同相-正交失配校准和方法 |
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| 申请号 | CN201310086223.X | 申请日 | 2008-12-15 | 公开(公告)号 | CN103209149A | 公开(公告)日 | 2013-07-17 |
| 申请人 | 高通股份有限公司; | 发明人 | 奥亚斯·M·乔克西; 弗雷德里克·博苏; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及同相- 正交 失配校准和方法。本发明提供用于减少在通信发射器或接收器的同相(I)与正交(Q)信道之间的失配的技术。在一示范性 实施例 中，施加单独的 电压 以偏置所述I信道的 混频器 与所述Q信道的混频器中的晶体管的栅极或整体。在另一示范性实施例中，施加单独的电压以偏置与每一信道相关联的跨阻抗 放大器 的共模参考电压。本发明进一步提供用于导出偏电压以最小化所接收或所发射 信号 中的所测得残余边带或优化所述所接收或所发射信号的其它参数的技术。本发明还揭示用于使用双向和单向 电流 数/模转换器(DAC)来产生单独的偏电压的技术。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种用于将两个以数字方式规定的电压转换成两个模拟电压的通信设备，所述两个以数字方式规定的电压包含第一数字信号和第二数字信号，所述两个模拟电压产生于第一输出节点和第二输出节点处，转换模块包含： |
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| 说明书全文 | 同相-正交失配校准和方法[0001] 分案申请的相关信息 [0003] 根据35 U.S.C.§119主张优先权 [0004] 本专利申请案主张2007年12月18日申请的题为“I-Q失配校准(I-Q Mismatch Calibration)”的第61/014,662号美国临时申请案的优先权，所述申请案已转让给本案受让人，且其揭示内容在此以引用的方式明确地并入本文中。 技术领域[0005] 本发明涉及通信收发器，且更明确地说，涉及用于校正通信收发器中的同相(I)混频器与正交(Q)混频器之间的失配的技术。 背景技术[0006] 在通信发射器中，可将信息调制成被称为同相(I)和正交(Q)载波的正交信号以形成I和Q信道。在接收器处，可解调所述I和Q信道以恢复所关注信息。通常，提供混频器以调制或解调每一信道，即，用于I信道的I混频器，和用于Q信道的Q混频器。 [0007] 信息的准确发射和接收要求I和Q信道在通信链路上保持相互正交。实际上，在发射器或接收器处I信道与Q信道(例如，I信道的混频器与Q信道的混频器)之间的失配引起I信道与Q信道之间的相关，从而使来自I信道的信息“渗”入Q信道中且反之亦然。此导致信息信号的恶化。 [0008] 将需要提供用于减少I信道与Q信道之间的失配的技术。 发明内容[0009] 本发明的一方面提供一种设备，其包含：同相(I)信号路径和正交(Q)信号路径，所述I信号路径具有至少一个I偏电压或I偏电流，且所述Q信号路径具有至少一个对应的Q偏电压或Q偏电流；以及偏移校准控制件，其用于控制所述I偏电压、I偏电流、Q偏电压或Q偏电流中的至少一者，使得所述I偏电压或所述I偏电流中的至少一者具有不同于所述Q偏电压或所述Q偏电流中的对应一者的值。 [0010] 本发明的另一方面提供用于减少通信设备中的同相(I)信号路径与正交(Q)信号路径之间的失配的方法，所述方法包含：在用于所述I信号路径的元件的偏压与用于所述Q信号路径的元件的偏压之间施加偏移。 [0011] 本发明的又一方面提供一种设备，其包含：同相(I)信号路径和正交(Q)信号路径；以及用于在用于所述I信号路径的元件的偏压与用于所述Q信号路径的元件的偏压之间施加偏移的装置。 [0012] 本发明的又一方面提供用于规定在通信设备中将被施加于I信号路径的元件与对应的Q信号路径的元件之间的偏移的计算机程序产品，所述产品包含：计算机可读媒体，所述计算机可读媒体包含：用于致使计算机测量分别耦合到所述I和Q信号路径的输出的I和Q输入信号的代码；以及用于致使计算机基于所述测得的I和Q输入信号来调整所述所施加的偏移的代码。 [0013] 本发明的又一方面提供一种用于将两个以数字方式规定的电压转换成两个模拟电压的设备，所述两个以数字方式规定的电压包含第一数字信号和第二数字信号，所述两个模拟电压产生于第一输出节点和第二输出节点处，转换模块包含：电压数/模转换器，其用于将所述第一数字信号转换成第一模拟电压；单向电流数/模转换器，其用于在电流节点处将所述第二数字信号转换成第二模拟电流；第一组开关，其在所述开关接通时经由所述第一输出节点和电阻将所述第一模拟电压耦合到所述电流节点；以及第二组开关，其在所述开关接通时经由所述第二输出节点和电阻将所述第一模拟电压耦合到所述电流节点。附图说明 [0015] 图2描绘图1中所展示的接收器的示范性实施例，其中额外偏移校准控制件200产生用以偏置I混频器110的一个控制电压或一组控制电压VI和用以偏置Q混频器120的一个控制电压或一组控制电压VQ。 [0016] 图3A描绘图2中所展示的I混频器110的示范性实施例，其中施加控制电压VI以偏置晶体管M1、M2、M3、M4的栅极。 [0017] 图3B描绘图2的接收器的示范性实施例，其中偏移校准控制件200产生电压VI＝Vgate1，其被作为Vgate供应到I混频器110的晶体管的栅极，如参看图3A所描述。 [0018] 图3C描绘图2中所展示的I混频器110的替代示范性实施例，其中施加控制电压VI以偏置晶体管M1、M2、M3、M4的衬底(或整体)。 [0019] 图3D描绘图2的接收器的示范性实施例，其中偏移校准控制件200产生电压VI＝Vbulk1以偏置I混频器110的晶体管的整体，如参看图3C所描述。 [0020] 图4描绘可根据本发明的技术而配置的用于I信道的有源混频器的示范性实施例。 [0021] 图5A描绘直接转换接收器，其中全差动跨阻抗放大器(TIA)ITIA510和QTIA520分别耦合到I混频器110和Q混频器120。 [0022] 图5B描绘用于直接转换接收器的基于电压的架构，其中跨阻抗(Gm)级在每一混频器前面，其后为电压放大(Av)级。 [0023] 图5C描绘用于图5B的架构的示范性电路的一部分，其中图5B的Gm级550经实施为具有电阻性负载RL的简单差动对。 [0024] 图5D描绘其中可直接控制Gm级输出的共模偏电压的方案。 [0025] 图6描绘示范性实施例，其中将单独的栅极偏电压VgateI1和VgateI2提供到I混频器，且将单独的栅极偏电压VgateQ1和VgateQ2提供到Q混频器。 [0026] 图6A描绘一般化的混频器校准控制件600，其可调整I混频器与Q混频器之间的净偏移和每一混频器的差动对中的晶体管M1、M4与M2、M3之间的偏移两者。 [0027] 图7描绘直接转换接收器的示范性实施例，其中使每一混频器的栅极偏电压、衬底偏电压和共模参考电压均可由偏移校准控制件200调整。 [0030] 图10描绘示范性实施例，其中应用本文中所揭示的技术以对发射器设备中的I-Q失配进行校正。 [0031] 图11展示利用双向电流数/模转换器(DAC)来产生电压VI和VQ的电压和电压偏移产生器的示范性实施例。 [0032] 图12描绘利用单向电流DAC的电压和电压偏移产生器的示范性实施例。 具体实施方式[0033] 下文中结合附图而阐述的详细描述意欲作为对本发明的示范性实施例的描述，且并不意欲仅表示可实践本发明的示范性实施例。整个此描述中所使用的术语“示范性”意味着“用作实例、例子或说明”，且应不必将其解释为优选的或优于其它示范性实施例。详细描述包括为提供对本发明的示范性实施例的透彻理解的目的的特定细节。所属领域的技术人员将明白，可在无这些特定细节的情况下实践本发明的示范性实施例。在一些例子中，为避免使本文中所呈现的示范性实施例的新颖性模糊不清，以框图形式展示众所周知的结构和装置。 [0034] 在本说明书和权利要求书中，应理解，当一元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可直接连接或耦合到另一元件，或者可存在介入元件。相比而言，当一元件被称为“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，不存在介入元件。 [0035] 图1描绘用于通信系统的现有技术接收器的示范性实施例。在图1中，将差动RF输入信号RF_INp/RF_INn提供到低噪声放大器(LNA)100，所述LNA100放大所述输入信号以产生差动RF信号RFp/RFn。将RFp/RFn提供到I混频器110和Q混频器120。I混频器110将RFp/RFn与差动同相本机振荡器信号LO_Ip/LO_In混合，而Q混频器120将RFp/RFn与差动正交本机振荡器信号LO_Qp/LO_Qn混合。将混频器110、120的输出分别提供到低通滤波器130、140，且随后由模拟数字转换器150、160将其数字化以产生数字输出I和Q。 [0036] 应注意，图1中描绘的接收器为直接转换接收器，即，所接收的RF信号由混频器110、120直接转换到基带。所属领域的技术人员将认识到，本文中所揭示的技术可易于应用于具有非零中频(IF)的接收器。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0037] 应注意，图1中所描绘的特定接收器架构可被视为具有两个信号路径：包括I混频器110、LPF_I130、ADC_I150的I信号路径，和包括Q混频器120、LPF_Q140、ADC_Q160的Q信号路径。除非另有说明，否则所属领域的技术人员将认识到，参考(I或Q)信号路径或信道中的一者所作的注释一般可应用于其它信号路径或信道。 [0038] 所属领域的技术人员将认识到，I信号路径或Q信号路径可包括比图1的代表性架构中所展示的元件少或多的元件。举例来说，除了所展示的元件之外，I或Q信号路径还可包括滤波器、放大器、跨阻抗(Gm)块。预期本文中所揭示的技术可由所属领域的技术人员类似地应用于未明确描述的其它此类元件。所属领域的技术人员还将认识到，I和Q信号路径可存在于发射器架构以及接收器架构中，且本发明的技术还可对应地应用于发射器架构。 [0039] 在图1中，I本机振荡器信号LO_I与Q本机振荡器信号LO_Q经设计成彼此90度异相，而I混频器110与Q混频器120经设计成具有相同增益响应。实际上，LO_I与LO_Q之间的相位差可偏离90度，且I混频器110的增益与Q混频器120的增益可能失配。这些因素以及I信号路径与Q信号路径之间的其它不平衡可统称为“I-Q失配”。I-Q失配可导致经解调的信息信号的不合意恶化。 [0040] 根据本发明的一方面，提供用以通过在用以偏置I和Q信号路径的对应电压之间施加偏移而减少I-Q失配的技术。 [0041] 图2描绘图1中所展示的接收器的示范性实施例，其中额外偏移校准控制件200产生用以偏置I混频器110的一个控制电压或一组控制电压VI和用以偏置Q混频器120的一个控制电压或一组控制电压VQ。所属领域的技术人员将认识到，本文中所揭示的技术可易于修改以等效地提供用于I或Q混频器的固定(不可调整)的偏电压或一组偏电压和用于另一混频器的可变(可调整)的偏电压。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0042] 虽然VI和VQ经展示为被施加到图2中的I和Q混频器，但所属领域的技术人员将认识到，根据本文随后所描述的原理，可将所述偏电压施加到例如Gm块和/或跨阻抗放大器块等其它元件。所属领域的技术人员将认识到，可将所述偏电压中的偏移施加到任一信号路径中的引起所述信号路径的净增益(例如，振幅或相位)的任何元件。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0043] 图3A描绘图2中所展示的I混频器110的示范性实施例，其中施加控制电压VI以偏置晶体管M1、M2、M3、M4的栅极。在图3A中，差动同相本机振荡器信号LO_Ip/LO_In经由耦合电容器C1和C2而AC耦合到晶体管M1、M2、M3、M4的栅极。将控制电压VI设定为栅极偏电压Vgate，经由电阻器R1和R2将所述栅极偏电压Vgate施加到晶体管M1、M2、M3、M4的栅极。差动信号RFp/RFn的RFp和RFn分别AC耦合到差动对M1/M2和M3/M4的源极。在操作期间，差动输出电流Ioutp/Ioutn含有与LO信号与RF信号的混合积成比例的信号分量。 [0044] 应注意，所属领域的技术人员将认识到，可类似地应用图3A中所描绘的示范性实施例以使用控制电压VQ来偏置Q混频器(未图示)中的晶体管的对应栅极。 [0045] 图3B描绘图2的接收器的示范性实施例，其中偏移校准控制件200产生电压VI＝Vgate1，其被作为Vgate供应到I混频器110的晶体管的栅极，如参看图3A所描述。偏移校准控制件200还产生供应到Q混频器120的电压VQ＝Vgate2，使用所述电压来偏置与图3A中所展示的I混频器类似地实施的Q混频器中的晶体管的对应栅极。通过在电压VI与VQ之间引入有意偏移，可校正I信号路径与Q信号路径之间的失配。 [0046] 图3C描绘图2中所展示的I混频器110的替代示范性实施例，其中施加控制电压VI以偏置晶体管M1、M2、M3、M4的衬底(或整体)。在图3C中，根据本文中先前揭示的原理，晶体管M1、M2、M3、M4的栅极偏置可为固定的，或还可使其可变。应注意，为简单起见，图3C中已省略晶体管的栅极偏置细节。 [0047] 应注意，所属领域的技术人员将认识到，可类似地应用图3C中所描绘的示范性实施例以使用控制电压VQ来偏置Q混频器(未图示)中的晶体管的对应整体。 [0048] 图3D描绘图2的接收器的示范性实施例，其中偏移校准控制件200产生电压VI＝Vbulk1以偏置I混频器110的晶体管的整体，如参看图3C所描述。偏移校准控制件200还产生供应到Q混频器120的电压VQ＝Vbulk2，使用所述电压来偏置与图3C中所展示的混频器类似地实施的Q混频器中的晶体管的对应整体。通过在电压Vbulk1与Vbulk2之间引入有意偏移，可校正I信号路径与Q信号路径之间的失配。 [0049] 所属领域的技术人员将了解，由于I信道混频器的整体电压应不同于Q信道混频器的整体电压，所以图3D中所描绘的技术要求I信道混频器的晶体管(M1、M2、M3、M4)位于不同于Q信道混频器的对应晶体管的阱中。此在具有深N阱选项的RF处理技术中可为可能的。 [0050] 所属领域的技术人员还将认识到，参考图3A和图3C中所展示的无源混频器而描述的技术还可应用于有源混频器拓扑。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0051] 举例来说，图4描绘可根据本发明的技术而配置的用于I信道的有源混频器的示范性实施例。在图4中，晶体管M5和M6分别将偏电流提供到有源混频器的差动对M1、M2和M3、M4。如参看图3A所描述，可使施加到图4的晶体管M1、M2、M3、M4的栅极偏压VI相对于施加到Q混频器(未图示)的栅极偏压VQ而偏移，以对I-Q不平衡进行校正。如参看图3C所描述，还可使晶体管的整体偏置(未图示)可调整。 [0052] 在一示范性实施例中，偏移校准控制件200可产生施加到偏置晶体管M5、M6的栅极偏压VBIASI，所述栅极偏压VBIASI相对于施加到Q混频器(未图示)的对应偏置晶体管的对应栅极偏压VBIASQ而偏移，以对I-Q不平衡进行校正。在又一示范性实施例中，RF信号RF_p/RF_n可AC耦合到晶体管M5、M6的栅极，而不是如图4中所展示耦合到M5、M6的漏极。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0053] 所属领域的技术人员可易于导出用于有源或无源混频器的替代电路拓扑，且应用本发明的原理来偏置具有相对于Q混频器元件的偏移的I混频器元件。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0054] 图5A描绘直接转换接收器，其中如果混频器具有电流输出，则全差动跨阻抗放大器(TIA)ITIA510和QTIA520分别耦合到I混频器110和Q混频器120。TIA将所述混频器的差动输出电流转换成差动电压。每一TIA具备一输入，所述输入用于接收用于为全差动TIA的共模反馈(CMFB)电路设定参考电压的电压VCM1或VCM2。所属领域的技术人员将认识到，CMFB电路经设计以驱动每一TIA的共模电压输出，使其接近由参考电压VCM1或VCM2设定的电平。 [0055] 在一示范性实施例中，由偏移校准控制件200在施加到ITIA510的共模电压VCM1与施加到QTIA520的共模电压VCM2之间引入偏移。由偏移校准控制件200产生的电压VI和VQ可对应于电压VCM1或VCM2。通过在电压VCM1与VCM2之间引入有意偏移，可校正I信道与Q信道之间的失配。 [0056] 所属领域的技术人员将认识到，根据本发明，可通常在存在于I和Q信道中的任何对应的共模偏电压之间引入偏移。举例来说，图5B描绘用于直接转换接收器的基于电压的架构，其中跨阻抗(Gm)级在每一混频器前面，其后为电压放大(Av)级。图5C描绘用于图5B的架构的示范性电路的一部分，其中图5B的Gm级550、560经实施为具有电阻性负载RL的简单差动对。所属领域的技术人员将认识到，图5C中的Gm级550、560的差动输出的共模电压可由若干因数中的任一者控制，所述因数包括电阻值RL、晶体管M1、M2的大小和/或偏电流IB的值。根据本发明，可在接收器的I信道与Q信道之间在这些因数中的任一者中引入偏移，以对混频器不平衡进行校正。 [0057] 或者，可使用例如图5D中针对Gm级所描绘的方案来直接控制用于任一信道的共模偏电压。在图5D中，参考电压VREFI可经由反馈放大器ACM来设定用于I混频器的Gm级输出的共模电压。类似地，参考电压VREFQ可设定Q混频器(未图示)的对应Gm级输出的共模电压。通过在VREFI与VREFQ之间引入偏移，可应用本发明的原理。 [0058] 在一示范性实施例中，可将根据本发明的用于在I混频器与Q混频器的栅极和衬底之间施加偏压偏移的技术与根据2007年9月28日申请的题为“用于无源混频器的偏移校正(Offset correction for passive mixers)”的第11/864,310号美国专利申请案的揭示内容的用于在每一混频器的差动对的个别晶体管之间施加偏压偏移的技术进行组合，所述申请案已转让给本案受让人，且所述申请案的内容在此以引用的方式全部并入本文中。举例来说，图6描绘示范性实施例，其中将单独的栅极偏电压VgateI1和VgateI2提供到I混频器，且将单独的栅极偏电压VgateQ1和VgateQ2提供到Q混频器。图6A接着描绘一般化的校准控制件600，其可调整I混频器与Q混频器之间的共模偏移和每一混频器的差动对中的晶体管M1、M4与M2、M3之间的差动偏移两者。 [0059] 所属领域的技术人员将认识到，可施加其它的栅极电压(未图示)以单独地偏置图6中的每一混频器中的晶体管M1到M4中的每一者。 [0060] 图7描绘直接转换接收器的示范性实施例，其中使每一信道的栅极偏电压、衬底偏电压和共模参考电压全部可由偏移校准控制件200调整。在此示范性实施例中，信号VI和VQ为复合信号，其各包含每信道一个以上控制电压。 [0061] 所属领域的技术人员将认识到，一般来说，每一信号VI和/或VQ可为复合信号，其含有上文所揭示的用于调整用于信道的偏压的偏电压中的一些或全部。在一示范性实施例中，用于所述信道中的一者的偏电压中的任一者或全部可为固定的(即，不可调整的)，而可使得用于其它信道的对应偏电压可经由偏移校准控制件200调整。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0062] 上文已揭示用于将偏压偏移提供到I-Q信号路径中的元件的技术。下文中进一步揭示用于调整偏压偏移以减少信道中的I-Q失配的技术。 [0063] 图8描绘根据本发明的收发器设备的示范性实施例，其中将ADC_I150和ADC_Q160的数字输出信号I和Q供应到基带处理器800。基带处理器800测量数字信号I和Q的一个或一个以上特性，且基带处理器800耦合到偏移校准控制件200。基于基带处理器800所测得的I和Q信号的特性，偏移校准控制件200产生控制电压VI和VQ。 [0064] 在一示范性实施例中，偏移校准控制件200可设定电压VI和VQ以最小化由基带处理器800从信号I和Q测得的接收器的残余边带(RSB)。 [0065] 在一示范性实施例(例如，图6A中所描绘的实施例)中，一般偏移校准控制件600可共同优化接收器的RSB和二阶输入截点(IIP2)。所属领域的技术人员将能够基于本申请案的揭示内容和本文中先前参考的题为“用于无源混频器的偏移校正(Offset correction for passive mixers)”的第11/864,310号美国专利申请案的揭示内容来导出所述优化方案。 [0066] 在图8中，天线820耦合到天线连接器840。天线820产生差动信号p/n，所述信号耦合到双工器830。双工器830可经配置以将天线连接器840耦合到接收链(RX)850或发射链(TX)810。 [0067] 为了为实现校准目的而控制到达接收器的输入信号RF_INp/RF_INn，可经由天线连接器840将受控输入信号供应到接收器。或者，发射器(TX)810可产生受控信号，且双工器830可经由残余耦合而将TX输出耦合到RX输入。或者，在一架构(未图示)中，在校准阶段期间可将由TX810产生的受控信号直接耦合到RX输入(即，绕过双工器830)。在一示范性实施例中，受控输入信号可包含单一参考音调。 [0068] 图9描绘由偏移校准控制件200实施的用于校准偏电压VI和VQ以最小化由基带处理器800测得的RSB的算法的示范性实施例。在图9中，校准阶段在步骤900中通过选择电压VI、VQ的初始值而开始。在步骤900中，还经由上文论述的技术中的一者来将输入信号RF_INp和RF_INn提供到接收器。 [0069] 在步骤910中，可由基带处理器800测量并记录对应于选定的VI、VQ的信号I和Q的一个或一个以上参数。在一示范性实施例中，所关注参数可为信号I和Q中的所测得残余边带(RSB)。在替代示范性实施例中，所述所关注参数可为可受到由偏移校准控制件200产生的电压VI、VQ影响的任何参数。 [0070] 在步骤920中，所述算法确定是否已达到VI、VQ的最终偏压设定。如果未达到，则在步骤930中可使VI、VQ前进到下一候选VI、VQ设定。所述算法接着返回到步骤910，在步骤910中可测量对应于新VI、VQ的所关注参数。一旦在步骤920中已达到最终VI、VQ设定，所述算法便进行到步骤940。 [0071] 以此方式，通过步进通过候选VI、VQ设定，可在VI、VQ设定的适当范围内“掠过”在步骤910中测得的所关注参数。在已掠过适当范围之后，在步骤940中识别对应于所关注参数的最佳值的VI、VQ设定。在一示范性实施例中，可识别对应于信号I、Q中的最低RSB的设定。 [0072] 在步骤950中，由偏移校准控制件200选择在步骤940中识别的VI、VQ设定且将其应用于图8中的接收器的I和Q信道。 [0073] 虽然已在上文描述用于确定最佳VI、VB设定的特定算法，但所属领域的技术人员将认识到，可应用其它用于掠过校准设定以确定最佳设定的算法。举例来说，可采用本文中先前参考的题为“用于无源混频器的偏移校正(Offset correction for passive mixers)”的第11/864,310号美国专利申请案中所揭示的校准算法。 [0074] 应注意，还可应用本文中所揭示的校准技术以优化除了明确描述的参数之外的任何其它所关注参数，例如任一混频器的振幅或相位增益。还预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0075] 在一示范性实施例中，当输入到LNA的信号RFp/RFn为已知时，可执行图9中所描述的校准阶段。举例来说，可在装运之前对芯片进行测试时在工厂完成校准。或者，可如下在常规操作期间完成校准。在支持全双工(即，单一无线电进行的同时发射和接收)的情况下，图8中的TX810可发射信号，所述信号经由双工器830的残余耦合而耦合到RX850。应注意，TX810可以适当高的功率电平进行发射以克服由(例如)双工器830和/或TX/RX滤波器(未图示)引起的在发射路径与接收路径之间的任何衰减。 [0076] 在一示范性实施例中，偏移校准控制件200可包含用于实施图9中所描述的步骤的处理器。指令所述处理器执行所述步骤的代码可存储于可由所述处理器存取的任何媒体(例如RAM或ROM)中。偏移校准控制件200还可包含用于基于处理图9的步骤的结果而产生电压VI、VQ的电路，所述电路包括数/模转换电路。本文中稍后参看图11和图12来描述所述转换电路。 [0077] 图10描绘示范性实施例，其中应用本文中所揭示的技术以对发射器设备中的I-Q失配进行校正。在图10中，I混频器110和Q混频器120接受由低通滤波器1000和1010滤波的基带输入信号BB_I(同相)和BB_Q(正交相)。混频器110、120通过乘以本机振荡器信号LO_I和LO_Q来将基带信号调制到较高频率。经转换的信号被输入到可变增益放大器(VGA)1020，VGA1020的输出耦合到功率放大器(PA)1030。 [0078] 在一示范性实施例中，偏移校准控制件200可根据本发明的技术来产生偏电压VI和VQ以针对I-Q失配而校准混频器110、120。应注意，可应用本文中相对于偏置接收器中的I或Q混频器所描述的所有技术来偏置发射器中的I或Q混频器。而且，所属领域的技术人员将认识到，一些示范性实施例可不同于图10中所展示而分割电路块的功能性，例如，LPF1000、1010可并入于混频器110、120的功能性中。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0079] 在一示范性实施例中，为执行VI和VQ的校准，可由“读出环”(未图示)测量PA输出的RSB以将残余边带从RF下变频转换到基带。可使用ADC来数字化经下变频转换的RSB，且使用基带处理器来处理经下变频转换的RSB，以调整偏移校准控制件。在一示范性实施例中，可使用图8中所展示的架构在“环回模式”期间完成TX校准，其中TX输出直接耦合到RX输入而非耦合到天线。 [0080] 所属领域的技术人员将认识到，本文中所揭示的技术无需应用于本文中明确描述的发射器和接收器配置。而是，所述技术可应用于采用I和Q混频器、TIA和/或Gm模块的任何通信设备。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0081] 在本发明的另一方面中，提供在单一基电压和偏移的情况下用于偏移校准控制件200产生电压VI和VQ的技术。图11展示利用双向电流数/模转换器(DAC)来产生电压VI和VQ的电压和电压偏移产生器的示范性实施例。在图11中，将数字基电压VI(数字)提供到电压DAC1100。电压DAC1100输出对应的模拟电压VI(模拟)。在一示范性实施例中，电压DAC1100可为由多个开关中的一者选择性地分接的简单电阻器链。将电压DAC1100的输出耦合到缓冲器1110。在一示范性实施例中，可由图2中的偏移校准控制件200供应缓冲器1110的输出以作为控制电压VI。 [0082] 同样在图11中，将数字偏移电压Offset(数字)提供到双向电流数/模转换器(DAC)1140。电流DAC1140输出具有振幅Offset(模拟)的模拟电流IDAC。在节点A处，对应于电流DAC1140的输出，电压如下： [0083] VA＝VI(模拟)+Offset(模拟)*R； [0084] 其中R为可由范围控制件1120调整的可变电阻。在一示范性实施例中，R可通过规定2位数字控制信号(未图示)而在四个不同值间选择。 [0085] 在所展示的示范性实施例中，电流DAC1140为可供应电流且吸收电流两者的双向电流DAC。对于对应于正值的Offset(数字)的值，DAC1140可供应电流，而对于对应于负值的Offset(数字)的值，DAC1140可吸收电流，或反之亦然。以此方式，依据Offset(数字)的经编程符号，可产生比基电压VI高或低的电压VA。 [0086] 在一示范性实施例中，可由图2中的偏移校准控制件200供应电压VA作为控制电压VQ(模拟)。 [0087] 所属领域的技术人员将认识到，在替代示范性实施例中，可将VQ作为基电压，且将偏移施加到VQ以产生VI。在其它示范性实施例中，如前文所揭示，VI或VQ可包含多个控制电压，可使用图11中所展示的技术来产生所述控制电压中的任一者或全部。预期所述示范性实施例在本发明的范围内。 [0088] 图12描绘利用单向电流DAC1240来产生电压VI和VQ的电压和电压偏移产生器的示范性实施例。在图12中，单向电流DAC1240供应具有振幅Offset(模拟)的电流IDAC。所属领域的技术人员将认识到，在替代示范性实施例中(未图示)，在对图12的电路进行适当修改后，电流DAC1240可吸收而非供应电流。 [0089] 在图12中，将基电压Vbase(数字)供应到电压DAC1100。视开关S1、S2、S3、S4、S5、S6的配置而定，将电压DAC1100的输出电压Vbase(模拟)耦合到缓冲器1200或缓冲器1210。 [0090] 在VX较高且VXB较低的第一配置中，闭合S1、S2、S5，且断开S3、S4、S6。在此配置中，电压DAC1100的输出耦合到缓冲器1200的输入，且VA等于Vbase(模拟)。由电流DAC1240供应的电流IDAC从节点D流过开关S5且流到缓冲器1200的输出。节点D处的电压VD因此由下式给出： [0091] VD＝Vbase(模拟)+Offset(模拟)*R； [0092] 其中R为如先前所描述的可由范围控制件1120配置的可变电阻。VD经由开关S2而耦合到缓冲器1210的输入，且缓冲器1210的输出电压VB等于VD。因此： [0093] VB＝VA+Offset(模拟)*R。(第一配置) [0094] 在VXB较高且VX较低的第二配置中，断开S1、S2、S5，且闭合S3、S4、S6。在此配置中，电压DAC1100的输出耦合到缓冲器1210的输入，且VB等于Vbase(模拟)。由电流DAC1240供应的电流IDAC从节点D流过开关S6且流到缓冲器1210的输出。节点D处的电压VD由下式给出： [0095] VD＝VB+Offset(模拟)*R。 [0096] VD经由开关S4而耦合到缓冲器1200的输入，且缓冲器1200的输出电压VA等于VD。在此情况下： [0097] VA＝VB+Offset(模拟)*R。(第二配置) [0098] 由此可见，在第一配置中，VB比VA高出值Offset(模拟)*R，而在第二配置中，VA比VB高出Offset(模拟)*R。 [0099] 在一示范性实施例中，由图2中的偏移校准控制件200产生的电压VI和VQ可对应于图12中的电压VA和VB。在此示范性实施例中，可由Vbase(数字)、Offset(数字)、可变电阻R和经由控制电压VX和VXB对开关的配置来规定电压VI和VQ。 [0100] 所属领域的技术人员将理解，可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示信息和信号。举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子，或其任何组合来表示在整个上文描述中可参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 [0101] 所属领域的技术人员将进一步了解，可将结合本文中所揭示的示范性实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤实施为电子硬件、计算机软件，或两者的组合。为清楚说明硬件与软件的此可互换性，上文已大体上在其功能性方面描述各种说明性组件、块、模块、电路和步骤。将所述功能性实施为硬件还是软件取决于特定应用和强加于整个系统的设计约束。熟练的技术人员可针对每一特定应用而以不同方式实施所描述的功能性，但是所述实施决策不应被解释为会导致脱离本发明的示范性实施例的范围。 [0102] 可使用通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中所揭示的示范性实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块和电路。通用处理器可为微处理器，但在替代实施方案中，处理器可为任何常规的处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合，例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、结合DSP核心的一个或一个以上微处理器，或任何其它此类配置。 [0103] 结合本文中所揭示的示范性实施例而描述的方法或算法的步骤可直接包含于硬件中、由处理器执行的软件模块中，或两者的组合中。软件模块可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。将示范性存储媒体耦合到处理器，使得处理器可从存储媒体读取信息并将信息写入到存储媒体。在替代实施方案中，存储媒体可与处理器成一体。处理器和存储媒体可驻留于ASIC中。ASIC可驻留于用户终端中。在替代实施方案中，处理器和存储媒体可作为离散组件而驻留于用户终端中。 [0104] 在一个或一个以上示范性实施例中，可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施所描述的功能。如果以软件来实施，则功能可作为一个或一个以上指令或代码而存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体而传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体和通信媒体两者，其包括促进计算机程序从一处转移到另一处的任何媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。以实例而非限制的方式，所述计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用来载运或存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而且，可适当地将任何连接称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)，或例如红外、无线电和微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL，或例如红外、无线电和微波等无线技术包括于媒体的定义中。如本文中所用，磁盘和光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字通用光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘使用激光以光学方式再现数据。上述各项的组合也应包括于计算机可读媒体的范围内。 [0105] 提供所揭示的示范性实施例的先前描述以使所属领域的技术人员能够制造或使用本发明。所属领域的技术人员将容易明白对这些示范性实施例的各种修改，且在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本文中所界定的一般原理可应用于其它示范性实施例。因此，本发明不欲限于本文所展示的示范性实施例，而是将赋予其与本文所揭示的原理和新颖特征一致的最广泛范围。 |
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