1.一种高压自举式栅极驱动装置，包括：
高端晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收第一电源电压；
低端晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至该高端晶体管的第二端，该低端晶体管的第二端耦接至参考接地电压；
缓冲器，依据偏压电压以提供高端驱动信号至该高端晶体管的控制端，并提供低端驱动信号至低端晶体管的控制端；
升压电容，串接在基准电压以及该偏压电压间，其中该基准电压产生在该高端晶体管的第二端；
耗尽型晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至第二电源电压，该耗尽型晶体管的第二端耦接至该偏压电压，且该耗尽型晶体管的控制端接收该参考接地电压；
其中当该低端晶体管依据该低端驱动信号而导通时，该高端晶体管被断开，该第二电源电压通过该耗尽型晶体管以对该升压电容充电，并使该偏压电压等于该耗尽型晶体管的临界关闭电压，其中当该高端晶体管依据该高端驱动信号而导通时，该低端晶体管被断开，且该偏压电压被上拉至等于该第一电源电压加上该临界关闭电压。
2.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该耗尽型晶体管为N型耗尽型晶体管或为N型接面场效应晶体管。
3.如权利要求2所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该耗尽型晶体管的基极耦接至该参考接地电压。
4.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该高端晶体管以及该低端晶体管皆为N型晶体管。
5.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该缓冲器包括：
高端缓冲器，耦接该耗尽型晶体管的第二端、该高端晶体管的控制端以及该高端晶体管的第二端，依据该偏压电压以调整该高端驱动信号的电压值；以及
低端缓冲器，耦接该低端晶体管的控制端，并提供该低端驱动信号。
6.如权利要求5所述的高压自举式栅极驱动装置，还包括：
核心电路，耦接该高端缓冲器以及该低端缓冲器，该核心电路分别提供一高端控制信号以及一低端控制信号至该高端缓冲器以及该低端缓冲器，
其中，该高端缓冲器以及该低端缓冲器分别依据该高端控制信号以及该低端控制信号来分别产生该高端驱动信号以及该低端驱动信号。
7.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中，该高端驱动信号以及该低端驱动信号皆为脉宽调制信号。
8.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该第一电源电压的电压值大于该第二电源电压的电压值。
9.如权利要求1所述的高压自举式栅极驱动装置，其中该耗尽型晶体管的反向崩溃电压大于该第一电源电压的电压值加上该耗尽型晶体管的临界关闭电压的电压值。