전도성 미립자, 미립자 도금 방법 및 기판 구성체 |
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| 申请号 | KR1020037001621 | 申请日 | 2001-04-27 | 公开(公告)号 | KR1020040030393A | 公开(公告)日 | 2004-04-09 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 申请人 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤; | 发明人 | 구로다히로시; 오끼나가노부유끼; | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 摘要 | 본 발명은 기판 등의 회로에 적용되는 힘을 감퇴시킬 수 있는 전도성 미립자를 제공한다. 전도성 미립자에 있어서, 표면이 하나 이상의 금속층으로 덮힌 수지로 만들어진 코어 미립자를 포함하고, 수지의 선 팽창 계수가 3 ×10 -5 내지 7 ×10 -5 (1/K) 인 전도성 미립자가 제공된다. |
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| 权利要求 | 표면이 하나 이상의 금속층으로 덮힌 수지로 만들어지는 코어 미립자를 포함하고, 수지의 선 팽창 계수가 3 ×10 -5 내지 7 ×10 -5 (1/K) 인 전도성 미립자. 표면이 하나 이상의 금속층으로 덮힌 수지로 만들어지는 코어 미립자를 포함하고, 수지의 열 분해 온도가 300 ℃ 이상이고, 금속층을 구성하는 하나 이상의 금속(들)이, 융점이 150 내지 300 ℃ 인 금속 및/또는 합금인 전도성 미립자. 표면이 하나 이상의 금속층으로 덮힌 수지로 만들어진 코어 미립자를 포함하고, 모든 금속층의 열 팽창 계수가 각각 1 ×10 -5 내지 3 ×10 -5 (1/K) 이고, 각각의 금속층의 열 팽창 계수 대 코어 미립자의 열 팽창 계수의 비, 즉 코어 미립자의 열 팽창 계수/금속층의 열 팽창 계수가 각각 0.1 내지 10 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 금속층이 금, 은, 구리, 백금, 아연, 철, 납, 주석, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 안티몬, 비스무트, 게르마늄, 카드뮴 및 규소로 구성되는 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속을 포함하는 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 외경이 200 내지 1000 ㎛ 이고, 금속층의 두께가 코어 미립자의 반경의 0.5 내지 30% 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 외경이 200 내지 1000 ㎛ 이고, 금속층의 두께가 코어 미립자의 반경에 대하여 하기 수학식 1 로 나타내는 관계를 갖는 전도성 미립자; [수학식 1] Y = (-25/100,000ㆍX + c) ×100 [식 중, Y 는 금속층의 두께 대 코어 미립자의 반경의 비 (%) 를 나타내고, X 는 전도성 미립자의 외경 (㎛) 을 나타내고, c 는 0.10 내지 0.35 의 상수를 나타내고, 단, Y > 0 이다]. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 외경이 50 내지 200 ㎛ 이고, 금속층의 두께가 코어 미립자의 반경의 1 내지 100% 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 외경이 50 내지 200 ㎛ 이고, 금속층의 두께가 코어 미립자의 반경의 4 내지 40% 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 거품을 포함하는 미립자를 포함하는 입자의 수가 입자의 전체 수의 1% 이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 외경이 50 내지 1000 ㎛ 이고, 직경이, 코어 미립자의 반경의 1% 이상인 거품을 포함하는 입자의 수가 입자의 전체 수의 1% 이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자에 포함된, 비점이 300 ℃ 이하인 물질의 합이 입자의 전체 중량의 1 중량% 이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자에 포함된 수분의 합이 입자의 전체 중량의 1 중량% 이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 구형도가 1.5% 이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 전도성 미립자의 저항이 100 mΩ이하인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, -60 내지 200 ℃ 의 온도 범위에서 코어 미립자의 E' 의 최대값 대 최소값의 비가 1 내지 2 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 K 값이 1000 내지 10000 MPa 인 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 외경이 700 내지 800 ㎛ 이고, 금속층이 2 내지 4 개의 층을 포함하고, 이의 최외측 층이 땜납 합금 및/또는 주석을 포함하는 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 외경이 700 내지 800 ㎛ 이고, 금속층이, 최내측 층이 0.1 내지 0.5 ㎛ 두께의 니켈층이고, 제 2 최내측 층이 2 내지 12 ㎛ 두께의 구리층이고, 제 3 최내측 층이 82 내지 98% 의 납 및 2 내지 18% 의 주석을 포함하는, 2 내지 30 ㎛ 두께의 땜납 합금층이고, 최외측 층이 25 내지 50% 의 납 및 50 내지 75% 의 주석을 포함하는, 2 내지 30 ㎛ 두께의 땜납 합금층인 4 개의 층을 포함하는 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 외경이 250내지 400 ㎛ 이고, 금속층이 2 내지 4 개의 층을 포함하고, 이의 최외측 층이 땜납 합금 및/또는 주석을 포함하는 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 코어 미립자의 외경이 50 내지 150 ㎛ 이고, 금속층이 2 내지 4 개의 층을 포함하고, 이의 최외측 층이 땜납 합금 및/또는 주석을 포함하는 전도성 미립자. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결된 2 개 이상의 기판을 포함하고, 코어 미립자의 직경의 CV 값이 1.5% 이하인 기판 구성체. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결된 2 개 이상의 기판을 포함하고, 코어 미립자의 입경이 중심값으로부터 ±5% 이내인 기판 구성체. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결된 2 개 이상의 기판을 포함하고, 기판들 사이의 거리가 코어 미립자의 입경의 95 내지 120% 인 기판 구성체. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결된2 개 이상의 기판을 포함하고, 2 개 이상의 기판을 구성하는 물질 및/또는 조성이 상이한 기판 구성체. 제 24 항에 있어서, 기판들의 선 팽창 계수 사이의 차이가 10 ppm 이상인 기판 구성체. 코어 미립자의 표면을 2 종 이상의 금속 합금층으로 덮는 것을 포함하고, 금속 합금층이 전기도금에서 1 종 이상의 금속을 석출시킴으로써 수득될 수 있는 층이고, 다른 1 종 이상의 금속을 도금 배쓰에 분산된 금속의 혼입에 의해 형성할 수 있는 미립자 도금 방법. 제 26 항에 있어서, 금속 합금층의 전기도금에 의해 석출된 하나 이상의 금속이 주석이고, 도금 배쓰에 분산시킴으로써 혼입된 하나 이상의 금속이 은인 미립자 도금 방법. 제 27 항에 있어서, 염기성 조성물로서 하나 이상의 2가 주석 화합물, 1가 은 화합물 및 공융 안정화 보조제를 포함하는 합금 전기도금 배쓰에서 도금에 의해 금속 합금층이 수득될 수 있는 미립자 도금 방법. 제 28 항에 있어서, 주변에 캐쏘드가 있고, 주 몸체 내에 도금 용액 및 도금미립자를 보유하고, 회전하면서 에너자이징 및 교반을 반복하는 회전 도금 장치를 사용함으로써 도금을 수행하는 미립자 도금 방법. 제 26 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 따른 미립자 도금 방법에 따라 도금시킴으로써 수득될 수 있는 전도성 미립자. 제 30 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결이 형성될 수 있는 전도성 연결 구성체. 표면이 하나 이상의 금속층으로 덮힌 코어 미립자를 포함하고, 금속층의 하나 이상의 층이 2 개 이상의 금속층을 열적 확산시킴으로써 수득될 수 있는 합금층인 전도성 미립자. 제 32 항에 있어서, 합금층이 주석, 은, 구리, 아연, 비스무트, 인듐, 알루미늄, 코발트, 니켈, 크롬, 티탄, 안티몬, 게르마늄, 카드뮴 및 규소로 구성되는 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 2 종 이상의 금속층을 열적 확산시킴으로써 수득될 수 있는 전도성 미립자. 제 33 항에 있어서, 코어 미립자가 수지로 만들어진 전도성 미립자. 제 34 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결이 형성될 수 있는 전도성 연결 구성체. 주변에 캐쏘드 및 도금 용액이 통과하여 방출되는 필터가 장착된 회전가능한 돔 및 돔 내에서 캐쏘드와 접촉하지 않는 위치로 돔 내에 배치된 애노드를 포함하고, 돔의 회전에 의해 야기되는 원심력에 의해 캐쏘드와 미립자를 접촉시키면서 에너자이징 및 교반을 반복하는 회전 도금 장치를 사용하는 것을 포함하고, 도금되는 코어 미립자의 경도와 동일한 경도를 갖고, 도금되는 코어 미립자의 입경의 1.5 내지 30 배만큼 큰 입경을 갖는 모조 입자 및 미립자를 동시에 첨가하는 것을 포함하는 미립자 도금 방법. 제 36 항에 있어서, 도금되는 코어 미립자가 수지로 만들어지고 입경이 1 내지 500 ㎛ 인 미립자 도금 방법. 제 37 항에 있어서, 모조 입자가 수지로 만들어진 미립자 도금 방법. 제 36 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 따른 미립자 도금 방법에 따라 도금시킴으로써 수득될 수 있는 전도성 미립자. 제 39 항에 따른 전도성 미립자에 의해 연결이 형성될 수 있는 전도성 연결구성체. |
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| 说明书全文 |
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| 주기의 수 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 700 | 800 | 900 | 1000 |
| 실시예 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 4 |
| 실시예 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 5 |
| 실시예 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 4 | 4 |
| 실시예 4 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 4 | 4 | 6 | 6 | 8 |
| 실시예 5 | 0 | 0 | 0 | 2 | 3 | 5 | 6 | 8 | 8 | 10 |
| 실시예 6 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 3 | 3 | 5 | 7 | 10 |
| 실시예 7 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 |
| 비교예 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 2 | 4 | 5 | 8 | 10 |
| 비교예 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | 3 | 3 | 5 | 6 |
| 비교예 3 | 0 | 0 | 1 | 1 | 2 | 3 | 3 | 3 | 5 | 8 |
| 비교예 4 | 0 | 1 | 1 | 3 | 3 | 6 | 6 | 8 | 8 | 10 |
| 비교예 5 | 0 | 1 | 2 | 4 | 5 | 8 | 8 | 9 | 9 | 10 |
| 비교예 6 | 0 | 1 | 3 | 5 | 5 | 5 | 7 | 7 | 10 | 10 |
| 비교예 7 | 0 | 0 | 1 | 1 | 2 | 2 | 3 | 4 | 6 | 8 |
| 비교예 8 | 0 | 9 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 비교예 9 | 0 | 7 | 9 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 비교예 10 | 0 | 5 | 9 | 9 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
상기 나타낸 바와 같이, 비교예에서, 상대적으로 작은 주기 수에서 전도성을 잃은 샘플이 실시예에서보다 많았다. 특히, 비교예 2 에서, 모든 기판은 200 주기에서 이들의 전도성을 잃었다. 도금 입자에서 구의 큰 팽창이 구리층 및 납땜층의 파손을 야기시킨다고 보였다. 또한, 비교예 1 에서, 약 300 주기에서 모두 파손되었다.
(실시예 8)
분리가능한 플라스크에서, 중합 개시제로서 1.3 중량부의 벤조일 퍼옥시드를 20 중량부의 디비닐벤젠과 균질하게 혼합하였다. 여기에 20 중량부의 3% 폴리비닐 알콜 수용액 및 0.5 중량부의 나트륨 도데실술페이트를 충전시킨 후, 충분히 교반하고, 140 중량부의 이온 교환수를 첨가하였다. 이 용액을 교반하면서, 질소 유동 하에 80 ℃ 에서 15 시간 동안 반응을 수행하였다. 생성된 미립자를 온수 및 아세톤으로 세정한 후, 체로 입자를 분류시킴으로써 중심 입경이 710 ㎛ 인 입자를 수득하였다. 이 위에 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다.
이어서, 도금 용액으로서 하기를 제조하였다. 25 L 의 물에, 537 g 의 주석 술페이트 (SnSO 4 ), 1652 g 의 칼륨 피로포스페이트 (K 4 P 2 O 7 ) 및 25 g 의 폴리에틸렌 글리콜 (분자량: 6000) 을 균질하게 용해시켰다. 이 용액에 42.5 g 의 은 니트레이트 (AgNO 3 ) 를 첨가하고 용액을 2 시간 동안 교반하였다.
상기 언급된 도금 용액을 회전 도금 장치의 배쓰에 놓고, 40 g 의 710 ㎛ 니켈-도금 입자를 도금하였다. 도금 동안의 조건은 50 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 10 초마다 역전시켰다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 6 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 거의 주석/은 공융 조성인 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 9)
디비닐벤젠 및 4-관능성 아크릴계 단량체를 사용하여, 실시예 8 과 동일한 방식으로 중합을 수행하고, 710 ㎛ 입자를 코어 미립자로서 수득하였다. 이어서, 도금 처리를 실시예 8 과 동일한 방식으로 수행하였다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 6 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 10)
코어 미립자로서, 수지 입자 대신에 입경이 500 ㎛ 인 구리 볼을 사용하여, 실시예 8 과 동일한 방식으로, 회전 도금 장치로 주석-은 도금 처리를 수행하였다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고,Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.2:3.8 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag/Cu 의 합금 융점인 218 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 11)
실시예 8 과 동일한 방식으로 코어 미립자를 중합하였다. 이어서, 체를 사용하여 입자 분류를 수행하여, 310 ㎛ 입자를 수득하였다. 실시예 8 과 동일한 방식으로, 이러한 입자에 도금 처리를 적용하였다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.3:3.7 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 12)
실시예 8 과 동일한 방식으로 코어 미립자를 중합하였다. 이어서, 체를 사용하여 입자 분류를 수행하여, 105 ㎛ 입자를 수득하였다. 실시예 8 과 동일한 방식으로, 이러한 입자에 도금 처리를 적용하였다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.3:3.7 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 13)
실시예 8 과 동일한 방식으로 코어 미립자를 중합하여, 710 ㎛ 입자를 수득하였다. 입자를 니켈 및 구리로 전도층으로서 무전해 도금하였다. 이어서, 실시예 8 과 동일한 방식으로 주석-은 도금 처리를 수행하였다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.2:3.8 이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag/Cu 의 합금 융점인 218 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 14)
실시예 8 과 동일한 방식으로 코어 미립자를 중합하여, 710 ㎛ 입자를 수득하였다. 입자를 니켈로 전도층으로서 무전해 도금하였다.
도금 용액으로서 하기를 제조하였다. 25 L 의 물에, 537 g 의 주석 술페이트 (SnSO 4 ), 1652 g 의 칼륨 피로포스페이트 (K 4 P 2 O 7 ), 25 g 의 폴리에틸렌 글리콜 (분자량: 6000) 및 500 g 의 트리에탄올아민을 균질하게 용해시켰다. 이 용액에 42.5 g 의 은 니트레이트 (AgNO 3 ) 를 첨가하고 용액을 2 시간 동안 교반하였다. 상기 언급된 도금 용액을 사용하여, 실시예 8 에서의 것과 동일한 조건 하에서 주석-은 도금 처리를 수행하였다.
000000 이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 은 백색이었고, 연소 침전물 및 반점은 발견되지 않았다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 90.2:9.8이었다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(비교예 8)
입경이 800 ㎛ 인 시판 땜납 볼 상에 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다.
이어서, 도금 용액으로서 하기를 제조하였다.
도금 배쓰에 포함된 20 L 의 물에, 0.2 몰/L 의 주석 메탄술포네이트 ((CH 3 SO 3 )2Sn), 0.008 몰/L 의 은 메탄술포네이트 (CH 3 SO 3 Ag), 2 몰/L 의 메탄술폰산 (CH 3 SO 3 H), 0.04 몰/L 의 L-시스테인, 0.002 몰/L 의 2,2'-디티오디아닐린 및 3 g/L 의 폴리옥시에틸렌-α나프톨올을 첨가하였다.
상기 언급된 도금 용액을 회전 도금 장치의 배쓰에 놓고, 40 g 의 710 ㎛ 니켈-도금 입자를 도금하였다. 도금 동안의 조건은 25 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 10 초마다 역전시켰다.
이와 같이 수득된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 외관은 흑색이었고, 입자 사이에 반점이 발견되었다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 6 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고,Ag 가 Sn 층에 분산되어 있다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 64.0:36.0 이었고, Ag 함량이 극도로 높은 조성이 수득되었다.
(비교예 9)
입경이 400 ㎛ 인 시판 땜납 볼 상에 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다.
실시예 8 에서 사용한 것과 동일한 도금 배쓰를 사용하여, 통상적인 통에서 주석-은 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 50 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 3 rpm 의 통 회전 회수로 설정하였다.
도금 도중 통을 회전시킬 때, 입자의 비등이 관찰되었다. 생성된 도금 입자를 현미경을 통해 관찰하였을 때, 외관은 백색이지만, 약 10% 의 입자가 도금되지 않은 노출된 입자라는 것이 관찰되었다.
입자의 단면을 관찰하였을 때, 최외측 층의 두께는 4 ㎛ 였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn 층이 Ni 베이스 층 상에 존재하고, Ag 가 Sn 층에 분산되어 있지만, 주변 구역에는 존재하지 않는다는 것을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 99.0:1.0 이었고, Ag 함량이 극도로 낮은 조성이 수득되었다.
(실시예 15)
스티렌 및 디비닐벤젠을 공중합시켜 수득된 코어 미립자 상에 전도성 베이스층으로서 니켈 도금층을 형성함으로써 평균 입경이 710.5 ㎛ 이고, 표준 편차가 32.5 ㎛ 인 입자를 수득하였다. 생성된 미립자를 실시예 1 과 동일한 방식으로 주석으로 도금하였다.
이와 같이 수득된 도금 수지 미립자를 현미경을 통해 관찰하여 응집이 발생하지 않고, 모든 입자가 단일 입자의 형태로 존재한다는 것을 확인하였다. 100 개의 입자를 확대경을 통해 관찰 및 측정하여 평균 입경이 720 ㎛ 이고, 표준 편차가 18.1 ㎛ 라는 것을 발견하였다.
생성된 입자를 은 도금 용액에 분산시키고, 50 ℃ 에서 30 분 동안 교반하면서 은으로 치환 도금하였다. 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Ag 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 원자 흡수 분석에 의해 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 16)
실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금을 수행한 후, 구리 도금 용액에서 1 시간 동안 전기 충전한 통으로 구리 도금하였다. 이어서, 통 도금에 의해 주석 도금을 수행하였다.
입자의 단면을 X-선 극초단파 분석으로 조성 분석하여 Ni, Cu 및 Sn 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Cu = 99.0:1.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Cu 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, 227 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 17)
실시예 16 에서 수득된 니켈-구리-주석 다중층 도금 입자를 추가로 은 치환 도금하였다. 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Cu, Sn 및 Ag 의 4 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag:Cu = 95.0:4.0:1.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Cu 층, Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, 217 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 18)
실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금 및 주석 도금을 수행하였다. 이어서, 통을 사용하여 비스무트로 도금을 수행하였다.
입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Bi 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Bi = 40:60 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 180 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Bi 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, 139 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 19)
디비닐벤젠 및 테트라메틸올메탄 테트라메타크릴레이트를 공중합시킴으로써 수득된 코어 미립자를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금, 주석 도금 및 은 도금을 수행하였다.
입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Ag 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 20)
디비닐벤젠 및 폴리테트라메틸렌 글리콜 디아크릴레이트를 공중합시킴으로써 수득된 코어 미립자를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금, 주석 도금 및 은 도금을 수행하였다.
입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Ag 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 21)
코어로서 입경이 500 ㎛ 인 구리 볼을 사용하여, 실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금, 주석 도금 및 은 도금을 수행하였다. 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Ag 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(실시예 22)
입경이 400 ㎛ 인 페놀 수지 코어 미립자를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 15 와 동일한 방식으로 니켈 도금, 주석 도금 및 은 도금을 수행하였다.
입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ni, Sn 및 Ag 의 3 개 층 구조를 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 96.0:4.0 이었다.
입자를 자동 온도 조절 오븐에 놓고, 질소를 충전시킨 후, 온도를 200 ℃ 로 상승시킨 후, 12 시간 동안 가열 처리하였다. 가열 처리된 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Ag 층 및 Sn 층이 확산되었다는 것을 확인하였다. 이 입자를 DSC 에 의해 열적 분석하였을 때, Sn/Ag 의 합금 융점인 221 ℃ 에서 융점을 발견하였다.
(비교예 10)
입경이 150 ㎛ 인 시판 땜납 볼을 무전해 니켈 도금하였다. 생성된 입자를 주석 및 은을 포함하는 배쓰에서 합금 도금하였다. 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn/Ag 합금층을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Ag = 75:25 이고, Ag 함량이 극도로 높은 조성물이 수득되었다.
(비교예 11)
실시예 15 에서 사용한 것과 동일한 코어 미립자를 무전해 니켈 도금하였다. 생성된 입자를 주석 및 구리를 포함하는 배쓰에서 합금 도금하였다. 입자의 단면을 X-선 극초단파 분석에 의해 조성 분석하여 Sn/Cu 합금층을 확인하였다. 이 도금 코팅물을 강산에 용해시키고, 조성비를 측정하였을 때, 비는 Sn:Cu = 80:20 이고, Cu 함량이 극도로 높은 조성물이 수득되었다.
(비교예 12)
실시예 15 에서 제조한 니켈, 주석 및 은 입자를 가열 처리 전에, DSC 에 의해 열적 분석할 때, 순수 주석의 융점인 232 ℃ 에서 융점을 관찰하였다.
(실시예 23)
분리가능한 플라스크에서, 중합 개시제로서 1.3 중량부의 벤조일 퍼옥시드를 20 중량부의 디비닐벤젠과 균질하게 혼합하였다. 여기에 20 중량부의 3% 폴리비닐 알콜 수용액 및 0.5 중량부의 나트륨 도데실술페이트를 충전시킨 후, 충분히 교반하고, 140 중량부의 이온 교환수를 첨가하였다. 이 용액을 교반하면서, 질소 유동 하에 80 ℃ 에서 15 시간 동안 반응을 수행하였다. 생성된 미립자를 온수 및 아세톤으로 세정한 후, 체로 입자를 분류시킴으로써 중심 입경이 300 ㎛ 인 코어 미립자를 수득하였다. 무전해 도금에 의해, 이 위에 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 800 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의 800 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 700 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 800 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 도금된 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 1% 이하였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것을 나타내었다.
(실시예 24)
디비닐벤젠 및 4 관능성 아크릴계 단량체를 사용하여, 실시예 23 과 동일한 방식으로 중합을 수행하고, 300 ㎛ 입자를 코어 미립자로서 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로, 디비닐벤젠 및 4 관능성 아크릴계 단량체로부터 제조된, 중심 입경이 800 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 수득하였다.
이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의 800 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 700 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 800 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 1% 이하였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것이 나타났다.
(실시예 25)
실시예 23 과 동일한 방식으로 300 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 2000 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 입자 및 30 ㎖ 의 2000 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 1500 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 2000 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 1% 이하였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것이 나타났다.
(실시예 26)
실시예 23 과 동일한 방식으로 300 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 500 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의 500 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 450 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 500 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 1% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것이 나타났다.
(실시예 27)
실시예 23 과 동일한 방식으로 500 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 800 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 500 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의 800 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 700 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 800 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 2 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 450 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 1% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것이 나타났다.
(실시예 28)
실시예 23 과 동일한 방식으로 100 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 500 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 100 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의 500 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 450 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 500 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 2 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 150 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 1% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 1% 라는 것이 나타났다.
(실시예 29)
실시예 28 과 동일한 방식으로 100 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 2000 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 100 ㎛ 니켈-도금 입자 및 30 ㎖ 의 2000 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 1500 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 2000 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 2 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된입자를 틈이 150 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 2% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 1% 라는 것이 나타났다.
(실시예 30)
실시예 23 과 동일한 방식으로 50 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해, 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 동일한 방식으로 중심 입경이 500 ㎛ 인 니켈-도금 모조 입자를 제조하였다.
이어서, 40 g 의 50 ㎛ 니켈-도금 입자 및 30 ㎖ 의 500 ㎛ 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고, 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 450 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 500 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 2 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 100 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 4% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 1% 라는 것이 나타났다.
(실시예 31)
실시예 23 에서 수득된 40 g 의 304 ㎛ 구리-도금 입자 및 실시예 23 에서 수득된 20 ㎖ 의 800 ㎛ 니켈-도금 모조 입자를 충전시키고, 공융 납땜 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 700 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 800 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 공융 납땜층의 두께가 6 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 2% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 2% 라는 것이 나타났다.
(비교예 13)
실시예 23 과 동일한 방식으로, 300 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 모조 입자만을 회전 도금 장치에 충전시키고 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 10% 였고, 약 2 ㎣ 의 큰 응집이 인식되었다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 1% 라는 것이 나타났다.
(비교예 14)
실시예 28 과 동일한 방식으로, 100 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 이어서, 40 g 의 100 ㎛ 니켈-도금 입자만을 회전 도금 장치에 충전시키고 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 2 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 20% 였고, 약 5 ㎣ 의 큰 응집이 인식되었다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 나는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 1% 라는 것이 나타났다.
(비교예 15)
실시예 23 과 동일한 방식으로, 300 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 이어서, 40 g 의 100 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의, 입경이 1000 ㎛ 인 지르코니아 볼 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 900 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 1000 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를 틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 1% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 없는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 40% 라는 것이 나타났다.
(비교예 16)
실시예 23 과 동일한 방식으로, 300 ㎛ 입자를 수득하였다. 이 위에 무전해 도금에 의해 전도성 베이스 층으로서 니켈 도금층을 형성하였다. 이어서, 40 g 의 300 ㎛ 니켈-도금 입자 및 20 ㎖ 의, 입경이 1000 ㎛ 인 스테인레스 스틸 볼 모조 입자를 회전 도금 장치에 충전시키고 구리 도금을 수행하였다. 도금 동안의 조건은 30 ℃ 의 배쓰 온도, 0.5 A/d㎡ 의 전류 밀도, 및 18 Hz 의 주변 속도로 설정하였다. 회전 방향은 매 40 초마다 역전시켰다.
수득된 입자를 틈이 900 ㎛ 인 체를 통해 통과시킴으로써 1000 ㎛ 모조 입자 및 도금 입자를 분리하였다. 이와 같이 수득된 도금 입자의 단면을 관찰하였을 때, 이들의 구리층의 두께가 3 ㎛ 라는 것을 발견하였다. 또한, 수득된 입자를틈이 350 ㎛ 인 체를 통해 통과시켰을 때, 체에 남는 것들의 양은 전체 중량의 약 1% 였고, 큰 응집은 인식되지 않았다. 이러한 입자 2000 개를 현미경을 통해 관찰하면 외관은 광택이 없는 구리 색이고, 균열 또는 갈라짐이 있는 입자의 합이 전체의 약 40% 라는 것이 나타났다.
본 발명이 상기 언급된 구조를 가지기 때문에, 기판들 또는 기판 및 칩의 접합 방법을 제공할 수 있고, 상기 방법은 심한 가열 주기 조건 하에서도 장시간 동안 기판의 연속성을 보유할 수 있다.
