1.一种数/模转换器，其包括：
MSB电阻梯，其包括多个串联连接电阻器，其中所述MSB电阻梯耦合于第一参考电位与第二参考电位之间，其中所述第一参考电位为供应电压的一半且所述第二参考电位为接地；
LSB电阻梯，其包括多个串联连接电阻器，其中每一LSB电阻器由连接为二极管的多个p沟道耗尽型晶体管形成；以及
多个切换单元，其用于将所述MSB电阻梯的所述串联连接电阻器中的一者与所述LSB电阻梯连接，其中每一切换单元包括用于将关联MSB电阻器的第一端子与所述LSB电阻梯的第一端子连接的第一开关和用于将所述关联MSB电阻器的第二端子与所述LSB电阻梯的第二端子连接的第二开关，且其中每一第一开关和第二开关经配置以在被接通时形成与所述LSB电阻梯的电阻器具有实质上相同的值的电阻器。
2.根据权利要求1所述的数/模转换器，其进一步包括解码器，所述解码器控制所述切换单元中的一者以将所述MSB电阻梯的关联电阻器与所述LSB电阻梯连接和选择所述LSB电阻梯的多个分接节点中的一者以提供所述数/模转换器的输出电压。
3.根据权利要求2所述的数/模转换器，其中由N沟道场效应晶体管将每一分接节点与所述LSB电阻梯的输出耦合。
4.根据权利要求1所述的数/模转换器，其中所述多个切换单元的每一第一开关和第二开关由p沟道耗尽型场效应晶体管形成。
5.根据权利要求1所述的数/模转换器，其中所述LSB电阻梯由串联耦合的多个子LSB电阻梯形成。
6.根据权利要求5所述的数/模转换器，其中每一切换单元具有分别与所述第一开关和所述第二开关连接的第一输出和第二输出，且进一步包括用于将关联MSB电阻器的所述第二端子与第三输出直接连接的第三开关，其中所述子LSB电阻梯的第一者与所述第一输出连接，且所述子LSB电阻梯的最后者与所述第二输出和所述第三输出连接。
7.根据权利要求6所述的数/模转换器，其中所述第三开关为N沟道场效应晶体管。
8.根据权利要求7所述的数/模转换器，其中所述子LSB电阻梯中的每一者包括2q个电阻器，包括2q-2个电阻器的所述最后子LSB电阻梯除外，且其中所述最后LSB电阻梯包括介于与所述切换单元的所述第三输出连接的第三输入与LSB电阻梯输出之间的直接连接。
9.根据权利要求8所述的数/模转换器，其中q＝32。
10.根据权利要求1所述的数/模转换器，其中所述MSB电阻梯包括2p个电阻器和由切换单元形成的有效LSB电阻梯，且所述LSB电阻梯包括2m个电阻器。
11.根据权利要求10所述的数/模转换器，其中p＝32和m＝128。
12.根据权利要求1所述的数/模转换器，其进一步包括所述MSB电阻梯的每一电阻器的补偿电路，其中根据MSB输入值而控制每一补偿电路。
13.根据权利要求1所述的数/模转换器，其中所述第一参考电位由与所述MSB电阻梯串联耦合的参考电阻梯提供。
14.根据权利要求13所述的数/模转换器，其进一步包括所述参考电阻梯的每一电阻器的补偿电路。
15.一种从数字值产生模拟电压的方法，其包括下列步骤：
提供MSB电阻梯，所述MSB电阻梯包括第一参考电位与第二参考电位之间的多个串联连接电阻器，其中所述第一参考电位为供应电压的一半且所述第二参考电位为接地；
提供LSB电阻梯，所述LSB电阻梯包括多个串联连接电阻器，其中每一LSB电阻器由连接为二极管的多个p沟道耗尽型场效应晶体管形成；
根据MSB值，选择性地由第一开关将选定MSB电阻器的第一端子与所述LSB电阻梯的第一端子连接且由第二开关将所述选定MSB电阻器的第二端子与所述LSB电阻梯的第二端子连接，其中所述第一开关与所述第二开关中的每一者经配置以在被接通时形成与所述LSB电阻梯的电阻器具有实质上相同的值的电阻器，所述第一开关和第二开关中的每一者由p沟道耗尽型场效应晶体管形成；以及
根据LSB值，选择所述LSB电阻梯的分接节点以提供模拟输出电压。
16.根据权利要求15所述的方法，其中由N沟道场效应晶体管将每一分接节点与所述LSB电阻梯的输出耦合。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述LSB电阻梯由串联耦合的多个子LSB电阻梯形成。
18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括根据所述MSB值而补偿所述MSB电阻梯的每一电阻值。
19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括由与所述MSB电阻梯串联耦合的参考电阻梯提供所述第一参考电位。
20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括补偿所述参考电阻梯的每一电阻器。