1.一种放大器设备，其包括：
放大器，其接收输入信号且产生输出信号，其中所述放大器包含：
第一晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第一晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第一部分；以及
第二晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第二晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第二部分；以及
中和网络，其具有：
第一中和电容器，其耦合于所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述第二无源电极之间；以及
第二中和电容器，其耦合于所述第二晶体管的所述控制电极与所述第一晶体管的所述第二无源电极之间，
其中所述放大器还包括：
第一输出端子，其适于提供所述输出信号的第一部分；
第二输出端子，其适于提供所述输出信号的第二部分；
第一偏置网络，其耦合到所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极；以及
第二偏置网络，其耦合到所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第二无源电极，
其中所述第一晶体管和第二晶体管是MOS晶体管，且其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极、所述第二无源电极和所述控制电极分别是源极、漏极和栅极，
其中所述第一晶体管和第二晶体管分别进一步包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，
其中所述第一偏置网络进一步包括：
第三PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第一PMOS晶体管的源极；以及第四PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第二PMOS晶体管的源极，且在其栅极处耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的放大器设备，其中所述第二偏置网络进一步包括：
第五PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极；以及第六PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极，且在其栅极处耦合到所述第五PMOS晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的放大器设备，其中所述第一和第二晶体管分别进一步包括第一PNP晶体管和第二PNP晶体管。
4.一种放大器设备，其包括：
放大器，其接收输入信号且产生输出信号，其中所述放大器包含：
第一晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第一晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第一部分；
第二晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中所述第二晶体管的所述控制电极接收所述输入信号的第二部分；以及
多个偏置网络，其耦合到所述第一和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极和所述第二无源电极中的至少一者；以及
中和网络，其具有：
第一中和电容器，其耦合于所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述第二无源电极之间；以及
第二中和电容器，其耦合于所述第二晶体管的所述控制电极与所述第一晶体管的所述第二无源电极之间，
其中所述第一晶体管和第二晶体管是MOS晶体管，且其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每一者的所述第一无源电极、所述第二无源电极和所述控制电极分别是源极、漏极和栅极，
其中所述第一晶体管和第二晶体管分别进一步包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，
其中所述多个偏置网络进一步包括第一偏置网络，且其中所述第一偏置网络进一步包括：
第三PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第一PMOS晶体管的源极；以及第四PMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第二PMOS晶体管的源极，且在其栅极处耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极。
5.根据权利要求4所述的放大器设备，其中所述多个偏置网络进一步包括第二偏置网络，且其中所述第二偏置网络进一步包括：
第五PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极；以及第六PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极，且在其栅极处耦合到所述第五PMOS晶体管的栅极。
6.根据权利要求4所述的放大器设备，其中所述第一晶体管和第二晶体管分别进一步包括第一PNP晶体管和第二PNP晶体管。
7.一种放大器设备，其包括：
第一输出端子；
第二输出端子；
第一PMOS晶体管；
第二PMOS晶体管，其在其栅极处耦合到所述第一PMOS晶体管，其中所述第一和第二PMOS晶体管在其栅极处接收第一偏置；
第三PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极且在其栅极处接收差分输入信号的第一部分；
第四PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极且在其栅极处接收所述差分输入信号的第二部分；
第五PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第三PMOS晶体管的漏极且在其漏极处耦合到所述第一输出端子；
第六PMOS晶体管，其在其源极处耦合到所述第四PMOS晶体管的漏极，在其漏极处耦合到所述第二输出端子，且在其栅极处耦合到所述第五PMOS晶体管的栅极，其中所述第五和第六PMOS晶体管在其栅极处接收第二偏置；
第一NMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第五PMOS晶体管的漏极；
第二NMOS晶体管，其在其漏极处耦合到所述第六PMOS晶体管的漏极且在其栅极处耦合到所述第一NMOS晶体管的栅极，其中所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管在其栅极处接收第三偏置；
第一中和电容器，其耦合于所述第三PMOS晶体管的所述栅极与所述第四PMOS晶体管的所述漏极之间；以及
第二中和电容器，其耦合于所述第四PMOS晶体管的所述栅极与所述第三PMOS晶体管的所述漏极之间。
8.根据权利要求7所述的放大器设备，其中所述第一中和电容器和第二中和电容器分别进一步包括第一MOS电容器和第二MOS电容器。
9.根据权利要求8所述的放大器设备，其中所述设备具有处于20GHz的寄生零点。
10.根据权利要求9所述的放大器设备，其中所述第一MOS电容器和第二MOS电容器中的每一者的电容是约40fF。