1.一种线圈盘的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
导电金属件表面处理，将导电金属件置于表面处理液中，使得所述导电金属件的表面形成若干纳米孔洞，且在所述纳米孔洞的表面形成结合层；
线圈盘载体成型，将所述导电金属件置于注塑模具中进行注塑，以形成支撑所述导电金属件的线圈盘载体，所述线圈盘载体在注塑过程中嵌入所述导电金属件其中一侧表面的纳米孔洞中，并与所述结合层固定连接。
2.如权利要求1所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，所述导电金属件为按照预定绕线路径延伸的导电金属片，在所述导电金属件表面处理步骤之前包括：
导电金属片成型，对置于冲压模具中的导电金属板进行冲压，以形成按照预定绕线路径延伸的导电金属片。
3.如权利要求1所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，所述导电金属件为导电金属板，在所述线圈盘载体成型步骤之后包括：
对所述导电金属板进行机加工，以形成按照预定绕线路径延伸的导电金属片。
4.如权利要求3所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述导电金属件表面处理步骤之前包括：
导电金属板成型，对开卷后的导电金属卷进行冲压，以形成圆板状的导电金属板或者碗状的导电金属板。
5.如权利要求1至4任意一项所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述线圈盘载体成型步骤之后还包括：
应力消除，将注塑成型后1h-3h内的线圈盘载体和导电金属件置于120℃-180℃的烘烤炉中烘烤2h-3h。
6.如权利要求1至4任意一项所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述线圈盘载体成型步骤之后还包括：
保护层成型，对置于注塑模具中的线圈盘载体和导电金属件进行二次注塑，以形成覆盖所述导电金属件另一侧表面的保护层。
7.如权利要求1至4任意一项所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述导电金属件表面处理步骤之前还包括：
碱洗，将所述导电金属件置于质量浓度为1％-1.5％的氢氧化钠溶液、质量浓度为
10％-20％的硅酸钠溶液、质量浓度为10％-20％的磷酸钠溶液，或者质量浓度为10％-20％的碳酸钠溶液中，在37℃-43℃的温度范围内处理1min-1.5min。
8.如权利要求7所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述碱洗步骤之后还包括：
酸洗，将所述导电金属件置于质量浓度为1.5％-2％的硝酸溶液、质量浓度为1.5％-
2％的盐酸溶液，或者质量浓度为1％-1.5％的硫酸溶液中，在37℃-43℃的温度范围内处理
2min-3min。
9.如权利要求1至4任意一项所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，所述表面处理液为氯化铜和盐酸的混合溶液，或者为氯化铜和氯化钠的混合溶液，或者为氯化铜和氯化铵的混合溶液，或者为氯化铜、盐酸和氯化钠的混合溶液。
10.如权利要求1至4任意一项所述的线圈盘的制造方法，其特征在于，在所述导电金属件表面处理步骤中，所述表面处理液的温度范围为57℃-63℃，将所述导电金属件置于表面处理液中处理时间为24min-30min。
11.一种线圈盘，其特征在于，包括线圈盘载体和按照预定绕线路径延伸的导电金属片，所述导电金属片至少其中一侧的表面具有多个纳米孔洞，且所述纳米孔洞的表面具有结合层，所述线圈盘载体为塑料材质，所述线圈盘载体嵌入所述导电金属片的所述其中一侧表面的纳米孔洞中，并与所述结合层固定连接。
12.如权利要求11所述的线圈盘，其特征在于，所述导电金属片表面的纳米孔洞直径范围为20nm-30nm。
13.如权利要求11所述的线圈盘，其特征在于，所述导电金属片的厚度范围是0.2mm-
0.5mm。
14.如权利要求11所述的线圈盘，其特征在于，所述导电金属片的宽度范围是1mm-3mm，相邻所述导电金属片之间的间距范围是0.5mm-2mm。
15.如权利要求11所述的线圈盘，其特征在于，所述导电金属片的预定绕线路径呈涡旋形。
16.如权利要求11所述的线圈盘，其特征在于，所述纳米孔洞表面的结合层为脂氨酸膜层。