1.一种基于大数据的污水管网监测装置用信号处理系统，主要由处理芯片U，三极管VT2，正极经电阻R8后与处理芯片U的IN管脚相连接、负极经电感L后与处理芯片U的COMP管脚相连接的极性电容C6，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与处理芯片U的COMP管脚相连接的电阻R11，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经电阻R9后与处理芯片U的B管脚相连接的二极管D5，正极与处理芯片U的B管脚相连接、负极经可调电阻R10后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C7，分别与处理芯片U的IN管脚和VC管脚相连接的二阶低通滤波电路，以及分别与处理芯片U的CS管脚、G管脚、CLK管脚和OUT管脚相连接的频率误差校正电路组成；所述三极管VT2的发射极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地；所述处理芯片U的VC管脚与外部12V直流电源相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于大数据的污水管网监测装置用信号处理系统，其特征在于，所述二阶低通滤波电路由放大器P1，三极管VT1，场效应管MOS，正极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接、负极作为二阶低通滤波电路的输入端的极性电容C3，负极与放大器P1的正极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与极性电容C2的负极相连接的二极管D2，正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C1，N极与场效应管MOS的源极相连接、P极与处理芯片U的VC管脚相连接的稳压二极管D1，一端与稳压二极管D1的P极相连接、另一端与接地的电阻R1，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与三极管VT1的发射极相连接的二极管D3，P极与放大器P1的负极相连接、N极经电阻R5后与放大器P1的输出端相连接的二极管D4，正极经电阻R6后与放大器P1的负极相连接、负极与放大器P1的输出端相连接的极性电容C4，以及正极电阻R7后与放大器P1的输出端相连接、负极接地的极性电容C5组成；所述极性电容C2的负极接地；所述放大器P1的正极还与极性电容C3的正极相连接、其输出端还分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U的IN管脚相连接、其负极接地。
3.根据权利要求2所述的一种基于大数据的污水管网监测装置用信号处理系统，其特征在于，所述频率误差校正电路由放大器P2，三极管VT3，三极管VT4，P极与处理芯片U的CS管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D6，正极与处理芯片U的G管脚相连接、负极与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10，P极经电阻R15后与三极管VT4的发射极相连接、N极与三极管VT3的集电极相连接的二极管D8，负极与三极管VT4的发射极相连接、正极经电阻R17后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C11，一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与三极管VT3的基极相连接的可调电阻R16，P极与三极管VT3的基极相连接、N极经电阻R14后与放大器P2的输出端相连接的二极管D7，正极电阻R13后与放大器P2的负极相连接、负极与放大器P2的输出端相连接的极性电容C9，以及正极与放大器P2的正极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的输出端相连接的极性电容C8组成；所述三极管VT4的集电极接地；所述三极管VT3的基极还与放大器P2的负极相连接、其发射极与处理芯片U的CLK管脚相连接；所述放大器P2的正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其输出端则作为频率误差校正电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的一种基于大数据的污水管网监测装置用信号处理系统，其特征在于，所述处理芯片U为MB40978集成芯片。