1.一种超声系统，包括：
超声换能器；
与所述超声换能器分离的超声接收器；
双向晶体管，所述双向晶体管具有：
管体区域，其具有第一导电类型，和沟道区域；
第一掺杂区域和第二掺杂区域，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第一掺杂区域和第二掺杂区域被所述沟道区域分开，所述第一掺杂区域耦合到所述超声换能器，所述第二掺杂区域耦合到所述超声接收器；以及
定位在所述沟道区域上方的栅极；
第一接地晶体管，其耦合在所述双向晶体管的所述栅极和电压供应轨之间；和第二接地晶体管，其耦合在所述双向晶体管的所述管体区域和所述电压供应轨之间。
2.根据权利要求1所述的超声系统，进一步包括：
脉冲发生器逻辑电路，所述脉冲发生器逻辑电路包括：
上拉晶体管，其耦合在第二电压供应轨和所述双向晶体管的所述第一掺杂区域之间；
以及
下拉晶体管，其耦合在所述电压供应轨和所述双向晶体管的所述第一掺杂区域之间。
3.根据权利要求1所述的超声系统，其进一步包括：
第一齐纳二极管，其具有耦合在所述双向晶体管的所述栅极和所述第一接地晶体管的漏极之间的第一阳极，和第一阴极；以及
第二齐纳二极管，其具有耦合在所述双向晶体管的所述管体和所述第二接地晶体管的漏极之间的第二阳极，和耦合到所述第一阴极的第二阴极。
4.一种控制电路，所述控制电路包括：
超声换能器端子；
与所述换能器端子分离的超声接收器端子；
双向晶体管，所述双向晶体管具有：
管体区域，其具有第一导电类型，和沟道区域；
第一掺杂区域和第二掺杂区域，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第一掺杂区域和第二掺杂区域被所述沟道区域分开，所述第一掺杂区域耦合到所述超声换能器，所述第二掺杂区域耦合到所述超声接收器；以及
定位在所述沟道区域上方的栅极；
第一接地晶体管，其耦合在所述双向晶体管的所述栅极和电压供应轨之间；和第二接地晶体管，其耦合在所述双向晶体管的所述管体区域和所述电压供应轨之间。
5.根据权利要求4所述的控制电路，进一步包括：
脉冲发生器逻辑电路，所述脉冲发生器逻辑电路包括：
上拉晶体管，其耦合在第二电压供应轨和所述双向晶体管的所述第一掺杂区域之间；
以及
下拉晶体管，其耦合在所述电压供应轨和所述双向晶体管的所述第一掺杂区域之间。
6.根据权利要求4所述的控制电路，其进一步包括：
第一齐纳二极管，其具有耦合在所述双向晶体管的所述栅极和所述第一接地晶体管的漏极之间的第一阳极，和第一阴极；以及
第二齐纳二极管，其具有耦合在所述双向晶体管的所述管体和所述第二接地晶体管的漏极之间的第二阳极，和耦合到所述第一阴极的第二阴极。