1.一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：包括直流电流检测模块、驱动电路模块以及控制电路模块，其中：
所述直流电流检测模块，采用霍尔电流传感器和电压比较器相结合的原理，用于检测固态直流断路器所在主电路的直流电流，以使得驱动系统检测主电路的短路故障；
所述驱动电路模块，为全固态直流断路器用碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiCMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET)提供开通正电压、关断负电压以及根据不同工作情况，即故障状态下的动作、正常状态下的动作，提供不同的阻抗通路；
所述控制电路模块，和驱动电路模块匹配使用，用于对固态直流断路器的不同工作状态进行判断，以向驱动电路模块发出阻抗通路选择信号。
2.根据权利要求1所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：
所述直流电流检测模块按照下述公式确定输出信号：
其中，Vout表示直流电流检测模块输出电平，1表示高电平，0表示低电平，VR表示电压比较器同相输入端电压，即霍尔电流传感器的输出电压，Vref表示电压比较器反相输入端电压，即参考电压。
3.根据权利要求1或2所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：所述霍尔电流传感器按照下述公式确定输出电压：
VR＝Iout*RN
其中，VR表示霍尔电流传感器输出电压，Iout表示霍尔电流传感器输出电流，RN表示霍尔传感器外接输出电阻。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：所述霍尔电流传感器按照下述公式确定输出电流：
Iout＝0.5*IFmA
其中，IF表示霍尔电流传感器所测主电路的直流电流。
5.根据权利要求1或2所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：所述直流电流检测模块按照下述公式确定电压比较器反相输入电压：
Vref＝Vdc*RN1/(RN1+RN2)
其中，Vdc表示直流电流检测模块电压比较器供电电压，RN1和RN2表示电压比较器反相输入端分压电阻。
6.根据权利要求1所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：
所述驱动电路模块提供驱动正压时电流通过低阻抗通路，关断时根据固态直流断路器的不同工作情况分别选择高、低阻抗通路。
7.根据权利要求1所述的一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统，其特征在于：
所述控制电路模块发出开通、故障关断、手动关断三种信号。
8.一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动控制方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
S1：利用直流电流检测电路检测固态直流断路器所在直流系统主电路是否发生短路故障，直流电流是否超过预定阈值；当直流电流检测电路检测到主电路电流超过预定阈值时，直流电流检测电路输出电平由低电平变为高电平，以使得控制电路模块向驱动电路模块发出关断信号；
S2：通过控制电路向驱动电路发出故障关断信号，实现SiC MOSFET驱动系统自动检测短路故障自动关断功能；
S3：通过外部开关按钮，输入手动开通按钮或者手动关断按钮，使得控制电路模块向驱动电路模块发出手动开通或者手动关断按钮，实现SiC MOSFET驱动系统的手动开通或者手动关断功能；当通过外部按钮输入手动开通信号时，直流电流检测电路输出电平由高电平变为低电平，以使得控制电路模块向驱动电路模块发出开通信号；当通过外部按钮输入手动关断信号时，直流电流检测电路输出电平由低电平变为高电平，以使得控制电路模块向驱动电路模块发出关断信号。