1.一种移动设备，包括：
多个功率放大器，其包含被配置为放大第一射频信号的第一功率放大器，所述第一功率放大器具有使能状态和禁用状态；
包络跟踪模块，其被配置为至少部分基于所述第一射频信号的包络生成被用来对所述多个功率放大器供电的第一供电节点的供电电压；
第一可开关电容器，其与所述第一功率放大器可操作地相关联并且具有第一端和第二端，所述第一端电连接到所述第一供电节点；以及
第一开关，其与所述第一功率放大器可操作地相关联并且被配置为控制所述第一可开关电容器的第二端的电压，所述第一开关被配置为当禁用所述第一功率放大器时，使第一可开关电容器的第二端电浮置，从而减少所述包络跟踪模块的电容性负载。
2.根据权利要求1所述的移动设备，其中所述第一开关被配置为当使能所述第一功率放大器时，提供所述第一可开关电容器的第二端和第二供电节点之间的低阻抗路径。
3.根据权利要求1所述的移动设备，还包括功率放大器控制块，所述功率放大器控制块被配置为当使能所述第一功率放大器时，使第一开关偏置作为阻尼电阻器，从而向所述第一功率放大器提供稳定性。
4.根据权利要求3所述的移动设备，其中所述第一开关包含场效应晶体管(FET)。
5.根据权利要求4所述的移动设备，其中所述功率放大器控制块被配置为当使能所述第一功率放大器时使FET的栅极偏置，从而具有处于约0.5Ω至约2Ω范围中的沟道电阻。
6.根据权利要求4所述的移动设备，其中所述功率放大器控制块包含数模转换器，所述数模转化器被配置为生成用于使FET的栅极偏置的控制信号。
7.根据权利要求1所述的移动设备，还包括第二可开关电容器和第二开关，每个与多个功率放大器的第二功率放大器可操作地相关联，所述第二可开关电容器具有电连接到所述第一供电节点的第一端，以及第二端，所述第二开关被配置为当禁用所述第二功率放大器时，使所述第二可开关电容器的第二端电浮置。
8.根据权利要求1所述的移动设备，还包括晶片，所述第一开关和所述第一功率放大器形成在所述晶片上。
9.根据权利要求8所述的移动设备，还包括多芯片模块(MCM)，其包含所述第一可开关电容器和所述晶片。
10.根据权利要求9所述的移动设备，还包括电话板，所述MCM和所述包络跟踪模块安装在所述电话板上。
11.一种功率放大器模块，包括：
第一放大晶片，其包含被配置为放大第一射频信号的第一功率放大器，所述第一放大器具有使能状态和禁用状态；
第一电源管脚，其电连接到所述第一放大晶片的供电输入；
第一可开关电容器，其与所述第一放大晶片可操作地相关联，所述第一可开关电容器具有第一端和第二端，所述第一端电连接到所述第一电源管脚；以及
第一开关，其排布在所述第一放大晶片上并且被配置为控制所述第一可开关电容器的第二端的电压，所述第一开关被配置为当禁用所述第一功率放大器时，使所述第一可开关电容器的第二端电浮置，从而减少所述第一电源管脚的电容。
12.根据权利要求11所述的功率放大器模块，其中所述第一开关被配置为当使能所述第一功率放大器时，提供所述第一可开关电容器的第二端和接地管脚之间的低阻抗路径。
13.根据权利要求11所述的功率放大器模块，还包括被配置为控制所述第一开关的阻抗的功率放大器偏置控制晶片。
14.根据权利要求12所述的功率放大器模块，其中所述功率放大器偏置控制晶片被配置为当使能所述第一功率放大器时，使第一开关偏置作为阻尼电阻器。
15.根据权利要求11所述的功率放大器模块，还包括第二放大晶片，其包含第二功率放大器，所述第一电源管脚电连接到所述第二放大晶片的供电输入。
16.根据权利要求11所述的功率放大器模块，其中所述第一可开关电容器是表面安装部件。
17.根据权利要求11所述的功率放大器模块，其中所述第一开关是场效应晶体管(FET)。
18.根据权利要求11所述的功率放大器模块，其中所述第一功率放大器包含第一级和第二级，所述第一级被配置为驱动所述第二级。
19.根据权利要求18所述的功率放大器模块，其中所述第二级电连接到所述第一电源管脚，并且所述第一级电连接到第二电源管脚。
20.根据权利要求18所述的功率放大器模块，其中所述第一和第二级各自电连接到所述第一电源管脚。
21.一种用于减少功率放大器系统中的电容性负载的方法，所述方法包括：
使用包络跟踪器生成被用来对多个功率放大器供电的第一供电节点的供电电压，所述多个功率放大器包含第一功率放大器和第二功率放大器；
使用偏置控制模块禁用所述第一功率放大器并使能所述第二功率放大器；以及当禁用所述第一功率放大器时，使用第一开关来使与所述第一功率放大器相关联的第一去耦电容器的一端电浮置，从而减少包络跟踪器的电容性负载，所述第一去耦电容器的另一端连接至所述第一供电节点。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括当使能所述第二功率放大器时，使用第二开关使与所述第二功率放大器相关联的第二去耦电容器的一端接地，从而向第二功率提供旁路电容。
23.根据权利要求21所述的方法，还包括在接地节点和与所述第二功率放大器相关联的第二去耦电容器的一端之间提供场效应晶体管。
24.根据权利要求23所述的方法，还包括使用所述偏置控制模块使所述场效应晶体管的栅极偏置，从而提供用于抑制所述第二功率放大器的振荡的阻尼电阻器。