1.一种功率放大器，包括：
低输出放大器单元，用于在最频繁使用的低输出模式中生成具有高效率的功率放大结果；
高输出放大器单元，用于在消耗最多功率的区域的高输出模式中生成具有高线性的放大结果；
增益控制器，用于通过具有预定增益差的多个放大器单元来放大输入信号，并将放大结果提供到所述高和低输出放大器单元；和
放大器控制器，用于根据输入信号的功率电平来选择性地激活所述低和高输出放大器单元，
其中该增益控制器包括：
输入阻抗匹配单元，被配置为对该输入信号进行阻抗匹配；
第一放大器单元，用于在所述低和高输出模式中对输入阻抗匹配结果进行放大；
第一中间阻抗匹配单元，被配置为在所述低和高输出模式中对该第一放大器单元的放大结果进行阻抗匹配；
第二放大器单元，用于在高输出模式中对所述第一中间阻抗匹配结果进行放大；和第二中间阻抗匹配单元，被配置为在高输出模式中对该第二放大器单元的放大结果进行阻抗匹配。
2.根据权利要求1的功率放大器，其中该增益差对应于该第二放大器单元的增益。
3.根据权利要求1的功率放大器，其中该增益差是可调整的。
4.根据权利要求1的功率放大器，还包括偏置电路，用于向该增益控制器供应工作电压。
5.根据权利要求1的功率放大器，还包括输出阻抗匹配单元，被配置为对所述低和高输出放大器单元的放大结果进行阻抗匹配。
6.根据权利要求1的功率放大器，其中该低输出放大器单元响应于该放大器控制器的控制在低输出模式中工作，而不在高输出模式中工作。
7.根据权利要求1的功率放大器，其中该低输出放大器单元是具有高功率效率的非线性放大器。
8.根据权利要求1的功率放大器，其中该低输出放大器单元是E类放大器。
9.根据权利要求1的功率放大器，其中该低输出放大器单元包括分别具有不同的高效率工作区的多个非线性放大器单元。
10.根据权利要求9的功率放大器，其中根据该放大器控制器的控制在低输出模式中选择性地激活所述非线性放大器单元中的每一个。
11.根据权利要求9的功率放大器，其中所述非线性放大器单元并联连接。
12.根据权利要求1的功率放大器，其中该第二放大器单元和该高输出放大器单元响应于该放大器控制器的控制在高输出模式中工作，而不在低输出模式中工作。
13.根据权利要求1的功率放大器，其中该高输出放大器单元是具有高线性的A类放大器和AB类放大器之一。
14.根据权利要求1的功率放大器，其中该高输出放大器比该第一放大器单元和该低输出放大器单元具有更大面积。
15.根据权利要求1的功率放大器，其中所述高输出放大器单元和所述低输出放大器单元中的每一个包括异质结双极晶体管阵列、双极结晶体管阵列、场效应晶体管阵列、和互补金属氧化物半导体阵列之一。
16.根据权利要求1的功率放大器，其中该第一放大器单元包括其中多个放大器单元串联连接的多级放大器。
17.根据权利要求16的功率放大器，其中该第一中间阻抗匹配单元包括与放大器单元分别对应的多个中间阻抗匹配单元，并且所述中间阻抗匹配单元中的每一个连接在串联连接的放大器单元之间。
18.根据权利要求17的功率放大器，其中将所述中间阻抗匹配单元的至少一个输出提供到该低输出放大器单元。
19.一种功率放大器，包括：
输入阻抗匹配单元，被配置为对输入信号进行阻抗匹配；
第一放大器单元，包括串联连接的多个放大器单元，用于对输入阻抗匹配结果进行顺序放大；
多个第一中间阻抗匹配单元，连接在放大器单元之间，用于对每一放大器单元的输出进行阻抗匹配，所述放大器单元串联连接；
低输出放大器单元，用于在低输出模式中对所述第一中间阻抗匹配单元的至少一个阻抗匹配结果进行放大；
第二放大器单元，用于在高输出模式中对所述第一中间阻抗匹配单元中的最后第一中间阻抗匹配单元的阻抗匹配结果进行放大；
第二中间阻抗匹配单元，用于在高输出模式中对该第二放大器单元的放大结果进行阻抗匹配；
高输出放大器单元，用于在高输出模式中对第二中间阻抗匹配结果进行放大；
放大器控制器，用于响应于该输入信号的功率电平来控制该低输出放大器单元、该第二放大器单元、和该高输出放大器单元的放大操作；和
输出阻抗匹配单元，用于对所述低和高输出放大器单元的放大结果进行阻抗匹配。
20.根据权利要求19的功率放大器，其中该低输出放大器单元对所述第一阻抗匹配单元中的最后一个的阻抗匹配结果进行放大。
21.根据权利要求19的功率放大器，其中该低输出放大器单元对所述第一阻抗匹配单元中的第一个的阻抗匹配结果进行放大。
22.根据权利要求19的功率放大器，其中该低输出放大器单元对从相应第一阻抗匹配单元生成的阻抗匹配结果进行放大。
23.根据权利要求19的功率放大器，还包括偏置电路，用于将工作电压供应到所述第一和第二放大器单元。