弹性波装置 |
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| 申请号 | CN201380025420.9 | 申请日 | 2013-05-13 | 公开(公告)号 | CN104303417B | 公开(公告)日 | 2017-09-15 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所; | 发明人 | 木村哲也; 门田道雄; | ||||
| 摘要 | 提供利用板波、并且IDT 电极 的膜厚的变化所引起的特性的变化非常小的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电 基板 (6)；和在该压电基板(6)的压电振动部贯通压电基板(6)而设的IDT电极(7)。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种弹性波装置，利用了板波，具备： |
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| 说明书全文 | 弹性波装置技术领域背景技术[0002] 以往提出各种利用了兰姆波等的板波的弹性波装置。即，通过在小的厚度的压电基板上设置IDT电极，能利用板波来得到各种弹性波特性。例如，在下述的专利文献1中，利用A1模能得到音速10000m/秒以上的高音速的弹性波特性。 [0003] 另外，在下述的专利文献2中，公开了利用板波的SH模的弹性波装置。在专利文献2中，通过利用SH模，能得到宽频带的特性。 [0004] 先行技术文献 [0005] 专利文献 [0006] 专利文献1：JP特许第4613960号 [0007] 专利文献2：JP特开2002-152007号公报 [0008] 发明的概要 [0009] 发明要解决的课题 [0010] 但是，在现有的利用板波的弹性波装置中，有由于压电基板厚度或电极膜厚的变化而特性发生较大变化的问题。更具体地，在压电基板厚度或电极膜厚发生变化时，机电耦合系数即频带宽度、音速以及阻带往往会发生较大变化。即，难以稳定地制作所期望的特性的弹性波装置。 [0011] 另外，为了得到宽频带，需要使IDT电极中的占空比和电极膜厚较小。这种情况下，在GHz带等的高频下，电极的电阻损耗的影响变大。因此，还有在构成谐振器的情况下，谐振电阻变大，在构成滤波器的情况下，损耗变大这样的问题。 发明内容[0012] 本发明的目的在于提供不易产生压电基板厚度或电极膜厚所引起的特性的变化的弹性波装置。 [0013] 用于解决课题的手段 [0014] 本发明所涉及的弹性波装置具备：具有传播的弹性波的波长以下的厚度的压电基板；和IDT电极。贯通压电基板地设置上述IDT电极。 [0015] 在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的方面下，压电基板由LiNbO3构成。在这种情况下，能使相对带宽较大。 [0016] 在本发明所涉及的弹性波装置的其它特定的方面下，LiNbO3的欧拉角的θ处于100°～140°的范围。在这种情况下，能进一步增大作为板波的SH波的相对带宽。 [0017] 在本发明所涉及的弹性波装置的其它特定的方面下，IDT电极的占空比为0.5以下。在这种情况下，能进一步增大作为板波的SH波的相对带宽。 [0018] 在本发明所涉及的弹性波装置的再另外的特定的方面下，IDT电极以从由Al、Cu、W、Au、Pt、Ta、Mo以及Ni构成的群中选择的1种金属为主体。由于这些金属电阻较低，因此能减少弹性波装置的谐振电阻或损耗。 [0019] 发明的效果 [0021] 图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主视截面图。 [0022] 图2是表示由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极的膜厚、和相对带宽和占空比的关系的图。 [0023] 图3是表示由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极的膜厚、音速和占空比的关系的图。 [0024] 图4是表示由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极的膜厚、阻带(stop band)和占空比的关系的图。 [0025] 图5是表示IDT电极的占空比为0.3的情况下的由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极膜的厚度和相对带宽的关系的图。 [0026] 图6是表示IDT电极的占空比为0.3的情况下的由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极膜的厚度和音速的关系的图。 [0027] 图7是表示IDT电极的占空比为0.3的情况下的由欧拉角的θ为120°的LiNbO3构成的压电基板以及电极膜的厚度和阻带的关系的图。 [0028] 图8是表示比较例的弹性波装置中的压电基板的厚度和占空比、和相对带宽的关系的图。 [0029] 图9是表示比较例的弹性波装置中的压电基板的厚度和占空比、和音速的关系的图。 [0030] 图10是表示比较例的弹性波装置中的压电基板的厚度和占空比、和阻带的关系的图。 [0031] 图11是表示第1实施方式中的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0032] 图12是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Cu构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0033] 图13是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Cu构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0034] 图14是表示IDT电极由Cu构成的情况下的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0035] 图15是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由W构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0036] 图16是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由W构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0037] 图17是表示IDT电极由W构成的情况下的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0038] 图18是表示在本发明的一个实施方式中IDT电极由Ta构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0039] 图19是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Ta构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0040] 图20是IDT电极由Ta构成的情况下的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0041] 图21是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Mo构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0042] 图22是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Mo构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0043] 图23是表示IDT电极由Mo构成的情况下的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0044] 图24是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Ni构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0045] 图25是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Ni构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0046] 图26是表示IDT电极由Ni构成的情况下的LiNbO3的欧拉角的θ、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0047] 图27是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Au构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0048] 图28是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Au构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0049] 图29是表示在本发明的一个实施方式中，IDT电极由Pt构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和相对带宽的关系的图。 [0050] 图30是表示在本发明的一个实施方式中IDT电极由Pt构成的情况下的电极膜厚以及压电基板厚度、占空比、和音速的关系的图。 [0051] 图31(a)～图31(c)是用于说明本发明的一个实施方式的弹性波装置的制造方法的各概略主视截面图。 [0052] 图32(a)～图32(c)是用于说明本发明的一个实施方式的弹性波装置的制造方法的各概略主视截面图。 [0053] 图33(a)～图33(c)是用于说明本发明的一个实施方式的弹性波装置的制造方法的各概略主视截面图。 [0054] 图34是表示IDT电极向压电基板的上表面突出的结构和突出量的示意截面图。 [0055] 图35是表示IDT电极的突出量、相对带宽、和占空比的关系的图。 [0056] 图36是表示IDT电极的厚度h/λ薄于压电基板的厚度d/λ的结构的示意截面图。 [0057] 图37是表示在图36的结构中d/λ为10％的情况下的占空比、IDT电极的厚度h/λ(％)、和相对带宽(％)的关系的图。 具体实施方式[0058] 以下，通过参考附图说明本发明的具体的实施方式来使本发明明朗。 [0059] 图1是本发明的一个实施方式所涉及的弹性波装置的截面图。 [0060] 弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2具有：基底基板3、设置在基底基板3上的粘合剂层4、和层叠在粘合剂层4上的支承层5。在支承层5的上表面具有凹部5a。面对该凹部5a地在支承基板2上层叠压电基板6。压电基板6具有从上表面贯通到下表面的多个贯通口 6a。贯通口6a内填充金属材料来形成IDT电极7。即，IDT电极7的厚度与压电基板6的厚度相等。 [0061] 关于构成压电基板6的材料，能使用能激发板波的适宜的压电材料。作为这样的压电材料，能使用LiNbO3、LiTaO3、水晶等。在本实施方式中，压电基板6由LiNbO3构成。另外，在本发明中，压电基板6也可以是压电薄板或通过成膜而得到的压电薄膜。 [0062] IDT电极76由适宜的金属材料构成。最优选使用从由Al、Cu、W、Au、Pt、Ta、Mo以及Ni构成的群中选择的1种金属。或者，也可以是这些金属的层叠体。这些金属电阻较小。因此，能谋求弹性波装置1的低损耗化。 [0063] 在弹性波装置1中，由于上述IDT电极7贯通压电基板6而设，因此通过激发IDT电极7，能激发板波。如后述那样，在本实施方式的弹性波装置1中，由于IDT电极7贯通压电基板6而设，因此不易因电极膜厚的变动而引起相对带宽(fractional bandwidth)、音速以及阻带等的特性发生变动。另外，在本实施方式中，IDT电极7的膜厚h与压电基板6的膜厚d大致相等。 [0064] 上述压电基板6的形成IDT电极7的部分构成压电振动部。该压电振动部相对于支承基板2在声学上分离。更具体地，由于形成前述的凹部5a，因此压电振动部从支承基板2浮起。 [0065] 用以下的要领作成本实施方式的弹性波装置1，使上述IDT电极7的膜厚h、压电基板6的膜厚d进行各种变化来评价弹性波装置1的特性。 [0066] 另外，以下，所谓IDT电极7的膜厚h是指以波长λ标准化的标准化膜厚h/λ。同样地，关于压电基板6的膜厚d，也设为以波长λ标准化而成的标准化膜厚d/λ。另外，在图2以后，以百分率表示d/λ以及h/λ。 [0067] 在以下的实验例中所准备的弹性波装置1中，构成单端口型的利用板波的弹性波谐振器。所谓相对带宽是指以谐振频率将单端口型弹性波谐振器中的谐振频率与反谐振频率间的频段标准化的值。如周知那样，相对带宽与机电耦合系数相关，相对带宽较大意味着机电耦合系数较大。 [0068] 另外，以下的所谓音速，是指相当于单端口型弹性波谐振器的谐振频率的相位速度(m/秒)。 [0069] 另外，所谓阻带，是指单端口型弹性波谐振器的电极指所形成的阻带。如周知那样，阻带与每1根电极指1的反射系数相关，阻带越大意味着反射系数越大。 [0070] 作为弹性波装置1，使用欧拉角为(0°，120°，0°)的LiNbO3。作为构成IDT电极7的材料而使用Al。将IDT电极7的电极指的对数设为50对。 [0071] 在上述弹性波装置1中，使压电基板6的厚度d/λ＝IDT电极7的膜厚h/λ进行各种变化，且使IDT电极7的占空比(duty)变化，制作多种弹性波装置1。图2～图4是表示上述那样准备的多个弹性波装置中的压电基板6的膜厚d/λ以及IDT电极7的膜厚h/λ、占空比、和相对带宽、音速、以及阻带的关系的各图。 [0072] 如从图2～图4所明确的那样，可知在使用由Al构成的IDT电极7的情况下，不管占空比如何，即使使压电基板6的膜厚d/λ以及IDT电极7的膜厚h/λ在50％以下的范围内变化，相对带宽、音速以及阻带也几乎不变化。 [0073] 另外，在图2～图4中，看起来即使压电基板6的膜厚d/λ以及IDT电极7的膜厚h/λ发生变化，相对带宽、音速以及阻带也不变化。但是，实际还是稍微发生变化。图5～图7是放大纵轴的比例尺来表示图2～图4中的占空比＝0.3的情况下的特性的各图。如从图5～图7明确的那样可知，若压电基板6的膜厚d/λ以及IDT电极7的膜厚h/λ高到50％，则相对带宽略微有减少的倾向。反之可知，关于音速，随着膜厚d/λ＝h/λ变大而略微变高。进而，关于阻带也可知，若d/λ＝h/λ增加则变宽，特别在d/λ＝h/λ超过30％时变宽。可知在d/λ＝h/λ为30％以下时，即使d/λ＝h/λ发生变化，阻带的宽度也几乎不变化。 [0074] 总之，图5～图7是放大表示图2～图4的占空比为0.3的情况的图。在现实中，如图2～图4所示那样，即使d/λ＝h/λ发生变化，相对带宽、音速以及阻带也几乎不变化。 [0075] 因而可知，在制造时，即使d/λ＝h/λ有若干偏差，也能制造稳定的特性的弹性波装置1。换言之，能扩展制造时的容许误差。 [0076] 图8～图10是表示为了比较而准备的现有的弹性波装置的压电基板的膜厚的变化所引起的相对带宽、音速以及阻带的变化的图。在此，在压电基板上形成由Al构成的厚度0.06λ(6％)的IDT电极。其它构成与上述实施方式相同。 [0077] 如从图8～图10所明确那样，可知，在压电基板的膜厚d/λ发生变化时，相对带宽、音速以及阻带在占空比为0.1～0.9的任意情况下都较大地发生变动。 [0078] 接下来，研究使上述实施方式的弹性波装置1中的LiNbO3的欧拉角 中的θ变化的情况下的特性的变化。在图11示出结果。在此，使LiNbO3的欧拉角(0°，θ，0°)中的θ变化。将LiNbO3的厚度d/λ设为10％，将由Al构成的IDT电极7的厚度h/λ设为10％。进而，使IDT电极7的占空比也在0.1～0.9之间变化。 [0079] 如从图11所明确的那样，可知，在欧拉角的θ为120°附近，相对带宽最大。特别可知，若欧拉角的θ在90°～150°的范围内，则能进一步提高相对带宽。另外，若欧拉角的θ处于100°～140°的范围内、占空比为0.5以下，则特别能将相对带宽提高到0.2以上。 [0080] 因此，优选欧拉角的θ为(0°±5°，90°～150°，0°±5°)的范围。更优选欧拉角在该范围内且占空比为0.5以下。 [0081] 如上述那样在比较例的弹性波装置的情况下，因压电基板的厚度发生变化而特性发生较大变化。特别是，在压电基板的厚度变厚时，相对带宽变窄。因此，为了谋求宽频带化，不得不极力使压电基板的厚度较薄。但是，若使压电基板的厚度较薄，则在制造过程或使用过程中易于破损。因此难以实用化。 [0082] 另外，在比较例中，若使压电基板的厚度较薄，则音速也降低。因此，为了得到所期望的频率特性，不得不使IDT电极的电极指间距较窄。其结果，要求更高精度的IDT电极形成方法。因此，有可能会良品率降低，或成本高企。此外，还有可能在电力施加时或因静电等来自外部的附加而使IDT电极破损。 [0083] 与此相对，在上述实施方式中，即使压电基板6的厚度d/λ以及IDT电极7的厚度h/λ发生变化，特性也几乎不变化。因此，制造容易，能容易地实现高频化。 [0084] 另外，在比较例的弹性波装置中，不仅是上述压电基板的膜厚，IDT电极的膜厚的变化也会引起特性较大地变化。如过去所知那样，特别是存在电极膜厚越厚则板波的音速越低的倾向。另外，电极膜厚越大则电极指的电阻损耗越小。因此，虽然谐振特性变得良好，但由于音速降低，因此波长自身变小。因此，在比较例中，即使让电极的标准化膜厚h/λ较大，实际中电极膜厚或电极宽度也不会变大。因此难以提升特性。此外，若音速降低，则会如前述那样制造成本高企。另外，还有易受静电等外部的附加的影响这样的问题。 [0085] 在上述实施方式中，IDT电极7由Al构成。在本发明中，IDT电极7能如前述那样由各种金属材料构成。接下来示出：在电极材料由Al以外的金属构成的情况下，也与上述实施方式相同，压电基板6的膜厚d/λ以及IDT电极7的膜厚h/λ的变化所引起的特性的变化较少。 [0086] [IDT电极7由Cu构成的情况] [0087] 用Cu形成IDT电极7。此外的点都与上述实施方式相同。图12以及图13分别是表示与上述实施方式相同但用Cu形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0088] 如从图12以及图13所明确的那样，可知，在IDT电极为Cu的情况下，也是即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0089] 图14是表示使LiNbO3的欧拉角的θ变化、设为d/λ＝h/λ＝0.1λ(10％)的情况下的θ和相对带宽的关系的图。如从图14所明确那样，可知，在IDT电极7由Cu构成的情况下，也与图11的情况相同，通过将欧拉角的θ设为100°～140°的范围内，能有效果地提高相对带宽。另外还可知，若θ在该范围内且将占空比设为0.5以下，则能使相对带宽为0.2以上。 [0090] [IDT电极7由W构成的情况下] [0091] 用W形成IDT电极7。其它的点都与上述实施方式相同。图15以及图16分别是表示与上述实施方式相同但用W形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0092] 如从图15以及图16所明确的那样，可知，在IDT电极为W的情况下，也是即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0093] 图17是表示使LiNbO3的欧拉角的θ变化、设为d/λ＝h/λ＝0.1λ的情况下的θ和相对带宽的关系的图。如从图17所明确的那样，可知，在IDT电极7由W构成的情况下，也与图11的情况相同，通过将欧拉角的θ设为90°～150°的范围内，能有效果地提高相对带宽。另外还可知，若θ为该范围内且将占空比设为0.5以下，则能使相对带宽为0.2以上。 [0094] [IDT电极7由Ta构成的情况] [0095] 用Ta形成IDT电极7。其它点都与上述实施方式相同。图18以及图19分别是表示与上述实施方式相同但用Ta形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0096] 如从图18以及图19所明确那样，可知，在IDT电极为Ta的情况下，即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0097] 图20是表示使LiNbO3的欧拉角的θ变化、设为d/λ＝h/λ＝10％(0.1λ)的情况下的θ和相对带宽的关系的图。如从图20所明确的那样，可知，在IDT电极7由Ta构成的情况下，也与图11的情况相同，通过将欧拉角的θ设为100°～140°的范围内，能有效果地提高相对带宽。另外还可知，若θ为该范围内且将占空比设为0.5以下，则能使相对带宽为0.2以上。 [0098] [IDT电极7由Mo构成的情况] [0099] 用Mo形成IDT电极7。其它点都与上述实施方式相同。图21以及图22分别是表示与上述实施方式相同但用Mo形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0100] 如从图21以及图22所明确那样，可知，在IDT电极为Mo的情况下，也是即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0101] 图23是使LiNbO3的欧拉角的θ变化、设为d/λ＝h/λ＝10％(0.1λ)的情况下的θ和相对带宽的关系的图。如从图23所明确的那样，可知，在IDT电极7由Mo构成的情况下，也与图11的情况相同，通过将欧拉角的θ设为100°～140°的范围内，能有效果地提高相对带宽。另外还可知，若θ为该范围内且将占空比设为0.5以下，则能使相对带宽为0.2以上。 [0102] [IDT电极7由Ni构成的情况] [0103] 用Ni形成IDT电极7。其它点都与上述实施方式相同。图24以及图25分别被是与上述实施方式相同但用Ni形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0104] 如从图24以及图25所明确的那样，可知，在IDT电极为Ni的情况下，也是即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0105] 图26是表示使LiNbO3的欧拉角的θ变化、设为d/λ＝h/λ＝10％(0.1λ)的情况下的θ和相对带宽的关系的图。如从图26所明确的那样，可知，在IDT电极7由Ni构成的情况下，也与图11的情况相同，通过将欧拉角的θ设为100°～140°的范围内，能有效果地提高相对带宽。另外，若θ为该范围内且将占空比设为0.5以下，则能使相对带宽为0.2以上。 [0106] [IDT电极7由Au构成的情况下] [0107] 用Au形成IDT电极7。其它点都与上述实施方式相同。图27以及图28分别是表示与上述实施方式相同但用Au形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0108] 如从图27以及图28所明确的那样，可知，在IDT电极为Au的情况下，即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0109] [IDT电极7由Pt构成的情况下] [0110] 用Pt形成IDT电极7。其他点都与上述实施方式相同。图29以及图30分别是表示与上述实施方式相同但用Pt形成IDT电极7的情况下的压电基板6的膜厚d/λ＝电极膜厚h/λ、占空比、和相对带宽以及音速的关系的图。 [0111] 如从图29以及图30所明确的那样，可知，在IDT电极为Pt的情况下，即使压电基板6的膜厚d/λ以及电极膜厚h/λ发生变化，相对带宽以及音速也几乎不变化。 [0112] 另外，在上述实施方式中，研究了d/λ＝h/λ、即压电基板的膜厚与电极膜厚相同的情况，但本发明并不限于此。图34表示IDT电极7比压电基板6更向上方突出的结构。图35表示占空比为0.1～0.5的情况下的图34的突出量ΔT(％)、和相对带宽(％)的关系。如从图35所明确的那样，可知，在突出量ΔT小的情况下，与d/λ＝h/λ的情况相同，相对带宽不太变化。 [0113] 另外，图36表示IDT电极7的厚度h/λ小于压电基板6的厚度d/λ的结构。图37是表示在图36的结构中，在占空比为0.1～0.5且d/λ为10％的情况下，h/λ发生变化的情况下的相对带宽的变化的图。如从图37所明确的那样，可知，即使IDT电极7的厚度h/λ若干薄于压电基板6的厚度d/λ，相对带宽的宽度也不太变化。如从图35以及图37所明确的那样，压电基板6的膜厚和IDT电极7的膜厚并不一定非要相同。 [0114] (制造方法) [0115] 弹性波装置1的制造方法并没有特别的限定，但为了形成具有上述凹部5a的结构，能适当地使用图31～图33所示的制造方法。 [0116] 首先，如图31(a)所示那样，在LiNbO3基板6A的下表面形成牺牲层11。牺牲层11能用ZnO等可以由蚀刻除去的适宜的材料形成。 [0118] 接下来，如图31(c)所示那样，在支承层5的下表面隔着粘合剂层4来接合基底基板3。另外，也可以不使用粘合剂层4而在支承层5直接接合基底基板3。基底基板3能通过Si等的适宜的绝缘性材料形成。 [0119] 接下来，如图32(a)所示那样，研磨LiNbO3基板6A，作为压电基板6。然后，如图32(b)所示那样，在压电基板6上形成抗蚀剂后进行图案形成。如此地形成抗蚀图案12。抗蚀图案12中，相当于形成IDT电极的部分的部分被作为为开口部12a。 [0120] 接下来，如图32(c)所示那样，通过蚀刻来对压电基板6进行图案形成。如此地形成贯通口6a。 [0121] 然后，如图33(a)所示那样除去残留的抗蚀图案12。接下来，如图33(b)所示那样通过溅射等将金属成膜。如此形成金属膜7A。然后，通过CMP等的研磨方法进行研磨，将压电基板6的上表面、和IDT电极7的上表面加工为成为同一面。如此得到图33(c)所示的结构。然后，通过蚀刻来除去上述牺牲层11。如上述那样，能得到图1所示的弹性波装置1。 [0122] 另外，弹性波装置1的制造方法并不限定于上述制造方法。另外，关于使压电基板从支承基板在声学上分离的结构，并不限定于上述结构。 [0123] 另外，在上述实施方式中，对单端口型弹性波谐振器进行了说明，但本发明并不限于单端口型弹性波谐振器，能运用在利用板波的各种弹性波谐振器或弹性波滤波器中。 [0124] 标号的说明 [0125] 1 弹性波装置 [0126] 2 支承基板 [0127] 3 基底基板 [0128] 4 粘合剂层 [0129] 5 支承层 [0130] 5a 凹部 [0131] 6 压电基板 [0132] 6A LiNbO3基板 [0133] 6a 贯通口 [0134] 7 IDT电极 [0135] 7A 金属膜 [0136] 11 牺牲层 [0137] 12 抗蚀图案 [0138] 12a 开口部 |
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