1.一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器，设有单端射频输入信号RFIN，单端射频输入信号RFIN经单转双的巴伦产生差分输入信号RFIN+、RFIN-，处理后的差分输出信号经双转单的巴伦产生单端输出信号RFOUT，还设有正输入端RFIN+和负输入端RFIN-，通过正输入端RFIN+和负输入端RFIN-接收射频输入功率，其特征在于：
包括驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路、输出共源共栅级及其共栅级自偏置电路和两级共源级自适应偏置电路，输出共源共栅级及其共栅级自偏置电路设有双转单的巴伦和输出级RC串联负反馈电路，射频输入功率经驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路和输出共源共栅级及其共栅级自偏置电路放大、然后经双转单的巴伦输出单端输出信号RFOUT；
所述两级共源级自适应偏置电路采用栅极自适应偏置方式，使两级共源级自适应偏置电路的共源管的栅极偏置电压跟随输入功率的变化而变化，表现出增益扩展特性；所述驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路、输出共源共栅级及其共栅级自偏置电路均采用采用栅极自偏置方式，其栅极电压跟随漏极电压的变化而变化，使共栅管在不同的电源电压下始终工作在饱和区；输出级RC串联负反馈电路用于提高整体电路线性度和稳定性。
2.根据权利要求1所述的一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器，其特征在于：所述偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器设有第一偏置电压输入端Vbias1和第二偏置电压输入端Vbias2，用于接收外接电路输入的固定偏置电压；驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路设有正输出端OP1和负输出端ON1，两级共源级自适应偏置电路设有输出端Vcs0和输出端Vcs1；其中，驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电感L1和第二电感L2，其中，
所述第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的尺寸相同，第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4的尺寸相同，第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4的尺寸是第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的
1.5倍；
所述第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1和第二电阻R2构成驱动共源级，第一NMOS管MN1的栅极、第一电阻R1的负端和第一电容C1的下极板相连接；第二NMOS管MN2的栅极、第二电阻R2的负端和第二电容C2的下极板相连接；第一NMOS管MN1的漏极与第三NMOS管MN3的源极相连接；第二NMOS管MN2的漏极与第四NMOS管MN4的源极相连接；第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的源极相连，其连接点连接到地；
所述第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第三电容C3、第四电容C4、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电感L1和第二电感L2构成驱动共栅级及其共栅级自偏置电路，第三NMOS管MN3的栅极、第三电阻R3的负端和第三电容C3的下极板相连接；第四NMOS管MN4的栅极、第四电阻R4的负端和第四电容C4的下极板相连接；第三电容C3和第四电容C4的上极板相连接，其连接点连接到地；第三NMOS管MN3的漏极、第三电阻R3的正端和第一电感L1的负端相连接，其连接点作为驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路的负输出端ON1；第四NMOS管MN4的漏极、第四电阻R4的正端和第二电感L2的负端相连接，其连接点作为驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路的正输出端OP1；第一电感L1和第二电感L2的正端相连，其连接点连接到电源；
所述第一电阻R1和第二R2的正端电压作为驱动共源级的栅极偏置电压，其连接点连接到两级共源级自适应偏置电路的输出端Vcs0；第一电容C1的上极板作为偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器的正输入端RFIN+；第二电容C2的上极板作为偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器的负输入端RFIN-。
3.根据权利要求1所述的一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器，其特征在于：所述偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器设有第一偏置电压输入端Vbias1和第二偏置电压输入端Vbias2，用于接收外接电路输入的固定偏置电压；驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路设有正输出端OP1和负输出端ON1，两级共源级自适应偏置电路设有输出端Vcs0和输出端Vcs1；其中，输出共源共栅级及其共栅级自偏置电路包括第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和双转单的巴伦，其中，
所述第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的尺寸相同，第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8的尺寸相同，第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8的尺寸是第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的
1.5倍，双转单的巴伦包括平衡端、非平衡端和公共端，平衡端设有负极和正极两个端子；
所述第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第五电容C5、第六电容C6、第五电阻R5、第六电阻R6构成输出共源级，第五NMOS管MN5的栅极、第五电阻R5的负端、第五电容C5的下极板和第七电容C7的下极板相连接；第六NMOS管MN6的栅极、第六电阻R6的负端、第六电容C6的下极板和第八电容C8的下极板相连接；第五NMOS管MN5的漏极和第七NMOS管MN7的源极相连；第六NMOS管MN6的漏极和第八NMOS管MN8的源极相连；第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的源极相连接，其连接点连接到地；
所述第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和双转单的巴伦构成输出共源级、栅极自偏置电路和输出级RC串联负反馈电路，第七NMOS管MN7的栅极、第八NMOS管MN8的栅极、第九电容C9的下极板和第九电阻R9的负端相连接，其连接点作为偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器的电源调制器的输出端；第七NMOS管MN7的漏极和第七电阻R7的负端相连接，其连接点连接到双转单的巴伦的平衡端的正极；第八NMOS管MN8的漏极和第八电阻R8的负端相连接，其连接点连接到双转单的巴伦的平衡端的负极；第九电容C9的上极板连接到地；
所述第七电阻R7的正端和第七电容C7的上极板相连接；第八电阻R8的正端和第八电容C8的上极板相连接；第九电阻R9的正端连接到双转单的巴伦的公共端；
所述第五电阻R5和第六电阻R6的正端作为输出共源级的栅极偏置电压，其连接点连接到两级共源级自适应偏置电路的输出端Vcs1；第五电容C5的上极板连接到驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路的负输出端ON1；第六电容C6的上极板连接到驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路的正输出端OP1；双转单的巴伦的非平衡端作为偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器的单端输出信号RFOUT；其中，双转单的巴伦的公共端还连接到电源调制器的输出端，作为调制电源。
4.根据权利要求1所述的一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器，其特征在于：所述偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器设有第一偏置电压输入端Vbias1和第二偏置电压输入端Vbias2，用于接收外接电路输入的固定偏置电压；驱动共源共栅级及其共栅级自偏置电路设有正输出端OP1和负输出端ON1，两级共源级自适应偏置电路设有输出端Vcs0和输出端Vcs1；其中，两级共源级自适应偏置电路包括第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10，第一PMOS管MP1，第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13，第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13和第十四电阻R14；其中，
所述第九NMOS管MN9的栅极、第十电阻R10的负端和第十电容C10的下极板相连接；第九NMOS管MN9的源极连接到地；第九NMOS管MN9的漏极、第十NMOS管MN10的栅极、第一PMOS管MP1的栅极、第十一电阻R11的负端和第十一电容C11的下极板相连接；第十一电阻R11的正端和第十一电容C11的上极板相连接，其连接点连接到电源；所述第十电阻R10的正端作为偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器的第一偏置电压输入端Vbias1；第十电容C10的上极板连接单端射频输入信号RFIN；
所述第一PMOS管MP1的源极连接到电源；第一PMOS管MP1的漏极、第十NMOS管MN10的漏极、第十二电阻R12的负端、第十二电容C12的下极板和第十三电阻R13的负端相连接，其连接点作为两级共源级自适应偏置电路的第一个输出端Vcs0；第十NMOS管MN10的源极作为第二偏置电压输入端Vbias2；
所述第十三电阻R13的正端、第十四电阻R14的负端和第十三电容C13的下极板相连接，其连接点作为两级共源级自适应偏置电路的第二个输出端Vcs1；第十三电阻R13的正端和第十三电容C13的上极板相连接，其连接点连接到地。