复合振膜的制作方法 |
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| 申请号 | CN201310739464.X | 申请日 | 2013-12-27 | 公开(公告)号 | CN103731793A | 公开(公告)日 | 2014-04-16 |
| 申请人 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司; 瑞声精密制造科技(常州)有限公司; | 发明人 | 朱秉科; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供了一种复合振膜的制作方法，该方法包括以下步骤：提供一 硅 基材层，将所述硅基材层进行等离子处理；将所述硅基材层的上表面进行表面活化处理；提供一聚醚醚 酮 层；将所述硅基材层的上表面与所述聚醚醚酮层 热压 贴合。该复合振膜有效的提高了产品的声学性能。 | ||||||
| 权利要求 | |||||||
| 说明书全文 | 复合振膜的制作方法【技术领域】 [0001] 本发明涉及一种复合振膜，特别涉及一种用于电声器件的复合振膜的制作方法。 【背景技术】 [0002] 随着市场需求的不断提高，电子器件如手机等逐渐向薄型化方向发展，而且要求其声音质量越来越好，这就要求手机中的声学器件向着微型、薄型、高音质的方向发展。振膜是扬声器等声学器件的核心部件，对其声学性能的要求也就随之提高。 [0003] 与本发明相关的振膜是用同一材料做成的单层，这种结构使得振膜的强度不高，使得声学性能不好。 [0004] 因此，有必要提供一种新的振膜来克服上述缺点。【发明内容】 [0005] 本发明需解决的技术问题是提供一种声学性能更好的复合振膜。 [0006] 本发明提供一种复合振膜的制作方法，该方法包括以下步骤： [0007] 提供一硅基材层，将所述硅基材层进行等离子处理； [0008] 将所述硅基材层的上表面进行表面活化处理； [0009] 提供一聚醚醚酮层； [0010] 将所述硅基材层的上表面与所述聚醚醚酮层热压贴合。 [0011] 本发明具有以下优点：由于将硅基材层与所述聚醚醚酮层贴合，硅基材层与聚醚醚酮层都是耐高温的材料，且两者的热膨胀系数近似，使得硅基材层与聚醚醚酮层比较容易贴合，由此提高了复合振膜的可靠性，增强了复合振膜的声学性能。 【附图说明】 [0012] 图1是本发明提供的复合振膜的剖视图。【具体实施方式】 [0013] 下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。 [0014] 如图1所示，为本发明提供的一种复合振膜1，其包括硅基材层和贴合于所述硅基材层11的上表面的聚醚醚酮层12（PEEK，polyetheretherketone），所述复合振膜1的制作方法包括如下步骤： [0015] 提供一硅基材层11，将所述硅基材层11进行等离子处理； [0016] 将所述硅基材层11的上表面进行表面活化处理； [0017] 提供一聚醚醚酮层12； [0018] 将所述硅基材层11的上表面与所述聚醚醚酮层12热压贴合。 [0019] 由于硅与聚醚醚酮都是比较耐高温的材料，且两者的热膨胀系数近似，比较容易热压贴合，因此，采用硅基材层11和聚醚醚酮层12制作的复合振膜1不但耐高温，并且可靠性高，由此增强了所述复合振膜1的声学性能。 [0020] 以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。 |
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