属接合结构体10具有增加的接合可靠性。除了将金属构件22相对于陶瓷构件21的表面21aa的法线倾斜设置并且糊料23a含有10重量％的TiH2之外，以与比较例1相同的方式制造图6中所示的比较例2的陶瓷-金属接合结构体20。除了将金属构件22相对于陶瓷构件21的表面21aa的法线倾斜设置并且糊料23a含有65重量％的TiH2之外，以与比较例1相同的方式制造图7中所示的比较例3的陶瓷-金属接合结构体20。 [0072] 与用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法相比，在用于制造比较例2的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，糊料(未示出)仅含有10重量％的TiH2。因此，钎焊材料24与包括陶瓷构件21的部分的可焊性倾向于不足。 [0073] 因此，当通过使用含有10重量％的TiH2的糊料制造陶瓷-金属接合结构体20时，陶瓷-金属接合结构体20中的钎焊材料24的钎焊缝24b可能会部分地收缩(参见图6中被虚线包围的区域)。就陶瓷-金属接合结构体20而言，当钎焊材料24的钎焊缝24b的部分收缩发生时，倾向于难以通过充当陶瓷构件21和金属构件22在其处接合的部分的钎焊材料24来确保气密性。 [0074] 与用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法相比，在用于制造比较例3的陶瓷-金属接合结构体20的方法中，糊料23a含有65重量％的TiH2，并且因此钎焊材料24的可焊性倾向于太高。当陶瓷-金属接合结构体20中的钎焊材料24的可焊性太高时，对于钎焊材料24来说倾向于难以在金属构件22上爬升。 [0075] 因此，当通过使用含有65重量％的TiH2的糊料制造陶瓷-金属接合结构体20时，陶瓷-金属接合结构体20中的钎焊材料24的钎焊缝24b可能会变小(参见图7中被虚线包围的区域)。此外，就陶瓷-金属接合结构体20而言，当通过使用含有65重量％的TiH2的糊料制造陶瓷-金属接合结构体20时，在钎焊材料24内部形成过量的金属间化合物(未示出)，并且因此金属间化合物可能会暴露在钎焊材料24的表面上。就陶瓷-金属接合结构体20而言，当在钎焊材料24内部形成过量的金属间化合物时，钎焊材料24的接合强度倾向于降低。作为结果，在比较例3的陶瓷-金属接合结构体20中，当陶瓷-金属接合结构体20用于密封时，可靠性可能会变差。 [0076] 鉴于以上，在用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法中，优选的是，糊料3a含有25重量％至35重量％的粉末TiH2。 [0077] 钎焊材料4能够将陶瓷构件1上的粘合剂层3和金属构件2接合。可以根据用于陶瓷构件1、金属构件2和粘合剂层3的材料适当地选择用于钎焊材料4的材料。例如，作为钎焊材料4的基础的金属材料4a可以是Ag-Cu系合金。钎焊材料4可以是Ag-Cu合金或含有Sn的Ag-Cu合金。备选地，钎焊材料4可以是含有Li的Ag-Cu合金。更优选的是，钎焊材料4具有钎焊缝形状，从而覆盖金属构件2的接合末端2b并且从金属构件2向陶瓷构件1展开。 [0078] 钎焊材料4可以优选由与粘合剂层3的活性金属的可焊性或亲和力优异并且具有与粘合剂层3的活性金属类似的组成的金属材料4a制成。Ag-Cu系合金的金属材料4a具有相对低的熔点和与金属构件2的良好接合性。 [0079] 在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，将金属构件2的接合末端2b形成为向陶瓷构件1突出的凸起形状和向外部凸出的曲面形状。在陶瓷-金属接合结构体10中，接合末端2b处于向外部凸出的曲面形状，并且因此可以提高金属构件2与钎焊材料4的可焊性。就陶瓷-金属接合结构体10而言，接合末端2b处于向外部凸出的曲面形状，这使得提高金属构件2与钎焊材料4的可焊性成为可能，并且因此可以抑制钎焊材料4的钎焊缝4b的部分收缩。 [0080] 注意，在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，接合末端2b的形状不限于向外部凸出的曲面形状，但是接合末端2b可以是向陶瓷构件1逐渐变小的形状并且包括平面(例如，面对陶瓷构件1的平面)。在本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10中，当接合末端2b是向陶瓷构件1逐渐变小的形状并且包括平面时，可以提高金属构件2与钎焊材料4的可焊性。就陶瓷-金属接合结构体10而言，接合末端2b包括平面，这使得提高金属构件2与钎焊材料4的可焊性成为可能，并且因此可以抑制钎焊材料4的钎焊缝4b的部分收缩。 [0081] 总而言之，根据本发明的一个实施方案的陶瓷-金属接合结构体10是在其中陶瓷构件1和金属构件2通过钎焊材料4接合的陶瓷-金属接合结构体10。陶瓷构件1由氧化物陶瓷制成。金属构件2主要由Fe制成并且含有Ni。在陶瓷构件1的表面上形成的是用于接合陶瓷构件1和钎焊构件4的粘合剂层3。粘合剂层3含有能够与氧化物陶瓷反应的活性金属。粘合剂层3具有等于或小于1.5μm的厚度。钎焊材料4接触粘合剂层3和金属构件2的末端2b。陶瓷-金属接合结构体10包括活性金属和Ni的金属间化合物4a1，其存在于钎焊材料4的内部从而沿着接合末端2b的边缘延伸。 [0082] 在陶瓷-金属接合结构体10中，优选的是，金属构件2由含有等于或小于30重量％的Ni的Fe合金制成。 [0083] 换言之，本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10包括以下第一特征。 [0084] 在第一特征中，陶瓷-金属接合结构体10包括：氧化物陶瓷的陶瓷构件1；主要由Fe制成并且含有Ni并且包括末端2b的金属构件2；在陶瓷构件1上形成的粘合剂层3；和将粘合剂层3和金属构件2的末端2b接合的钎焊材料4。粘合剂层3包含能够与氧化物陶瓷反应的活性金属并且具有等于或小于1.5μm的厚度。活性金属和Ni的金属间化合物4a1存在于钎焊材料4的内部，从而位于粘合剂层3和金属构件2的末端2b之间。 [0085] 此外，本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10任选地包括以下第二特征。 [0086] 在第二特征中，金属构件2由含有等于或小于30重量％的Ni的Ni-Fe合金制成。 [0087] 此外，用于制造根据本发明的一个实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法是包括以下的用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法：通过钎焊材料4将氧化物陶瓷的陶瓷构件1和主要由Fe制成并且含有Ni的金属构件2接合。该方法包括：将含有能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的糊料3a涂覆至陶瓷构件1的涂覆步骤；将金属构件2的末端2b放置在涂覆至陶瓷构件1的糊料3a上同时含有Ag的金属材料4a存在于末端2b和糊料3a之间的放置步骤；以及在放置步骤之后，通过在减压气氛下加热，通过将糊料3a中含有的活性金属扩散至氧化物陶瓷中形成粘合剂层3而将陶瓷构件1和钎焊材料4接合并且将金属材料4a熔化，来将陶瓷构件1上的粘合剂层3和金属构件2的接合末端2b接合的钎焊步骤。 [0088] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，糊料3a含有具有等于或小于10μm的平均粒径的活性金属的粉末。在涂覆步骤中，优选的是，将糊料3a涂覆至陶瓷构件 1从而形成具有等于或小于20μm的厚度的层。 [0089] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，优选的是，活性金属是Ti、Zr和Hf中的任一种。 [0090] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，优选的是，糊料3a含有25重量％至35重量％的TiH2。 [0091] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在钎焊步骤中，优选的是，糊料3a-1和金属材料4a在等于或小于10 Pa的减压气氛下、在800℃至850℃范围内的温度加热。 [0092] 在用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法中，在钎焊步骤中，通过包含活性金属和来自金属构件2的Ni的金属间化合物4a1的钎焊材料4来钎焊陶瓷构件1和金属构件2。 [0093] 换言之，用于制造本实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法包括以下第三特征。 [0094] 在第三特征中，用于制造陶瓷-金属接合结构体10的方法包括准备步骤、涂覆步骤、放置步骤和钎焊步骤。在准备步骤中，准备氧化物陶瓷的陶瓷构件1、包含能够与氧化物陶瓷反应的活性金属的糊料3a、主要由Fe制成并且含有Ni的金属构件2和包含Ag的金属材料4a。在涂覆步骤中，将糊料3a涂覆至陶瓷构件1。在放置步骤中，将金属材料4a放置于糊料3a上并且将金属构件2的末端2b放置于金属材料4a上。在钎焊步骤中，通过在减压下加热，通过使糊料3a中含有的活性金属与氧化物陶瓷反应而在陶瓷构件1上形成粘合剂层3；以及通过将金属材料4a熔化而形成钎焊材料4，来将粘合剂层3和金属构件2的末端2b接合。 [0095] 此外，除了第三特征之外，用于制造本发明的实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法还任选地包括以下第四特征。 [0096] 在第四特征中，糊料3a含有具有等于或小于10μm的平均粒径的活性金属的粉末。在涂覆步骤中，将糊料3a涂覆至陶瓷构件1从而形成具有等于或小于20μm的厚度的层。 [0097] 此外，除了第三特征之外，用于制造本发明的实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法还任选地包括以下第五特征。具有第三和第五特征的用于制造它的方法还可以包括第四特征。 [0098] 在第五特征中，活性金属是Ti、Zr和Hf中的任一种。 [0099] 此外，除了第三特征之外，用于制造本发明的实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法还任选地包括以下第六特征。具有第三和第六特征的用于制造它的方法还可以包括第四特征。 [0100] 在第六特征中，糊料3a含有25重量％至35重量％的TiH2。 [0101] 此外，除了第三特征之外，用于制造本发明的实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法还任选地包括以下第七特征。具有第三和第七特征的用于制造它的方法还可以包括第四至第六特征中的任何一个或多个。 [0102] 在第七特征中，在钎焊步骤中，将糊料3a和金属材料4a在等于或小于10-1Pa的压力下、在800℃至850℃范围内的温度加热。 [0103] 此外，除了第三特征之外，用于制造本发明的实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法还任选地包括以下第八特征。具有第三和第八特征的用于制造它的方法还可以包括第四至第七特征中的任何一个或多个。 [0104] 在第八特征中，在所述钎焊步骤中，进行加热，从而在钎焊材料4内部形成活性金属和来自金属构件2的Ni的金属间化合物4a1，从而使其位于陶瓷构件1和金属构件2之间。 [0105] 因此，根据本发明的一个实施方案的陶瓷-金属接合结构体10可以是接合可靠性较高的。 [0106] 此外，用于制造根据本发明的一个实施方案的陶瓷-金属接合结构体10的方法可以制造接合可靠性较高的陶瓷-金属接合结构体10。 |
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