【0001】 【技術分野】 本発明は、電気回路の2つ以上の電極を接続するのに使用され、回路中にかかる力を緩和することにより、接続信頼性が向上した導電性微粒子、及び、基板構成体に関する。 【0002】 【背景技術】 従来、電子回路基板において、ICやLSIを接続するためには、それぞれのピンをプリント基板上にハンダ付けする方法が用いられていたが、この方法は生産効率が悪く、また、高密度化には適さないものであった。 【0003】 接続信頼性を向上させるためには、ハンダを球状にしたいわゆるハンダボールで基板間を接続するBGA(ボールグリッドアレイ)等の技術が開発された。 この技術によれば、基板とチップ、及び、基板上に実装されたハンダボールを高温で溶融しながら接続することにより、高生産性、高接続信頼性を両立させて、電子回路を製造することができた。 しかしながら、最近基板の多層化が進み、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮が発生し、結果としてこれらの力が基板間の接続部に掛かることにより、断線が発生することが問題となっている。 また、多層化によって、基板間の距離を維持することが困難になり、これを維持するために別途スペーサ等を置かなければならず手間や費用がかかることが問題となっている。 【0004】 これらを解決する手段として、基板等の回路に掛かる力の緩和に対しては、基板接続部に樹脂等を塗布することにより補強することが行われており、これは接続信頼性の向上には一定の効果を示したが、手間がかかり、また塗布工程が増えることによる費用が増大するという問題がある。 また、基板間の距離の維持に対しては、銅の周りにハンダをコーティングしたボールを用いることにより、ハンダのように溶融しない銅が支えとなり、基板間の距離を維持することが可能となる。 しかし、銅は高価であり、また、重量もあることから、安価で、かつ、軽量な材料が求められている。 【0005】 【発明の要約】 本発明は、上記現状に鑑み、基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供することを目的とする。 本発明は、樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、上記樹脂の圧縮荷重法により測定した60〜280℃における線膨張率が3×10 −5 〜7×10 −5 (1/K)である導電性微粒子である。 【0006】 【0007】 【0008】 【0009】 【0010】 【0011】 【発明の詳細な開示】 以下に本発明を詳述する。 本発明は、樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子である。 【0012】 本発明で用いられる樹脂は圧縮荷重法により測定した60〜280℃ にわたる全ての温度における線膨張係数が3×10 −5 〜7×10 −5 (1/K)であるものである。 なお、上記線膨張率とは、圧縮荷重法により60〜280℃について測定するものである。 線膨張係数が7×10 −5未満であると、一般に樹脂が固くなるために、応力緩和効果が小さくなり、3×10 −5を超えると、樹脂の変形が大きいため、回路の歪みが無視できない。 本発明の導電性微粒子は、基材微粒子に用いる樹脂の線膨張率が上記の範囲内であるので、温度変化の影響を受けずに、基板間の距離を一定に維持することができる。 【0013】 【0014】 本発明で用いられる樹脂としては、上記の各条件を満たすものであれば特に限定されず、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の架橋型又は非架橋型合成樹脂;有機−無機ハイブリッド重合体等が挙げられる。 これらは単独で用いられても良く、2種以上が共重合体等として併用されても良い。 【0015】 本発明における金属層としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム、及び、珪素からなる群より選ばれる少なくとも1種以上の金属からなるものが挙げられる。 上記金属層は一層からなるものであっても、多層からなるものであってもよく、これらの金属が単独で用いられても良く、2種以上が併用されても良い。 上記の金属が2種以上併用される場合は、複数の層状構造を形成するように用いられても良く、合金として用いられても良い。 【0016】 【0017】 【0018】 本発明の導電性微粒子は、外径が200〜1000μmである場合は、金属層の厚みが基材微粒子の半径の0.5〜30%であることが好ましい。 0.5%未満であると、導電性微粒子の運搬時の耐久性や初期の接続信頼性が低下することがあり、30%を超えると、応力緩和効果が低下することがある。 金属層の厚みが基材微粒子の半径に対して上記の範囲内にあることで、導電性微粒子の応力緩和効果、及び、粒子自体の耐久性が最も強くなる。 【0019】 更に、金属層の厚みが基材微粒子の半径に対して、下記式(1)で表される関係を有することが好ましい。 Y=(−25/10万・X+c)×100 (1) 式中、Yは金属層の厚みの基材微粒子の半径に対する比率(%)を表し、Xは導電性微粒子の外径(μm)を表し、cは0.10〜0.35の定数を表す。 但し、Y>0である。 上記式(1)を満たすと、導電性微粒子の応力緩和効果、及び、粒子自体の耐久性がより強くなる。 【0020】 本発明の導電性微粒子は、外径が50〜200μmである場合は、金属層の厚みが基材微粒子の半径の1〜100%であることが好ましい。 1%未満であると、粒子の運搬時の耐久性や初期の接続信頼性が低下することがあり、100%を超えると、応力緩和効果が低下することがある。 金属層の厚みが基材微粒子の半径に対して上記の範囲内にあることで、導電性微粒子の応力緩和効果、及び、粒子自体の耐久性が最も強くなる。 より好ましくは、4〜40%である。 【0021】 本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の中に気泡がある粒子が全体数の1%以下であることが好ましい。 基材微粒子の中に気泡がある粒子は、表面が凹凸を持っているため、その部分での金属被膜の剥がれが生じやすく、基板実装時に断線等の原因となる。 また、気泡がリフロー等の加熱時に膨張し、ハンダ等にマイクロクラックが発生する原因となる。 気泡は断線やマイクロクラックの原因となるので、気泡がある粒子の数は少ないほど好ましいが、1%を超えると、無視し得ないほどの不良率となり、好ましくない。 より好ましくは、0.5%以下である。 【0022】 更に、本発明の導電性微粒子の基材微粒子の外径が50〜1000μmである場合、基材微粒子の半径の1%以上の径をもつ気泡がある粒子が全体数の1%以下であることが好ましい。 【0023】 気泡と同様に、基材微粒子の中に水等の沸点が300℃以下である物質が含まれている場合も、リフロー等の加熱時に膨張し、ハンダ等にマイクロクラックが発生する原因となる。 このため、本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の中に含有される水等の沸点が300℃以下の物質の総計が粒子全体重量の1重量%以下であることが好ましい。 1重量%を超えると、無視し得ないほどの不良率となり、好ましくない。 【0024】 本発明の導電性微粒子は、真球度が1.5%以下であることが好ましい。 なお、上記真球度とは、下記式(2)で表されるパラメータである。 真球度(%)=(球の最大径−球の最小径)/(球の最大径+球の最小径)×2×100 (2) 真球度が1.5%以下であれば、導電性微粒子のハンドリングがよく、輸送中の破損や実装工程中の粒子の破損も少ない。 一方、真球度が1.5%を超えると、輸送中の破損が多く、破片が工程中に散乱する危険がある。 【0025】 本発明の導電性微粒子は、抵抗値が100mΩ以下であることが好ましい。 100mΩ以下であれば、回路中に熱を発生することもなく、低消費電力のモジュールを製することができる。 100mΩを超えると、導電性微粒子を用いたモジュールの消費電力が飛躍的に上昇し、また、それによる発熱も無視できず、好ましくない。 【0026】 本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の−60〜200℃の温度範囲におけるE'の最大値と最小値との比が1〜2であることが好ましい。 上記の温度範囲で最大値と最小値の比が1〜2であれば、粘弾性の変化が少なく、実装に用いても、製品の熱による劣化等は少ない。 しかし、所定の比を超えるようであれば、粘弾性が低下したところで、製品の破損や劣化等が起こることがある。 【0027】 本発明の導電性微粒子は、基材微粒子のK値が1000〜1万(MPa)であることが好ましい。 なお、上記K値(MPa)は10%変形時における圧縮硬さを意味するものであり、(3/√2)・F・S −3/2・R −1/2で表され、Fは20℃、10%圧縮変形における荷重値(MPa×mm 2 )、Sは圧縮変位(mm)、Rは半径(mm)で表される値であり、導電性微粒子を、特表平6−503180号公報に準拠して微小圧縮試験器(島津製作所社製、PCT−200)を用いてダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑端面で、圧縮硬度0.27g/秒、最大試験荷重10gで圧縮して算出される値である。 K値が小さい程、変形が容易である。 K値が1000MPa未満であると、柔軟すぎるため製造時の合着等の問題を引き起こすことがあり、また、基板間のギャップが維持されず、基板間の接合部分以外での衝突が発生するに実用的でなく、1万MPaを超えると、硬過ぎるために基板間の接合に用いると、接合部分に応力が掛かりやすい。 より好ましくは、1500〜6500(MPa)である。 【0028】 本発明の導電性微粒子は、金属層が2層〜4層からなり、かつ、その最外層がハンダ合金及び/又はスズであることが好ましい。 基材微粒子の外径としては、用途に従い適宜選択することができ、例えば、700〜800μm、250〜400μm、50〜150μmの外径を有する基材微粒子を用いることができる。 基材微粒子の外径が700〜800μmであり、金属層が4層からなり、最内層が0.1〜0.5μmのニッケル層、その外層が2〜12μmの銅層、その外層が2〜30μmの鉛が82〜98%、錫が2〜18%のハンダ合金層、最外層が2〜30μmの鉛が25〜50%、錫が50〜75%のハンダ合金層である導電性微粒子を用いると、よりいっそう温度の上昇により生じた基板の歪みや収縮を吸収し、基板間にかかる力を緩和することができる。 【0029】 2つ以上の基板間が本発明の導電性微粒子により接続されてなる基板構成体もまた、本発明の1つである。 上記基板構成体で用いられる導電性微粒子は、基材微粒子の粒径のCV値が1.5%以下であることが好ましい。 なお、上記CV値とは下記式(3)で表されるものである。 CV値=(σ/Dn)×100 (3) 式中、σは粒径の標準偏差を表し、Dnは数平均粒径を表す。 上記標準偏差及び数平均粒径は、任意の導電性微粒子100個を電子顕微鏡で観察・測定することにより得られる値である。 CV値が1.5%を超えると、粒径のばらつきが大きくなるので、導電性微粒子を介して電極間を接合する際に、接合に関与しない導電性微粒子が多くなり、電極間でリーク現象が起こることがある。 【0030】 上記基板構成体で用いられる導電性微粒子は、基材微粒子の粒径が中心値の±5%であることが好ましい。 ±5%の範囲外であると、同様に、粒径のばらつきが大きくなるので、導電性微粒子を介して電極間を接合する際に、接合に関与しない導電性微粒子が多くなり、電極間でリーク現象が起こることがある。 【0031】 上記基板構成体において、基板間の距離は本発明の導電性微粒子の基材微粒子の粒径の95〜120%であることが好ましい。 95%未満であると、基板に傷が付くことがあり、120%を超えると、接続安定性が低下することがある。 【0032】 上記基板構成体において、2つ以上の基板を構成する材料及び/又は組成は同じであってもよいが、異なっていてもよい。 基板構成体を構成する複数の基板がそれぞれ異なるものであっても、本発明の導電性微粒子を用いて接続することにより、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮により発生した基板等の回路に掛かる力を緩和することができる。 【0033】 上記基板構成体において、基板同士の線膨張係数の差が10ppm以上であってもよい。 10ppm以上であっても、本発明の導電性微粒子により接続することで、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮により発生した基板等の回路に掛かる力を緩和することができる。 【0034】 【0035】 【0036】 【0037】 【0038】 【0039】 【0040】 【0041】 【0042】 【0043】 【0044】 【0045】 【0046】 【0047】 【0048】 【0049】 【0050】 【0051】 【0052】 【0053】 【0054】 【0055】 【0056】 【0057】 【0058】 【0059】 【0060】 【0061】 【0062】 【0063】 【0064】 【0065】 【0066】 【0067】 【0068】 【0069】 【0070】 【0071】 【0072】 【0073】 【0074】 【0075】 【発明を実施するための最良の形態】 以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 【0076】 (実施例1) スチレンとジビニルベンゼンとを共重合させて得られた基材微粒子に導電下地層としてニッケルめっき層を形成し、平均粒径698.5μm、標準偏差17.5μmのニッケルめっき微粒子を得た。 得られたニッケルめっき微粒子30gをとり、バレルめっき装置を用いてその表面に銅めっきを施し、更にその上に共晶ハンダめっきを行った。 めっきバレルは、径50mmの正五角形、高さ50mmの角柱状で、側面の1面のみに孔径20μmのメッシュであるフィルタが施されている。 この装置を銅めっき液中で1時間通電し、容器を正五角形の中心同士を通る軸を中心に50rpmで回転し、銅めっきを行い、洗浄を行った。 その後に共晶ハンダめっき液中で8時間通電しながら、同様にめっきバレルを回転し、共晶ハンダめっきを行った。 このようにして得られた最外殻が共晶ハンダめっき層である共晶ハンダめっき樹脂微粒子を顕微鏡で観察したところ、全く凝集がなく、全ての粒子が単粒子として存在していたことが確認された。 また、この共晶ハンダめっきされた樹脂微粒子100個を拡大鏡で観察・測定した結果、平均粒径は749.2μm、標準偏差は18.1μmであった。 また、顕微鏡下にて粒子の切断断面を測定したところ、Niめっきの厚みは約0.3μm、Cuめっきの厚みは5μm、共晶ハンダめっきの厚みは20μmと計算された。 粒径の変動係数は2.4%であった。 一方、めっき前の基材微粒子を板状に成形した後に圧縮加重法により、線膨張率を60〜280℃について測定したところ、60〜200℃では6.0×10 −5 (1/K)、200〜280℃では4.1×10 −5 (1/K)であった。 また、上記のめっき粒子の内、傷やバイポーラはいずれの粒子にも見られなかった。 【0077】 (比較例1) ポリウレタン樹脂からなる基材微粒子に導電下地層としてニッケルめっき層を形成し、平均粒径704.5μm、標準偏差19.8μmのニッケルめっき微粒子を得た。 得られたニッケルめっき微粒子30gをとり、実施例1と同様にしてその表面に銅めっきを施し、更にその上に共晶ハンダめっきを行った。 このようにして得られた最外殻が共晶ハンダめっき層である共晶ハンダめっき樹脂微粒子を顕微鏡で観察したところ、全く凝集がなく、全ての粒子が単粒子として存在していたことが確認された。 また、この共晶ハンダめっきされた樹脂微粒子100個を拡大鏡で観察・測定した結果、平均粒径は755.5μm、標準偏差は25.1μmであった。 また、顕微鏡下にて粒子の切断断面を測定したところ、Niめっきの厚みは約0.3μm、Cuめっきの厚みは5μm、共晶ハンダめっきの厚みは20μmと計算された。 粒径の変動係数は3.3%であった。 一方、実施例1と同様にして、線膨張率を60〜280℃について測定したところ、60〜200℃では13.5×10 −5 (1/K)、200〜280℃では11.7×10 −5 (1/K)であった。 また、上記のめっき粒子の内、傷やバイポーラはいずれの粒子にも見られなかった。 【0078】 (実施例2) テトラメチロールメタンテトラアクリレートとジビニルベンゼンとを共重合させて得られた基材微粒子に導電下地層としてニッケルめっき層を形成し、平均粒径748.2μm、標準偏差24.5μmのニッケルめっき微粒子を得た。 得られたニッケルめっき微粒子30gをとり、実施例1と同様にしてその表面に銅めっきを施し、更にその上に共晶ハンダめっきを行った。 このようにして得られた最外殻が共晶ハンダめっき層である共晶ハンダめっき樹脂微粒子を顕微鏡で観察したところ、全く凝集がなく、全ての粒子が単粒子として存在していたことが確認された。 また、この共晶ハンダめっきされた樹脂微粒子100個を拡大鏡で観察・測定した結果、平均粒径は800.5μm、標準偏差は24.1μmであった。 また、顕微鏡下にて粒子の切断断面を測定したところ、Niめっきの厚みは約0.3μm、Cuめっきの厚みは6μm、共晶ハンダめっきの厚みは20μmと計算された。 粒径の変動係数は3.0%であった。 一方、実施例1と同様にして、線膨張率を60〜280℃について測定したところ、60〜200℃では5.4×10 −5 (1/K)、200〜280℃では3.7×10 −5 (1/K)であった。 また、上記のめっき粒子の内、傷やバイポーラはいずれの粒子にも見られなかった。 【0079】 (比較例2) エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂からなる基材微粒子に導電下地層としてニッケルめっき層を形成し、平均粒径748.5μm、標準偏差23.8μmのニッケルめっき微粒子を得た。 得られたニッケルめっき微粒子30gをとり、実施例1と同様にしてその表面に銅めっきを施し、更にその上に共晶ハンダめっきを行った。 このようにして得られた最外殻が共晶ハンダめっき層である共晶ハンダめっき樹脂微粒子を顕微鏡で観察したところ、全く凝集がなく、全ての粒子が単粒子として存在していたことが確認された。 また、この共晶ハンダめっきされた樹脂微粒子100個を拡大鏡で観察・測定した結果、平均粒径は800.7μm、標準偏差は26.1μmであった。 また、顕微鏡下にて粒子の切断断面を測定したところ、Niめっきの厚みは約0.3μm、Cuめっきの厚みは6μm、共晶ハンダめっきの厚みは20μmと計算された。 粒径の変動係数は3.3%であった。 一方、実施例1と同様にして、線膨張率を60〜280℃について測定したところ、60〜200℃では18.9×10 −5 (1/K)、200〜280℃では15.4×10 −5 (1/K)であった。 また、上記のめっき粒子の内、傷やバイポーラはいずれの粒子にも見られなかった。 【0080】 (実施例3〜5) 実施例2の基材微粒子の平均粒径398.2μm、標準偏差5.8μmである以外は実施例2と同様のものを作製した。 これを実施例3とした。 同様に基材微粒子の平均粒径122.8μm、標準偏差1.6μmである以外は実施例2と同様のものを作製した。 これを実施例4とした。 実施例2の金属層を最内層がNiめっきで、その外層をCuめっき、その外層が鉛9:錫1であるハンダ合金(高温ハンダ)のめっき、最外層が共晶ハンダめっきであり、かつ、それぞれの層の顕微鏡下粒子切断面での測定値がNiめっきの厚み約0.3μm、Cuめっきの厚み5μm、高温ハンダめっきの厚み10μm、共晶ハンダめっきの厚み10μmであるものを作製した。 これを実施例5とした。 【0081】 (比較例3〜5) 比較例2の基材微粒子の平均粒径が401.2μm、標準偏差が16.2μmである以外は比較例2と同様のものを作製した。 これを比較例3とした。 同様に基材微粒子の平均粒径が135.3μm、標準偏差4.7μmである以外は比較例2と同様のものを作製した。 これを比較例4とした。 比較例2の金属層を最内層がNiめっきで、その外層をCuめっき、その外層が鉛9:錫1であるハンダ合金(高温ハンダ)のめっき、最外層が共晶ハンダめっきであり、かつ、それぞれの層の顕微鏡下粒子切断面での測定値が、Niめっきの厚み約0.3μm、Cuめっきの厚み5μm、高温ハンダめっきの厚み10μm、共晶ハンダめっきの厚み10μmであるものを作製した。 これを比較例5とした。 【0082】 (測定例) 実施例1〜5及び比較例1〜5のめっき粒子をダミーチップ上に計24個置き、これをプリント基板に赤外線リフロー装置を用いて接合した。 接合条件は、185℃−1分間、245℃−3分間とした。 このようにして各種10枚ずつダミーチップを接合した基板を用意した。 これを−40〜125℃(各30分サイクル)でプログラム運転をする恒温槽中に入れて行った。 各100サイクル毎に全ての球の導通を調べた。 表1に各実施例のサイクル数と導通しなくなった基板の数の関係を示した。 【0083】 【表1】
【0084】 このように、実施例に対し、比較例は比較的早いサイクル数で導通がとれなくなっているものが増えている。
【0085】
【産業上の利用可能性】
本発明は、上述の構成を有するので、苛酷な熱サイクル条件下においても長期間基板の導通を保持することができる基板間又は基板とチップとの接合手段を提供することができる。
【0086】
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明に用いられるめっき装置の一例を示す概略図である。
図中の符号は、それぞれ、1はカバーを表し、2は電極を表し、2aは陽極を表し、3は回転軸を表し、5は容器を表し、6はめっき液供給管を表し、7はめっき液排出管を表し、8は開口部を表し、11は底板を表し、12は接触リングを表し、13は多孔質リングを表す。
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