1.一种半导体器件，包括：
第一端子和第二端子，分别耦合到晶体谐振器的两端；
反相器电路，具有耦合到所述第一端子的输入和耦合到所述第二端子的输出；
反馈电阻器，其耦合于所述第一端子与所述第二端子之间；
可变电容器，耦合到所述第一端子和所述第二端子中的至少一个端子；以及控制电路，其基于指定第一模式和第二模式中的每个模式的模式信号来控制所述反相器电路的驱动能力和所述可变电容器的电容值，
其中所述控制电路执行控制以在所述第二模式中而不是在所述第一模式中增加所述反相器电路的所述驱动能力和所述可变电容器的所述电容值二者。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中在从所述第一模式向所述第二模式切换时，所述控制电路在已经增加所述反相器电路的所述驱动能力之后增加所述可变电容器的所述电容值，并且
其中在从所述第二模式向所述第一模式切换时，所述控制电路在已经减少所述可变电容器的所述电容值之后减少所述反相器电路的所述驱动能力。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
比较器电路，其耦合到所述第二端子并且根据所述第二端子的电压生成时钟信号；以及
分频电路，其执行从所述比较器电路输出的时钟信号的分频，
其中所述控制电路按照在所述第一模式与所述第二模式之间所述时钟信号的频率变得相同这样的方式而响应于所述模式信号改变所述分频电路的分频比。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二模式是执行对所述半导体器件的模拟的调试模式，并且
其中所述第一模式是不执行所述模拟的模式。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中在所述模拟中使用的引脚与耦合到所述晶体谐振器的引脚相邻。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述可变电容器仅耦合到所述第一端子和所述第二端子中的与在所述模拟中使用的所述引脚接近的端子。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二模式是许可切换所述半导体器件的电源电压的模式，并且其中所述第一模式是禁止切换所述电源电压的模式。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，包括：
振荡器电路，具有所述第一端子、所述第二端子、所述反相器电路、所述反馈电阻器、所述可变电容器和所述控制电路；
时钟电路，其基于由所述振荡器电路生成的时钟信号操作；
电源切换电路，其在正常电源电压与备用电源电压之间切换向所述振荡器电路和所述时钟电路供应的所述电源电压；以及
控制器，其以如下方式控制所述电源切换电路，在所述正常电源电压达到预定阈值或者更少时所述电源电压从所述正常电源电压切换成所述备用电源电压，并且在所述正常电源电压达到所述预定阈值或者更多时所述电源电压从所述备用电源电压切换成所述正常电源电压，
其中所述振荡器基于所述电源电压的所述切换来生成所述模式信号并且向所述控制电路输出所述模式信号。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述控制器以如下方式控制所述模式信号，在所述电源电压的所述切换之前将模式切换至所述第二模式，并且在所述电源电压的所述切换结束之后将所述模式切换至所述第一模式。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述反相器电路包括：
晶体管，具有耦合到所述第一端子的栅极、耦合到所述第二端子的漏极和耦合到接地端子的源极；以及
可变电流源，其向所述第二端子供应电流，并且
其中所述控制电路响应于所述模式信号来控制所述可变电流源的电流供应容量以由此控制所述反相器电路的所述驱动能力。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述可变电容器耦合于所述第一端子与所述第二端子之间。
12.一种半导体器件的控制方法，所述半导体器件包括：
第一端子和第二端子，分别耦合到晶体谐振器的两端；
反相器电路，具有耦合到所述第一端子的输入和耦合到所述第二端子的输出；
反馈电阻器，其耦合于所述第一端子与所述第二端子之间；以及
可变电容器，耦合到所述第一端子和所述第二端子中的至少一个端子，所述控制方法包括以下步骤：
在第一模式与第二模式之间切换操作模式；并且
以如下方式执行控制，所述反相器电路的驱动容量和所述可变电容器的电容值二者在所述第二模式中变得比在所述第一模式中更大。
13.根据权利要求12所述的控制方法，其中所述控制执行的步骤包括以下步骤：
在从所述第一模式向所述第二模式切换时，在已经增加所述反相器电路的所述驱动能力之后增加所述可变电容器的所述电容值；并且
在从所述第二模式向所述第一模式切换时，在已经减少所述可变电容器的所述电容值之后减少所述反相器电路的所述驱动能力。
14.根据权利要求12所述的控制方法，
其中所述第二模式是执行对所述半导体器件的模拟的调试模式，并且
其中所述第一模式是不执行所述模拟的模式。
15.根据权利要求12所述的控制方法，
其中所述第二模式是许可切换所述半导体器件的电源电压的模式，并且其中所述第一模式是禁止所述电源电压的所述切换的模式。