1.一种共模反馈的差分放大电路，其特征在于，该差分放大电路包括：共模反馈CMFB环路、差分放大器；其中，
所述CMFB环路，配置为对第一共模信号分压产生第二共模信号和第三共模信号，输出第二共模信号和第三共模信号给差分放大器，并根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的输出信号；
所述差分放大器，配置为接收第二共模信号和第三共模信号，并设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等，根据CMFB环路的控制输出最低电压等于第一共模信号的电压的输出信号。
2.根据权利要求1所述的差分放大电路，其特征在于，所述CMFB环路，包括：第一分压电路、第二分压电路、第一负反馈电路、第二负反馈电路，其中，
所述第一分压电路，配置为对第一输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第二共模信号，输出第二共模信号给差分放大器；
所述第二分压电路，配置为对第二输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第三共模信号，输出第三共模信号给差分放大器；
所述第一负反馈电路，配置为根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的第一输出信号；
所述第二负反馈电路，配置为根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的第二输出信号。
3.根据权利要求1所述的差分放大电路，其特征在于，所述差分放大器，包括：输入级电路、增益级电路、输出级电路，其中，
所述输入级电路，配置为接收第二共模信号和第三共模信号，并设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等；
所述增益级电路，配置为对第一输入信号和第二输入信号进行信号放大；
所述输出级电路，配置为根据CMFB环路的控制输出最低电压等于第一共模信号的电压的第一输出信号或第二输出信号。
4.根据权利要求1所述的差分放大电路，其特征在于，所述CMFB环路由第一分压电阻至第六分压电阻、第一反馈电阻和第二反馈电阻构成。
5.根据权利要求4所述的差分放大电路，其特征在于，所述第一分压电阻一端连接第一共模信号，另一端连接第二分压电阻和差分放大器的第一共模输入端；第二分压电阻一端连接第一输入信号，另一端连接第一分压电阻和差分放大器的第一共模输入端；第三分压电阻一端连接第一共模信号，另一端连接第四分压电阻和差分放大器的第二共模输入端；第四分压电阻一端连接第二输入信号，另一端连接第三分压电阻和差分放大器的第二共模输入端；第五分压电阻一端连接第一输入信号，另一端连接第二反馈电阻和差分放大器的第一输入端；第六分压电阻一端连接第二输入信号，另一端连接第二反馈电阻和差分放大器的第二输入端；第一反馈电阻一端连接第五分压电阻和差分放大器的第一输入端，另一端连接差分放大器的第一输出端；第二反馈电阻一端连接第六分压电阻和差分放大器的第二输入端，另一端连接差分放大器的第二输出端。
6.根据权利要求5所述的差分放大电路，其特征在于，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的阻值比例与所述第一反馈电阻与所述第五分压电阻的阻值比例相同；
所述第三分压电阻与所述第四分压电阻的阻值比例与所述第二反馈电阻与所述第六分压电阻的阻值比例相同。
7.根据权利要求6所述的差分放大电路，其特征在于，所述第二分压电阻、第四分压电阻、第五分压电阻、第六分压电阻为可调电阻或开关电容。
8.根据权利要求3所述的差分放大电路，其特征在于，所述输入级电路包括共模电压选择电路，所述共模电压选择电路由电流源和金属氧化物半导体(MOS)场效应管构成。
9.根据权利要求8所述的差分放大电路，其特征在于，所述MOS管选用PMOS时，所述共模电压选择电路由电流源和第一PMOS至第六PMOS构成，其中，电流源的正极连接内部电源，负极分别连接第一PMOS、第三PMOS、第五PMOS的源极；第一PMOS和第二PMOS的栅极分别为差分放大器的第一输入端和第二输入端；第三PMOS的栅极连接第六PMOS的栅极，作为差分放大器的第二共模输入端，用于接收第三共模信号；第四PMOS的栅极连接第五PMOS的栅极，作为差分放大器的第一共模输入端，用于接收第二共模信号。
10.一种共模反馈的差分放大方法，其特征在于，该方法包括：
差分放大电路对第一共模信号进行分压，产生第二共模信号和第三共模信号；
差分放大电路中的差分放大器在输入级接收第二共模信号和第三共模信号，并设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等；
差分放大电路根据负反馈原理控制自身的差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的输出信号。
11.根据权利要求10所述的差分放大方法，其特征在于，所述差分放大电路对第一共模信号进行分压，产生第二共模信号和第三共模信号，为：
对第一输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第二共模信号，输出第二共模信号给差分放大器；
对第二输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第三共模信号，输出第三共模信号给差分放大器。
12.根据权利要求10所述的差分放大方法，其特征在于，所述设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等为：
在输入级电路设置共模电压选择电路，通过所述共模电压选择电路选择第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等。
13.一种集成电路，其特征在于，该集成电路包括共模反馈的差分放大电路，该差分放大电路包括：共模反馈CMFB环路、差分放大器；其中，
所述CMFB环路，配置为对第一共模信号分压产生第二共模信号和第三共模信号，输出第二共模信号和第三共模信号给差分放大器，并根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的输出信号；
所述差分放大器，配置为接收第二共模信号和第三共模信号，并设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等，根据CMFB环路的控制输出最低电压等于第一共模信号的电压的输出信号。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述CMFB环路，包括：第一分压电路、第二分压电路、第一负反馈电路、第二负反馈电路，其中，
所述第一分压电路，配置为对第一输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第二共模信号，输出第二共模信号给差分放大器；
所述第二分压电路，配置为对第二输入信号与第一共模信号之间的电压进行分压产生第三共模信号，输出第三共模信号给差分放大器；
所述第一负反馈电路，配置为根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的第一输出信号；
所述第二负反馈电路，配置为根据负反馈原理控制差分放大器输出最低电压等于第一共模信号的电压的第二输出信号。
15.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述差分放大器，包括：输入级电路、增益级电路、输出级电路，其中，
所述输入级电路，配置为接收第二共模信号和第三共模信号，并设置第二共模信号和第三共模信号中电压高的信号的电压与第一输入端或第二输入端的电压相等；
所述增益级电路，配置为对第一输入信号和第二输入信号进行信号放大；
所述输出级电路，配置为根据CMFB环路的控制输出最低电压等于第一共模信号的电压的第一输出信号或第二输出信号。
16.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述CMFB环路由第一分压电阻至第六分压电阻、第一反馈电阻和第二反馈电阻构成。
17.根据权利要求16所述的集成电路，其特征在于，所述第一分压电阻一端连接第一共模信号，另一端连接第二分压电阻和差分放大器的第一共模输入端；第二分压电阻一端连接第一输入信号，另一端连接第一分压电阻和差分放大器的第一共模输入端；第三分压电阻一端连接第一共模信号，另一端连接第四分压电阻和差分放大器的第二共模输入端；
第四分压电阻一端连接第二输入信号，另一端连接第三分压电阻和差分放大器的第二共模输入端；第五分压电阻一端连接第一输入信号，另一端连接第二反馈电阻和差分放大器的第一输入端；第六分压电阻一端连接第二输入信号，另一端连接第二反馈电阻和差分放大器的第二输入端；第一反馈电阻一端连接第五分压电阻和差分放大器的第一输入端，另一端连接差分放大器的第一输出端；第二反馈电阻一端连接第六分压电阻和差分放大器的第二输入端，另一端连接差分放大器的第二输出端。
18.根据权利要求17所述的集成电路，其特征在于，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的阻值比例与所述第一反馈电阻与所述第五分压电阻的阻值比例相同；
所述第三分压电阻与所述第四分压电阻的阻值比例与所述第二反馈电阻与所述第六分压电阻的阻值比例相同。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其特征在于，所述第二分压电阻、第四分压电阻、第五分压电阻、第六分压电阻为可调电阻或开关电容。
20.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于，所述输入级电路包括共模电压选择电路，所述共模电压选择电路由电流源和金属氧化物半导体(MOS)场效应管构成。
21.根据权利要求20所述的集成电路，其特征在于，所述MOS管选用PMOS时，所述共模电压选择电路由电流源和第一PMOS至第六PMOS构成，其中，电流源的正极连接内部电源，负极分别连接第一PMOS、第三PMOS、第五PMOS的源极；第一PMOS和第二PMOS的栅极分别为差分放大器的第一输入端和第二输入端；第三PMOS的栅极连接第六PMOS的栅极，作为差分放大器的第二共模输入端，用于接收第三共模信号；第四PMOS的栅极连接第五PMOS的栅极，作为差分放大器的第一共模输入端，用于接收第二共模信号。