1.一种包含含有侧链的第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段的嵌段共聚物，其中以下方程式1的X为2.5至10，其中所述第一嵌段包含连接有所述侧链并且不包含卤原子的芳香族结构，所述第二嵌段包含含有一个或更多个卤原子的芳香族结构，并且其中所述侧链包含8个或更多个成链原子：
[方程式1]
X＝1+(D×M)/(K×L)
其中在方程式1中，D表示所述第二嵌段的密度D2与所述第一嵌段的密度D1之比D2/D1；
M表示形成所述第一嵌段的单体的摩尔质量M1与形成所述第二嵌段的单体的摩尔质量M2之比M1/M2；
K表示在1H-NMR谱中基于所述第二嵌段产生的峰的面积A2与基于所述第一嵌段产生的峰的面积A1之比A2/A1；并且
L表示1摩尔所述第一嵌段的重复单元中的氢原子数H1与1摩尔所述第二嵌段的重复单元中的氢原子数H2之比H1/H2。
2.一种包含含有侧链的第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段的嵌段共聚物，其中以下方程式1的X为1.1至1.7，其中所述第一嵌段包含连接有所述侧链并且不包含卤素原子的芳香族结构，所述第二嵌段包含含有一个或更多个卤原子的芳香族结构，并且其中所述侧链包含8个或更多个成链原子：
[方程式1]
X＝1+(D×M)/(K×L)
其中在方程式1中，D表示所述第二嵌段的密度D2与所述第一嵌段的密度D1之比D2/D1；
M表示形成所述第一嵌段的单体的摩尔质量M1与形成所述第二嵌段的单体的摩尔质量M2之比M1/M2；
K表示在1H-NMR谱中基于所述第二嵌段产生的峰的面积A2与基于所述第一嵌段产生的峰的面积A1之比A2/A1；并且
L表示1摩尔所述第一嵌段的重复单元中的氢原子数H1与1摩尔所述第二嵌段的重复单元中的氢原子数H2之比H1/H2。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，包含柱形结构。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，其中所述侧链通过氧原子或氮原子与所述芳香族结构连接。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，其中所述侧链包含9个或更多个成链原子。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段包含由以下结构式1表示的结构单元：
[结构式1]
其中在所述结构式1中，R表示氢原子或具有1至4个碳的烷基；
X表示单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X1-或-X1-C(＝O)-，其中所述X1表示氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基；并且Y表示包含连接有所述侧链的芳香族结构的一价取代基。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，其中所述第二嵌段包括由以下结构式3表示的结构单元：
[结构式3]
其中在所述结构式3中，X2表示单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X1-或-X1-C(＝O)-，其中所述X1表示单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基；并且
W表示包含至少一个卤原子的芳基。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，其数均分子量为3000至300000。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物，包括1.01至1.60的多分散性Mw/Mn。
10.一种包含根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物的聚合物膜，其中所述嵌段共聚物是自组装的。
11.一种形成聚合物膜的方法，包括：
在基底上形成包含根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物的聚合物膜，其中所述嵌段共聚物是自组装的。
12.一种形成图案的方法，所述方法包括：
从形成于基底上并包含根据权利要求1或权利要求2所述的嵌段共聚物的聚合物膜移除所述嵌段共聚物的第一嵌段或第二嵌段，其中所述嵌段共聚物是自组装的。