1.一种电连接结构，包含：
铜构件，所述铜构件包含铜或铜合金；
金属构件，所述金属构件连接至所述铜构件并且包含具有比铜更大的离子化倾向的金属；和
耐水层，所述耐水层至少形成在所述铜构件的与连接至所述金属构件的连接部不同的部分中，
其中所述耐水层为包含表面处理剂的表面处理层，所述表面处理剂在分子结构中具有疏水部和螯合基团，并且
其中所述表面处理剂包含以下通式(1)的苯并三唑衍生物，所述苯并三唑衍生物在分子结构中具有源自芳族杂环碱的螯合基团：
其中X表示疏水基团；且Y表示氢原子或低级烷基。
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述疏水部包含烷基。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述由X表示的疏水基团由以下通式(2)表示：
其中R1和R2各自独立地表示氢原子或具有1个～15个碳原子的烷基、乙烯基、烯丙基或芳基。
4.根据权利要求3所述的电连接结构，其中所述R1和所述R2各自独立地表示具有5个～
11个碳原子的直链烷基、支链烷基或环烷基。
5.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述Y为氢原子或甲基。
6.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述金属构件包含铝或铝合金。
7.根据权利要求1所述的电连接结构，其中：
所述铜构件为第一电线的第一芯线；且
所述金属构件为与所述第一电线不同的第二电线的第二芯线。
8.根据权利要求1所述的电连接结构，其中：
所述金属构件为电线的芯线；
所述铜构件为包含压接至所述芯线的线筒部的端子；并且
所述表面处理层至少形成在所述线筒部的端面上。
9.一种端子，其包含根据权利要求1所述的电连接结构，其中：
所述端子由其中将所述铜构件和所述金属构件冷焊接的金属板材形成，并且具有包含所述铜构件的铜区域和包含所述金属构件的金属区域，所述铜区域和所述金属区域并排排列；并且
所述表面处理层形成在所述铜区域中。
10.根据权利要求9所述的端子，其中：
所述铜区域具有利用电镀金属电镀的电镀区域，所述电镀金属具有的离子化倾向与所述金属构件相比更接近于所述铜构件的离子化倾向；并且
所述表面处理层至少形成在所述铜构件的没有形成所述电镀区域的区域中。
11.根据权利要求9所述的端子，其中：
所述金属构件包含铝或铝合金，并且
所述金属区域包含在其表面上的防蚀铝层。
12.一种电连接结构，包含：
铜构件，所述铜构件包含铜或铜合金；
金属构件，所述金属构件连接至所述铜构件并且包含具有比铜更大的离子化倾向的金属；和
耐水层，所述耐水层至少形成在所述铜构件的与连接至所述金属构件的连接部不同的部分中，
其中所述耐水层包含碱性化合物和酸性化合物，所述碱性化合物具有碱性基团和对所述铜构件具有亲和性的亲和性基团，所述酸性化合物具有疏水基团和要与所述碱性基团反应的酸性基团，并且
其中所述亲和性基团为含氮杂环基团。
13.根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述耐水层覆盖所述铜构件的与所述连接部不同的部分。
14.根据权利要求12所述的电连接结构，其中：
所述铜构件具有利用电镀金属电镀的镀层，所述电镀金属具有的离子化倾向与所述金属构件相比更接近于所述铜构件的离子化倾向；并且
所述耐水层至少形成在所述铜构件的没有形成所述镀层的区域中。
15.根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述含氮杂环基团用作碱性基团。
16.根据权利要求15所述的电连接结构，其中所述碱性化合物为由以下通式(3)表示的化合物：
其中X表示氢原子或有机基团；且Y表示氢原子或低级烷基。
17.根据权利要求16所述的电连接结构，其中所述X为由以下通式(4)表示的氨基：
-R-NH2       (4)
其中R表示具有1个～3个碳原子的烷基。
18.根据权利要求16所述的电连接结构，其中所述碱性化合物为由式(5)表示的苯并三唑：
19.根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述酸性基团包含选自羧基、磷酸基、膦酸基和磺酰基中的一种基团或两种以上基团。
20.根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述疏水基团为具有至少3个碳原子的烷基。
21.根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述金属构件包含铝或铝合金。
22.一种端子，其包含根据权利要求12所述的电连接结构，其中所述端子由所述铜构件制成并且被连接至电线的芯线，所述芯线由所述金属构件制成。