1.一种差分输入设备，其包括：
尾端连接的初级差分对，其用以接收第一输入信号及第二输入信号并分别响应于所述第一输入信号及所述第二输入信号而将负载电流传递到第一负载及第二负载；
尾端连接的次级差分对，其用以接收所述第一输入信号及所述第二输入信号的经向下电平移位，所述初级差分对或所述次级差分对中的至少一者用以在所述第一输入信号及所述第二输入信号的共模分量接近正电压轨时传导电流，以便呈现与所述第一负载及所述第二负载中的每一者串联的恒定跨导；
尾电流源，其通信地耦合到所述初级差分对及所述次级差分对，通过所述初级差分对及所述次级差分对进行的传导用以防止所述尾电流源处的线性区操作；以及尾电流分路装置，其串联于所述尾电流源与所述次级差分对之间，所述尾电流分路装置用以在所述第一输入信号及所述第二输入信号接近正电压轨时及在所述初级差分对接近截止条件时将尾电流供应到所述次级差分对。
2.根据权利要求1所述的差分输入设备，其进一步包括：
第一电平移位装置及第二电平移位装置，其耦合到与所述次级差分对相关联的输入以提供所述第一输入信号及所述第二输入信号的所述经向下电平移位；以及偏置元件，其耦合到所述尾电流分路装置以对所述尾电流分路装置进行偏置且使所述尾电流分路装置能够在所述第一电平移位装置进入传导状态时传导。
3.根据权利要求2所述的差分输入设备，所述第一电平移位装置及所述第二电平移位装置为源极跟随器级。
4.一种差分输入设备，其包括：
尾端连接的初级晶体管差分对，所述初级晶体管差分对的第一晶体管及第二晶体管分别与第一负载及第二负载进行串联电流沟道耦合，以分别在所述初级晶体管差分对的第一栅极及第二栅极处接收第一输入信号及第二输入信号，并响应于所述第一输入信号及所述第二输入信号而将负载电流传递到所述第一负载及所述第二负载；
尾端连接的次级晶体管差分对，所述次级晶体管差分对的第一晶体管及第二晶体管分别与所述第一负载及所述第二负载进行串联电流沟道耦合，以分别在所述次级晶体管差分对的第一栅极及第二栅极处接收所述第一输入信号及所述第二输入信号的经向下电平移位，所述次级晶体管差分对用以在所述初级晶体管差分对接近截止条件时响应于所述差分输入信号的所述经向下电平移位而传导电流，以便在所述第一输入信号及所述第二输入信号的共模分量接近正电压轨时向所述第一负载及所述第二负载呈现恒定跨导；
尾电流源晶体管，其通信地耦合于正电压轨与和所述初级晶体管差分对及所述次级晶体管差分对相关联的电流沟道之间，以将尾电流提供到所述初级晶体管差分对及所述次级晶体管差分对；以及
尾电流分路晶体管，其串联沟道耦合于尾电流源晶体管电流沟道与所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述电流沟道之间，所述尾电流分路晶体管用以在所述初级晶体管差分对接近所述截止条件时将尾电流供应到所述次级晶体管差分对。
5.根据权利要求4所述的差分输入设备，其进一步包括：
偏置电压源，其耦合到所述尾电流源晶体管以将偏置电压提供到所述尾电流源晶体管的栅极且确立最大尾电流量值。
6.根据权利要求4所述的差分输入设备，其进一步包括：
第一源极跟随器晶体管，其输出耦合到所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管的栅极，以在所述第一源极跟随器晶体管的栅极处接收所述第一输入信号且在所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管的所述栅极处产生所述第一输入信号的所述经向下电平移位；以及
第二源极跟随器晶体管，其输出耦合到所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管的栅极，以在所述第二源极跟随器晶体管的栅极处接收所述第二输入信号且在所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管的所述栅极处产生所述第二输入信号的所述经向下电平移位。
7.根据权利要求6所述的差分输入设备，其进一步包括：
第一恒定电流源，其串联耦合于所述第一源极跟随器晶体管的源极端子与接地轨或负电压轨中的至少一者之间以将电流负载提供到所述第一源极跟随器晶体管；以及第二恒定电流源，其串联耦合于所述第二源极跟随器晶体管的源极端子与所述接地轨或所述负电压轨中的至少一者之间以将电流负载提供到所述第二源极跟随器晶体管。
8.根据权利要求6所述的差分输入设备，其进一步包括：
二极管连接的晶体管，其串联电流沟道耦合于正电压轨与所述第一源极跟随器晶体管之间且栅极耦合到所述尾电流分路晶体管的栅极以在所述第一源极跟随器晶体管进入传导状态时通过将所述尾电流分路晶体管的所述栅极拉为低来启用所述尾电流分路晶体管。
9.一种提供恒定跨导电子差分输入级的方法，其包括：
在与尾端连接的初级晶体管差分对的第一晶体管相关联的第一栅极处接收接近正电压轨的第一输入信号；
在与所述尾端连接的初级晶体管差分对的第二晶体管相关联的第二栅极处接收接近所述正电压轨的第二输入信号；
减小从尾电流源晶体管穿过所述初级晶体管差分对的电流，从而在与所述初级晶体管差分对相关联的尾节点处产生增加的电压电位；
将尾电流提供到与次级晶体管差分对相关联的第一晶体管及第二晶体管，以便在所述第一输入信号及所述第二输入信号的共模分量接近所述正电压轨时，维持与和所述初级晶体管差分对及所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管相关联的第一负载串联的恒定第一跨导并维持与和所述初级晶体管差分对及所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管相关联的第二负载串联的恒定第二跨导；以及
在输出耦合到所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管的栅极的第一源极跟随器晶体管的栅极处接收接近所述正电压轨的所述第一输入信号；
在输出耦合到所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管的栅极的第二源极跟随器晶体管的栅极处接收接近所述正电压轨的所述第二输入信号；以及
使电流传导穿过所述第一源极跟随器晶体管，从而在与所述第一源极跟随器晶体管相关联的电流沟道的正端子处产生减小的电压且在尾电流分路晶体管的栅极处产生向传导的偏置，所述尾电流分路晶体管栅极耦合到与所述第一源极跟随器晶体管相关联的所述电流沟道的所述正端子且串联沟道耦合于所述尾电流源晶体管的电流沟道与和所述次级晶体管差分对相关联的所述第一晶体管及所述第二晶体管的电流沟道之间。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在弱反转模式中对分别与所述初级晶体管差分对及所述次级晶体管差分对相关联的所述第一晶体管及所述第二晶体管进行偏置。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
使用串联于所述第一源极跟随器晶体管的源极端子与接地轨或负电压轨中的至少一者之间的第一恒定电流源对所述第一源极跟随器晶体管进行偏置；以及使用串联于所述第二源极跟随器晶体管的源极端子与所述接地轨或所述负电压轨之间的第二恒定电流源对所述第二源极跟随器晶体管进行偏置。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
使用与所述初级晶体管差分对相关联的所述尾节点的所述增加的电压电位对所述尾电流分路晶体管的电流沟道进行正向偏置，所述尾节点耦合到所述尾电流分路晶体管的所述电流沟道的正端子。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
在所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管的栅极处接收所述第一输入信号的经向下电平移位，所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管具有与所述初级晶体管差分对的所述第一晶体管共有的负载；以及
在所述次级晶体管差分对的第二晶体管的栅极处接收所述第二输入信号的经向下电平移位，所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管具有与所述初级晶体管差分对的所述第二晶体管共有的负载。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：
从所述初级晶体管差分对的所述第一晶体管或所述次级晶体管差分对的所述第一晶体管中的至少一者使恒定电流传导穿过所述第一负载；以及
从所述初级晶体管差分对的所述第二晶体管或所述次级晶体管差分对的所述第二晶体管中的至少一者使恒定电流传导穿过所述第二负载。