1.一种高速、低功耗电平移位电路，其特征是，由N型MOS器件MN1～MN4，P型MOS器件MP1～MP4，电容Mc以及两个反向器组成，MP3，MP4源端接VDDH，栅端连接在一起连接在MP3的漏端，构成电流源结构，MP3漏端连接MN3漏端，MP4漏端连接电容Mc上极板，MN3源端连接MN4漏端，MN4源端接地，输入信号IN连接在MN3栅端和低压反向器输入端，反向器输出与MP1，MN1栅端相连，MP1源端接VDDL，漏端与电容下极板相连，MN1源端接地，漏端与电容上极板相连，电容上极板连接MP2栅端，下极板连接MN2栅端，MP2源端接VDDH，MN2源端接地，MP2与MN2漏端连接，输出连接高压反向器输入端与MN4栅端，高压反向器输出即为电平移位电路输出。
2.如权利要求1所述的高速、低功耗电平移位电路，其特征是，低压反向器输入端为A节点，输出端为节点B，高压反向器输入端为节点D，流过MP3支路电流为ID3，流过MP4支路电流为ID4，则：当输入端节点A由低电平到高电平跳变时，由于起始时节点D为高电平，电流ID3通过MP3和MP4的电流镜结构复制得到ID4，电容在ID4作用下开始充电，使电容两端电压达到VDDH-VDDL，此时MP2栅端电压为VDDH关断，而MN2在VDDL的驱动下导通，使D节点转化为低电平，经高压反向器输出高电平，实现电平移位。D节点的低电平会使MN4关断，从而关闭电流源，完成充电过程，有：
VC(0-)＝VDDH-VDDL  (1)
VC(0-)是在输入信号的从低电平到高电平转变之后电容器上的充电电压；
当输入端节点A发生高电平到低电平跳变时，节点B为高电平，MP1关闭，MN1导通，电流源处于关闭状态，MN1漏端连接电容器C的上板，使上极板为低电压，MP2导通。通过电容的作用，使晶体管MN2的栅极上产生负压而迅速关断，节点D通过MP2而迅速上升到VDDH，迅速关闭高压反向器输出，实现快速电平移位的关断，MN1导通时，电容器C的一部分电荷与寄生电容器Cp共用，因此有：
其中VC(0+)是在输入信号的从高电平到低电平转变之后电容器上的电压，寄生电容Cp＝CGSN2+CDSP1，CGSN2是MN2的栅源电容，CDSP1是MP1的漏源电容。
3.如权利要求1所述的高速、低功耗电平移位电路，其特征是，在一个实例中：
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