1.一种电路断流器，包括：
至少一个输入导体；
至少一个输出导体；
至少一个接地导体；
耦合在所述至少一个输入导体和至少一个输出导体之间的开关；
集成到集成电路中的感测电路，被配置成检测接地故障并确定所述接地导体的电压电位是否不等于地电压电位，所述感测电路包括耦合到所述至少一个接地导体的输入端子，并且所述感测电路包括具有高阻抗输入的MOSFET反相器，该MOSFET反相器与所述输入端子相连；和
耦合到所述开关和所述感测电路的控制电路；
其中，如果所述接地导体的电压电位不等于地电压电位，则所述感测电路将使得所述控制电路自动断开所述开关，从而断开所述输入导体与所述输出导体之间的连接。
2.根据权利要求1所述的电路断流器，其中所述感测电路电连接到所述至少一个接地导体。
3.根据权利要求1所述的电路断流器，其中所述感测电路经具有电容的耦合部耦合到所述至少一个接地导体。
4.根据权利要求3所述的电路断流器，其中具有电容的所述耦合部为离散电容器。
5.根据权利要求3所述的电路断流器，其中所述感测电路耦合到缠绕但并不电连接到所述接地导体的导体。
6.根据权利要求3所述的电路断流器，其中该电容的电容值不超过0.002微法。
7.根据权利要求1所述的电路断流器，其中所述MOSFET反相器为第一MOSFET反相器，并且其中所述感测电路还包括：
与所述第一MOSFET反相器串联的第二MOSFET反相器；
与所述第一MOSFET反相器并联的电阻器；
耦合到所述第二MOSFET反相器的晶体管；以及
耦合到所述晶体管的继电器，其中所述继电器具有断开状态和闭合状态，当所述继电器处于所述闭合状态时，所述控制电路断开所述开关。
8.根据权利要求7所述的电路断流器，其中所述电阻器的阻值不小于10兆欧姆。
9.根据权利要求1所述的电路断流器，其中该集成电路为微处理器。
10.根据权利要求7所述的电路断流器，其中当检测到预定条件时所述控制电路断开所述开关；并且
当所述继电器处于所述闭合状态时，所述继电器产生所述预定条件。
11.根据权利要求10所述的电路断流器，其中所述预定条件选自包括以下条件的组：
接地故障、电弧故障、电器漏电故障、浸没故障和测试循环。
12.一种电路断流器，包括：
至少一个输入导体；
至少一个输出导体；
至少一个接地导体；
耦合在所述至少一个输入导体和至少一个输出导体之间的开关；
集成到集成电路中的感测电路，被配置成检测电弧故障或接地故障中的至少一个，并被配置成确定所述接地导体的电压电位是否不等于地电压电位，其中所述感测电路包括容性耦合到所述至少一个接地导体的输入端子，并且所述感测电路包括耦合到所述输入端子的至少一个具有高阻抗输入的MOSFET反相器，并且包括耦合到所述至少一个MOSFET反相器的至少一个晶体管和耦合到所述至少一个晶体管的至少一个继电器，其中所述MOSFET反相器具有高增益；以及
耦合到所述开关和所述感测电路的控制电路；
其中，所述感测电路检测所述接地导体的电压电位是否不基本上等于地电压电位，如果所述接地导体的所述电压电位不基本上等于地电压电位，则所述感测电路将指示所述继电器自动断开所述开关，从而使所述至少一个输入导体从所述至少一个输出导体断开。
13.一种接地故障电路断流器，包括：
至少一个输入导体；
至少一个输出导体；
至少一个接地导体；
耦合在所述至少一个输入导体和至少一个输出导体之间的开关；
集成到集成电路中的感测电路，被配置成检测电弧故障或接地故障中的至少一个，并被配置成确定所述接地导体的电压电位是否不等于地电压电位，其中所述感测电路包括耦合到所述至少一个接地导体的输入端子，并且所述感测电路包括耦合到所述输入端子的至少一个具有高阻抗输入的MOSFET反相器、耦合到所述至少一个MOSFET反相器的至少一个晶体管和耦合到所述至少一个晶体管的至少一个继电器，其中所述至少一个继电器具有断开状态和闭合状态，当所述至少一个继电器处于所述闭合状态时，所述开关被断开；以及耦合到所述开关和所述感测电路的控制电路；
其中如果所述接地导体的电压电位不等于地电压电位，则所述感测电路被配置成指示所述控制电路断开所述开关。
14.根据权利要求1所述的断流器，其中所述反相器的所述输入耦合到具有至少10兆欧姆的高阻抗的电阻器。
15.根据权利要求12所述的断流器，其中所述反相器的所述输入耦合到具有至少10兆欧姆的高阻抗的电阻器。
16.根据权利要求13所述的断流器，其中所述至少一个继电器被配置成有选择地断开所述开关，其中所述反相器的所述输入耦合到具有至少10兆欧姆的高阻抗的电阻器。
17.根据权利要求1所述的断流器，其中所述反相器为高增益反相器，该高增益反相器的放大输出为所述输入的至少1000倍。
18.根据权利要求12所述的断流器，其中所述反相器为高增益反相器，该高增益反相器的放大输出为所述输入的至少1000倍。
19.根据权利要求16所述的断流器，其中所述反相器为高增益反相器，该高增益反相器的放大输出为所述输入的至少1000倍。
20.根据权利要求5所述的电路断流器，其中所述接地导体被形成为GFCI接地带。
21.根据权利要求1所述的电路断流器，还包括线圈，用于当所述感测电路检测到所述接地导体的电压电位与地电压电位不同时自动断开所述开关。
22.根据权利要求12所述的电路断流器，还包括线圈，用于当所述感测电路检测到所述接地导体的电压电位与地电压电位不基本上相同时自动断开所述开关。
23.根据权利要求13所述的电路断流器，还包括线圈，用于当所述感测电路检测到所述接地导体的电压电位与地电压电位不同时自动断开所述开关。
24.根据权利要求1所述的电路断流器，还包括耦合到所述MOSFET反相器的晶体管，该晶体管的集电极通过与发光二极管串联的电阻器连接到该晶体管的发射极。
25.根据权利要求12所述的电路断流器，还包括耦合到所述MOSFET反相器的晶体管，该晶体管的集电极通过与发光二极管串联的电阻器连接到该晶体管的发射极。
26.一种用于确定故障电路断流器的带电接地条件的方法，包括：
a)通过感测电路感测接地线上的电压电位，该感测电路具有MOSFET反相器，该MOSFET反相器具有高阻抗输入，所述感测电路被形成为单个集成电路并被配置成检测接地故障的出现，所述感测电路被配置成确定耦合到所述感测电路的接地导体的电压电位是否不等于地电压电位；和
b)当所述接地线上的所述电压电位不等于地电压电位时通过开关断开线路侧导体与负载侧导体之间的连接。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述感测接地线上的电压电位的步骤包括在感测电路中提供耦合到所述MOSFET反相器的晶体管，该晶体管的集电极通过与发光二极管串联的电阻器连接到该晶体管的发射极。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述感测接地线上的电压电位的步骤包括在感测电路中提供耦合到所述MOSFET反相器的至少一个晶体管，以及耦合到所述至少一个晶体管的至少一个继电器，其中所述至少一个继电器被配置成有选择地断开所述开关，其中所述反相器的所述输入被耦合到具有至少10兆欧姆的高阻抗的电阻器。
29.一种集成电路，包括：
a)被配置成连接到电输入端的引脚(8)；
b)容性耦合到接地线的引脚(9)；和
c)感测电路(429a)，被配置成检测接地故障并确定所述接地线的电压电位是否不等于地电压电位，所述感测电路包括耦合到所述接地线的输入端子(430)，所述输入端子(430)对应于所述容性耦合到接地线的引脚(9)，并且所述感测电路包括具有高阻抗输入的MOSFET反相器，该MOSFET反相器与所述输入端子(430)相连。