一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法 |
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申请号 | CN201610148997.4 | 申请日 | 2016-03-16 | 公开(公告)号 | CN105762019A | 公开(公告)日 | 2016-07-13 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所; | 发明人 | 党元兰; 赵飞; 徐亚新; 刘晓兰; 梁广华; 陈雨; 庄治学; 唐小平; 周拥华; 李朝; 刘志斌; 李可; 龚孟磊; 刘颖; 何超; 邢伯仑; | ||||
摘要 | 本 发明 涉及MEMS器件制造领域,特别涉及一种LCP基材的RFMEMS 开关 制备方法,主要包括 基板 清洗、覆 铜 面 镀 金及后处理、溅射前干法处理、 光刻 前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上 二 氧 化 硅 绝缘层的制作、牺牲层制作、 薄膜 微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关,具有插入损耗和驱动 电压 较低、成品率和隔离度较高等特性,加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。 | ||||||
权利要求 | 1.一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法,其特征在于包括以下步骤: |
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说明书全文 | 一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法技术领域[0001] 本发明涉及MEMS器件制造领域,特别涉及一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法。 背景技术[0002] LCP(液晶化合物)是新一代微波/毫米波基板及系统封装材料,具有介电常数和损耗小、使用频率范围大(DC~110GHz)、重量轻、耐热性和阻燃性强、线膨胀系数小、耐腐蚀性好、可弯曲、可折叠、多层结构成型温度低(285℃)、无源器件和有源芯片可一起封装等特性,这些特性契合了微波/毫米波系统向更轻、更小、更高性能以及更低成本方向发展的需求,因而在微波/毫米波系统中展现出了广阔的应用前景。 [0003] 与硅材料制作的RF MEMS开关相比,LCP基材RF MEMS开关具有更低的损耗、更好的加工兼容性。由于LCP为柔性基材,在柔性基材上加工带有可动部件的微米尺寸的RF MEMS开关是MEMS制造业面临的一个巨大挑战。 发明内容[0004] 本发明的目的在于提供一种成品率较高的柔性LCP基材RF MEMS开关制备方法。 [0005] 本发明的目的是这样实现的,一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法,其特征在于包括以下步骤: [0006] (1)将单面覆铜的LCP基板进行清洗处理; [0010] (5)将步骤(4)处理后的LCP基板取出,用光刻胶将LCP基板的镀金面与表面平整的硬性基板进行无间隙复合; [0011] (6)在步骤(5)处理后的LCP基板的钛钨—金膜层上,制备CPW图形; [0014] (9)在步骤(8)处理后的LCP基板上,用光刻胶将处于薄膜微桥桥墩以外的所有部位覆盖,送入磁控溅射台中,溅射金膜层; [0015] (10)将步骤(9)处理后的LCP基板取出,用光刻胶将薄膜微桥以外的部位覆盖,再对薄膜微桥进行镀金加厚,之后将本步骤覆盖的光刻胶进行去胶处理和湿法刻蚀处理,得到薄膜微桥; [0016] (11)将步骤(10)处理后的LCP基板,进行牺牲层释放,牺牲层包括步骤(5)中的光刻胶和步骤(9)中的光刻胶; [0017] 完成LCP基材RF MEMS开关的制备。 [0018] 其中,步骤(5)所述的用光刻胶将LCP基板的镀金面与表面平整的硬性基板进行无间隙复合,具体包括以下步骤: [0020] (502)在步骤(501)处理后的LCP基板上,压盖硬性基板并在硬性基板上压盖压块,加热烘烤10min~15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温; [0021] (503)将步骤(502)处理后的LCP基板和硬性基板再次置于100℃~150℃热板上,压盖压块加热烘烤10min~15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温。 [0022] 其中,步骤(1)所述的清洗处理包括以下步骤: [0023] (101)用50℃~70℃的M6319US清洗液超声清洗单面覆铜LCP基板5min~10min,之后水洗; [0024] (102)将(101)处理过的LCP基板用5%~10%的稀盐酸超声清洗0.5min~1.5min,之后水洗。 [0025] 其中,步骤(2)所述的LCP基板覆铜面电镀金包括以下步骤: [0026] (201)将步骤(1)处理后的LCP基板覆铜面电镀金,镀后水洗; [0027] (202)将步骤(201)处理后的LCP基板用异丙醇浸泡清洗5min~10min,之后氮气吹干; [0028] (203)将步骤(202)处理后的LCP基板置于200℃~250℃的热板上压盖玻璃板烘烤60min~120min。 [0030] 本发明的优点: [0031] 本发明以柔性LCP单面覆铜板作为基板材料,通过对覆铜面镀金,保证铜面不被氧化;通过等离子干法刻蚀处理,提高溅射膜层与无铜面之间的结合力;通过光刻前将LCP基板与硬性基板进行无间隙复合等方法,实现柔性LCP基板平整度的良好保持,且该复合过程不需要借助复杂设备,操作简便、灵活,且成品率高;通过CPW图形局部电镀加厚、微桥下方RF传输线上二氧化硅层的引入、牺牲层上微桥制备、牺牲层释放等,获得了较好的LCP基材RF MEMS开关制备方法,取得的有益效果为: [0032] (1)在柔性LCP基材上,成功加工出电容式RF MEMS开关; [0033] (2)成品率较高; [0035] 图1是LCP基材RF MEMS开关结构示意图。 具体实施方式[0036] 下面,结合图1对本发明作进一步说明。 [0037] 一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法,所述的LCP基材RF MEMS开关包括开关基材、位于开关基材上的CPW图形和薄膜微桥8,开关基材包括LCP基材1、背面铜箔2及其上的金层3,CPW图形包括RF传输线5和位于RF传输线两侧的地线4,具体包括以下步骤: [0038] (1)用50℃~70℃的M6319US清洗液超声清洗单面覆铜LCP基板5min~10min后,水洗;再用5%~10%的稀盐酸超声清洗0.5min~1.5min后,水洗; [0039] (2)将步骤(1)处理后的LCP基板覆铜面电镀金、水洗,用异丙醇浸泡清洗5min~10min,用氮气吹干。之后置于200℃~250℃的热板上压盖玻璃板烘烤60min~120min; [0040] (3)将步骤(2)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中,用四氟化碳和氧气处理基板无铜面2min~5min; [0041] (4)将步骤(3)处理后的LCP基板送入磁控溅射台中,在无铜面上溅射钛钨—金膜层; [0042] (5)在步骤(4)处理后的LCP基板电镀金面旋涂光刻胶,并置于100℃~150℃热板上烘烤2min~5min,压盖表面平整的硬性基板(硬性基板可以是玻璃板、硅片和陶瓷板)并在硬性基板上压盖压块,加热烘烤10min~15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温。再次将LCP基板和硬性基板置于100℃~150℃热板上,压盖压块加热烘烤10min~15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温; [0043] (6)将步骤(5)处理后的LCP基板钛钨—金膜层面进行等离子处理,用光刻胶覆盖CPW图形中需要电镀加厚的线条图形以外的部位,之后对线条图形进行镀金加厚,再进行去胶处理。用光刻胶将CPW图形的所有线条部位覆盖,之后对CPW图形以外部位进行湿法刻蚀,再进行去胶处理,得到CPW图形; [0044] (7)将步骤(6)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中,用氩气对CPW图形进行干法处理;再在处理后的LCP基板表面生长一层二氧化硅; [0045] (8)在步骤(7)处理后的LCP基板表面,用光刻胶将处于薄膜微桥下方的二氧化硅覆盖,并对覆盖以外的部位进行湿法刻蚀,再进行去胶处理,在RF传输线上形成二氧化硅绝缘层6; [0046] (9)在步骤(8)处理后的LCP基板上,用匀胶机旋涂光刻胶,室温下静置30min~60min;之后前烘、曝光、显影,制作出桥墩7部位裸露的光刻胶图形;之后把LCP基板置于100℃~150℃的热板上,烘烤20min~40min,得到牺牲层;再将LCP基板送入磁控溅射台中,在整个表面溅射金膜层; [0047] (10)将步骤(9)处理后的LCP基板取出,用光刻胶将薄膜微桥以外的部位覆盖,再对薄膜微桥进行镀金加厚,之后将本步骤覆盖的光刻胶进行去胶处理和湿法刻蚀处理,得到薄膜微桥; [0048] (11)将步骤(10)处理后的LCP基板放入去胶液中浸泡,浸泡过程中进行1min~2min的超声处理;取出LCP基板,再放入热去离子水中浸泡清洗3遍~5遍;取出LCP基板,放入异丙醇中浸泡,浸泡过程中进行1min的超声处理;取出LCP基板,放入临界点干燥仪的腔室中,进行二氧化碳超临界干燥,完成牺牲层释放; [0049] 完成LCP基材RF MEMS开关的制备。 |