通信系统 |
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| 申请号 | CN201080038418.1 | 申请日 | 2010-06-25 | 公开(公告)号 | CN102484506A | 公开(公告)日 | 2012-05-30 |
| 申请人 | 日本电气株式会社; | 发明人 | 今里雅治; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种通信系统，其由传输和接收 信号 的通信 耦合器 以及通过将已经从通信耦合器传输的信号作为电 磁场 进行传播而进行通信的信号发射装置构成。通信耦合器具有设置在信号发射装置上的耦合器壳体，并且在耦合器壳体的面向信号发射装置的下端面上，设置通过产生高阻抗而抑制噪声的噪声抑制部。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种通信系统，包括：传输信号的通信耦合器；以及通过将从通信耦合器传输的信号作为电磁场进行传播而进行通信的信号发射装置， |
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| 说明书全文 | 通信系统技术领域[0001] 本发明涉及通信系统，其包括具有点阵图案的信号发射装置，以及设置在顶部上并将信号传输至信号发射装置的通信耦合器。具体地，本发明涉及具有噪声抑制结构的通信系统，该噪声抑制结构抑制来自通信耦合器的电磁泄漏。 背景技术[0002] 近年来，已经出现了一种通信技术，其中通过使用本地电磁场的电磁耦合实现二维信号发射装置上的目的点之间的通信或功率传输。这是这样一种通信技术，使得能够经由通信系统中的信号发射装置在期望的通信耦合器之间进行通信或功率传输，在该信号发射装置中栅格状图案设置在信号发射装置的平坦表面中，用于通信或功率传输的通信耦合器设置在栅格状图案上。 [0003] 对于这种通信技术，例如，提供了如图18至图20所示的通信系统。 [0004] 图中所示的通信系统包括用作通信介质的片状信号发射装置1和通信耦合器2。信号发射装置1为片状结构，并具有接地层3、栅格状图案电极4、保护层5和介电层6。接地层3形成下电极。栅格状图案电极4为网格形状，并位于离接地层3一定距离处。保护层5设置在栅格状图案电极4的顶部上，并防止图案电极4与通信耦合器2直接接触。介电层6设置在夹在接地层3和栅格状图案电极4之间的区域中。 [0005] 如图20所示，通信耦合器2具有板形形状的天线电路10、信号/功率发射和接收电路(图中略去)和杯形耦合器壳体11，天线电路10用于通信信号或功率传输和接收，天线电路10和信号/功率发射和接收电路设置在信号发射装置1上，杯形耦合器壳体11形成为使得它覆盖天线电路10。 [0006] 采用这种构造，通信信号经由耦合器壳体11的天线电路10变成电磁场，之后注入信号发射装置1，传播通过信号发射装置1，以便在通信耦合器2和另一通信耦合器(图中略去)之间进行通信。 [0007] 除了在上述图18至图20中示出的技术之外，如专利文献1-3所示，公开了一种技术，其中，在通信装置中，使电磁场存在于夹在片状体中间的区域中，片状体为彼此面对的载流部件，通过改变施加在两个片状体之间的施加电压，形成电磁场。 [0008] 特别地，在这些专利文献中的专利文献2中，公开了具有图21中示出的构造的通信耦合器。 [0009] 通信耦合器20具有如在图21的剖视图中示出的内导体21、外导体23和同轴电缆24。内导体21为盘形的。外导体23为杯形的，覆盖内导体21，并形成耦合器壳体22。同轴电缆24连接至内导体21和外导体23。同轴电缆24的末端连接至通信设备25。采用这种构造，来自通信设备25的电磁场输入和输出传输至同轴电缆24，之后它在通信耦合器2的内导体21和外导体23之间传播，并注入信号发射装置1，它在信号发射装置1中传播，以便在通信耦合器20和另一个通信耦合器(图中略去)之间进行通信。 [0010] 在专利文献4中，公开了关于通信装置的技术，该通信装置包括位置保持机构，该位置保持机构进行位置调整以便在安装在发射电极和接收电极中的表面波传输线部件的尖端处的电极之间实现静电耦合，并且保持位置。 [0011] [现有技术文献] [0012] [专利文献] [0013] [专利文献1]PCT国际公开No.2006/32339 [0014] [专利文献2]日本待审专利申请首次公开No.2007-082178 [0015] [专利文献3]日本待审专利申请首次公开No.2007-281678 [0016] [专利文献4]日本待审专利申请首次公开No.2008-103902 发明内容[0017] 要解决的技术问题 [0018] 在上述图18至图20以及专利文献1-4中示出的通信装置中，存在其中如图22所示的接合结构用在通信耦合器2的耦合器壳体11和信号发射装置1中的情况。在这种接合结构中，在图22中，用于通信或功率传输的信号电流从通信耦合器2的内侧12(图22中的右侧)流过耦合器壳体11和信号发射装置1之间的接合处到达通信耦合器2的外侧13(图22中的左侧)，并作为噪声消散到通信系统外面。 [0019] 图23示出了图22的接合噪声传播的等效电路。在图23中，耦合器壳体11与信号发射装置1的接合点的表面电阻表示为“Rs”，耦合器壳体11和信号发射装置1之间的阻抗表示为“Zc”。通信耦合器2的内侧12中产生的信号电流在“Ic”和“Id”之间分流，“Ic”如由箭头A所示经由Zc流向通信耦合器2的内侧12，“Id”如由箭头B所示经由Rs流向通信耦合器的外侧13。阻抗Zc由耦合器壳体11的下端面的导体和信号发射装置1之间的电容C确定，如由“Zc＝1/ωC＝1/2πfC”示出。 [0020] 其中f为信号频率。考虑耦合器壳体11面对信号发射装置1的面积和信号发射装置的介电常数，电容C约为10pF。考虑GHz区域的通信频率，阻抗Zc为几Ω。而且，如果假设壳体为金属，则耦合器壳体11的接合点的表面电阻为毫欧量级。因此，Rs和Zc之间的关系为“Rs＜＜Zc”。因此，Id几乎由噪声电流组成，并作为噪声电流流入通信耦合器2的外侧13，引起噪声发射。根据噪声发射水平，存在它超过可应用于装置的电场强度规范的可能性。因此存在其中它不能用作通信系统的情况。 [0021] 专利文献4中公开的通信设备简单地包括位置保持机构，其进行位置调整以便在发射电极和接收电极的表面波传输线部件的尖端处的电极之间产生静电耦合，并保持该位置。由于该通信装置不包括抑制噪声发射的结构，因此存在引起噪声发射的问题。 [0022] 已经考虑到上述情况作出了本发明，并且本发明的目的是提供电磁场泄漏抑制结构，其通过提供其中噪声电流不可能流入耦合器壳体的面对信号发射装置的下端面中而抑制发射到耦合器壳体外侧的噪声。 [0023] 技术方案 [0024] 为了解决上述问题，本发明的通信系统包括：传输信号的通信耦合器；以及通过将从通信耦合器传输的信号作为电磁场进行传播而通信的信号发射装置，通信耦合器包括设置在信号发射装置上的耦合器壳体，噪声抑制部设置在耦合器壳体的下端面上，下端面面向信号发射装置，并且噪声抑制部通过产生高阻抗而抑制噪声。 [0025] 有益效果 [0026] 根据本发明，在包括信号发射装置和通信耦合器的通信系统中，通过产生高阻抗而抑制噪声的噪声抑制部设置在耦合器壳体的面向信号发射装置的下端面上。采用这种结构，抑制电流从通信耦合器的内侧流向通信耦合器的外侧。通过降低流向通信耦合器外侧的噪声电流，减少了噪声发射，使得能够满足可应用于通信系统的电场强度规范。附图说明 [0027] 图1为示出本发明的第一示例性实施方式的通信系统的透视图。 [0028] 图2为图1中示出的通信系统的平面图。 [0029] 图3为沿着图2和图10的线III-III的正面剖视图。 [0030] 图4正面剖视图，其中放大了图3中示出的通信耦合器和信号发射部的接触部。 [0031] 图5为示出图3中示出的通信耦合器的耦合器壳体和信号发射装置的接触部的等效电路的图示。 [0032] 图6为示出根据第一示例性实施方式的具有凹槽的通信耦合器和信号发射装置的噪声泄漏状态的图示，示出为通过电磁场模拟获得的本地磁场分布。 [0033] 图7为示出根据常规技术的通信耦合器和信号发射装置的噪声泄漏状态的图示，示出为通过电磁场模拟获得的本地磁场分布。 [0034] 图8为示出根据第一示例性实施方式的通信耦合器的凹槽和栅格状图案电极的迹线的位置关系的图示。 [0036] 图10为示出图9的通信系统的平面图。 [0037] 图11为示出第一示例性实施方式的第二修改示例的通信系统的正面剖视图。 [0038] 图12为示出根据第二示例性实施方式的通信系统的正面剖视图。 [0039] 图13为示出第二示例性实施方式的第一修改示例的通信系统的透视图。 [0040] 图14为示出第二示例性实施方式的第二修改示例的通信系统的透视图。 [0041] 图15为示出根据第三示例性实施方式的通信系统的正面剖视图。 [0042] 图16为示出根据第三示例性实施方式的通信耦合器和信号发射装置的噪声泄漏状态的图示，示出为通过电磁场模拟获得的本地磁场分布。 [0043] 图17为示出本地磁场分布的图示，其中凹槽和栅格状图案电极的迹线之间的位置关系不同于图16。 [0044] 图18为示出根据常规技术的通信系统的透视图。 [0045] 图19为图18中示出的通信系统的平面图。 [0046] 图20为沿着图19的线XX-XX的正面剖视图。 [0047] 图21为示出根据另一常规技术的通信系统的正面剖视图。 [0048] 图22根据常规技术的通信耦合器和信号发射部的接触部的正面剖视图。 [0049] 图23为示出根据常规技术的通信耦合器的耦合器壳体和信号发射装置的接触部的等效电路的图示。 具体实施方式[0050] (第一示例性实施方式) [0051] 将参照图1至图7描述本发明的第一示例性实施方式。 [0052] 如图1至图3所示的根据本发明的通信系统包括用作通信介质的片状信号发射装置30、以及设置在信号发射装置30的顶部上的杯形通信耦合器31。 [0053] 信号发射装置30为如图3所示的片状结构，并包括接地层32、栅格状图案电极33、保护层34和介电层35。接地层32形成下电极。栅格状图案电极33为网格形状，并位于离接地层32一定距离处。保护层35设置在栅格状图案电极33的顶部上，并防止图案电极33与通信耦合器31直接接触。介电层35设置在夹在接地层32和栅格状图案电极33之间的区域中。 [0054] 如图3所示的通信耦合器31具有天线电路40、信号/功率发射和接收电路(图中略去)和耦合器壳体41。天线电路40为片状的，设置在信号发射装置30上，并用于通信信号或功率传输和接收。耦合器壳体41为杯形的，形成为使得它覆盖天线电路40，并且其基底是开口的。 [0055] 采用这种构造，通信信号经由耦合器壳体41的天线电路40变成电磁场，之后注入信号发射装置30，在信号发射装置30中传播，以便在通信耦合器31和另一通信耦合器(图中略去)之间进行通信。 [0056] 在耦合器壳体41中，产生高阻抗的凹槽42设置在与信号发射装置30的保护层34接触的下端面41A中。凹槽42为如在图4中详细示出的凹形体，其从耦合器壳体41的下端面41a的中心开始形成，向上顺着壁表面进入耦合器壳体41。在图4中，右手侧表示通信耦合器31的内侧36，左手侧表示耦合器壳体41的外侧37。 [0057] 图5示出了图4中示出的通信耦合器31的耦合器壳体41和信号发射装置30的接触部的细节的等效电路。在图5中，耦合器壳体41的下端面41A的接触电阻由“Rs”表示，耦合器壳体41和信号发射装置30之间的阻抗由“Zc”和“Zc′”表示，并且设置在耦合器壳体41的下端面中的凹槽42的阻抗由“Zs”表示。 [0058] 在图5的等效电路中，用于在通信耦合器31的内侧36中的通信或功率传输的信号电流流过Rs，并分布成电流Ic和Id，Ic如由箭头A所示经由Zc返回通信耦合器31的内侧36，Id如由箭头B所示经由Zc和Rs流至通信耦合器31的外侧37。 [0059] Zs为由被凹槽42延长的电流路径引起的附加阻抗。当比较图5中示出的等效电路和图23中示出的根据常规技术的通信耦合器2和信号发射装置1的等效电路时，Rs和Zc，Zc′之间的关系为is“Rs＜＜Zc，Zc”。因此，流向通信耦合器31的外侧37的Id与流向图23的常规结构中的通信耦合器2的外侧13的Id相比较为“Id(常规结构)/Id(本发明的示例性实施方式的结构)＝(2Rs+Zs)/2Rs＝1+Zs/2Rs”。结果，通过使用根据本发明的示例性实施方式的构造，与由凹槽的表面电阻引起的阻抗成比例地，阻抗增加并且电流降低。也就是说，流向通信耦合器31的外侧37的电流由于由凹槽42产生的凹槽阻抗而降低，使得能够降低发射至通信耦合器31的外侧37的噪声。 [0060] 将参照图6至图8描述其中通过电磁场模拟获得来自通信耦合器和信号发射装置的噪声泄漏的本地磁场分布。 [0061] 图6示出了具有凹槽42的通信耦合器31和信号发射装置30的噪声泄漏状态，示出为通过电磁场模拟获得本地磁场分布。图6按照沿着图2中示出的线III-III的剖视图采用灰度级示出了本地磁场强度。 [0062] 图7为示出根据常规技术的通信耦合器2和信号发射装置1(参见图18至图20)的噪声泄漏的图示，示出为通过电磁场模拟获得的本地磁场分布。图7按照图19中示出的XX-XX线剖视图结构采用灰度级示出了本地磁场强度。 [0063] 在这种磁场分布中，磁场强度越大，颜色越暗，并且磁场强度越低，颜色越浅。 [0064] 在图6和图7中，当比较信号发射装置30和通信耦合器31的接合处的外侧的本地磁场分布时，可以理解，与不具有凹槽42的常规结构中的强磁场区域相比，具有凹槽42的第一示例性实施方式的本地磁场分布中的强磁场区域减少。观察通信耦合器2和31外侧的磁场强度，参见由图6和7的右手侧的强度图示出的级别，在根据本发明的第一示例性实施方式的结构中，证实与常规结构相比，可以实现大于或等于3倍(2dB×3＝6dB)的磁场强度降低。 [0065] 而且，在通过电磁场模拟获得的远程电场强度计算中，证实来自根据常规技术的通信系统(参见图18至图20)的电场强度比根据本发明的示例性实施方式的电场强度低3dB或更多。 [0066] 在图6中示出的根据本发明的第一示例性实施方式的通信系统中，在通信耦合器31的左侧和右侧存在凹槽42。它被构造为使得在图6中的左侧的凹槽42的正下方(由参考符号R示出)，存在栅格状图案电极33的迹线。另一方面，被构造为使得在图6中的右侧的凹槽42的正下方(由参考符号S示出)，不存在栅格状图案电极33的迹线。 [0067] 而且，图8也示出了根据本发明的第一示例性实施方式的通信系统。然而，该构造不同于图6的通信系统的构造。也就是说，在图8中示出的通信系统中，在通信耦合器31的左侧和右侧存在凹槽42。它被构造为使得在图8中的左侧的凹槽42的正下方和图8中的右侧的凹槽42的正下方(由参考符号T示出)，存在栅格状图案电极33的迹线的一部分。 [0068] 根据图6和8中示出的电磁场模拟，检查栅格状图案电极33的存在对其有影响的结构的电场强度，与图6中示出的通信系统相比，在图8中示出的通信系统中电场强度整体下降。 [0069] 因此，应当理解，如果栅格状图案配置和设置在耦合器壳体41中的凹槽正下方的迹线宽度遵从下述条件，则可以获得噪声降低效果。凹槽42的宽度由“W”表示，栅格状图案电极33的栅格状图案的迹线宽度由“W′”表示。用于获得噪声降低效果的条件是，栅格状图案电极33的迹线位于凹槽42的下面(正下方)，并且它被设置成使得“W＞W′”，以便栅格状图案电极33的迹线的宽度“W′”不超过凹槽42的宽度“W”。 [0070] 如上文详细描述的那样，在根据本第一示例性实施方式的通信系统中，通过在通信耦合器31的耦合器壳体41的面对信号发射装置30的下端面41A中设置产生高阻抗的凹槽42，由于该高阻抗，电流难以从通信耦合器31的内侧流向外侧。通过降低流向耦合器壳体41外侧的噪声电流，减少了噪声发射，使得能够满足可应用于通信系统的电场强度规范。 [0071] 可以如下修改上述第一示例性实施方式。 [0072] (第一修改示例) [0073] 在上述第一示例性实施方式中，作为示例给出了其中使用如图1和图2所示的圆筒形通信耦合器31的通信系统。然而，这不是限制。如图9和图10所示，本技术可以用于整体形成为正方向的矩形通信耦合器31。 [0074] (第二修改示例) [0075] 在上述第一示例性实施方式，在通信耦合器31的面对信号发射装置30的下端面41中设置产生高阻抗的凹槽42。然而，这种凹槽42不限于结合在耦合器壳体41的主体 41B(参见图3)中。替代地，如图11所示，它可以位于凹槽壳体43中，凹槽壳体43形成耦合器壳体41的主体41B的一部分并邻近主体41B的外侧。也就是说，形成在耦合器壳体41的下端面41A中的凹槽42可以设置在耦合器壳体41的主体41B中，或者可以设置在凹槽壳体43中，或者可以设置在凹槽壳体43中，凹槽壳体43邻近主体41B并形成主体41B的一部分。 [0076] (第三修改示例) [0077] 可以是仅一个凹槽42设置在面对信号发射装置的下端面41A中，使得它围绕耦合器壳体41的下端面41A的整体形成为环形的圆周是连续的。而且，多个凹槽42可以设置成使得它分成围绕耦合器壳体41的下端面41A的圆周的多段。 [0078] (第二示例性实施方式) [0079] 将参照图12至图14描述本发明的第二示例性实施方式。 [0080] 本第二示例性实施方式与之前的第一示例性实施方式不同点在于，形成在通信耦合器31的耦合器壳体41的面向信号发射装置30的下端面41A中的凹槽42具有多种形式。 [0081] 具体地，类似于图1至图3的通信耦合器31，图12中示出的通信耦合器50具有天线电路51、信号/功率发射和接收电路(图中略去)和耦合器壳体52。天线电路51为片状的，设置在信号发射装置30上，并用于通信信号或功率传输和接收。耦合器壳体52为杯形的，形成为使得它覆盖天线电路51，并且其基底是开口的。 [0082] 在通信耦合器50中，产生高阻抗的多个(在本示例中为一对)凹槽53设置在耦合器壳体52的与信号发射装置30的保护层34接触的下端面52A中。这两个凹槽53为凹形体，其从耦合器壳体52的下端面52A开始向上形成，顺着壁表面进入耦合器壳体52，并定位使得它们彼此平行。而且，用作凹槽53的凹形体的深度形成为相同。 [0083] 在根据本第二示例性实施方式的这种通信系统中，产生高阻抗的所述多个凹槽53形成在通信耦合器50的耦合器壳体52的面向信号发射装置30的下端面52A中。采用这种结构，与如第一示例性实施方式中所示的采用一个凹槽53的阻抗相比，耦合器壳体52的尖端的阻抗进一步增加。结果，在根据本第二示例性实施方式的通信系统中，从通信耦合器50的内侧流向外侧的噪声电流降低，使得也能够获得可以减少发射到通信耦合器50外侧的噪声的效果。 [0084] 可以如下修改上述第二示例性实施方式。 [0085] (第一修改示例) [0086] 在第二示例性实施方式中，所述两个凹槽53形成至相同的深度。然而，这不是限制。例如，所述凹槽53A和53B可以具有不同的深度，如图13所示。内凹槽53A的深度由“h1”表示，外凹槽53B的深度由“h2”表示。例如，在其中本通信系统中存在进行信号或功率传输的两种频率的波的情况中，当第一频率f1的四分之一波长的长度为“(λ1)/4＝h1”，且第二频率f2的四分之一波长的长度为“(λ2)/4＝h2”时，能够实现在凹槽53A和53B的深部处变为短路，且在耦合器壳体52的下端面52A处变为开路的阻抗阻抗。 [0087] 以这种方式，通过在耦合器壳体52的面向信号发射装置30的下端面52A中设置多个凹槽53A和53B，并且将凹槽53A和53B的深度设置成进行信号或功率传输的多种频率的对应波长的四分之一的长度，耦合器壳体52的尖端的阻抗在所使用的频率处变为高阻抗，降低了从通信耦合器31的内侧流向外侧的所述多种频率的噪声电流，使得能够减少发射至通信耦合器31外侧的噪声。 [0088] (第二修改示例) [0089] 在第二示例性实施方式的第一修改示例性实施方式中，通过设置两个凹槽53A和53B，在其中存在进行信号或功率传输的两种频率的波的情况中实现噪声降低。替代地，如图14所示，在其中存在两种这种频率的波的情况中的噪声降低可以通过一个凹槽60实现。 也就是说，图14中示出的凹槽60为凹形体，其从耦合器壳体52的下端面52A开始向上形成，顺着壁表面的进入耦合器壳体52。凹形体的基底不平行于耦合器壳体52的下端面52A，但设置成使得它倾斜以便深度从内侧向着外侧增加。 [0090] 如图14所示，凹槽60的位于通信耦合器50的耦合器壳体52内侧的最浅部分的深度由“h3”表示，凹槽60的位于耦合器壳体52外侧的最深部分的深度由“h4”表示。例如，在其中本通信系统中存在进行信号或功率传输的多种频率的情况中，当最高频率f1的四分之一波长的长度为“(λ1)/4＝h3”，最低频率f2的四分之一波长的长度为“(λ2)/4＝h4”时，阻抗在凹槽60的较深部分中在从f1至f2的频带中可以为连续短路，并且在通信耦合器50的下端面52A可以为开路。 [0091] 以这种方式，在耦合器壳体52的面向信号发射装置30的下端面52A中设置了凹槽60，凹槽60的空腔形本体的基底不平行于耦合器壳体52的下端面52A，但倾斜使得它的深度从内侧向着外侧增加，并且凹槽60的深度为进行信号或功率传输的多个频率中的最高频率和最低频率的四分之一波长的长度。采用这种构造，耦合器壳体52的末端的阻抗在所使用的频率处变为高阻抗，降低从通信耦合器50的内侧流向外侧的具有所述多个频率的噪声电流，使得能够减少发射到通信耦合器50外侧的噪声。 [0092] 本第二示例性实施方式中示出的通信耦合器50可以为如图1和图2所示的圆筒形，或者可以为如图9和图10所示的整体形成为正方形的矩形。而且，53(53A，53B)或凹槽60可以如图12至图14设置在耦合器壳体的主体中，或者可以设置在邻近耦合器壳体的主体并形成主体的一部分的凹槽壳体43中。而且，上述凹槽53(53A，53B)和凹槽60可以设置成使得它们围绕耦合器壳体52的下端面52A的圆周是连续的，形成为整体圆形，或者它们中的多个可以设置成使得它们分成多段并顺着圆周方向。 [0093] (第三示例性实施方式) [0094] 将参照图15至图17描述本发明的第三示例性实施方式。 [0095] 本第三示例性实施方式与之前的示例性实施方式1和2的不同点在于，代替凹槽42和53，磁性物质设置在通信耦合器31和51的耦合器壳体41和52的面向信号发射装置 30的下端面41A和52A中。 [0096] 也就是说，类似于图1至图3的通信耦合器31，图15中示出的通信耦合器70具有天线电路71、信号/功率发射和接收电路(图中略去)和杯形耦合器壳体72，杯形耦合器壳体72形成为使得它覆盖天线电路71，并且其基底是开口的。天线电路71为片状的，设置在信号发射装置30上，并用于通信信号或功率传输和接收。耦合器壳体72为杯形的，形成为使得它覆盖天线电路71，并且其基底是开口的。 [0097] 在通信耦合器70中，代替如在之前的示例性实施方式1和2中的凹槽42和53，其同样产生高阻抗以降低本地磁场强度的磁性物质73设置在耦合器壳体72的与信号发射装置30的保护层34接触的下端面72A中。 [0098] 图16示出了通过电磁场模拟获得的本地磁场分布，用于说明本第三示例性实施方式的包括磁性物质73的通信耦合器70和信号发射装置30的噪声泄漏。图16采用灰度级示出了信号发射装置30和通信耦合器70的接合点外侧的本地磁场强度，对应于图15的剖面结构。 [0099] 如通过图16的本地磁场分布和根据之前描述的常规技术的图7的比较明显看出的是，证实其中磁性物质73设置在通信耦合器70中的第三示例性实施方式的本地磁场分布中的强磁场区域与根据常规技术的强磁场区域相比降低。在本第三示例性实施方式中，证实在通信耦合器70外侧的磁场强度中，采用图16的右手侧的强度图示，实现了大于或等于4倍(2dB×4＝8dB)的磁场强度降低。 [0100] 另一方面，在通过电磁场模拟获得的远程电场强度计算中，证实来自根据本发明的第三示例性实施方式的通信系统的电场强度比常规技术的电场强度降低4dB或更多。 [0101] 在图16中示出的通信耦合器70，配置为使得在左侧的磁性物质73的正下方存在栅格状图案电极33迹线，在右侧的磁性物质73的正下方不存在栅格状图案电极33迹线。另一方面，在图17中示出的通信耦合器70中，配置使得栅格状图案电极33的迹线一部分位于左侧和右侧的磁性物质73的正下方。 [0102] 当根据图16和图17的通信耦合器70的电磁场模拟比较电场强度时，图17中示出的栅格状图案电极33的点阵配置图案中的电场强度低于图16的电场强度。这证实有效的是，配置栅格状图案电极的点阵配置图案，使得至少一部分迹线位于设置在通信耦合器70的耦合器壳体72中的磁性物质73的正下方以降低噪声。 [0103] 如上所述，在根据本第三示例性实施方式的通信系统中，磁性物质73设置在通信耦合器70中的耦合器壳体72的面向信号发射装置30的下端面72A中。采用这种结构，能够降低附近的磁场强度，降低从通信耦合器70的内侧流向外侧的噪声电流，使得能够获得可以减少发射至通信耦合器70的外侧的噪声的效果。 [0104] 本第三示例性实施方式中示出的通信耦合器70可以为如图1和图2所示的圆筒形，或者可以为如图9和图10所示的形成为整体正方形的矩形。而且，磁性物质73可以如图12至图14所示设置在耦合器壳体52的主体中，或者可以如图11所示设置在邻近耦合器壳体的主体并形成主体的一部分的凹槽壳体43中。而且，上述磁性物质73可以如图12所示在耦合器壳体72的下端面72A中设置成多行。而且，磁性物质73可以围绕耦合器壳体72的下端面72A的圆周连续地设置，形成为整体圆形，或者它们中的多个可以设置成使得它们分成多段并顺着所述圆周方向。 [0105] 如上所述，参照附图详细描述了本发明的示例性实施方式。然而，具体构造不限于这些实施方式，并且包括不偏离本发明的范围的任何设计变化等。 [0106] 本申请基于并要求于2009年9月1日递交的日本专利申请No.2009-202115的优先权权益，通过引用将该日本专利申请的全部内容结合于此。 [0107] 工业应用性 [0108] 本发明可以用在通信系统中，该通信系统包括片状信号发射装置和设置在信号发射装置的顶部上并将信号传送至信号发射装置的通信耦合器，并且具体地，它可以用在在通信期间抑制电磁泄漏的电磁场泄漏抑制结构中。 [0109] 参考符号说明 [0110] 30 信号发射装置 [0111] 31 通信耦合器 [0112] 33 栅格状图案电极 [0113] 41 耦合器壳体 [0114] 41A 下端面 [0115] 41B 主体 [0116] 42 凹槽(噪声抑制部) [0117] 42A 凹槽(噪声抑制部) [0118] 42B 凹槽(噪声抑制部) [0119] 43 凹槽壳体 [0120] 50 通信耦合器 [0121] 52 耦合器壳体 [0122] 52A 下端面 [0123] 53 凹槽(噪声抑制部) [0124] 53A 凹槽(噪声抑制部) [0125] 53B 凹槽(噪声抑制部) [0126] 70 通信耦合器 [0127] 72 耦合器壳体 [0128] 72A 下端面 [0129] 73 磁性物质(噪声抑制部) |
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