1.一种基板结构的制造方法，该方法包括：
直接形成一第一金属层于一基底上；
直接形成一第一保护层于该第一金属层上；
藉由使用包括一硫醇基的一化合物来直接形成一第二保护层于该第一保护层上；
图形化该第二保护层以形成具有暴露该第一保护层的一开口的一图案；以及形成一第二金属层于该第二保护层的该开口内，且直接形成于该第一保护层上；
其中直接形成该第一金属层于该基底的步骤包括：使用激光以形成一凹槽于该基底；
以及配置该第一金属层于该凹槽内。
2.如权利要求1所述的方法，其中该化合物选自由十八烷硫醇基、壬烷硫醇基、1-十六烷硫醇基、1-丁烷硫醇基、叔壬基硫醇基、苄基硫醇基以及硫酚基组成的组。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成该第二保护层的步骤包括：
涂布该化合物的一溶液于该第一保护层。
4.如权利要求1所述的方法，其中图形化该第二保护层的步骤包括使用激光来蚀刻该第二保护层以形成该图案。
5.如权利要求1所述的方法，其中该第一金属层为铜或铝。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第一保护层为一扩散阻障层，其中该扩散阻障层防止该第一金属层以及该第二金属层之间的扩散且防止该第一金属层的氧化。
7.如权利要求6所述的方法，其中该第一保护层为镍或银。
8.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一金属层的步骤包括藉由使用无电解电镀来直接形成该第一金属层于该基底的该凹槽内。
9.如权利要求1所述的方法，其中形成该第二金属层的步骤包括藉由使用无电解电镀来直接形成该第二金属层于该第一保护层上。
10.如权利要求1所述的方法，其中图形化该第二保护层的步骤不包括光掩膜。
11.如权利要求1所述的方法，其中形成该第二保护层的步骤不包括聚合树脂的喷涂。
12.一种基板结构，该基板结构包括：
一具有凹槽的基底；
一第一金属层，该第一金属层配置于该基底的该凹槽内；
一第一保护层，该第一保护层配置于该第一金属层上；
一第二保护层，该第二保护层包括配置于该第一保护层上的一硫醇化合物，且具有包含暴露该第一保护层的一开口的一图案；以及
一第二金属层，该第二金属层配置于该开口内，且配置于该第一保护层上。
13.如权利要求12所述的基板结构，其中该硫醇化合物为十八烷硫醇。
14.如权利要求12所述的基板结构，其中该硫醇化合物选自由壬烷硫醇基、1-十六烷硫醇基、1-丁烷硫醇基、叔壬基硫醇基、苄基硫醇基以及硫酚基组成的组。
15.如权利要求12所述的基板结构，其中该第一金属层为铜或铝。
16.如权利要求12所述的基板结构，其中该第一保护层为一扩散阻障层，其中该扩散阻障层防止该第一金属层以及该第二金属层之间的扩散且防止氧化。
17.如权利要求16所述的基板结构，其中该第一保护层为镍、银或铬。
18.如权利要求12所述的基板结构，其中该基底为聚合物。
19.如权利要求12所述的基板结构，其中该第二金属层为金。