[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求于2013年9月30日提交的韩国专利申请第2013-0116189号的优先权和权益，其公开内容通过引用的方式全部纳入本说明书中。

[0003] 本申请涉及一种用于有机电子器件(OED)的基板、一种制造所述基板的方法及其用途。

[0004] OED为包括至少一层例如有机材料层的器件，所述有机材料层可传导电流。OED的类型包括有机发光器件(OLED)、有机光伏电池、有机光导体(OPC)或有机晶体管。

[0005] 通常，OLED——其为代表性的OED——依次包括基板、第一电极层、有机层和第二电极层。OLED可分类为顶部发光器件(top emission device)、底部发光器件(bottom emission device)和两侧发光器件(both-side emission device)。在被称为底部发光器件的结构中，第一电极层可形成为透明电极层，并且第二电极层可形成为反射电极层；在被称为顶部发光器件的结构中，第一电极层可形成为反射电极层，并且第二电极层可形成为透明电极层；以及在被称为两侧发光器件的结构中，第一电极层和第二电极层均可为透明电极层。通过电极层注入的电子(electron)和空穴(hole)可在存在于有机层中的发光层中重新结合，从而产生光。

[0006] 最近，对于柔性OLED的关注日益增加引起了在OLED结构中用塑料基板代替玻璃基板的技术需求的增加。

[0007] 然而，塑料基板易受水和氧气的渗入。特别地，当制造包括使用塑料基板的OLED的显示器件时，水和氧气由基板渗入，导致缩短了OLED的寿命。

[0008] 通常，为防止水和氧气渗入至塑料基板，在塑料基板的表面上形成单独的无机阻挡层，或使用其中无机金属层和有机层叠加的结构或其中多层无机阻挡层借助压敏粘合剂层而叠加的结构。然而，尽管有这种结构，但是由于阻挡层的部分结晶，阻挡层和塑料基板间的粘合强度降低；或由于水的渗入而无法满足OLED显示器所需的水蒸气透过率(WVTR)。

[0009] [参考文献]

[0010] 参考文献1：美国专利第6,226,890号

[0011] 参考文献2：美国专利第6,808,828号

[0012] 参考文献3：日本公开专利第2000-145627号

[0013] 参考文献4：日本公开专利第2001-252505号发明内容

[0014] 技术问题

[0015] 本发明旨在提供一种用于OED的基板、一种制造所述基板的方法及其用途。

[0016] 解决问题的方式

[0017] 通常，塑料基板的阻气性(gas barrier property)通过下述方式获得：在塑料基板上形成单层无机阻挡层，或使无机层/有机层叠加、或使用粘合剂层使无机阻挡层叠加。

[0018] 然而，由于阻挡层的部分结晶，阻挡层和塑料基板间的粘合强度降低；或由于水的渗入而无法满足包括OED的显示器所需的水蒸气透过率(WVTR)。

[0019] 本申请的一个方面，提供一种用于OED的基板，其通过在基底膜(base film)上形成包括厚度为几nm或更小的亚层的无机材料层以防止无机材料层的结晶，从而满足包括OED的显示器所需的WVTR和氧气透过率。

[0020] 本发明的OED的示例性基板可包括柔性基底膜和无机材料层。图1为在基底膜1上形成无机材料层2的情形的示意图。此处，无机材料层可在基底膜的一个表面上形成。本申请的无机材料层包括具有至少两层或更多薄层的多层结构，并且可通过在制造过程中抑制结晶性而具有优异的物理性质，例如阻挡性。此外，可形成具有例如高折射率的物理性质的无机材料层，该物理性质难以通过采用多层结构而在具有阻挡性的无机材料层中得到。

[0021] 应用于本申请的基板的柔性基底膜的类型没有特别限制。例如，柔性基底膜可为这样的柔性层：其具有在本领域中已知通常用于实现作为基底膜的柔性器件的性质，例如，0.05至5000或0.5至2500MPa的弹性模量。

[0022] 这种基底膜的代表性的实例为聚合物膜。所述聚合物膜可为但不限于包含下述材料的膜：三乙酰纤维素、亚乙基乙烯醇(vinylalcohol)、聚偏二氯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚(酰胺酸)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯、环烯烃共聚物、聚苯乙烯、聚醚砜、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚酰胺或聚砜。

[0023] 作为基底膜，为改善与无机材料层的界面粘合性，可使用向其中引入能与无机材料层发生反应的官能团的一种材料。例如，官能团如羟基、氨基或羧基可与由将在下文中描述的ALD方法形成的无机材料层发生化学反应，从而获得如上所述的优异的粘合力。将上述官能团引入至基底膜的方法没有特别限制，并且例如，当形成基底膜的聚合物包括上述官能团、不包括官能团、或包括仅仅少量的官能团时，所述官能团可通过用电晕放电或等离子体处理来处理基底膜的表面而被引入。为了确保合适的界面粘合性，可控制引入官能团的比率。

[0024] 作为基底膜，可使用透光膜。例如，在将用于OED的基板应用于底部发光器件时，可使用透光基底膜，例如相对于可见光区的光具有的透射率为50％、60％、70％或更高的聚合物膜。同时，当用于OED的基板应用于顶部发光器件时，所述基底膜不一定为透光膜，并且在需要时，可在基底膜A表面上使用反射材料(如铝)而形成反射层。基底膜可以是薄膜晶体管(TFT)基底膜，其中存在有驱动TFT。

[0025] 当将基板应用于底部发光器件时，可使用具有雾度(haze)的基板。当基板具有雾度时，基底膜的雾度可在3％至90％的范围内。雾度的另一个下限可为，例如约85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、45％、40％、35％或30％。即，本申请的基板可具有的雾度为
3％至30％。

[0026] 向基底膜提供雾度的方法没有特别限制，并且可应用常规地用于产生雾度的方法。例如，当基底膜为聚合物膜时，可应用下述方法：添加具有不同于周边聚合物基体的折射率且具有合适的平均粒径的散射颗粒的方法；或将可产生雾度的单体(例如显示与聚合物的主链的折射率范围不同的折射率的单体)聚合成聚合物并且使用这种聚合物来形成膜的方法。

[0027] 所述基底膜的热膨胀系数(CTE)为约5至70ppm/℃。该范围可有利于防止在有机材料层和无机材料层混合的结构中产生层间分层的缺点。

[0028] 基底膜的玻璃化转变温度为约200℃或更高。该玻璃化转变温度可为基底膜本身的玻璃化转变温度，或为具有将在下文中描述的缓冲层的基底膜的玻璃化转变温度。该范围适合于在制造OED过程中用于沉积或图案化的高温过程。在另一个实施例中，所述玻璃化转变温度可为约210℃、220℃、230℃、240℃或250℃或更高。玻璃化转变温度的上限可为，但不特别地限于，例如约400℃、350℃或300℃。

[0029] 基底膜的表面粗糙度(RMS，均方根)可控制在0.1至5nm的范围内。所述表面粗糙度可为基底膜本身的表面粗糙度，或为缓冲层表面的表面粗糙度，所述缓冲层将在下文中描述并且形成于基底膜上。该表面粗糙度范围可有利于改善形成于基底膜上的层的性能。例如，当使所形成的无机材料层具有阻挡性时，如果无机材料层在具有上述表面粗糙度范围的表面上形成，则该无机材料层可具有更优异的防水性。在另一个实施例中，所述表面粗糙度可为约4、3、2.5或2nm或更小。

[0030] 基底膜的折射率为约1.5、1.6、1.7、1.75或1.8或更大。除非另有说明，在本文中所用的术语“折射率”为由波长约550nm的光测量的折射率。在OLED中，基底膜的折射率的范围可有利于增加器件的光效率。基底膜的折射率的上限可为，但不特别地限于，例如约2.0。

[0031] 基底膜的这种高折射率可通过下述方式实现：使用具有高折射率的聚合物来制造基底膜；或在制造基底膜的过程中，将具有高折射率的组分掺入膜中。

[0032] 基底膜的厚度没有特别限制，并且考虑到所需的性能，例如柔性、光提取效率或阻挡性，可在合适的范围内进行选择。例如，基底膜的厚度可为约10至50μm或20至30μm。

[0033] 无机材料层存在于基底膜上。在本文中所用的术语“无机材料层”可为，例如包括基于重量计的50％或60％或更多的无机材料的层。所述无机材料层可仅包括无机材料或可包括不同的组分，例如有机材料，只要所包括的无机材料在上述范围内即可。

[0034] 无机材料层可为例如阻挡层。本文中所用的术语“阻挡层”为可防止、抑制、或减少外界因素(例如水或蒸汽)的渗入的层，所述外界因素可对器件如有机材料层的性能产生不良的影响。例如，阻挡层可为具有10-6至10-3g/m2/天的WVTR的层。在本文中所用的术语“WVTR”可为在40℃和90％的相对湿度下使用测量器(例如PERMATRAN-W3/W31,MOCON,Inc.)所测得的值。

[0035] 阻挡层可用已知能减少、防止或抑制外界因素(如水和氧气)渗入的材料而形成。这种材料可包括金属，如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Zr、Hf、Zn、Al、Si、La、Ti或Ni；金属氧化物；金属氮化物；金属氮氧化物；金属氟化物；具有1％或更高吸水率的吸水材料；或具有0.1％或更小的吸收系数的防潮材料。

[0036] 当无机材料层由一般的沉积方法形成时，进行结晶——其为材料的性质——的可能性很高，并且所需的WVTR可能因无机材料层的部分结晶而无法获得。然而，当使用下述方法中的任一种方法时，可防止无机材料层的结晶并且可获得包括用于OED的基板的产品所需的WVTR：形成将在下文中使用氧化物层(如金属氧化物)形成的无机材料层的方法；多次形成薄层的方法；在重复形成过程中控制相邻的具有不同材料的亚层的方法；形成不同的材料的各亚层的方法，然而所述各亚层为氧化物层如金属氧化物。

[0037] 合适的是，无机材料层与基底膜的折射率具有最小的差。在这种情况下，特别地，这可有助于形成具有优异的光提取效率的基板。例如，无机材料层和基底膜之间的折射率的差的绝对值可为约1、0.7、0.5或0.3或更小。因此，当基底膜具有上述高折射率时，无机材料层的折射率也应达到相当的水平。例如，无机材料层的折射率可为约1.8、1.85、1.9或2.0或更高。在本申请中，当应用基板的OED为OLED时，基底膜的折射率的范围可有利于增加器件的光效率。无机材料层的折射率的上限可为但不特别地限于，例如约2.2。即，本申请的无机材料层的折射率可为1.8至2.2。

[0038] 无机材料层的厚度可根据所需用途的效果来确定，并且在一个实施例中，厚度的范围可为，但不特别地限于，约10nm至100nm、10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至70nm、10nm至60nm、10nm至50nm或20nm至50nm。

[0039] 无机材料层可具有单层或多层结构，但应为多层结构以满足如上所述的结晶度。多层结构可包括将相同类型或不同类型的无机材料层进行叠加的结构。在多层结构中，无机材料层的形成可有助于形成具有上述界面粘合性和上述结晶度的无机材料层。此外，在多层结构中，无机材料层的形成可有助于形成具有上述折射率的无机材料层。

[0040] 当无机材料层在多层结构中形成时，可包括其中叠加了至少第一亚层和第二亚层的结构。考虑到无机材料层所需的界面粘合性、结晶度、阻挡性和折射率，可控制第一亚层和第二亚层的厚度。例如，可将第一亚层和第二亚层的厚度控制在7、6、5、4、3或2nm或更小的范围内。亚层的厚度的下限没有特别限制。亚层的厚度越小，则对于控制界面粘合性、结晶度、阻挡性和折射率的贡献就越大。然而，亚层的厚度越小，则为达到所需厚度所需要的工艺数就越多。因此，考虑到所需的厚度，亚层的厚度的下限可设置在合适的范围内，并且可将其控制在例如约0.1nm或更大的范围内。

[0041] 考虑到界面粘合性、结晶度、阻挡性和折射率，可将在具有多层结构的无机材料层中所包括的所有亚层的厚度控制在上述范围内。在这种情况下，无机材料层可不包括具有厚度为10nm、9nm或8nm且优选大于7nm的亚层。

[0042] 在无机材料层中所包括的亚层的数目没有特别限制。亚层的数目可根据亚层的厚度和无机材料层的所需厚度来确定。在一个实施例中，无机材料层可包括2至50个亚层。在该范围内，无机材料层可包括4、6、8、或10个或更多的亚层。此外，在上述范围内，无机材料层可包括45、40、35、30、25、20或15个或更少的亚层。当无机材料层包括3个或更多的亚层时，所有的亚层可为第一亚层和第二亚层，并且此外，还可包括第三亚层或更高序列的亚层。

[0043] 亚层可由多种材料形成，但为了有助于界面粘合性、结晶度、阻挡性和折射率，可由上述用于形成无机材料层的材料形成，所述材料为，例如金属，如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Zr、Hf、Zn、Al、Si、La、Ti或Ni；金属氧化物；金属氮化物；金属氮氧化物；或金属氟化物。因此，第一亚层和第二亚层可为氧化物层、氮化物层或氮氧化物层。在需要时，在无机材料层中所包括的所有亚层可由氧化物形成。在这种情况下，对氧化物的类型没有特别限制，并且可适当地选自能形成阻挡层的上述氧化物。在亚层中，彼此接触的那些亚层可有助于界面粘合性、结晶度、阻挡性以及折射率，只要这些亚层由不同的材料形成即可。因此，当第一亚层和第二亚层彼此接触时，其可由不同的材料——例如不同的氧化物、氮化物或氮氧化物——形成。即使当无机材料层包括如上所述的第三亚层、第四亚层或更高次序的亚层时，彼此接触的亚层也可由不同的材料例如不同的氧化物形成。

[0044] 第一亚层可具有第一折射率，并且第二亚层可具有不同于第一折射率的第二折射率。当将这种层叠加时，其可有利于确保上述效果并且将无机材料层的折射率控制在上述范围内。第一折射率和第二折射率之间的差的绝对值可为例如0.1或更大。在另一个实施例中，该绝对值可为0.2、0.3、0.4、0.5或0.6或更大。此外，在另一个实施例中，该绝对值可为2、1.8、1.6、1.4或1.2或更小。对第一折射率和第二折射率的各范围没有特别限制，只要能确保折射率的范围即可。然而，例如第一亚层的折射率可在1.4至1.9的范围内，并且第二亚层的折射率可在2.0至2.6的范围内。第一亚层和第二亚层可分别为金属氧化物层。

[0045] 更具体而言，包括该材料和形状的阻挡层可具有下述结构：其中，例如，作为第一亚层的Al2O3层和作为第二亚层的TiO2层，通过连续重复地依次形成Al2O3层和TiO2层而交替叠加于基底膜上。此外，作为第二亚层，除TiO2层以外，可形成满足上述折射率范围的由例如ZrO2、HfO2、La2O5或TaO5形成的层。

[0046] 无机材料层或各亚层可通过已知的方法形成，但是为了确保界面粘合性，优选无机材料层或各亚层通过原子层沉积(ALD)形成。所述ALD可包括使前体如无机金属和前体如水在粘附体表面上交替沉积的过程，在该过程中，可交替形成前体的单层。将提供更详细的说明。当基底膜中包括预定的官能团例如上述羟基基团时，通过ALD形成的层可在其形成中与官能团进行反应，从而确保所需的界面粘合性。除非另有明确说明，所述ALD层可指通过ALD形成的无机材料层。

[0047] 除了ALD之外，可应用于形成无机材料层或亚层的方法可包括物理气相沉积法(PVD)如溅射；脉冲激光沉积法(PLD)；电子束蒸发法；热蒸发法；或激光分子束外延法(L-MBE)；或者化学气相沉积法(CVD)，如金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)、引发化学气相沉积法(CVD)或等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)。在需要时，可根据待用的材料选择上述方法中合适的一种方法，从而使无机材料层的性能最大化。

[0048] 本发明的另一个方面提供一种包括用于OED的基板的OED。

[0049] 所述OED可包括：例如，用于OED的基板，其包括基底膜和无机材料层；和器件区，其具有第一电极层、有机材料层和第二电极层，并存在于用于OED的基板的无机材料层上。

[0050] 作为第一电极层和第二电极层，可使用在OED中常规使用的空穴注入电极层或电子注入电极层。电极层可为透明电极层或反射电极层。

[0051] 空穴注入电极层可由例如具有相对高的功函数(work function)的材料形成，并且在需要时，可由透明材料或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可包括具有约4.0eV或更大的功函数的金属、合金、导电化合物或其至少两种的混合物。这种材料可为：金属，如金；CuI；氧化铟锡(ITO)；氧化铟锌(IZO)；氧化锌锡(ZTO)；铝或铟掺杂的氧化锌；氧化镁铟；氧化镍钨；氧化物，如ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物，如氮化镓；金属硒化物，如硒化锌；或金属硫化物，如硫化锌。透明的空穴注入电极层也可由金属薄膜如Au、Ag或Cu和高折射率的透明材料如ZnS、TiO2或ITO叠加形成。

[0052] 空穴注入电极层可通过如沉积、溅射、化学沉积或电化学方法的任意方式形成。此外，根据其用途所形成的电极层可以通过已知的光刻法或使用荫罩(shadow mask)的方法进行图案化。

[0053] 电子注入电极层可例如使用具有相对低的功函数的材料形成，且可使用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明材料或反射材料形成，但本申请并不限于此。所述电子注入电极层也可通过例如沉积、溅射形成，或在需要时可合适地进行图案化。

[0054] 电极层可形成为具有例如约90nm至200nm、90nm至180nm或90nm至150nm的厚度。

[0055] OED中所包括的基板可进一步地包括中间层，所述中间层介于电极层和无机材料层之间、介于无机材料层和基底膜之间、或如果无机材料层具有多层结构则介于预定的亚层之间。这种中间层在23℃下可具有20GPa或更大的弹性模量。在另一个实施例中，弹性模量可为30、40或50GPa或更大。弹性模量的上限可为，但不特别地限于，例如约200、180、140、120或100GPa或更小。这种中间层可用于减少在无机材料层和电极层间所产生的应力，从而有助于耐久性。

[0056] 中间层可由无机材料、有机材料、或有机/无机复合材料形成，其具有上述的弹性模量。作为用于形成中间层的材料，可使用TiO2、Si3N4、MgO、Al2O3、ZnO或ZrO2。

[0057] 中间层可由多种方法形成。然而，为了控制达到上述弹性模量、膜品质、界面粘合性和折射率的能力，中间层可由上述的ALD、MLD或iCVD形成。因此，中间层可为ALD层、MLD层或iCVD层。如上所述，ALD层意指由ALD形成的层，并且MLD层或iCVD层分别意指由MLD或iCVD形成的层。此处，MLD与ALD非常相似，并且在该过程中，可沉积包括有机材料或无机材料的分子碎片。例如，无机/有机复合材料可通过用MLD使能形成无机组分的材料和液体如乙二醇或氧源进行交替沉积而形成，从而可有效地控制弹性模量。iCVD为使用引发剂的聚合物气相沉积法，并且根据材料，极好的中间层可通过采用该方法来形成。

[0058] 中间层的厚度可通过考虑所需效果例如弹性模量来确定，但本申请没有特别限制。

[0059] 中间层可由例如具有约1.47至1.7的低折射率的材料形成，或由具有1.8或更高的高折射率的材料形成。当所述中间层由低折射率的材料形成时，无机材料层可具有例如约1.8或更高的高折射率以有助于光提取效率。

[0060] 示例性的OED可包括含基底膜和无机材料层的基板、第一电极层、有机材料层、第二电极层、第二无机材料层和覆盖膜，其沿顶部方向依次存在。所述层可为相邻层间的直接叠加而没有不同的层，或可借助不同的层进行叠加。

[0061] 除非另有说明，本文中所用的术语“顶部方向”是指从第一电极层到第二电极层的方向，并且本文中所用的术语“底部方向”是指从第二电极层到第一电极层的方向。

[0062] 在下文中，在本说明书中，为了便于说明，在以上结构中，将包括存在于第一电极层以下的所有部分(不包括第一电极层)的区域称为基板区，将包括第一电极层、第二电极层和于这两个电极层之间存在的所有部分称为器件区，将包括存在于第二电极层上的所有部分(不包括第二电极层)的区域称为上部区。

[0063] 基板区的雾度可在3％至90％、3％至85％、3％至50％或3％至30％的范围内。这种雾度范围可有利于例如增加光提取效率。在需要时，为了更高的光提取效率，如将在下文中描述的，也可控制另一个因素如发光层和电极层之间的间隙。然而，当将该结构设计为从有机层向顶部方向发射光时，基板区的雾度不一定必须在上述范围内。为了控制基板区的雾度，可控制基板区中的基底膜的雾度，或可应用将在下文中描述的散射层或散射粘合剂。

[0064] 基板区可包括附加层。作为额外地存在于基板区域的层，可使用散射层、缓冲层、载体基板、阻挡膜或粘合剂层。

[0065] 可形成缓冲层以确保间层粘合性或控制上述基底膜的表面粗糙度。散射层在基底膜上形成时，例如缓冲层可于其上形成，或在阻挡层和第一电极层之间形成，但本申请没有限制。如下所述，在需要时，缓冲层可在上部区形成。在本说明书中，为便于区分，在基板区中形成的缓冲层可为第一缓冲层，并且在上部区形成的缓冲层可为第二缓冲层。

[0066] 缓冲层可形成为高折射层。本文中所用术语“高折射层”可为具有约1.6、1.65、1.7或1.75或更高的折射率的层。高折射层的折射率的上限可为，但不特别地限于，例如约2.5或2.0。这样的折射率可有利于提高例如光提取效率。

[0067] 缓冲层可由能有效地形成缓冲层，并且能合适地确保界面粘合性或平坦度的合适的材料形成，而没有特别限定。缓冲层可由以下材料形成：例如，金属如Al；无机材料，如SiOx、SiOxNv、SiNx、AlOx、ZnSnOx、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO或SnOx；聚酰亚胺；具有芴环的卡尔多(caldo)树脂；氨基甲酸乙酯；环氧化物；聚酯；聚(酰胺酸)；聚酰亚胺；聚乙烯亚胺；聚乙烯醇；聚酰胺；聚硫醇；聚((甲基)丙烯酸酯)；或有机材料如有机硅。此处，作为有机硅，可使用在无机层类别中所引用的化合物或包括作为聚合单元的该化合物的聚合物。在另一个实施例中，缓冲层可由通过下述过程制备的材料形成：将金属(如锆、钛或铈)的醇盐或酰化物(acylate)的化合物与具有极性基团(如羧基或羟基)的粘合剂混合。醇盐或酰化物的化合物可与粘合剂的极性基团缩合，并且将金属包含在粘合剂的主链中，从而实现了高折射率。作为醇盐或酰化物的化合物的实例，可以使用钛醇盐，如四正丁氧基钛、四异丙氧基钛、四正丙氧基钛、或四乙氧基钛；钛酰化物，如硬脂酸钛；钛螯合物；锆醇盐，如四正丁氧基锆、四正丙氧基锆、四异丙氧基锆或四乙氧基锆；锆酰化物，如三丁氧基硬脂酸锆；或锆螯合物。

[0068] 缓冲层可以通过由上述材料中选择合适的材料而形成。当缓冲层需要具有高折射率时，可以使用的材料为：选自上述材料的具有高折射率的材料；或通过使由此选择的合适的材料与高折射颗粒混合而制备的材料；或通过向上述材料中引入高折射材料如Ti前体而制备的材料。在本文中所用的术语“高折射颗粒”可以为，例如折射率为1.5、2.0、2.5、2.6或2.7或更高的颗粒。高折射颗粒的折射率的上限可以为，例如选自可满足所需的折射率的范围。高折射颗粒的平均粒径可为，例如，约1nm至100nm、10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至
70nm、10nm至60nm、10nm至50nm或10nm至45nm。高折射颗粒可为氧化铝、硅酸铝、氧化钛或氧化锆。作为高折射颗粒，可以使用例如折射率为2.5或更高的金红石型氧化钛的颗粒。与普通颗粒相比，金红石型氧化钛可具有相对高的折射率，因此即使所用比例相对较低，也可以控制以具有所需的折射率。

[0069] 形成缓冲层的方法可为，但不特别限于，例如PVD和CVD，以及特别是iCVD中的适当的一种。在另一个实施例中，缓冲层可以通过以下过程形成：将金属醇盐(如钛醇盐或锆醇盐)与溶剂(如醇或水)混合而制备涂料溶液，施用该涂料溶液，然后进行各种湿法或干法涂覆法，所述涂覆法包括在适当的温度下使经涂覆的溶液塑化的溶胶-凝胶涂覆法。

[0070] 缓冲层的厚度没有特别限制，并且考虑到缓冲层的形成位置和所需的功能可进行适当地选择。例如，与缓冲层在基底膜上形成时相比，当缓冲层在散射层上形成以确保平坦表面时，它具有相对大的厚度。

[0071] 基板区可进一步包括散射层以确保合适的雾度。本文中所用的术语“散射层”可为，所形成的能使入射于散射层上的光散射、折射或衍射的所有类型的层。对得到的具有上述功能的散射层的形状没有特别限制。

[0072] 例如，散射层可为包含基体材料和散射区的层。本文中所用的术语“散射区”可为这样的区域：例如具有与基体材料或其他周围材料如缓冲层不同的折射率，并且具有合适的大小，从而可使入射光发生散射、折射或衍射。散射区可为，例如颗粒或空间。例如，散射区可使用具有与周围材料不同、且比周围材料更高或更低的折射率的颗粒来形成。散射颗粒的折射率与周围材料(如基体材料和/或缓冲层)的折射率之差可大于0.3或为0.3或更大。例如，散射颗粒可具有约1.0至3.5或1.0至3.0的折射率。散射颗粒可具有例如1.0至1.6或1.0至1.3的折射率。在另一个实施例中，散射颗粒可具有约2.0至3.5或2.2至3.0的折射率。散射颗粒的平均粒径可为例如50、100、500或1,000nm或更大。散射颗粒的平均粒径可为例如10,000nm或更小。散射区也可以由具有上述大小的空间形成，所述空间中填充有空气。

[0073] 散射颗粒或散射区可以球形、椭圆形、多边形或不定形的形状形成，但其形状并没有特别限定。作为散射颗粒，可使用例如包含下述材料的颗粒：有机材料，如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸树脂或其衍生物、硅树脂或其衍生物、或酚醛树脂或其衍生物；或无机材料，如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆。散射颗粒可仅由上述材料中的任一种或由其至少两种形成。例如，作为散射颗粒，还可使用中空颗粒或具有核/壳结构的颗粒，如中空二氧化硅(hollow silica)。散射层可进一步包括维持散射区的基体材料如散射颗粒。可使用的基体材料的类型可为，但不特别地限于，例如选自用于形成缓冲层的上述材料中的合适材料。

[0074] 在另一个实施例中，散射层可为具有凹凸结构的层。对散射层的凹凸结构可进行适当地控制，并且在需要时，当具有合适的折射率的缓冲层于其上形成时，可使入射光发生散射。具有凹凸结构的散射层可通过以下过程制造：通过例如在固化时，使热固化或光固化材料与可转印所需形状的凹凸结构的模具接触时固化，或者预先形成用于形成散射层的材料，之后通过蚀刻工艺来形成具有所需形状的凹凸结构。在另一种方法中，散射层可通过将具有合适大小和形状的颗粒混入用于形成散射层的粘合剂中来形成。在这种情况下，颗粒不一定是必须具有散射功能的颗粒，但也可为具有散射功能的颗粒。

[0075] 散射层可通过例如涂覆法(如湿涂法或干涂法)、或沉积法(如PVD或CVD)形成，或者，可通过纳米压印或微压印(microembossing)来形成。

[0076] 作为可包括在基板区中的另一层，可以使用阻挡膜。与使用具有优异阻挡性的性质的材料的基板(如玻璃基板)的刚性结构相比，在柔性结构中，可以应用具有相对低的阻挡性的基底膜，因此，为了补偿阻挡性，额外的阻挡膜可以存在于例如基底膜下。作为阻挡膜，当需要时，可以使用能确保合适的阻挡性和透射率的阻挡膜，而没有特别限制。

[0077] 阻挡膜可例如使用粘合剂层而粘附于基底膜上。本文中所用的术语“粘合剂层”包括通常称为粘合剂的材料，以及使用称为压敏粘合剂的材料和称为压敏粘合剂/粘合剂的材料而形成的层。用于形成粘合剂层的材料可为，但不特别地限于，例如已知的压敏粘合剂/粘合剂材料，如丙烯酸聚合物、硅聚合物、基于橡胶的聚合物、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)聚合物；或烯烃聚合物，如聚异丁烯(PIB)。

[0078] 合适的防水材料可与粘合剂层混合。在下文中，本文中所用的术语“与防水材料混合的粘合剂层”可为具有阻挡性的粘合剂层。本文中所用的术语“防水材料”为可用作通过物理或化学反应吸收或除去由外界环境中引入的水或水蒸气的组分。可与粘合剂层混合的防水材料的具体类型可为，但不特别限于，例如以下的一种或其至少两种的混合物：金属氧化物、有机金属氧化物、金属盐和五氧化二磷(P2O5)。在此，金属氧化物的具体实例可为：氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO)；以及金属盐的具体实例可为，但不限于：硫酸盐如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)，金属卤化物如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)，或金属氯化物如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)。

[0079] 合适的散射颗粒可混入粘合剂层中，从而使粘合剂层表现出合适的雾度。当粘合剂层表现出雾度时，可提高光提取效率。对可混入粘合剂层中的散射颗粒的类型没有特别限制，并且考虑到形成粘合剂层的树脂的折射率，合适的类型可以从包括在散射层中的散射颗粒中进行选择。

[0080] 作为可存在于基板区的另一层，可以使用临时地或永久地粘附于基底膜下部的载体基板。通常，作为载体基板，可以使用刚性基板如玻璃基板。

[0081] 基板区可以各种结构形成。例如，基板区可具有以下结构：第一无机层和基底膜在底部方向上依次形成的结构；缓冲层和/或散射层在第一无机层和基底膜之间形成的结构；或在需要时，通过粘合剂层将载体膜或阻挡膜粘附于基底膜下的结构。

[0082] 有机材料层存在于第一电极层和第二电极层之间。有机材料层可包括至少一个或两个发光单元。在这种结构中，从发光单元产生的光可经过反射电极层的反射而发射至透明电极层。

[0083] 当存在至少两个发光单元时，为了合适的发射，中间电极层或电荷产生层还可存在于多个发光单元之间。因此，发光单元可以通过中间电极层或具有电荷产生特征的电荷产生层分开。

[0084] 构成发光单元的材料没有特别限制。具有各种发射中心波长的荧光或磷光有机材料是本领域中已知的，合适的类型可以从这类已知的材料中选择，从而形成发光单元。用于发光单元的材料可以为，但不限于：基于Alq的材料，如三(4-甲基-8-喹啉)铝(III)(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3；环戊二烯衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺环-FPA、PhTDAOXD(Ph3Si)或1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(PPCP)；4,4’-双(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-二苯基(DPVBi)、二苯乙烯基苯或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、fac-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]铱(III)(FIrppy)或双(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)铱(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac))。发光层可包括上述材料作为主体，以及主体-掺杂剂体系(host-dopant system)，其包括苝、二苯乙烯基联苯、DPT、喹吖啶酮、红荧烯、BTX、ABTX或DCJTB作为掺杂剂。

[0085] 所述发光单元还可通过使用合适的一种具有发光特征的化合物形成，所述化合物选自电子接受有机化合物(electron accepting organic compound)或电子给予有机化合物(electron donating organic compound)，其将在随后进行描述。

[0086] 有机材料层形成于各种结构中，所述结构可进一步包括本领域中已知的各种功能层，只要其包括发光单元即可。作为能够包括于有机材料层中的层，可以使用电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层。所述电子注入层或电子传输层可以使用例如电子接受有机化合物形成。此处，作为电子接受有机化合物，可以使用已知的任选的化合物，而没有特别限制。作为这类有机化合物，可以使用：多环化合物，如对三联苯或四联苯或其衍生物；多环烃化合物，如萘、并四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蒄(coronene)、(chrysene)、蒽、二苯基蒽、并四苯(naphthacene)或菲或其衍生物；或杂环化合物，如菲咯啉、红菲咯啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪或其衍生物。此外，可使用下述物质作为包含在低折射层中的电子接受有机化合物：荧光素、苝、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthaloperynone)、萘苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛连氮、二苯并噁唑啉、联苯乙烯、吡嗪、环戊二烯、8-羟基喹啉(oxine)、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、硫代吡喃、聚甲炔、部花青、喹吖啶酮、红荧烯或其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1988-295695号、日本专利公开申请第1996-22557号、日本专利公开申请第
1996-81472号、日本专利公开申请第1993-009470号或日本专利公开申请第1993-017764号中公开的金属螯合物络合物化合物，例如，具有至少一种金属螯合的类8-羟基喹啉化合物的金属络合物，如8-羟基喹啉作为配体(coordinator)，包括三(8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙及其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1993-202011号、日本专利公开申请第
1995-179394号、日本专利公开申请第1995-278124号或日本专利公开申请第1995-228579号中公开的噁二唑化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1995-157473号中公开的三嗪化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-203963号中公开的二苯乙烯衍生物；二苯乙烯亚芳基衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-132080号或日本专利公开申请第1994-88072号中公开的苯乙烯基衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-
100857号或日本专利公开申请第1994-207170号中公开的二烯烃衍生物；荧光增白剂，如苯并噁唑化合物、苯并噻唑化合物或苯并咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物，如1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、
4-双(2-乙基苯乙烯基)苄基、1,4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(4-联苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二次甲基(dimethylidine)化合物，如1,4-亚苯基二次甲基、4,4’-亚苯基二次甲基、
2,5-二甲苯二次甲基、2,6-亚萘基二次甲基、1,4-联亚苯基二次甲基、1,4-对四亚苯基二次甲基、9,10-蒽二基二次甲基、或4,4’-(2,2-二-叔丁基苯基乙烯基)联苯或4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)联苯、或其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-49079号或日本专利公开申请第1994-293778号中公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-279322号或日本专利公开申请第1994-279323号中公开的多官能苯乙烯基化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-107648号或日本专利公开申请第1994-
092947号中公开的噁二唑衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-206865号中公开的蒽化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-145146号中公开的8-羟基喹啉盐(oxinate)衍生物；在专利公开如日本专利公开申第请1992-96990号中公开的四苯基丁二烯化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1991-296595号中公开的有机三官能化合物；
在专利公开如日本专利公开申请第1990-191694号中公开的香豆素衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-196885号中公开的苝衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-255789号中公开的萘衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-289676号或日本专利公开申请第1990-88689号中公开的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或在专利公开如日本专利公开申请第1990-250292号中公开的苯乙烯基胺衍生物。此外，在此处，所述电子注入层可使用例如材料如LiF或CsF形成。

[0087] 空穴阻挡层可为能够通过阻止所注入的空穴经由发射层接近电子注入电极层来优化器件的寿命和效率的层，并且在需要时，可以使用已知材料在发光层和电子注入电极层之间的合适部分形成。

[0088] 空穴注入层或空穴传输层可包括例如电子给予有机化合物。作为电子给予有机化合物，可以使用N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基联苯、2,2-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-对甲苯基-4,4’-二氨基联苯、双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-双(二苯基氨基)四苯基、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-双(4-二-对三氨基苯基)环己烷、1,1-双(4-二-对三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(对甲苯基)胺、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯、N-苯基咔唑、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对三联苯、4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯、4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对三联苯、4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(1-蒄基)-N-苯基氨基]联苯、2,6-双(二-对甲苯基氨基)萘、2,6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4”-双[N,N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2,6-双[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴、或4,4”-双(N,N-二-对甲苯基氨基)三联苯,或芳基胺化合物如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本申请不限于此。

[0089] 空穴注入层或空穴传输层可以通过将有机化合物分散于聚合物中而形成，或者可以使用由有机化合物衍生的聚合物而形成。此外，还可使用：π-共轭聚合物，如聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物；空穴传输非共轭聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)；或聚硅烷的σ-共轭聚合物。

[0090] 空穴注入层可使用导电聚合物如金属酞菁(如铜酞菁)或非金属酞菁、碳膜和聚苯胺而形成，或可通过使用芳基胺化合物作为氧化剂而与路易斯酸反应而形成。

[0091] 有机层的具体结构没有特别限制。用于形成空穴或电子注入电极层和有机层(例如发射层、电子注入或传输层、或空穴注入或传输层)的各种材料和方法是本领域中已知的，并且对于制造有机电子器件而言，可以使用所述所有方法。

[0092] OED的上部区可包括无机材料层和覆盖膜，其在顶部方向上依次形成。为了区分该无机材料层和用于OED的基板的无机材料层，可将包括在上部区中的无机材料层称为第二无机材料层，包括在基板中的无机材料层称为第一无机材料层。

[0093] 存在第二无机材料层以防止、抑制或减少外界物质的渗入，从而获得耐久性，并且具体的材料和形成方法可类似于在第一无机材料层类别中所述的那些。然而，当将第二无机材料层设计为向基板区发光时，则不一定要形成与第一无机材料层一样具有高折射率的第二无机材料层。

[0094] 存在于第二无机材料层上的覆盖膜可为用于保护OED的结构，其为例如已知的阻挡层、金属板、或导电膜、或其至少两种的叠加结构。在上部区中的覆盖膜可通过粘合剂层——例如上述具有阻挡性的粘合剂层——粘附于第二无机材料层的上表面。

[0095] 本发明的又一个方面提供OED(例如OLED)的用途。所述OLED可有效地应用于液晶显示器(LCD)的背光源、照明设备、传感器、打印机或复印机的光源、汽车仪表的光源、信号灯、指示灯、显示器件、平面发光器件的光源、显示器、装饰品或其他种类的灯具。

[0096] 在一个实施方案中，本申请涉及一种包括OLED的照明器件。在将OLED应用于照明器件或用于不同的用途时，对构成器件的其他组分或构成器件的方法没有特别限制，但相关领域中已知的所有任选材料或方法均可使用，只要其可用于OLED即可。

[0097] 本申请的又一个方面提供一种制造用于OED的基板的方法。

[0098] 即，本申请可涉及一种制造用于OED的基板的方法，其包括在基底膜上通过形成具有7nm或更小厚度的第一亚层和第二亚层的叠加结构而形成无机材料层。用于OED的基板可通过形成具有7nm或更小厚度的亚层来防止无机材料层的结晶，并且确保所需的WVTR例如在10-6至10-3g/m2/天的范围内。

[0099] 在不受限制的情况下，构成无机材料层的亚层可由OED中所述的所有材料制造，以具有这样的厚度范围：该厚度可通过包括上述用于形成多层膜的ALD的已知方法中的任一种而防止无机材料层的部分结晶。

[0100] 即，本申请的无机材料层可通过使用形成无机材料层的上述方法中的任一种或至少两种而形成。例如，无机材料层可通过以下方法形成：使用上述用于形成亚层的材料和ALD而形成第一亚层，然后使用与第一亚层不同的材料和ALD重复地形成第二亚层。

[0101] 形成无机材料层的方法的实例，即ALD的原理，可解释为使用气体型物质如AX和BY作为源材料，将由固体物质如AB形成的薄膜沉积，产生气体型副产物如XY，化学反应式简单地示于反应式1中。

[0102] [反应式1]

[0103] AX(气)+BY(气)→AB(固)+XY(气)

[0104] 即，根据ALD，提供气体型AX物质吸附于基板的表面，剩余的AX用惰性物质如氩气除去，并且提供气体型BY物质与吸附于基板的AX反应。之后，可重复进行除去剩余BY和副产物XY的过程。

[0105] 根据ALD，无机材料层可在基底膜上形成所需的厚度，并且可防止无机材料层的部分结晶。

[0106] 特别地，可使用ALD形成7nm或更小厚度的本申请的无机材料层的第一亚层和第二亚层。由于这种厚度，可防止所需无机材料层的部分结晶。

[0107] 此外，可交替形成第一亚层和第二亚层，从而形成具有多层结构的无机材料层。

[0108] 考虑到第一电极层和基底膜的折射率的上述范围，可适当地选择无机材料层对于550nm波长的折射率，并且作为一个实例，无机材料层的折射率可为1.8至2.2。折射率的范围可根据基底膜的折射率、亚层的厚度以及用于形成亚层的材料的类型而确定。

[0109] 通过制造用于OED的基板的方法制造的用于OED的基板可获得适当的WVTR以用于包括OED的显示器中，并且与已知的无机阻挡层的单层结构或借助粘合剂层使多个无机阻挡层叠加的结构相比，可提供具有优异的WVTR、优异的光学特征以及改善的耐久性的用于OED的基板。

[0110] 发明的效果

[0111] 本申请可提供一种用于OED的基板、一种制造所述基板的方法及其用途。本申请的基板包括柔性基底膜和无机材料层，并且所述无机材料层包括至少两个薄层的多层结构。这样的无机材料层通过抑制结晶性而可以具有优异的物理性质，例如阻挡性。此外，通过使用多层结构，可形成的无机材料层具有除了阻挡性之外的难以由常规无机材料层实现的物理性质，例如高折射率。
附图说明

[0112] 图1为用于OED的示例性基板的示意图；以及

[0113] 图2和3为实施例和对比实施例中无机材料层的图像。

[0114] 在下文中，将参考根据本发明的实施例和并非根据本发明的对比实施例对本申请的示例性实施方案进行更详细地说明。然而，本申请的范围不限于如下公开的实施方案。

[0115] 1.测量WVTR的方法

[0116] 用于OED的基板的WVTR通过根据PERMATRAN-W3/31(MOCON,Inc.)手册，在40℃和90％相对湿度下，操作包括无机材料层的基板的试样(10cm×10cm)进行测量。

[0117] [实施例1]

[0118] 无机材料层通过下述方法在柔性基底膜例如聚酰亚胺(PI)膜上形成为阻挡层。首先，将PI膜沉积在载体基板上，该载体基板为有机基板，然后通过ALD形成无机材料层。通过在各层单独沉积时，使具有约1.6至1.8的折射率的Al2O3层和具有约2.0至2.4的折射率的TiO2层交替沉积来形成具有约1.8至2.2的最终折射率的无机材料层。Al2O3层通过本领域中已知的ALD在约200℃下交替地吸附作为前体的三甲基铝层和水(H2O)层而形成，以及TiO2层通过本领域中已知的ALD在约200℃下交替地吸附作为前体的TiCl4层和水(H2O)层而形成。所形成的无机材料层的结构包括Al2O3层(厚度：4.5mm)/TiO2层(厚度：6.3mm)/Al2O3层(厚度：3.9mm)/TiO2层(厚度：5.8nm)/Al2O3层(厚度：3.8nm)/TiO2层(厚度：5.8nm)。无机材料层的TEM图像示于图2，并且基板的WVTR和结晶的分析如下表1中所示。

[0119] [实施例2]

[0120] 基板通过如实施例1中所述的相同方法制造，不同之处在于无机材料层以双层结构(Al2O3/TiO2/Al2O3/TiO2)形成。

[0121] [对比实施例1]

[0122] 通过溅射，在如实施例1中所用的相同的PI膜上形成约36mm厚度的Al2O3层。所形成的无机材料层示于图3，并且基板的WVTR和结晶的分析如下表1中所示。

[0123] [表1]

[0124]

[0125] [符号说明]

[0126] 1.柔性基底膜

[0127] 2.无机材料层