1.一种装置，包括：
第一电路模块，其用于基于幅值信号来产生包络信号，其中，将所述幅值信号乘以功率控制值以用于提供缩放的幅值信号，并且将所述缩放的幅值信号转换成所述包络信号，其中所述包络信号比所述缩放的幅值信号具有更少的位数但具有更高的速率；
第二电路模块，其用于基于相位信号来产生相位调制信号，所述第二电路模块还用于：
对接收的反馈信号进行分频以提供分频后的信号，以及将所述分频后的信号的相位锁定在接收的参考信号的相位以提供所述相位调制信号，其中，相位检测器用于比较所述分频后的信号的相位与所述参考信号的相位，并且提供具有多位分辨率的检测器输出信号，以便产生用于对压控振荡器(VCO)进行相位调制的控制信号；
第三电路模块，其基于所述包络信号和所述相位调制信号来产生数字调制信号；以及第四电路模块，其用于放大所述数字调制信号并产生输出信号。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第三电路模块包括具有多个增益状态的放大器，所述放大器用于接收所述包络信号和所述相位调制信号并产生所述数字调制信号。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述放大器用于以由所述包络信号确定的不同增益来放大所述相位调制信号以产生所述数字调制信号。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述第三电路模块包括至少一个异或(XOR)门，其用于接收所述包络信号和所述相位调制信号并产生所述数字调制信号。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述第四电路模块包括具有至少一个放大级的D类放大器。
6.如权利要求5所述的装置，其中每个放大级包括一对晶体管，并且其中每个晶体管基于所述数字调制信号而导通和关断。
7.如权利要求5所述的装置，其中每个放大级包括一对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且其中每个MOSFET基于所述数字调制信号而导通和关断。
8.如权利要求5所述的装置，进一步包括：
电压调节器，其用于产生所述D类放大器的电源电压。
9.如权利要求1所述的装置，其中所述第一电路模块包括德尔塔-西格玛(∑Δ)调制器。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述∑Δ调制器具有噪声传递函数，该噪声传递函数在与发送频率和接收频率的差值对应的频率处具有至少一个零点。
11.如权利要求9所述的装置，其中所述∑Δ调制器具有可编程的噪声传递函数。
12.如权利要求1所述的装置，其中所述第一电路模块包括数字滤波器，该数字滤波器的传递函数在与发送频率和接收频率的差值对应的频率处具有至少一个零点。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述第二电路模块包括：
相位调制锁相环(PLL)，其用于对所述VCO进行相位调制，以获得VCO信号，该VCO信号具有由所述相位调制PLL改变的相位。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述第二电路模块进一步包括：
饱和缓冲器，其用于放大所述VCO信号并提供所述相位调制信号。
15.如权利要求13所述的装置，其中所述相位调制PLL包括：
多模分频器，其用于对所述VCO信号进行分频并提供分频后的VCO信号。
16.如权利要求15所述的装置，其中所述相位调制PLL进一步包括：
德尔塔-西格玛(∑Δ)调制器，其用于接收调制信号并为所述多模分频器提供控制信号。
17.如权利要求16所述的装置，其中所述相位调制PLL进一步包括：
至少一个加法器，对于射频(RF)信道而言，其将至少一个值与所述∑Δ调制器的输出相加以产生所述多模分频器的控制信号。
18.如权利要求15所述的装置，其中所述相位调制PLL进一步包括：
环路滤波器，其用于对所述检测器输出信号进行滤波，并提供环路滤波器输出信号，以及
德尔塔-西格玛数模转换器(∑ΔDAC)，其用于基于所述环路滤波器输出信号来产生VCO的控制信号。
19.如权利要求18所述的装置，其中所述相位调制PLL进一步包括：
内插器，其用于内插所述环路滤波器输出信号，以产生内插信号，其中所述∑ΔDAC用于基于所述内插信号来产生所述VCO的控制信号。
20.如权利要求1所述的装置，进一步包括：
第五电路模块，其用于接收同相信号和正交信号，执行从直角坐标至极坐标的转换，以及产生所述幅值信号和所述相位信号。
21.如权利要求20所述的装置，其中所述第五电路模块包括坐标旋转数字计算机(CORDIC)处理器，其用于基于所述同相信号和正交信号来产生所述幅值信号和相位信号。
22.如权利要求20所述的装置，其中所述第五电路模块包括查找表。
23.如权利要求20所述的装置，进一步包括：
内插器，其用于对同相数据采样和正交数据采样进行上采样并提供所述同相信号和正交信号。
24.如权利要求13所述的装置，进一步包括：
VCO校准单元，其产生用于校准所述VCO的频率的控制，以补偿集成电路的过程变化，温度变化，或它们的组合。
25.如权利要求1所述的装置，其中所述输出信号是码分多址(CDMA)系统的射频(RF)调制信号。
26.如权利要求1所述的装置，其中所述输出信号是全球移动通信(GSM)系统的射频(RF)调制信号。
27.一种集成电路，包括：
第一电路模块，其用于基于幅值信号来产生包络信号，其中，将所述幅值信号乘以功率控制值以用于提供缩放的幅值信号，并且将所述缩放的幅值信号转换成所述包络信号，其中所述包络信号比所述缩放的幅值信号具有更少的位数但具有更高的速率；
第二电路模块，其用于基于相位信号来产生相位调制信号，所述第二电路模块还用于：
对接收的反馈信号进行分频以提供分频后的信号，以及将所述分频后的信号的相位锁定在接收的参考信号的相位以提供所述相位调制信号，其中，相位检测器用于比较所述分频后的信号的相位与所述参考信号的相位，并且提供具有多位分辨率的检测器输出信号，以便产生用于对压控振荡器(VCO)进行相位调制的控制信号；
第三电路模块，其基于所述包络信号和所述相位调制信号来产生数字调制信号；以及第四电路模块，其用于放大所述数字调制信号并产生输出信号。
28.如权利要求27所述的集成电路，其中所述第三电路模块包括至少一个异或(XOR)门，其用于接收所述包络信号和所述相位调制信号并产生所述数字调制信号。
29.如权利要求27所述的集成电路，其中所述第四电路模块包括具有至少一个放大级的D类放大器。
30.如权利要求27所述的集成电路，进一步包括：
第五电路模块，其用于接收同相信号和正交信号，执行从直角坐标至极坐标的转换，以及产生所述幅值信号和所述相位信号。
31.一种装置，包括：
用于基于幅值信号来产生包络信号的部件，其中，将所述幅值信号乘以功率控制值以用于提供缩放的幅值信号，并且将所述缩放的幅值信号转换成所述包络信号，其中所述包络信号比所述缩放的幅值信号具有更少的位数但具有更高的速率；
用于基于相位信号来产生相位调制信号的部件，其中所述用于产生所述相位调制信号的部件还包括：用于对接收的反馈信号进行分频以提供分频后的信号的部件，以及用于将所述分频后的信号的相位锁定在接收的参考信号的相位以提供所述相位调制信号的部件，其中，所述用于锁定的部件包括用于比较所述分频后的信号的相位与所述参考信号的相位，并且提供具有多位分辨率的检测器输出信号，以便产生用于对压控振荡器(VCO)进行相位调制的控制信号的部件；
用于基于所述包络信号和所述相位调制信号来产生数字调制信号的部件；以及用于放大所述数字调制信号以产生输出信号的部件。
32.如权利要求31所述的装置，进一步包括：
用于基于同相信号和正交信号来产生所述幅值信号和所述相位信号的部件。
33.一种装置，包括：
第一电路模块，其用于接收同相信号和正交信号，执行从直角坐标至极坐标的转换，并产生幅值信号和相位信号；
第二电路模块，其包括德尔塔-西格玛(∑Δ)调制器并用于基于所述幅值信号来产生包络信号，其中，将所述幅值信号乘以功率控制值以用于提供缩放的幅值信号，并且所述∑Δ调制器将所述缩放的幅值信号转换成所述包络信号，其中所述包络信号比所述缩放的幅值信号具有更少的位数但具有更高的速率；
第三电路模块，其包括相位调制锁相环(PLL)并用于基于所述相位信号来产生相位调制信号，所述第三电路模块还用于：对接收的反馈信号进行分频以提供分频后的信号，以及将所述分频后的信号的相位锁定在接收的参考信号的相位以提供所述相位调制信号，其中，相位检测器用于比较所述分频后的信号的相位与所述参考信号的相位，并且提供具有多位分辨率的检测器输出信号，以便产生用于对压控振荡器(VCO)进行相位调制的控制信号；
第四电路模块，其用于基于所述包络信号和所述相位调制信号来产生数字调制信号；
以及
第五电路模块，其包括D类放大器并用于放大所述数字调制信号以产生输出信号。
34.如权利要求33所述的装置，其中所述第四电路模块包括至少一个异或(XOR)门，其用于接收所述包络信号和所述相位调制信号并产生所述数字调制信号。
35.如权利要求33所述的装置，其中所述第五电路模块包括具有至少一个放大级的D类放大器，其中每个放大级包括一对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且其中每个MOSFET基于所述数字调制信号而导通和关断。