[0001] 本发明涉及微波混合集成电路技术领域，具体是一种90°相位合成开关中频放大组件电路。

[0002] 传统意义上的微波混合集成，按照组件的功能要求，选取分立器件，使用插装或贴装的方式，完成分立器件的电学连接，形成具有一定电学功能的组件。这种微波混合集成方式，由于各分立器件体积大，组装、焊接方便，另外，分立器件体积大，也使器件位置布局距离较大，减小了组件电磁兼容性等问题，但组件体积大、重量重，制约了系统小型化和轻量化的应用需求。

[0003] 在实际具体应用中，需要实现两路输入信号相差的90°射频（RF）信号合成、滤波、放大等，并对非工作时间内的干扰信号进行抑制等功能电路，同时电路也需满足系统小型化和表贴组装使用要求。目前，市场还未见类似技术指标要求的组件电路。

[0004] 本发明的目的在于提供一种90°相位合成开关中频放大组件电路，该电路能够实现两路90°相位差的信号合成、滤波、在控制信号的作用下抑制干扰信号，实现对选通的RF输出信号放大等功能，具有体积小、抗干扰能力强、使用方便等优点。

[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种90°相位合成开关中频放大组件电路，包括：
a、信号合成电路，用于将相位相差90°的两路RF信号合成为一路RF信号输出；
b、低通滤波电路，低通滤波电路的输入端与信号合成电路的输出端相连，用于抑制合成后RF信号中的高次模；
c、开关电路，低通滤波电路的输出端连接开关电路的输入端，通过开关电路的控制端选择使滤波后的RF信号是否输出；
d、信号放大电路，信号放大电路的输入端与开关电路的输出端相连；
 e、馈电网络，馈电网络为信号放大电路提供稳定的工作电压。

[0006] 进一步的，所述放大组件电路基于高温共烧陶瓷多层布线设计，形成一体化表贴型封装结构体。

[0007] 本发明的有益效果是：相位相差90°的两路RF信号经过信号合成电路后，变为一路RF信号，再送入低通滤波电路进行滤波后输出到开关电路，由开关电路的控制信号控制RF信号的传输与截止，开关电路送出的RF信号进入信号放大电路，经放大后输出；本发明采用裸芯片键合、多层布线方式，提高了器件的集成密度、缩小了组件的体积，部分馈电网络和开关控制引线采用內埋屏蔽层结构方式，减小信号间的串扰，提高了信号的电磁兼容性能，RF信号输入、输出端口，均采用阻抗50欧姆表贴扁平I/O引出端子，增强RF信号传输中的阻抗匹配，同时，组件集成度较高，体积较小，使用方便，可靠性高。附图说明

[0008] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：图1是本发明的电路原理框图；
图2是本发明中信号合成电路的示意图；
图3是本发明中低通滤波电路的示意图；
图4是本发明中开关电路的示意图；
图5是本发明中信号放大电路的示意图；
图6是本发明中馈电网络的示意图。

[0009] 如图1所示，本发明提供一种90°相位合成开关中频放大组件电路，包括：a、信号合成电路11，用于将相位相差90°的两路RF信号合成为一路RF信号输出；结合图
2所示，信号合成电路11的第1引脚为out1合成后的RF信号输出端，第3、4引脚分别为相位相差90°的Fin1和Fin2的两路RF信号输入端，第2、5引脚分别地相接，第6引脚通过电阻R1与地相连；
b、低通滤波电路22，低通滤波电路22的输入端与信号合成电路11的输出端相连，用于抑制合成后RF信号中的高次模；
结合图3所示，低通滤波电路22包含两个相串联的电容C1、C2，电感L1的一端接地，另一端连接至电容C1和C2的公共端；低通滤波电路22的第1引脚为Fin3的RF信号输入端，第2引脚为RF信号out2的输出端；
c、开关电路33，低通滤波电路22的输出端连接开关电路33的输入端，通过开关电路的控制端信号选择使滤波后的RF信号输出或截止；
结合图4所示，RF4信号从开关电路33的第1端口输入，2、3脚分别为开关的TTL控制信号In1、In2输入端，第4脚为ALT RF信号输入端，在本实施例中，该端口处于悬空状态，第5脚为RF信号out3的输出端，第6脚为Term端口，在本实施例中，该端口处于悬空状态，7、8引脚分别与地直接相连；
d、信号放大电路44，信号放大电路44的输入端与开关电路33的输出端相连；
结合图5所示，RF5射频信号由信号放大电路44的6端口通过电容C6进入中功率放大器的第1引脚，RF信号在中功率放大器中信号幅度得到放大，经引脚2后，通过电容C7由3端口输出，4、5脚分别同地直接相连；
 e、馈电网络55，馈电网络55为信号放大电路44提供稳定的工作电压。

[0010] 结合图6所示，电压V1从馈电网络55的1端进入，经过电阻R2和电感L2后，从2端输出电压V2，电压V2接入图5中信号放大电路44的第2引脚，作为信号放大电路44的直流工作电压；在电阻R2和电感L2之间的连接公共端，分别连接电容C3、C4、C5的一端，电容C3、C4、C5的另一端则分别同地相连，用于滤除馈入到放大电路44引脚2端的电压杂波。

[0011] 为了实现组件小型化、轻量化及使用方便，组件采用一体化表贴I/O引脚气密平行封焊的封装结构体实现。一体化封装结构体基于高温共烧HTCC技术，采用多层布线，利用层间内埋布线的优势，缩小组件的体积和提高组件的电磁兼容性能以及抗干扰能力；通过粘接、金丝键合工艺，将GaAs MMIC裸芯片组装到一体化封装陶瓷壳体中，最后经平行缝焊对组件进行气密性封装。制成基于HTCC一体化封装的微波混合集成组件，具有体积小、抗干扰能力强、重量轻、指标性能优良等特点。

[0012] 在参数配置上，本发明90°信号合成电路11，幅度不平衡度最大0.25dB，两输入端口的相位不平衡度87.7～91.7之间，端口信号隔离度最小20dB；低通滤波电路22，带外信号抑制大于15dB；开关电路33，当In1为低，In2为高时，RF信号关断，输入、输出端闭塞量大于60dB，当In1为高，In2为低时，RF信号通过，信号传输时，插入损耗小于0.5dB,开关响应时间小于10ns；信号放大电路44，P1dB压缩点大于20dBm，增益大于22dB；馈电网络55，电源滤波降额因子小于0.5。本组件电路的主要作用是将两路输入信号进行90°合成、滤波、放大，并对非工作时间内的干扰信号进行抑制。

[0013] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。