1.一种半导体器件，包括：
衬垫，形成在半导体衬底上方；
支柱，形成在所述半导体衬底上方，并且邻近所述衬垫；
底部金属图样，位于所述支柱上方，所述底部金属图样具有的宽度延伸超过所述支柱的宽度，且延伸至一定的位置，所述一定的位置位于所述衬垫形成的位置上方；
顶部金属图样，形成在所述底部金属图样上方；
金属连接器，连接至所述顶部金属图样，其中，所述金属连接器在与形成的所述支柱相对应的位置形成；
位于所述顶部金属图样和所述半导体衬底上方的金属膜，所述金属膜与所述半导体衬底相隔预定的间隔，并且所述金属膜具有形成于其中的多个刻蚀孔，其中，空气层置于所述金属膜和所述衬垫之间；
在所述金属膜的顶部上方形成的金属导线，其中所述顶部金属图样电连接至所述金属导线；以及
所述空气层，置于所述底部金属图样和所述衬垫之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部金属图样和所述顶部金属图样各自包括具有不同热膨胀系数的金属。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述顶部金属图样的所述热膨胀系数大于所述底部金属图样的所述热膨胀系数。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述顶部金属图样包括铝，而所述底部金属图样包括镍。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属导线电连接至所述金属连接器。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属导线包括Co、Mo、Ta、W、Ti、Ni、Al、Cu、Pt、Au及其合金之中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，至少一个接触电极形成在与所述支柱的位置相对应的位置的上方，且位于所述顶部金属图样和所述金属导线之间。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，包括位于所述金属膜上方的介电膜，所述介电膜覆盖所述多个刻蚀孔。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部金属图样通过弯曲来接触所述衬垫。
10.一种半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上方形成衬垫；
在所述衬垫和所述半导体衬底上方形成第一介电膜；
在所述半导体衬底上方和所述第一介电膜内形成支柱，并且所述支柱位于邻近所述衬垫的位置处；
在所述支柱和至少部分所述第一介电膜上方形成底部金属图样，所述底部金属图样具有第一热膨胀系数；
在所述底部金属图样上方形成顶部金属图样，所述顶部金属图样具有第二热膨胀系数，所述第二热膨胀系数不同于所述第一热膨胀系数；
在所述第一介电膜和所述顶部金属图样上方形成第二介电膜；
在所述第二介电膜上方形成金属膜，所述金属膜具有位于所述金属膜中的至少一个刻蚀孔；
经由所述至少一个刻蚀孔来提供刻蚀液体以去除所述第一介电膜和所述第二介电膜；
在去除所述第一介电膜和所述第二介电膜之后，在所述金属膜上方形成第三介电膜以覆盖所述至少一个刻蚀孔和所述金属膜；以及
在所述第三介电膜上方形成金属导线，所述金属导线电连接至所述顶部金属图样。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，所述金属导线包括Co、Mo、Ta、W、Ti、Ni、Al、Cu、Pt、Au及其合金之中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，形成所述第二介电膜包括：
在所述第二介电膜中形成接触孔；以及
在布置了所述支柱的位置上方形成接触电极，所述接触电极经由所述接触孔与所述顶部金属图样接触。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，通过所述支柱来支撑所述底部金属图样的底部表面的一侧，通过所述接触电极来支撑所述顶部金属图样的上部表面的一侧，以及当去除所述第一介电膜和所述第二介电膜时，在所述金属膜和所述半导体衬底之间形成空气层。
14.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，包括在所述衬垫与所述底部金属图样的底部表面之间形成空气层。
15.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，包括在位于布置了所述支柱的位置处的所述顶部金属图样的上部上方形成接触电极。
16.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，所述顶部金属图样包括铝，而所述底部金属图样包括镍。
17.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。