1.一种单端放大器，其特征在于，所述单端放大器包括：
噪声去除电路，连接于电源，用于接收电源信号并去除所述电源信号中的部分纹波和噪声，产生一初始信号；
放大电路，包括第一端和第二端，第一端耦接于所述噪声去除电路，以接收所述初始信号，并将所述初始信号放大后在第二端产生一第一信号；
第一传输电路，耦接于所述电源和所述放大电路的第二端之间，用于接收所述电源信号，并在所述放大电路的第二端产生一第二信号；
其中，所述噪声去除电路包括第一电容和第一扼流圈，所述第一电容的一端耦接所述电源信号，另一端耦接所述放大电路的第一端，并通过所述第一扼流圈接地，所述第一信号和所述第二信号在输出端矢量叠加后自所述放大电路的第二端输出以去除所述电源信号中的大部分纹波和噪声。
2.根据权利要求1所述的单端放大器，其特征在于，所述放大电路包括第一晶体管和第二扼流圈，所述第一晶体管的第一端接所述第一电容，所述第一晶体管的第二端连接所述电源信号，所述第一晶体管的第三端通过所述第二扼流圈接地，所述第一晶体管的第二端为所述放大电路的第二端。
3.根据权利要求1所述的单端放大器，其特征在于，所述单端放大器还包括低压差线性稳压电路，所述电源信号通过低压差线性稳压电路稳压后输出；其中，所述低压差线性稳压电路包括第二晶体管、比较器、第一电阻以及第二电阻，所述第二晶体管的第一端耦接所述比较器的输出端，所述第二晶体管的第二端耦接所述第一电容的一端以及所述第一电阻的一端，所述第二晶体管的第三端耦接所述电源信号，所述第一电阻的另一端耦接所述比较器的负输入端和所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端耦接所述第一电容的另一端，所述比较器的正输入端连接第一参考电压。
4.根据权利要求2所述的单端放大器，其特征在于，所述第一传输电路包括第三晶体管、第三电阻以及第三扼流圈，所述第一电容的一端通过所述第三电阻耦接所述第三晶体管的第一端，所述第一电容的一端还通过所述第三扼流圈耦接所述第三晶体管的第二端，所述第三晶体管的第三端耦接所述第一晶体管的第二端。
5.根据权利要求4所述的单端放大器，其特征在于，所述单端放大器还包括第二传输电路，所述电源信号通过所述第一电容和所述第二传输电路在所述第一晶体管的第一端产生第三信号；所述第二传输电路包括第四晶体管、第四电阻以及第二电容，所述第四晶体管的第一端通过所述第二电容耦接所述第一电容的另一端，并通过所述第四电阻耦接所述第一晶体管的第一端，所述第四晶体管的第三端耦接所述第一电容的另一端。
6.根据权利要求5所述的单端放大器，其特征在于，所述噪声去除电路还包括第三电容，所述第三电容的一端耦接所述电源信号，另一端耦接在所述第一晶体管和所述第二扼流圈之间，以在所述第一晶体管的第三端产生第四信号；所述第三信号和所述第四信号通过矢量叠加得到所述第一晶体管第一端和第三端的电压差，所述电压差经所述第一晶体管放大后在第二端输出所述第一信号，所述第一信号与所述第二信号进行矢量叠加产生输出信号。
7.根据权利要求6所述的单端放大器，其特征在于，所述第三信号和所述第四信号包含的噪声部分的相位相反、信号强度相当。
8.根据权利要求7所述的单端放大器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS，所述第一端为栅极，所述第二端为漏极，所述第三端为源极。
9.一种单端放大器的噪声消除方法，其特征在于，所述单端放大器包括噪声去除电路和放大电路，所述方法包括：
通过所述噪声去除电路去除电源信号中的部分纹波和噪声，产生一初始信号；
在所述放大电路的第一端接收所述初始信号，并将所述初始信号放大后在所述放大电路的第二端产生一第一信号；
接收所述电源信号并传输至所述放大电路的第二端以产生一第二信号；
将所述第一信号和所述第二信号在所述放大电路的第二端矢量叠加后自所述放大电路的第二端输出以去除所述电源信号中的大部分纹波和噪声；
其中，所述噪声去除电路包括第一电容和第一扼流圈，所述第一电容的一端耦接所述电源信号，另一端耦接所述放大电路的第一端，并通过所述第一扼流圈接地，所述放大电路的第二端为所述单端放大器的输出端。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述放大电路包括第一晶体管，所述噪声去除电路还包括第三电容，所述在所述放大电路的第一端接收所述初始信号,并将所述初始信号放大后在所述放大电路的第二端产生一第一信号的步骤包括：
通过第一电容在所述第一晶体管的第一端产生第三信号；
通过第三电容在所述第一晶体管的第三端产生第四信号；
所述第三信号和所述第四信号通过矢量叠加并放大在所述第一晶体管的第二端输出第一信号；
其中，所述第三信号和所述第四信号包含的噪声部分的相位相反、信号强度相当。