1.一种直流电子灭弧装置，包括与所需灭弧的机械开关两端并联的功率半导体器件，其特征是所述功率半导体器件控制端与控制电路连接，所述功率半导体器件的主回路通过电容或电阻与所述控制电路连接，所述功率半导体器件的主回路两端的电压变化通过所述电容或所述电阻连接至所述控制电路，所述控制电路产生脉冲控制信号控制所述功率半导体器件导通。
2.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述控制电路包括：供电电路、电平变换电路、脉冲发生电路、驱动电路，所述供电电路为所述电平变换电路、所述脉冲发生电路和所述驱动电路提供工作电源，所述功率半导体器件的主回路两端的电压变化信号通过所述电容或所述电阻，经所述电平变换电路再经所述脉冲发生电路，所述脉冲发生电路输出脉冲信号给所述驱动电路，所述驱动电路驱动所述功率半导体器件导通。
3.根据权利要求2所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述电平变换电路至少包括一晶体管，所述电容与至少一电阻组成串联电路，所述串联电路与所述晶体管控制端连接，所述晶体管输出端与所述脉冲发生电路连接。
4.根据权利要求3所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述晶体管的控制端与至少一二极管组成所述电容的充放电回路。
5.根据权利要求2所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述电平变换电路至少包括一晶体管，所述电阻与所述晶体管控制端连接，所述晶体管输出端与所述脉冲发生电路连接。
6.根据权利要求2所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述脉冲发生电路至少包括一集成电路。
7.根据权利要求6所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述集成电路为可编程器件。
8.根据权利要求6所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述集成电路包括多路输入端口和多路脉冲输出端口，用于多路直流机械开关灭弧。
9.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是通过所述电容的输入电流的一个方向电流作为所述控制电路脉冲输出的使能信号，所述输入电流的另一个方向电流作为所述控制电路脉冲输出的触发信号。
10.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述功率半导体器件为全控型器件。
11.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述功率半导体器件为三极管、场效应管或IGBT。
12.根据权利要求2所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述机械开关和所述机械开关相连接负载组成串联电路，所述供电电路的电源输入端与所述串联电路两端连接，由所述串联电路两端的输入电源提供所述供电电路工作电源。
13.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是所述功率半导体器件主回路串联有熔断部件。
14.根据权利要求1所述的直流电子灭弧装置，其特征是：为三端电路，其中两个端点分别与所述机械开关与负载组成的串联电路两端连接，所述机械开关与负载连接的共同端点与其中另一端点连接。