闪烁信号检测装置 |
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| 申请号 | CN201080033891.0 | 申请日 | 2010-07-20 | 公开(公告)号 | CN102474355B | 公开(公告)日 | 2014-10-01 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社; | 发明人 | 净法寺佑; 杉山行信; | ||||
| 摘要 | 闪烁 信号 检测装置(1)包括受光部(10)、行选择部(20)、读出部(30)、检测部(40)及控制部(50)。通过行选择部(20)，在第1期间，使受光部(10)的第(2i-1)行的各 像素 部(P2i-1，n)的光电 二极管 所产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间使受光部(10)的第2i行的各像素部(P2i，n)的 光电二极管 所产生的电荷储存于电荷储存部。通过检测部(40)，根据自读出部(30)输出的像素部(P2i-1，n、P2i，n)的数据(D2i-1，n、D2i，n)的差，检测到达像素部(P2i-1，n、P2i，n)的光是否为闪烁信号。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种闪烁信号检测装置，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 闪烁信号检测装置技术领域[0001] 本发明涉及闪烁信号(blinking-signal)检测装置。 背景技术[0002] 固体摄像装置包括：受光部，将分别具有光电二极管及电荷储存部的M×N个像素部P1，1～PM，N二维排列为M行N列；行选择部，对于受光部的各像素部Pm，n，使在某个期间中由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，并且逐行地输出与各像素部Pm，n的该储 存电荷量对应的数据；及读出部，输入自受光部的各像素部Pm，n输出的数据并输出与各像 素部Pm，n的光电二极管的产生电荷量对应的数据，另外，有时还包括对自该读出部输出的数据进行AD转换而输出数字值的AD(analog-digital，模拟-数字)转换部。 [0003] 这样的固体摄像装置可检测到达受光部的各像素部Pm，n的光的强度而进行摄像。另外，近年来，不仅使用这样的固体摄像装置进行摄像，也尝试进行光通信。例如，在专利 文献1所公开的发明中，根据由固体摄像装置的摄像所获得的图像数据，检测受光部的所 有像素部的各自的时间性强度变化是否为规定图案，并将判断为时间性强度变化为规定图 案的像素部特定为接收到光信号。而且，将来自该特定的像素部的数据设为光信号数据，由 此，进行光通信。 [0004] 专利文献 [0005] 专利文献1：日本特开2007-324705号公报 发明内容[0006] 发明所要解决的问题 [0007] 在专利文献1所公开的发明中，为了特定受光部的M×N个像素部中接收光信号的像素部，需要用以存储多帧的图像数据的大容量的存储部。另外，在专利文献1所公开的发 明中，为了特定接收光信号的像素部，需要光信号的闪烁图案是已知的。 [0008] 本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于，提供一种无需大容量的存储部，另外，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像 素部的闪烁信号检测装置。 [0009] 解决问题的技术手段 [0010] 本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括：(1)受光部，将M×N个像素部P1，1～PM，N二维排列为M行N列，该M×N个像素部P1，1～PM，N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存部的储存 电荷量对应的数据的开关；(2)行选择部，将共同的时间宽度的第1期间及第2期间一前一 后地设定，在第1期间，对于受光部的第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第2期间，对于受光部的第2i行的各像素部P2i，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第1期间及第2期间之后选择受光部的各 行，逐行地对于各像素部Pm，n闭合开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(3) 读出部，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm，n输出的数据，并输出与各像素部Pm，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n；及(4)检测部，输入自读出部输出的各数据Dm，n，并根据数据D2i-1，n、D2i，n的差，检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，n为1以上且N以下的整数， i为1以上且(M/2)以下的整数。 [0011] 本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，将共同的时间宽度的第1期间及第2期间一前一后地设定，在第1期间，使受光部的第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的 光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间，使受光部的第2i行的各像素部 P2i，n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第1期间及第2期间之后选择受光 部的各行，逐行地闭合各像素部Pm，n的开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。 在读出部中，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm，n输出的数据，并输出与各像素部Pm，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n。而且，在检测部中，输入自读出部输出的各数据Dm，n，并根据数据D2i-1，n、D2i，n的差，检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。 [0012] 本发明所涉及的闪烁信号检测装置也可以为，行选择部一前一后地选择受光部的第(2i-1)行及第2i行，读出部一前一后地输出数据D2i-1，n及数据D2i，n。本发明所涉及的 闪烁信号检测装置更优选为，(a)行选择部同时选择受光部的第(2i-1)行及第2i行，输出 与第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据，输出与第2i行 的各像素部P2i，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(b)读出部同时输出与第(2i-1) 行的各像素部P2i-1，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i-1，n、及与第2i行的各像素部P2i，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i，n；(c)检测部运算自读出部同时输出的数据D2i-1，n、D2i的差。再者，也可以为，设置有第1行选择部及第2行选择部作为行选择部，设置有第1读出部及第2读出部作为读出部，通过第1行选择部及第1读出部而进行 第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的数据的读出动作，通过第2行选择部及第2读出部而进行 第2i行的各像素部P2i，n的数据的读出动作，并列地进行由第1行选择部及第1读出部进行 的数据读出动作及由第2行选择部及第2读出部进行的数据读出动作。 [0013] 或者，本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括：(1)受光部，将M×N个像素部P1，1～PM，N二维排列为M行N列，该M×N个像素部P1，1～PM，N分别具有产生与入 射光量对应的量的电荷的光电二极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存 部的储存电荷量对应的数据的开关；(2)行选择部，依次设定共同的时间宽度的第1～第4 期间，在第1期间，对于受光部的第(4j-3)行的各像素部P4j-3，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第2期间，对于受光部的第(4j-2)行的各像素部P4j-2，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第3期间，对于受光部的第(4j-1)行的 各像素部P4j-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第4期间，对于受光部的第4j行的各像素部P4j，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第4 期间之后，选择受光部的各行，逐行地对于各像素部Pm，n闭合开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(3)读出部，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm，n 输出的数据，并输出与各像素部Pm，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n；及(4)检测部，输入自读出部输出的各数据Dm，n，并根据数据D4j-3，n、D4j-1，n的差与数据D4j-2，n、D4j，n的差之和，检测到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n的光是否为闪烁信号。其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，n为1以上且N以下的整数，j为1以上且(M/4) 以下的整数。 [0014] 本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，依次设定共同的时间宽度的第1～第4期间，在第1期间使受光部的第(4j-3)行的各像素部P4j-3，n的光电二极管所 产生的电荷储存于电荷储存部，在第2期间使受光部的第(4j-2)行的各像素部P4j-2，n的光 电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第3期间使受光部的第(4j-1)行的各像素部 P4j-1，n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第4期间使受光部的第4j行的各 像素部P4j，n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第4期间之后选择受光部的 各行，逐行地闭合各像素部Pm，n的开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。在 读出部中，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部Pm，n输出的数据，并输出与各像素部Pm，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n。而且，在检测部中，输入自读出部输出的各数据Dm，n，并根据数据D4j-3，n、D4j-1，n的差与数据D4j-2，n，D4j，n的差之和，检测到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n的光是否为闪烁信号。 [0015] 发明的效果 [0017] 图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构成的图。 [0018] 图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部30的构成的图。 [0019] 图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部Pm，n及保持部31n的电路构成的图。 [0020] 图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算部33的电路构成的图。 [0021] 图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择部20的构成的一部分的图。 [0022] 图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部40的构成的图。 [0023] 图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的一例的时序图。 [0024] 图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进行说明的图。 [0025] 图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构成的图。 [0026] 图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读出部301及第2读出部302的各自的构成的图。 [0027] 图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部Pm，n及第1读出部301的保持部31n的电路构成的图。 [0028] 图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构成的图。 [0029] 图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部40B的构成的图。 [0030] 图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行说明的图。 [0031] 符号的说明 [0032] 1～3闪烁信号检测装置 [0033] 10受光部 [0034] 20、201、202、20B行选择部 [0035] 30、301、302读出部 [0036] 311～31N保持部 [0037] 32列选择部 [0038] 33差运算部 [0039] 40、40A、40B检测部 [0040] 41、411～413存储部 [0041] 42、43运算部 [0042] 50、50A、50B控制部 [0043] P1，1～PM，N像素部 [0044] L1～LN、L11～L1N、L21～L2N读出信号线 [0045] LT1～LTM、LR1～LRM、LH1～LHM、LA11～LA1M、LA21～LA2M控制信号线 具体实施方式[0046] 以下，参照附图，详细地说明用以实施本发明的方式。再者，附图的说明中，对于相同要素附上相同符号，省略重复的说明。 [0047] (第1实施方式) [0048] 图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置1包括受光部10、行选择部20、读出部30、检测部40及控制部50。 [0049] 受光部10包含M×N个像素部P1，1～PM，N。M×N个像素部P1，1～PM，N具有共同的构成，二维排列为M行N列。各像素部Pm，n位于第m行第n列。此处，M、N为2以上的整数， m为1以上且M以下的各整数，n为1以上且N以下的各整数。 [0050] 各像素部Pm，n具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、及储存该电荷的电荷储存部。各像素部Pm，n根据经由控制信号线而自行选择部20接收的各种控制信号， 将光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，并向读出信号线Ln输出与该电荷储存部的 储存电荷量对应的数据。 [0051] 行选择部20输出用以控制受光部10的各像素部Pm，n的动作的各种控制信号。更具体而言，行选择部20，在第1期间，对于受光部10的第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20，在第2期间，对于受光 部10的第2i行的各像素部P2i，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。而 且，行选择部20，在第1期间及第2期间之后，选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素 部Pm，n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。此处，第1期间及第2期间是一前一 后的期间且具有共同的时间宽度，i为1以上且(M/2)以下的各整数。 [0052] 读出部30与N根读出信号线L1～LN连接，输入从行选择部20所选择的受光部10的第m行的各像素部Pm，n向读出信号线Ln输出的数据，并向检测部40输出与第m行的各像 素部Pm，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n。 [0053] 检测部40输入自读出部30输出的各数据Dm，n，并根据数据D2i-1，n、D2i，n的差，检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。 [0054] 控制部50通过控制行选择部20、读出部30及检测部40的各自的动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控制部50控制行选择部20的向受光部10的 各种控制信号的发送、读出部30的来自各像素部Pm，n的数据的输入、读出部30的各数据Dm，n的输出、及检测部40的处理的各动作时序。 [0055] 图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部30的构成的图。该图中，在受光部10中代表性地表示有M×N个像素部P1，1～PM，N中的第m行第n列的像 素部Pm，n，另外，在读出部30中表示有与该像素部Pm，n关联的构成要素。 [0056] 读出部30包含N个保持部311～31N、列选择部32及差运算部33。N个保持部311～31N具有共同的构成。各保持部31n可经由读出信号线Ln而与受光部10的第n列的 M个像素部P1，n～PM，n连接，输入从行选择部20所选择的第m行的像素部Pm，n向读出信号 线Ln输出的数据，保持该数据，并输出所保持的数据。各保持部31n优选为输入并保持重叠 有噪声成分的信号成分的数据，并且输入并保持仅有噪声成分的数据。 [0057] N个保持部311～31N可根据自列选择部32接收的各种控制信号，以相同时序采样并保持数据，且依次输出所保持的数据。差运算部33输入自N个保持部311～31N的各 个依次输出的数据，并自重叠有噪声成分的信号成分的数据中减去仅有噪声成分的数据， 输出与信号成分对应的数据Dm，n。差运算部33可将与信号成分对应的数据作为模拟数据输 出，也可具有AD转换功能而输出数字数据，如此，读出部30可输出与第m行的各像素部Pm， n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n。 [0058] 图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部Pm，n及保持部31n的电路构成的图。该图中，在受光部10中也代表性地表示有M×N个像素部P1，1～PM，N中 的第m行第n列的像素部Pm，n，另外，在读出部30中也表示有与该像素部Pm，n关联的保持部 31n。 [0059] 各像素部Pm，n为APS(Active Pixel Sensor，主动像素传感器)方式的像素部，包括光电二极管PD及5个MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管T1、 T2、T3、T4、T5。如该图所示，晶体管T1、晶体管T2及光电二极管PD依次串联连接，对晶体 管T1的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子接地。晶体管T1与晶体管T2 的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管T3的栅极端子。 [0061] 对各像素部Pm，n的重置用的晶体管T1的栅极端子输入自行选择部20输出的Reset(m)信号。对各像素部Pm，n的传输用的晶体管T2的栅极端子输入自行选择部20输出 的Trans(m)信号。对各像素部Pm，n的保持用的晶体管T5的栅极端子输入自行选择部20 输出的Hold(m)信号。对各像素部Pm，n的输出选择用的晶体管T4的栅极端子输入自行选 择部20输出的Address(m)信号。这些控制信号(Reset(m)信号、Trans(m)信号、Hold(m) 信号、Address(m)信号)共同地自行选择部20输入至第m行的N个像素部Pm，1～Pm，N。 [0062] 当Reset(m)信号、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当 Trans(m)信号为低电平时，将光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset(m) 信号为低电平、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部中 储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)中。 [0063] 当Address(m)信号为高电平时，经由晶体管T4而向读出信号线Ln输出与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有 噪声成分的信号成分的数据)。即，晶体管T4作为用以向读出信号线Ln输出与电荷储存部 的储存电荷量对应的数据的开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪 声成分的数据经由晶体管T4向读出信号线Ln输出。 [0064] 各保持部31n包含2个电容元件C1、C2、及4个开关SW11、SW12、SW21、SW22。该保持部31n中，开关SW11及开关SW12串联连接并设置于读出信号线Ln与配线Hline_s之间，电容元 件C1的一端连接于开关SW11与开关SW12之间的连接点，且电容元件C1的另一端接地。另 外，开关SW21及开关SW22串联连接并设置于读出信号线Ln与配线Hline_n之间，电容元件 C2的一端连接于开关SW21与开关SW22之间的连接点，且电容元件C2的另一端接地。 [0065] 该保持部31n中，开关SW11根据自列选择部32供给的set_s信号的电平而开闭。开关SW21根据自列选择部32供给的set_n信号的电平而开闭。set_s信号及set_n信号 共同地输入至N个保持部311～31N。开关SW12、SW22根据自列选择部32供给的hshift(n) 信号的电平而开闭。 [0066] 该保持部31n中，当set_n信号自高电平转向低电平而开关SW21打开时，自像素部Pm，n向读出信号线Ln输出的噪声成分随后通过电容元件C2而作为电压值out_n(n)加以 保持。当set_s信号自高电平转向低电平而开关SW11打开时，自像素部Pm，n向读出信号线 Ln输出的重叠有噪声成分的信号成分随后通过电容元件C1而作为电压值out_s(n)加以保 持。而且，若hshift(n)信号成为高电平，则开关SW12闭合，向配线Hline_s输出通过电容 元件C1而保持的电压值out_s(n)，另外，开关SW22闭合，向配线Hline_n输出通过电容元件 C2而保持的电压值out_n(n)。这些电压值out_s(n)与电压值out_n(n)的差，表示与像素 部Pm，n的光电二极管PD所产生的电荷量对应的电压值。 [0067] 图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算部33的电路构成的图。如该图所示，差运算部33包含放大器A1～A3、开关SW1、SW2及电阻器R1～R4。放 大器A3的反转输入端子经由电阻器R1而与缓冲放大器A1的输出端子连接，并经由电阻器 R3而与自身的输出端子连接。放大器A3的非反转输入端子经由电阻器R2而与缓冲放大器 A2的输出端子连接，并经由电阻器R4而与接地电位连接。缓冲放大器A1的输入端子经由配 线Hline_s而与N个保持部311～31N连接，并经由开关SW1而与接地电位连接。缓冲放大 器A2的输入端子经由配线Hline_n而与N个保持部311～31N连接，并经由开关SW2而与接 地电位连接。 [0068] 差运算部33的开关SW1、SW2由自列选择部32供给的hreset信号控制而进行开闭动作。通过闭合开关SW1，而重置输入至缓冲放大器A1的输入端子的电压值。通过闭合开 关SW2，而重置输入至缓冲放大器A2的输入端子的电压值。当开关SW1、SW2打开时，自N个 保持部311～31N中的任意的保持部31n向配线Hline_s、Hline_n输出的电压值out_s(n)、 out_n(n)输入至缓冲放大器A1、A2的输入端子。若将缓冲放大器A1、A2的各自的放大率设 为1，且将4个电阻器R1～R4的各自的电阻值设为彼此相等，则自差运算部33的输出端子 输出的电压值表示分别经由配线Hline_s及配线Hline_n而输入的电压值的差，且已除去 噪声成分。 [0069] 图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择部20的构成的一部分的图。行选择部20除了具有M段的移位缓存器之外，相对于各个奇数行(第(2i-1) 行)而具有该图(a)所示的电路，且相对于各个偶数行(第2i行)而具有该图(b)所示的 电路。M段的移位缓存器自其中的第m段输出Address(m)信号并将其提供给第m行的各像 素部Pm，n。 [0070] 如该图(a)所示，Trans(2i-1)信号制作成Address(2i-1)信号和S_odd信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。Reset(2i-1)信号制作成Address(2i-1)信号和S_odd信号 的逻辑和、与R信号的逻辑积。Hold(2i-1)信号制作成Address(2i-1)信号和S_odd信号 的逻辑和、与H信号的逻辑积。将这些Trans(2i-1)信号、Reset(2i-1)信号及Hold(2i-1) 信号提供给第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n。 [0071] 如该图(b)所示，Trans(2i)信号制作成Address(2i)信号和S_even信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。Reset(2i)信号制作成Address(2i)信号和S_even信号的逻辑和、 与R信号的逻辑积。Hold(2i)信号制作成Address(2i)信号和S_even信号的逻辑和、与H 信号的逻辑积。将这些Trans(2i)信号、Reset(2i)信号及Hold(2i)信号提供给第2i行 的各像素部P2i，n。 [0072] 自控制部50向行选择部20提供S_odd信号、S_even信号、R信号、T信号及H信号，以此方式构成的行选择部20在由S_odd信号所指示的第1期间，可对于受光部10的第 (2i-1)行的各像素部P2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20在由S_even信号所指示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的各像素部P2i， n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。而且，行选择部20在第1期间及第 2期间之后，可根据Address(m)信号而选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部Pm，n 向读出信号线Ln输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。 [0073] 图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部40的构成的图。检测部40输入自读出部30逐行地输出的各数据Dm，n。检测部40包含存储部41及运算 部42。存储部41存储第(2i-1)行的N个数据D2i-1，n及第2i行的N个D2i，n中先输入的第 (2i-1)行的N个数据D2i-1，n。运算部42输入后输入的第2i行的N个D2i，n，并且也输入通过 存储部41而存储的第(2i-1)行的N个数据D2i-1，n，运算出这些数据D2i-1，n、D2i，n的差(D2i-1，n-D2i，n)。然后，检测部40根据该差(D2i-1，n-D2i，n)，检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。此处，保持于存储部41中的数据并不限于数字数据，也可以模拟电压的形式保 持而求出差分。 [0074] 图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的一例的时序图。该图中，自上起依次显示有：向闪烁信号检测装置1的受光部10的光信号入射的有无；自 控制部50向行选择部20提供的S_odd信号、S_even信号、R信号、T信号及H信号；在读出 部30中自列选择部32向各保持部31n提供的set_s信号及set_n信号；自行选择部20向 第1行的各像素部P1，n提供的Address(1)信号；自行选择部20向第2行的各像素部P2，n提 供的Address(2)信号；及在读出部30中自列选择部32向各保持部31n提供的hshift(1) 信号～hshift(N)信号。 [0075] 在向受光部10入射光信号的第1期间，S_odd信号成为高电平，S_even信号成为低电平。在该第1期间的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为高电平，且Reset(2i-1) 信号、Trans(2i-1)信号及Hold(2i-1)信号成为高电平，第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的 光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储 存部)放电。在第1期间中的接着的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为低电平， Reset(2i-1)信号、Trans(2i-1)信号及Hold(2i-1)信号成为低电平，且第(2i-1)行的各 像素部P2i-1，n的光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。然后，在第1期间中的再 接着的某个一定期间，R信号成为低电平且T信号及H信号成为高电平，Reset(2i-1)信号 成为低电平，Trans(2i-1)信号及Hold(2i-1)信号成为高电平，且第(2i-1)行的各像素部 P2i-1，n的光电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端 子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作在受光部10的所有第奇数行的各像素部中并 列地进行。 [0076] 在不向受光部10入射光信号的第2期间，S_odd信号成为低电平，S_even信号成为高电平。在该第2期间的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为高电平，Reset(2i) 信号、Trans(2i)信号及Hold(2i)信号成为高电平，且第2i行的各像素部P2i，n的光电二极 管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放 电。在第2期间中的接着的某个一定期间，R信号、T信号及H信号成为低电平，Reset(2i) 信号、Trans(2i)信号及Hold(2i)信号成为低电平，且第2i行的各像素部P2i，n的光电二极 管PD所产生的电荷储存于接合电容部。然后，在第2期间中的再接着的某个一定期间，R 信号成为低电平且T信号及H信号成为高电平，Reset(2i)信号成为低电平，Trans(2i)信 号及Hold(2i)信号成为高电平，且第2i行的各像素部P2i，n的光电二极管PD的接合电容 部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。 这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地进行。 [0077] 在第1期间及第2期间之后，自行选择部20向第1行的各像素部P1，n提供的Address(1)信号成为高电平。在Address(1)信号成为高电平的期间，向各保持部31n提供 的set_s信号仅在一定期间成为高电平，继而R信号及T信号仅在一定期间成为高电平，且 第1行的各像素部P1，n的电荷储存部放电，继而向各保持部31n提供的set_n信号仅在一定 期间成为高电平。由此，自各像素部P1，n向读出信号线Ln输出的重叠有噪声成分的信号成 分通过保持部31n的电容元件C1而作为电压值out_s(n)加以保持。另外，自各像素部P1，n 向读出信号线Ln输出的噪声成分通过保持部31n的电容元件C2而作为电压值out_n(n)加 以保持。其后，hshift(1)信号hshift(N)信号依次成为高电平，依次输出由各保持部311～ 31N所保持的电压值，并通过差运算部33自重叠有噪声成分的信号成分的数据中减去仅有 噪声成分的数据，输出与第1行的各像素部P1，n的信号成分对应的数据D1，1～D1，N。之后也同样地，逐行输出各行的各像素部Pm，n的数据Dm，n。 [0078] 然后，检测部40中，首先输入第1行的各像素部P1，n的数据D1，n并通过存储部41而加以存储。继而，当输入第2行的各像素部P2，n的数据D2，n时，将该数据D2，n输入至运算部42，并且将通过存储部41而存储的数据D1，n输入至运算部42，在运算部42中运算出这 些数据D1，n，D2，n的差(D1，n-D2，n)。然后，检测部40根据该差(D1，n-D2，n)而检测到达像素部P1，n，P2，n的光是否为闪烁信号。 [0079] 继而，检测部40中，输入第3行的各像素部P3，n的数据D3，n并通过存储部41而加以存储。继而，当输入第4行的各像素部P4，n的数据D4，n时，将该数据D4，n输入至运算部42，并且将通过存储部41而存储的数据D3，n输入至运算部42，在运算部42中运算出这些数据 D3，n、D4，n的差(D3，n-D4，n)。然后，检测部40根据该差(D3，n-D4，n)而检测到达像素部P3，n，P4，n的光是否为闪烁信号。 [0080] 之后也同样地，检测部40根据数据D2i-1，n，D2i，n的差(D2i-1，n-D2i，n)而检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。 [0081] 图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的第(2i-1)行的像素部中的电荷储存时 序A、及受光部10的第2i行的像素部中的电荷储存时序B。之前的图7中，受光部10的第 (2i-1)行的像素部中的电荷储存时序A设为与光信号入射时序一致，但该图8中，电荷储存 时序A、B均是一部分与光信号入射时序重叠。电荷储存时序A、B的各相位仅相差1/2周 期。 [0082] 图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A、B分别与光信号入射时序重叠的范围，相当于数据D2i-1，n、D2i，n的大小。若闪烁信号到达像素部P2i-1，n、P2i，n，且在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大小不同，即差(D2i-1，n-D2i，n)不为零，则可通过检测部40检测出闪烁信号到达的情况。另一方面，若一定强度的光到达像素部P2i-1，n、P2i，n，则由于在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大小相等，因而可通过检测部40检测出闪烁信号未到 达。 [0083] 如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1仅具备存储1行的数据的存储部41即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1无需光信号 的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。 [0084] 再者，为了检测如上所述的闪烁的光信号，该光信号必需到达至少某2个像素部P2i-1，n、P2i，n。因此，也可有意地使设置于受光部10的前面的光学系统向受光面10的成像变得模糊，从而使光信号到达受光部10的较广范围。另外，若到达受光部10的光的强度分布 在邻接的行之间不同，则有时会误检测为光信号已到达，但通过有意地使光学系统向受光 面10的成像变得模糊，可防止这样的误检测。 [0085] (第2实施方式) [0086] 图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置2包括受光部10、第1行选择部201、第2行选择部202、第1读出部 301、第2读出部302、检测部40A及控制部50A。 [0087] 若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构成加以比较，则该图9所示的第2实施方式的闪烁信号检测装置2的不同点在于：受光部10的各像素部Pm， n的构成不同；具备第1行选择部201及第2行选择部202来代替行选择部20；具备第1读 出部301及第2读出部302来代替读出部30；具备检测部40A来代替检测部40；及具备控 制部50A来代替控制部50。 [0088] 第1行选择部201及第1读出部301对受光部10的奇数行(第(2i-1)行)的各像素部P2i-1，n进行放电、电荷储存及数据读出。第2行选择部202及第2读出部302对受光 部10的偶数行(第2i行)的各像素部P2i，n进行放电、电荷储存及数据读出。第1行选择 部201及第1读出部301、与第2行选择部202及第2读出部302彼此并列地进行数据读出 的动作。 [0089] 控制部50A控制第1行选择部201、第2行选择部202、第1读出部301及第2读出部302的各自的动作，以进行上述的并列动作。另外，由于进行上述并列动作，因而第2实 施方式的检测部40A具有与第1实施方式的检测部40不同的构成。另外，由于进行上述并 列动作，因而第2实施方式的各像素部Pm，n具有与第1实施方式的各像素部不同的构成。 [0090] 图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读出部301及第2读出部302各自的构成的图。该图中，受光部10中代表性表示有M×N个像素部P1，1～PM， N中的第m行第n列的像素部Pm，n，另外，第1读出部301及第2读出部302分别表示有与该 像素部Pm，n相关的构成要素。 [0091] 第1读出部301及第2读出部302分别具有与第1实施方式的读出部30相同的构成。其中，第1读出部301的各保持部31n可经由读出信号线L1n而与受光部10的第n列 的M个像素部P1，n～PM，n连接，输入从第1行选择部201所选择的第m行的像素部Pm，n向读 出信号线L1n输出的数据并保持该数据，且输出所保持的数据。另外，第2读出部302的各 保持部31n可经由读出信号线L2n而与受光部10的第n列的M个像素部P1，n～PM，n连接， 输入从第2行选择部202所选择的第m行的像素部Pm，n向读出信号线L2n输出的数据并保 持该数据，且输出所保持的数据。 [0092] 图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部Pm，n及第1读出部301的保持部31n的电路构成的图。该图中，受光部10中也代表性地表示有M×N个像 素部P1，1～PM，N中的第m行第n列的像素部Pm，n，另外，第1读出部301中也表示有与该像 素部Pm，n相关的保持部31n。 [0093] 各像素部Pm，n是APS(Active Pixel Sensor)方式的像素部，包含光电二极管PD及6个MOS晶体管T1、T2、T3、T41、T42、T5。如该图所示，晶体管T1、晶体管T2及光电二极 管PD依次串联连接，对晶体管T1的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子 接地。晶体管T1与晶体管T2的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管T3的栅极端子。 [0094] 对晶体管T3的漏极端子输入基准电压。晶体管T3的源极端子与晶体管T41、T42的各自的漏极端子连接。各像素部Pm，n的晶体管T41的源极端子连接于读出信号线L1n。各 像素部Pm，n的晶体管T42的源极端子连接于读出信号线L2n。读出信号线L1n及读出信号线 L2n上分别连接有恒定电流源。 [0095] 各像素部Pm，n的传输用的晶体管T2的栅极端子与控制信号线LTm连接，且输入自第1行选择部201或第2行选择部202输出的Trans(m)信号。各像素部Pm，n的重置用的晶 体管T1的栅极端子与控制信号线LRm连接，且输入自第1行选择部201或第2行选择部202 输出的Reset(m)信号。各像素部Pm，n的保持用的晶体管T5的栅极端子与控制信号线LHm 连接，且输入自第1行选择部201或第2行选择部202输出的Hold(m)信号。 [0096] 各像素部Pm，n的输出选择用的晶体管T41的栅极端子与控制信号线LA1m连接，且输入自第1行选择部201输出的Address1(m)信号。各像素部Pm，n的输出选择用的晶体管 T42的栅极端子与控制信号线LA2m连接，且输入自第2行选择部202输出的Address2(m) 信号。这些控制信号(Reset(m)信号、Trans(m)信号、Hold(m)信号、Address1(m)信号、 Address2(m)信号)对第m行的N个像素部Pm，1～Pm，N共同地输入。 [0097] 控制信号线LTm、控制信号线LRm及控制信号线LHm对应于每行而设置，传输指示第m行的各像素部Pm，n的光电二极管PD的接合电容部及电荷储存部各自的放电及电荷储存部 的电荷储存的控制信号(Reset(m)信号、Trans(m)信号、Hold(m)信号)。这些控制信号线 的第1端经由开关而连接于第1行选择部201，另外，这些控制信号线的第2端经由开关而 连接于第2行选择部202。设置于这些控制信号线的各自的两端的2个开关并不会同时闭 合，而是始终至少一方打开。再者，也可使用三态缓冲器来代替这些开关，该情况下，设置于这些控制信号线的各自的两端的2个三态缓冲器并不会同时处于导通状态，而是始终至少 一方处于高阻抗状态。 [0098] 控制信号线LA1m及控制信号线LA2m对应于每行而设置，传输指示向第m行的各像素部Pm，n的读出信号线L1n或读出信号线L2n的数据输出的控制信号(Address1(m)信号、 Address2(m)信号)。各控制信号线LA1m连接于第1行选择部201。各控制信号线LA2m连 接于第2行选择部202。Address1(m)信号与Address2(m)信号并不会同时为高电平，晶体 管T41与晶体管T42不会同时成为接通状态。 [0099] 当Reset(m)信号、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当 Trans(m)信号为低电平时，光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset(m) 信号为低电平、且Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电二极管PD的接合电容部 中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。 [0100] 当Address1(m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体 管T41而向读出信号线L1n输出，并向第1读出部301的保持部31n输入。即，晶体管T41作 为用以将与电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线L1n输出的第1开关而发挥 作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管T41向读出信 号线L1n输出。 [0101] 当Address2(m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体 管T42向读出信号线L2n输出，并向第2读出部302的保持部31n输入。即，晶体管T42作为 用以将与电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线L2n输出的第2开关而发挥作 用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管T42向读出信号 线L2n输出。 [0102] 第1行选择部201及第2行选择部202分别具有M段的移位缓存器。第1行选择部201的M段的移位缓存器自其中的第m段将Address1(m)信号向控制信号线LA1m输出并 提供给第m行的各像素部Pm，n。第2行选择部202的M段的移位缓存器自其中的第m段将 Address2(m)信号向控制信号线LA2m输出并提供给第m行的各像素部Pm，n。另外，第1行选 择部201相对于各奇数行(第(2i-1)行)而具有图5(a)所示的电路，第2行选择部202相 对于各偶数行(第2i行)而具有图5(b)所示的电路。 [0103] 第1行选择部201在由S_odd信号所指示的第1期间，可对于受光部10的第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，第2行选择部202在由S_even信号所指示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的各像素部P2i， n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。各像素部P2i，n的放电及电荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。 [0104] 第1行选择部201在第1期间及第2期间之后，可根据Address1(2i-1)信号而选择受光部10的奇数行(第(2i-1)行)，并逐行地对于各像素部P2i-1，n向读出信号线L1n输 出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。第2行选择部202在第1期间及第2期间之后， 根据Address2(2i)信号而选择受光部10的偶数行(第2i行)，并逐行地对于各像素部P2i， n向读出信号线L2n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。自第(2i-1)行的各像素 部P2i-1，n经由读出信号线L1n及第1读出部301而向检测部40A的数据读出，以及自第2i行 的各像素部P2i，n经由读出信号线L2n及第2读出部302而向检测部40A的数据读出，彼此 并列地进行。 [0105] 即，第1行选择部201及第2行选择部202同时选择受光部10的第(2i-1)行及第2i行，并使与第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据输出， 并使与第2i行的各像素部P2i，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据输出。第1读出部 301及第2读出部302将与第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的光电二极管所产生的电荷量对 应的数据D2i-1，n、及与第2i行的各像素部P2i，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D2i，n，同时向检测部40A输出。 [0106] 检测部40A运算出自读出部301、302同时输出的数据D2i-1，n、D2i的差，并根据该差而检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。 [0107] 第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2以如下方式进行动作。在光信号向受光部10入射的第1期间，通过第1行选择部201，而将第(2i-1)行的各像素部P2i-1，n的光 电二极管PD所产生的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储 存部)。这些动作对于受光部10的所有第奇数行的各像素部并列地进行。 [0108] 另外，在光信号未向受光部10入射的第2期间，通过第2行选择部202，而将第2i行的各像素部P2i，n的光电二极管PD所产生的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连 接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地 进行。 [0109] 这些各像素部Pm，n的电荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。第2实施方式的数据读出动作的时序与第1实施方式的情况不同。 [0110] 第2实施方式中，在第1期间及第2期间之后，自第1行选择部201向第1行的各像素部P1，n提供的Address1(1)信号、自第2行选择部202向第2行的各像素部P2，n提供的 Address2(2)信号在相同期间成为高电平。然后，自第1读出部301向第1行的各像素部P1， n的数据D1，n的输出、及自第2读出部302向第2行的各像素部P2，n的数据D2，n的输出同时 进行。检测部40A中，同时输入第1行的各像素部P1，n的数据D1，n及第2行的各像素部P2， n的数据D2，n，并运算出这些数据D1，n、D2，n的差(D1，n-D2，n)。然后，检测部40A根据该差(D1，n-D2，n)，检测到达像素部P1，n、P2，n的光是否为闪烁信号。 [0111] 继而，自第1行选择部201向第3行的各像素部P3，n提供的Address1(3)信号、及自第2行选择部202向第4行的各像素部P4，n提供的Address2(4)信号在相同期间成为高 电平。然后，自第1读出部301向第3行的各像素部P3，n的数据D3，n的输出、及自第2读出 部302向第4行的各像素部P4，n的数据D4，n的输出同时进行。检测部40A中，同时输入第3 行的各像素部P3，n的数据D3，n及第4行的各像素部P4，n的数据D4，n，并运算出这些数据D3，n、D4，n的差(D3，n-D4，n)。然后，检测部40A根据该差(D3，n-D4，n)，检测到达像素部P3，n、P4，n的光是否为闪烁信号。 [0112] 之后也同样地，检测部40A根据数据D2i-1，n、D2i，n的差(D2i-1，n-D2i，n)，检测到达像素部P2i-1，n、P2i，n的光是否为闪烁信号。 [0113] 第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1必需具备存储1行的数据的存储部41，但第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2无需具备这样的存储部。另外，第2实施 方式所涉及的闪烁信号检测装置2与第1实施方式的情况同样地，无需光信号的闪烁图案 是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。 [0114] (第3实施方式) [0115] 图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构成的图。该图所示的闪烁信号检测装置3包括受光部10、行选择部20B、读出部30、检测部40B及控制部 50B。 [0116] 若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构成加以比较，则该图12所示的第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的不同点在于：具备行选择部 20B来代替行选择部20；具备检测部40B来代替检测部40；及具备控制部50B来代替控制 部50。 [0117] 行选择部20B输出用以控制受光部10的各像素部Pm，n的动作的各种控制信号。更具体而言，行选择部20B在第1期间，对于受光部10的第(4j-3)行的各像素部P4j-3，n，使由 光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。行选择部20B在第2期间，对于受光部 10的第(4j-2)行的各像素部P4j-2，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部 中。 [0118] 行选择部20B在第3期间，对于受光部10的第(4j-1)行的各像素部P4j-1，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部20B在第4期间，对于 受光部10的第4j行的各像素部P4j，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部 中。然后，行选择部20B在第4期间之后，选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部Pm， n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。此处，第1～第4期间依次设定，且具有共 同的时间宽度。另外，j是1以上且(M/4)以下的各整数。 [0119] 读出部30与N根读出信号线L1～LN连接，且输入从行选择部20所选择的受光部10的第m行的各像素部Pm，n向读出信号线Ln输出的数据，并将与第m行的各像素部Pm，n的 光电二极管所产生的电荷量对应的数据Dm，n向检测部40B输出。 [0120] 检测部40B输入自读出部30输出的各数据Dm，n，并根据数据D4j-3，n、D4j-1，n的差与数据D4j-2，n、D4j，n的差之和，检测到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n的光是否为闪烁信号。 [0121] 控制部50B通过控制行选择部20B、读出部30及检测部40B的各自的动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控制部50B控制行选择部20B的向受光部 10的各种控制信号的发送、读出部30的来自各像素部Pm，n的数据的输入、读出部30的各数 据Dm，n的输出、及检测部40B的处理的各动作时序。 [0122] 图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部40B的构成的图。检测部40B输入自读出部30逐行地输出的各数据Dm，n。检测部40B包含存储部411～ 413及运算部43。存储部411存储第(4j-3)行的N个数据D4j-3，n。存储部412存储第(4j-2) 行的N个数据D4j-2，n。存储部413存储第(4j-1)行的N个数据D4j-1，n。 [0123] 运算部43输入第4j行的N个D4j，n，并且也输入通过存储部411～413而存储的第(4j-3)行的N个数据D4j-3，n、第(4j-2)行的N个数据D4j-2，n及第(4j-1)行的N个数据 D4j-1，n。然后，运算部43求出数据D4j-3，n、D4j-1，n的差与数据D4j-2，n、D4j，n的差之和S(＝|D4j-3，n-D4j-1，n|+|D4j-2，n-D4j，n|)，并根据该运算结果S，检测到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n的光是否为闪烁信号。 [0124] 图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的第(4j-3)行的像素部的电荷储存时 序A、受光部10的第(4j-2)行的像素部中的电荷储存时序B、受光部10的第(4j-1)行的像 素部中的电荷储存时序C、及受光部10的第4j行的像素部中的电荷储存时序D。该图中， 电荷储存时序A～D及光信号入射时序为同一周期，电荷储存时序A～D均是一部分与光 信号入射时序重叠。电荷储存时序A～D的各相位彼此相差1/4周期。 [0125] 图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A～D分别与光信号入射时序重叠的范围，相当于数据D4j-3，n、D4j-2，n、D4j-1，n、D4j，n的大小。若闪烁信号到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n，则由于运算部43的运算结果S不为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号到达的情况。另一方面，若一定强度的光到达像素部P4j-3，n、P4j-2，n、P4j-1，n、P4j，n，则由于运算部43的运算结果S为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号未到达。 [0127] 如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3仅具备存储3行的数据的存储部411～413即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3无 需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。 [0128] 另外，本发明当然不限定于第1～第3的各实施方式。例如，上述实施方式中，列举了连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域作为电荷储存部，但光电二极管也可兼作电 荷储存部。 [0129] 产业上的可利用性 [0130] 本发明可应用于无需大容量的存储部，无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部的用途中。 |
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